TPS56221
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SLUSAH5
–
2011年3月
4.5 V至14 V输入大电流同步降压转换器
检查样品：
TPS56221
1
特点
4.5 V至14 V的输入电压范围
集成功率模块技术
截至25 -A输出电流
300 kHz的固定频率选项， 500千赫
和1兆赫
高侧和低侧MOSFET
DS （ ON）
传感
可编程软启动
600 mV的参考电压精度达1％
电压模式控制和前馈
支持预偏置输出
热关断
22引脚5 ×6mm的PQFN使用PowerPad
包
2
描述
TPS56221是一种高效率和高电流
同步降压转换器设计成操作
从4.5 V至14 V的电源设备是
能够产生的输出电压为低，作为
0.6 V电压负载可达25 A.综合的NexFET
功率MOSFET提供小脚印和缓解
的用途。
该设备实现了一种电压模式控制与
电压前馈补偿的响应
立即输入电压变化。
TPS56221是采用热增强型
22引脚PQFN （ DQP ）使用PowerPad 封装。
该装置提供设计的灵活性与各种
用户可编程功能，包括软启动，
过流保护（OCP ）的水平，和环
补偿。 OCP的水平是由一个编程
从ILIM引脚连接到单个外部电阻器
电路接地。在初始上电
序，器件进入校准周期，
测量在ILIM引脚上的电压，并设置了一个
内部OCP的电压电平。在操作期间，该
编程OCP的电压电平进行比较的
跨过低侧FET的电压降，当它是在对
确定是否存在过电流情况。
然后进入关机/重启循环，直到故障
被除去。
应用
点的负载（ POL ）电源模块
高密度DC-DC转换器，用于电信
和网络应用
简化应用
V
OUT
FB
COMP
PGD
EN / SS
V
IN
SD
VDD
GND
TPS56221
VIN
BOOT
SW
ILIM
BP
V
OUT
V
IN
UDG-11045
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad ，的NexFET是德州仪器的商标。
版权
2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
-40 ° C至150℃
包
引脚
22
传输介质
带盘式
最低订购数量
250
2500
订购
数
TPS56221DQPT
TPS56221DQPR
塑料QFN （ DQP ）
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
民
VDD ， VIN
SW
电压范围
SW（ < 100ns的脉冲宽度， 10
J)
BOOT
BOOT -SW （从开机到SW差）
COMP ， PGOOD ， FB ，BP ， EN / SS ， ILIM
静电放电
温度
(1)
（ HBM ） QSS 009-105 （ JESD22- A114A ）
（ CBM ） QSS 009-147 （ JESD22- C101B.01 ）
结，T
J
存储，T
英镑
–40
–55
–0.3
–3
-5
–0.3
–0.3
–0.3
30
7
7
2
1.5
150
150
典型值
16.5
25
单位
V
kV
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只有与该设备在这些或超出下包括的任何其它病症的功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
热信息
TPS56221
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
PQFN
22针
34.6
22.9
0.6
5.0
0.3
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
DD
T
J
VIN输入电压
工作结温
4.5
–40
典型最大单位
14
125
V
°C
2
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版权
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设备信息
DQP套餐
PQFN-22
（ TOP VIEW ）
COMP
FB
GND
BOOT
GND
SW
SW
SW
SW
SW
SW
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
22
21
20
19
18
PGD
EN / SS
VDD
BP
ILIM
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
GND
（散热焊盘）
17
16
15
14
13
12
注：散热垫也是电气接地连接。
引脚功能
针
名字
BOOT
BP
COMP
号
4
19
1
O
O
O
栅极驱动电压高侧FET 。一个100 nF的电容（典型值）必须连接该引脚之间
和SW引脚。为了减少电压尖峰SW之间， 5引导性
10
可被放置
串联在启动电容器减慢启动高侧FET的。
输出旁路内部稳压器。连接1的低ESR陶瓷旁路电容
F
或更大
此引脚与GND 。
输出的误差放大器和连接节点用于闭环反馈元件。或者，一个40.2 kΩ的
此引脚与GND电阻设置开关频率至300kHz ，而不是500KHz的默认值;
而从这个引脚GND 13.3 kΩ的电阻设置开关频率为1 MHz。
逻辑电平输入启动，或通过外部用户命令停止控制器。允许该引脚悬空转弯
上的控制器。要将这个引脚低电平禁用控制器。这也是软启动编程引脚。一
电容此引脚与GND方案的软启动时间连接。电容充电用
10内部电流源
A.
这个销的所得电压斜坡也被用作第二
一个0.8V（典型值）的电平移位向下经过非反相输入端的误差放大器。输出稳定度
由内部电平来控制偏移电压斜坡，直到其电压达到内部基准电压
600毫伏。该引脚的电压斜坡达到1.4 V（典型值） 。
反相输入端的误差放大器。在正常工作时，该引脚上的电压等于内部
参考电压。
该设备接地参考
该设备的参考地。这也是一种用于从设备传导热量的导热垫。这
连接有两个目的。第一是提供一种用于该装置的电气接地连接。该
二是提供从设备管芯到PCB的低热阻抗路径。该焊盘应连接
从外部向接地平面。
此引脚与GND连接一个电阻设置过流阈值的装置（低边FET ） 。
开漏电源良好输出。
I / O
描述
EN / SS
21
I
FB
GND
2
3
5
热
PAD
18
22
6
7
8
9
10
11
I
–
GND
ILIM
PGD
–
I
O
SW
I
感线自适应反交叉传导电路。充当飞共同连接
高侧FET驱动器。
VDD
20
I
功率输入到控制器。低ESR的绕过1陶瓷电容器
F
应该从这个连接
销接近GND 。
版权
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5
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