典型尺寸
6.4毫米× 9.7毫米
www.ti.com
TPS54973
SLVS453A
2003年2月
修订后的2005年2月
3 V至4 V输入， 9 -A输出同步降压
切换器禁用塌陷启动时
特点
D
15毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
D
D
D
D
D
D
9 ，连续输出的源，汇
当前
残疾人吸收电流在启动过程
0.9 V至2.5 V的可调输出电压
范围内具有1.0 ％的精度
宽PWM频率：
固定的350千赫， 550千赫或
可调节280 kHz至700 kHz的
可同步至700千赫
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
元件数量
描述
由于SWIFT系列DC / DC稳压器中的一员，
该TPS54973低输入电压高输出电流
同步降压PWM转换器集成了所有
所需的活性成分。包括在衬底上
与列出的特征是一个真正的，高性能，
电压误差放大器，能够最大
在选择输出滤波器的性能和灵活性
L和C组成部分;一个欠压锁定电路
防止启动直到输入电压达到3 V ;一
在内部或外部设置慢启动电路，以限制
浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源
测序。
对于可靠的电源在输出预充电的应用，
该TPS54973是在设计的唯一来源，目前
启动。
该TPS54973是采用热增强型
28引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD包，
消除了笨重的散热器。 TI提供评估
模块和SWIFT设计者软件工具来辅助
在迅速实现高性能电源
设计，以满足积极的设备开发
周期。
应用
D
低电压，高密度分布式电源
D
D
D
系统
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
的Power PC系列处理器
*
PH
TPS54973
BOOT
保护地
VBIAS VSENSE
AGND COMP
典型用途
*
核心供电
启动波形
R
L
= 1
I / O电源
VIN
V
I / O
= 3.3 V
1 V / DIV
V
（芯）
= 1.8 V
*
可选
t
时间
10毫秒/ DIV
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002-2003年，德州仪器
TPS54973
SLVS453A
2003年2月
修订后的2005年2月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
40°C
至85℃
(1)
(2)
输出电压
0.9伏到2.5伏
包
塑料HTSSOP （ PWP ）
(1)
产品型号
TPS54973PWP
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54973PWPR ） 。看到的应用程序部分
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者参阅TI的网站
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS54973
VIN
SS / ENA ， SYNC
输入电压范围，V
I
RT
VSENSE
BOOT
输出电压范围V
O
范围内，
源电流我
O
目前，
VBIAS ， COMP ， PWRGD
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流，我
S
电压差动
工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
0.3
V到4.5 V
0.3
V至7 V
0.3
V至6 V
0.3
V到4V
0.3
V到10 V
0.3
V至7 V
0.6
V至6 V
内部限制
6毫安
16 A
6毫安
10毫安
±0.3
V
40°C
至125℃
65°C
至150℃
300°C
COMP
SS / ENA ， PWRGD
AGND至PGND
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
输入电压V
I
工作结温，T
J
3
40
喃
最大
4
125
单位
V
°C
耗散额定值
(1)(2)
包
28引脚PWP焊锡
28引脚PWP无焊料
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
14.4
° C / W
27.9
° C / W
T
A
= 25°C
额定功率
6.94 W
(3)
3.58 W
T
A
= 70°C
额定功率
3.81 W
1.97 W
T
A
= 85°C
额定功率
2.77 W
1.43 W
有关PWP包的详细信息，请参阅TI技术简介，文献数量SLMA002 。
测试板条件：
1. 3 “×3” ， 4层，厚度： 0.062 “
2. 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
3. 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
4. 0.5盎司对两个内层铜接地层
5. 12散热通孔（参见本数据手册的应用部分“推荐的焊盘图案” ）
(3)
最大功率耗散可过电流保护限制的。
2
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TPS54973
SLVS453A
2003年2月
修订后的2005年2月
电气特性
TJ =
40°C
至125℃ ，V
I
= 3 V至4 V（除非另有说明）
参数
电源电压VIN
输入电压范围， VIN
f
s
= 350 kHz时， SYNC
≤
0.8 V， RT开放，
PH引脚开路
I
(Q)
静态电流
f
s
= 550 kHz时， SYNC
≥
2.5 V ， RT开放，
PH引脚开路
关机， SS / ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲， UVLO
(1)
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS
累计参考
V
REF
准确性
I
L
= 3 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 3 A，F
s
= 550千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 6 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 6 A，F
s
= 550千赫，T
J
= 85°C
