典型尺寸
6.4毫米× 9.7毫米
TPS54974
SLVS458B - 2003年1月 - 修订2005年2月
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双输入BUS （ 2.5 V ， 3.3 V ） 9 -A输出同步降压
具有集成FET的PWM切换器（ SWIFT ）
特点
低压独立电源总线
15毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
9 ，连续输出
可调输出电压
外部补偿用1％内
参考精度
快速瞬态响应
宽PWM频率：可调280 kHz至
700千赫
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
描述
由于SWIFT 系列DC / DC的一员稳压
lators ，该TPS54974低输入电压，高输出
电流同步降压PWM转换器的集成
所有必需的活性成分。包括在
基板与上市的特点是真实，
高性能，电压误差放大器，使
瞬态条件下的最大性能
而在选择输出滤波器L和C的灵活性
组件;欠压闭锁电路，以预
发泄启动，直到VIN输入电压达到3 V ;
内部和外部设置慢启动电路
限制浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源
测序。
该TPS54974是采用热增强型
28引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD包，
消除了笨重的散热器。
应用
低电压，高密度系统
随着分布式电源2.5 V，
3.3 V可用
为调节负载点的
高性能
的DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
便携式电脑/笔记本电脑
简化的原理图
效率
vs
输出电流
100
简化的原理图
2.5 V或3.3 V
Input1
PVIN
PH
TPS54974
BOOT
保护地
效率 - ％
产量
95
90
85
80
75
70
65
VIN = 3.3 V ，
PVIN = 2.5 V ，
V
O
= 1.8 V,
f
s
= 700千赫
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Input2
3.3 V
VIN
VBIAS
COMP
AGND VSENSE
赔偿金
网
60
55
50
I
O
- 输出电流 - 一个
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
TPS54974
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
输出电压
可调低至0.9 V
包
塑料HTSSOP （ PWP ）
(1)
产品型号
TPS54974PWP
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54974PWPR ） 。看到应用程序
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息的部分。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS54974
SS / ENA
RT
V
I
输入电压范围
VSENSE
PVIN ，输入电压
BOOT
V
O
I
O
输出电压范围
源出电流
VBIAS ， COMP ， PWRGD
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
I
S
灌电流
电压差动
T
J
T
英镑
储存温度
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
COMP
SS / ENA ， PWRGD
AGND至PGND
经营虚拟结温范围
-0.3 V至7 V
0.3 V至6 V
0.3 V至24 V
0.3 V至4.5 V
0.3 V至10 V
-0.3 V至7 V
-0.6 V至6 V
内部限制
6毫安
16 A
6毫安
10毫安
±0.3
V
-40_C到125_C
-65_C到150_C
300°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
最小值标称值最大值
V
I
PVIN
T
J
输入电压VIN
电源输入电压
工作结温
3
2.2
–40
2.5
4
4.0
125
单位
V
V
°C
耗散额定值
(1) (2)
包
28引脚PWP用焊锡
无焊28引脚PWP
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
14.4°C/W
27.9°C/W
T
A
= 25°C
额定功率
6.94 W
(3)
3.58 W
T
A
= 70°C
额定功率
3.81 W
1.97 W
T
A
= 85°C
额定功率
2.77 W
1.43 W
(3)
2
有关PWP包的详细信息，请参阅TI技术简介，文献数量SLMA002 。
测试板条件：
一。 3英寸×3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
B 。 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
。 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
。 0.5盎司在2层内部的铜接地层
。 12散热通孔（见"Recommended土地Pattern"本数据手册的应用部分）
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
TPS54974
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电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至24 V ， PVIN = 2.2 V至2.8 V（除非另有说明）
参数
电源电压VIN
输入电压范围， VIN
电源电压范围， PVIN
VIN
I
(Q)
静态电流
PVIN
欠压锁定（ VIN ）
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲， UVLO
(1)
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS
(2)
累计参考
V
REF
准确性
0.88
2
I
L
= 4.5 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 9 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
