典型尺寸
6.4毫米× 9.7毫米
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TPS54673
SLVS433 - 2002年9月
3 V至6 V的输入， 6 -A输出同步降压
切换器禁用塌陷启动时
特点
D
30毫欧， 12 - A峰值MOSFET开关高
D
D
D
D
D
D
效率在6 -A的连续输出源
或灌电流
残疾人吸收电流在启动过程
0.9 V至3.3 V的可调输出电压
范围内具有1.0 ％的精度
宽PWM频率：
固定的350千赫， 550千赫或
可调节280 kHz至700 kHz的
可同步至700千赫
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
元件数量
描述
由于SWIFT系列DC / DC稳压器中的一员，
该TPS54673低输入电压高输出电流
同步降压PWM转换器集成了所有
所需的活性成分。包括在衬底上
与列出的特征是一个真正的，高性能，
电压误差放大器，能够最大
在选择输出滤波器的性能和灵活性
L和C组成部分;欠电压锁定电路
为了防止启动时，直到输入电压达到3伏;
的内部或外部设置慢启动电路，以限制
浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源
测序。
对于可靠的电源在输出预充电的应用，
该TPS54673是在设计的唯一来源，目前
启动。
该TPS54673是采用热增强型
28引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD包，
消除了笨重的散热器。 TI提供评估
模块和SWIFT设计者软件工具来辅助
在迅速实现高性能电源
设计，以满足积极的设备开发
周期。
应用
D
低电压，高密度分布式电源
D
D
D
系统
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
的Power PC系列处理器
典型用途
START UP波形
*
I / O电源
VIN
PH
TPS54673
BOOT
保护地
VBIAS VSENSE
AGND COMP
*
核心供电
RL = 2
VI = 3.3 V
1 V / DIV
VO = 2.5 V
*
可选
5.0 ms /格
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
产品预览资料涉及产品的形成或设计
发展的阶段。特征数据和其他规格的设计
的目标。德州仪器公司保留随时更改或终止这些权
产品，恕不另行通知。
版权
2002年，德州仪器
产品预览
TPS54673
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
TA
- 40 ° C至85°C
输出电压
0.9 V至3.3 V
包
塑料HTSSOP （PWP ）（1）
产品型号
TPS54673PWP
（ 1 ） PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54673PWPR ） 。看到的应用程序部分
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
TPS54673
VIN ， SS / ENA ， SYNC
RT
输入电压范围VI
范围内，
VSENSE
BOOT
VBIAS ， COMP ， PWRGD
输出电压范围VO
范围内，
PH
PH
源电流IO
目前，
COMP ， VBIAS
PH
灌电流， IS
电压差动
工作结温范围， TJ
存储温度， TSTG
COMP
SS / ENA ， PWRGD
AGND至PGND
-0.3 V至7 V
0.3 V至6 V
0.3 V至4V
0.3 V至17 V
-0.3 V至7 V
-0.6 V至10 V
内部限制
6毫安
12 A
6毫安
10毫安
±0.3
V
-40_C到125_C
-65_C到150_C
产品预览
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
300°C
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
输入电压VI
工作结温， TJ
3
–40
喃
最大
6
125
单位
V
°C
耗散额定值
(1)(2)
包
28引脚PWP焊锡
28引脚PWP无焊料
热阻抗
结到环境
18.2
° C / W
40.5
° C / W
TA = 25°C
额定功率
5.49 W(3)
2.48 W
TA = 70℃
额定功率
3.02 W
1.36 W
TA = 85°C
额定功率
2.20 W
0.99 W
（ 1 ）有关PWP包的详细信息，请参见TI技术简介，文献数量SLMA002 。
（2）试验板的条件：
1. 3 “×3” ， 4层，厚度： 0.062 “
2. 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
3. 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
4. 0.5盎司在2层内部的铜接地层
5. 12散热通孔（参见本数据手册的应用部分“推荐的焊盘图案” ）
（3）最大功率耗散可通过过电流保护是有限的。
2
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电气特性
TJ = -40 ° C至125°C ， VI = 3 V至6 V （除非另有说明）
参数
电源电压VIN
输入电压范围， VIN
FS = 350 kHz时， SYNC
≤
0.8 V， RT开放，
PH引脚开路
Ⅰ（Q ）
静态电流
FS = 550 kHz时， SYNC
≥
2.5 V ， RT开放，
PH引脚开路
关机， SS / ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲， UVLO （ 1 ）
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS （ 2 ）
累计参考
VREF
准确性
规
线路调整
Lineregulation(1)(3)
负载调整率
Loadregulation(1)(3)
振荡器
内部设置自由运行频率
设置免费
SYNC
≤
0.8 V,
SYNC
≥
2.5 V,
RT开放
RT开放
280
440
252
460
663
2.5
0.8
50
330
0.75
1
200
90%
700
350
550
280
500
700
420
660
308
540
762
V
V
ns
千赫
V
V
ns
千赫
千赫