SYNC
≤
0.8 V,
SYNC
≥
2.5 V,
RT开放
RT开放
280
440
252
460
663
2.5
0.8
50
330
0.75
1
200
90%
700
350
550
280
500
700
0.882
0.891
0.900
0.04
0.04
0.03
0.03
420
660
308
540
762
V
V
ns
千赫
V
V
ns
千赫
V
规
线路调整
(1)(3)
负载调整率
(1)(3)
振荡器
内部设置自由运行频率
设置免费
千赫
%/V
%/A
(2)
测试条件
民
3.0
典型值
最大
4.0
单位
V
9.8
14
1
2.95
2.70
0.14
2.80
0.16
2.5
17
23
1.4
3.0
V
V
V
s
2.90
100
V
A
mA
I
（ VBIAS ）
= 0
2.70
2.80
RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
外部设置的自由运行频率范围
放
高水平的阈值时， SYNC
水平低门槛， SYNC
脉冲持续时间，外部同步，同步
(1)
频率范围， SYNC
(1)
坡道
谷
(1)
斜坡幅度（峰 - 峰值）
(1)
最小可控时间
(1)
最大占空比
(1)
(2)
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
按设计规定
只有静态电阻负载
(3)
由图9中所使用的电路中指定
3
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2003年2月
修订后的2005年2月
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电气特性（续）
TJ =
40°C
至125℃ ，V
I
= 3 V至4 V（除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压范围
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ， COMP
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（不包括
死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA
下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA
(1)
内部慢启动时间
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压
(1)
电源良好下降沿抗尖峰脉冲
(1)
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点
(1)
热关断迟滞
(1)
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
(1)
(2)
测试条件
1 kΩ的COMP至AGND
(1)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP至AGND
(1)
本站由内部LDO
(1)
VSENSE = V
REF
民
90
3
0
典型值
110
5
最大
单位
dB
兆赫
VBIAS
60
250
1.4
V
nA
V / μs的
1.0
10 mV过
(1)
70
85
ns
0.82
1.20
0.03
2.5
1.40
V
V
s
2.6
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 1.3 V ，V
I
= 1.5 V
VSENSE下降
3
2.0
3.35
5
2.3
90
3
35
4.1
8
4.0
ms
A
mA
%V
REF
%V
REF
s
I
（汇）
= 2.5毫安
V
I
= 5.5 V
V
I
= 3.3 V输出短路
(1)
11
0.18
0.3
1
V
A
A
ns
ns
15
100
200
135
150
10
165
°C
°C
功率MOSFET开关
P
IT
V
I
= 3.0 V
(4)
V
I
= 3.6 V
(4)
15
14
30
28
m
按设计规定
只有静态电阻负载
(3)
由图9中所使用的电路中指定
(4)
匹配的MOSFET低侧R
DS （ ON）
生产测试，高侧R
DS （ ON）
按设计规定
4
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SLVS453A
2003年2月
修订后的2005年2月
PWP封装
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
热22
PAD
21
20
19
18
17
16
15
RT
SYNC
SS / ENA
VBIAS
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
COMP
保护地
号
1
5
3
1519
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容，电阻RT和
SYNC引脚。连接将PowerPAD到AGND 。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大型铜矿区
到输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。单点连接
到AGND建议。
相输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
电源良好漏极开路输出。高当VSENSE
≥
90% V
REF
否则PWRGD低。注意，输出为低时
SS / ENA为低或内部关断信号有效。
频率设定电阻输入。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率。当使用
SYNC引脚，用于频率达到或优于外部振荡器频率稍低设置RT值。
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备的操作和
电容输入到外部设置的启动时间。
同步输入。双功能引脚，提供逻辑输入同步至一个外部振荡器或引脚选择
之间的两个内部设置的开关频率。当用于同步到外部信号，电阻器必须
连接至RT引脚。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装，高品质，低ESR的10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。通过补偿网络/输出分频器连接到输出电压。
PH
PWRGD
RT
SS / ENA
SYNC
614
4
28
26
27
VBIAS