RT开放
(1)
RT = 180 kΩ的（1％电阻
外部设置的自由运行频率范围
坡道
谷
(1)
时间
(1)
90%
AGND ）
(1)
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
(1)
斜坡幅度（峰 - 峰值）
(1)
最小可控ON
最大占空比
(1)
(1)
(2)
(3)
按设计规定
只有静态电阻负载
由图10中所使用的电路中指定。
280
252
460
663
350
280
500
700
0.75
1
200
0.891
0.900
V
I
（ VBIAS ）
= 0
2.70
2.80
2.90
100
V
A
2.70
0.14
2.95
2.80
0.16
2.5
3.0
V
V
V
s
输出= 1.8 V
f
s
= 350 kHz时， RT开放， PH引脚开路， PVIN = 2.5 V
关机， SS / ENA = 0 V， PVIN = 2.5 V
f
s
= 350 kHz时， RT开放， PH引脚开路， VIN = 3.3 V
关机， SS / ENA = 0 V ， VIN = 3.3 V
3.0
2.2
2.5
6.3
1
4.0
<100
4.0
4.0
10.0
1.4
7.0
V
V
mA
mA
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
规
线路调整
(1) (3)
负载调整率
(1) (3)
振荡器
内部设置自由运行频率
420
308
540
762
V
V
ns
千赫
千赫
0.07
0.03
%/V
%/A
3
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电气特性（续）
T
J
= -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至24 V ， PVIN = 2.2 V至2.8 V（除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压
范围
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ， COMP
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，脉宽调制
比较器输入PH引脚（不包括
10 mV过
(1)
死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA
(1)
下降沿抗尖峰脉冲，
SS / ENA
(1)
2.6
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 0.2 V， VIN = 2.7 V ， PVIN = 2.5 V
VSENSE下降
3
1.5
内部慢启动时间
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好电压阈值
电源良好滞后电压
(1)
电源良好下降沿
尖峰脉冲
(1)
I
（汇）
= 2.5毫安
VIN = 3.3 V ， PVIN = 2.5 V
VIN = 3.3 V ， PVIN = 2.5 V
(1)
，输出短路
时间
(1)
11
15
100
200
135
150
10
VIN = 3V ， PVIN = 2.5 V
VIN = 3.6 V ， PVIN = 2.5 V
15
14
30
28
165
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制
电流限制前沿消隐
电流限制总响应时间
(1)
热关断
热关断跳闸点
(1)
热关断迟滞
(1)
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
功率MOSFET开关
m
°C
°C
A
ns
ns
90
3
35
0.18
0.3
1
%V
REF
%V
REF
s
V
A
0.82
1.2
0.03
2.5
3.35
5
2.3
4.1
8
4.0
1.4
V
V
s
ms
A
mA
70
85
ns
1 kΩ的COMP至AGND
(1)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP至AGND
(1)
本站由内部LDO
(1)
VSENSE = V
REF
1.0
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
测试条件
民
典型值
最大
单位
(1)
按设计规定
4
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PWP封装
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
热22
PAD
21
20
19
18
17
16
15
RT
VIN
SS / ENA
VBIAS
PVIN
PVIN
PVIN
PVIN
PVIN
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
COMP
保护地
号
1
5
3
15-19
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容和RT
电阻器。连接将PowerPAD到AGND 。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大铜
区域的输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。单点
建议连接到AGND。
相输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近
器件封装，具有高品质，低ESR的10 μF陶瓷电容。
电源就绪，开漏输出。高当VSENSE
≥
90% V
REF
否则PWRGD低。注意，输出为低
当SS / ENA为低或内部关断信号激活。
频率设定电阻输入。从连接RT电阻到AGND设置开关频率f
s
.
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备的操作和
电容输入到外部设置的启动时间。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到引脚AGND用
高品质，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源的内部偏置稳压器。 1 μF外部电容连接到VIN引脚。
误差放大器的反相输入端。连接到输出电压补偿网络/输出分频器。
PH
PVIN
PWRGD
RT
SS / ENA
VBIAS
VIN
VSENSE
6-14
20-24
4
28
26
25
27
2
5
QQ：2881677436 复制