IL = 3 A， FS = 350 kHz时， TJ = 85°C
IL = 3 A， FS = 550 kHz时， TJ = 85°C
IL = 0 6 A， FS = 350 kHz时， TJ = 85°C
IL = 0 6 A， FS = 550 kHz时， TJ = 85°C
0.882
0.891
0.900
0.04
0.04
0.03
0.03
V
我（ VBIAS ）= 0
2.70
2.80
2.90
100
V
A
2.70
0.14
2.95
2.80
0.16
2.5
3.0
V
V
V
s
3.0
11
16
1
6.0
15.8
23.5
1.4
mA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
%/V
%/A
RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
在外部自由设定运行频率范围
设置免费
高水平的阈值时， SYNC
水平低门槛， SYNC
脉冲持续时间，外部同步， SYNC （ 1 ）
频率范围， SYNC （ 1 ）
斜坡谷（ 1 ）
斜坡幅度（峰 - 峰值）（1）
最小可控时间（ 1 ）
最大占空比
（ 1 ）指定设计
只有（ 2 ）静态电阻负载
（3）指定由图10中所用的电路
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
3
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电气特性（续）
TJ = -40 ° C至125°C ， VI = 3 V至6 V （除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压范围
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ， COMP
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（不包括
死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA
下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA （ 1 ）
0.82
1.20
0.03
2.5
2.6
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 1.3 V， VI = 1.5 V
VSENSE下降
3
2.0
3.35
5
2.3
90
3
35
我（汇） = 2.5毫安
VI = 5.5 V
VI = 3 V输出短路（ 1 ）
VI = 6 V输出短路（ 1 ）
7.2
10
0.18
0.3
1
10
12
100
200
135
150
10
VI = 6 V （ 4 ）
VI = 3 V （ 4 ）
26
36
47
65
m
165
A
ns
ns
°C
°C
4.1
8
4.0
1.40
V
V
s
ms
A
mA
VREF ％
VREF ％
s
V
A
10 mV过（ 1 ）
70
85
ns
1 kΩ的COMP和AGND （ 1 ）
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP到AGND （ 1 ）
本站由内部LDO （ 1 ）
VSENSE = VREF
1.0
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
测试条件
民
典型值
最大
单位
产品预览
内部慢启动时间
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压（ 1 ）
电源良好下降沿抗尖峰脉冲（ 1 ）
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点（ 1 ）
热关断迟滞（ 1 ）
输出功率MOSFET
RDS （ ON）
功率MOSFET开关
（ 1 ）指定设计
只有（ 2 ）静态电阻负载
（3）指定由图10中所用的电路
（ 4 ）符合条件的MOSFET的低侧RDS（ON）生产测试，高侧RDS（ON）指定的设计
4
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PWP封装
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
热22
PAD
21
20
19
18
17
16
15
RT
SYNC
SS / ENA
VBIAS
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
终端功能
名字
AGND
BOOT
COMP
保护地
号
1
5
3
15–19
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容，电阻RT和
SYNC引脚。连接将PowerPAD到AGND 。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大型铜矿区
到输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。单点连接
到AGND建议。
相输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
电源良好漏极开路输出。高当VSENSE
≥
90％ Vref时，否则PWRGD低。注意，输出为低时
SS / ENA为低或内部关断信号有效。
频率设定电阻输入。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率。当使用
SYNC引脚，用于频率达到或优于外部振荡器频率稍低设置RT值。
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备的操作和
电容输入到外部设置的启动时间。
同步输入。双功能引脚，提供逻辑输入同步至一个外部振荡器或引脚选择
之间的两个内部设置的开关频率。当用于同步到外部信号，电阻器必须
连接至RT引脚。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装，高品质，低ESR的10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。通过补偿网络/输出分频器连接到输出电压。
PH
PWRGD
RT
SS / ENA
SYNC
6–14
4
28
26
27
VBIAS
VIN
VSENSE
25
20–24
2
5
产品预览
终奌站
QQ：2880707522 复制