VIN
25
2024
2
VSENSE
5
典型尺寸
6.4毫米× 9.7毫米
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TPS54973
SLVS453A
2003年2月
修订后的2005年2月
3 V至4 V输入， 9 -A输出同步降压
切换器禁用塌陷启动时
特点
D
15毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
D
D
D
D
D
D
9 ，连续输出的源，汇
当前
残疾人吸收电流在启动过程
0.9 V至2.5 V的可调输出电压
范围内具有1.0 ％的精度
宽PWM频率：
固定的350千赫， 550千赫或
可调节280 kHz至700 kHz的
可同步至700千赫
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
元件数量
描述
由于SWIFT系列DC / DC稳压器中的一员，
该TPS54973低输入电压高输出电流
同步降压PWM转换器集成了所有
所需的活性成分。包括在衬底上
与列出的特征是一个真正的，高性能，
电压误差放大器，能够最大
在选择输出滤波器的性能和灵活性
L和C组成部分;一个欠压锁定电路
防止启动直到输入电压达到3 V ;一
在内部或外部设置慢启动电路，以限制
浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源
测序。
对于可靠的电源在输出预充电的应用，
该TPS54973是在设计的唯一来源，目前
启动。
该TPS54973是采用热增强型
28引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD包，
消除了笨重的散热器。 TI提供评估
模块和SWIFT设计者软件工具来辅助
在迅速实现高性能电源
设计，以满足积极的设备开发
周期。
应用
D
低电压，高密度分布式电源
D
D
D
系统
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
的Power PC系列处理器
*
PH
TPS54973
BOOT
保护地
VBIAS VSENSE
AGND COMP
典型用途
*
核心供电
启动波形
R
L
= 1
I / O电源
VIN
V
I / O
= 3.3 V
1 V / DIV
V
（芯）
= 1.8 V
*
可选
t
时间
10毫秒/ DIV
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002-2003年，德州仪器
TPS54973
SLVS453A
2003年2月
修订后的2005年2月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
40°C
至85℃
(1)
(2)
输出电压
0.9伏到2.5伏
包
塑料HTSSOP （ PWP ）
(1)
产品型号
TPS54973PWP
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54973PWPR ） 。看到的应用程序部分
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者参阅TI的网站
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS54973
VIN
SS / ENA ， SYNC
输入电压范围，V
I
RT
VSENSE
BOOT
输出电压范围V
O
范围内，
源电流我
O
目前，
VBIAS ， COMP ， PWRGD
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流，我
S
电压差动
工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
0.3
V到4.5 V
0.3
V至7 V
0.3
V至6 V
0.3
V到4V
0.3
V到10 V
0.3
V至7 V
0.6
V至6 V
内部限制
6毫安
16 A
6毫安
10毫安
±0.3
V
40°C
至125℃
65°C
至150℃
300°C
COMP
SS / ENA ， PWRGD
AGND至PGND
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
输入电压V
I
工作结温，T
J
3
40
喃
最大
4
125
单位
V
°C
耗散额定值
(1)(2)
包
28引脚PWP焊锡
28引脚PWP无焊料
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
14.4
° C / W
27.9
° C / W
T
A
= 25°C
额定功率
6.94 W
(3)
3.58 W
T
A
= 70°C
额定功率
3.81 W
1.97 W
T
A
= 85°C
额定功率
2.77 W
1.43 W
有关PWP包的详细信息，请参阅TI技术简介，文献数量SLMA002 。
测试板条件：
1. 3 “×3” ， 4层，厚度： 0.062 “
2. 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
3. 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
4. 0.5盎司对两个内层铜接地层
5. 12散热通孔（参见本数据手册的应用部分“推荐的焊盘图案” ）
(3)
最大功率耗散可过电流保护限制的。
2
www.ti.com
TPS54973
SLVS453A
2003年2月
修订后的2005年2月
电气特性
TJ =
40°C
至125℃ ，V
I
= 3 V至4 V（除非另有说明）
参数
电源电压VIN
输入电压范围， VIN
f
s
= 350 kHz时， SYNC
≤
0.8 V， RT开放，
PH引脚开路
I
(Q)
静态电流
f
s
= 550 kHz时， SYNC
≥
2.5 V ， RT开放，
PH引脚开路
关机， SS / ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲， UVLO
(1)
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS
累计参考
V
REF
准确性
I
L
= 3 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 3 A，F
s
= 550千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 6 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 6 A，F
s
= 550千赫，T
J
= 85°C
SYNC
≤
0.8 V,
SYNC
≥
2.5 V,
RT开放
RT开放
280
440
252
460
663
2.5
0.8
50
330
0.75
1
200
90%
700
350
550
280
500
700
0.882
0.891
0.900
0.04
0.04
0.03
0.03
420
660
308
540
762
V
V
ns
千赫
V
V
ns
千赫
V
规
线路调整
(1)(3)
负载调整率
(1)(3)
振荡器
内部设置自由运行频率
设置免费
千赫
%/V
%/A
(2)
测试条件
民
3.0
典型值
最大
4.0
单位
V
9.8
14
1
2.95
2.70
0.14
2.80
0.16
2.5
17
23
1.4
3.0
V
V
V
s
2.90
100
V
A
mA
I
（ VBIAS ）
= 0
2.70
2.80
RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
外部设置的自由运行频率范围
放
高水平的阈值时， SYNC
水平低门槛， SYNC
脉冲持续时间，外部同步，同步
(1)
频率范围， SYNC
(1)
坡道
谷
(1)
斜坡幅度（峰 - 峰值）
(1)
最小可控时间
(1)
最大占空比
(1)
(2)
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
按设计规定
只有静态电阻负载
(3)
由图9中所使用的电路中指定
3
TPS54973
SLVS453A
2003年2月
修订后的2005年2月
www.ti.com
电气特性（续）
TJ =
40°C
至125℃ ，V
I
= 3 V至4 V（除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压范围
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ， COMP
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（不包括
死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA
下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA
(1)
内部慢启动时间
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压
(1)
电源良好下降沿抗尖峰脉冲
(1)
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点
(1)
热关断迟滞
(1)
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
(1)
(2)
测试条件
1 kΩ的COMP至AGND
(1)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP至AGND
(1)
本站由内部LDO
(1)
VSENSE = V
REF
民
90
3
0
典型值
110
5
最大
单位
dB
兆赫
VBIAS
60
250
1.4
V
nA
V / μs的
1.0
10 mV过
(1)
70
85
ns
0.82
1.20
0.03
2.5
1.40
V
V
s
2.6
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 1.3 V ，V
I
= 1.5 V
VSENSE下降
3
2.0
3.35
5
2.3
90
3
35
4.1
8
4.0
ms
A
mA
%V
REF
%V
REF
s
I
（汇）
= 2.5毫安
V
I
= 5.5 V
V
I
= 3.3 V输出短路
(1)
11
0.18
0.3
1
V
A
A
ns
ns
15
100
200
135
150
10
165
°C
°C
功率MOSFET开关
P
IT
V
I
= 3.0 V
(4)
V
I
= 3.6 V
(4)
15
14
30
28
m
按设计规定
只有静态电阻负载
(3)
由图9中所使用的电路中指定
(4)
匹配的MOSFET低侧R
DS （ ON）
生产测试，高侧R
DS （ ON）
按设计规定
4
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TPS54973
SLVS453A
2003年2月
修订后的2005年2月
PWP封装
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
热22
PAD
21
20
19
18
17
16
15
RT
SYNC
SS / ENA
VBIAS
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
COMP
保护地
号
1
5
3
1519
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容，电阻RT和
SYNC引脚。连接将PowerPAD到AGND 。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大型铜矿区
到输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。单点连接
到AGND建议。
相输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
电源良好漏极开路输出。高当VSENSE
≥
90% V
REF
否则PWRGD低。注意，输出为低时
SS / ENA为低或内部关断信号有效。
频率设定电阻输入。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率。当使用
SYNC引脚，用于频率达到或优于外部振荡器频率稍低设置RT值。
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备的操作和
电容输入到外部设置的启动时间。
同步输入。双功能引脚，提供逻辑输入同步至一个外部振荡器或引脚选择
之间的两个内部设置的开关频率。当用于同步到外部信号，电阻器必须
连接至RT引脚。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装，高品质，低ESR的10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。通过补偿网络/输出分频器连接到输出电压。
PH
PWRGD
RT
SS / ENA
SYNC
614
4
28
26
27
VBIAS
VIN
25
2024
2
VSENSE
5
QQ：2881677436 复制
