TPS54618
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SLVSAE9A - 2010年11月 - 修订2012年10月
2.95 V至6 V的输入， 6 -A输出， 2 - MHz的同步降压型
切换器，带集成FET （ SWIFT ）
检查样品：
TPS54618
1
特点
两个12毫欧（典型值）的MOSFET高
效率在6 -A负载
300 kHz至2 MHz的开关频率
0.8 V± 1 ％基准电压源过
温度（ -40 ° C至150 ° C）
同步至外部时钟
可调慢启动/排序
UV和OV电源良好输出
-40 ° C至150 ° C工作结
温度范围
耐热增强型采用3mm x 3mm 16引脚QFN
引脚兼容TPS54418
描述
该TPS54618器件是一个全功能的6 V ， 6 A，
下电流模式转换器，同步降压
两个集成的MOSFET。
该TPS54618实现小型设计通过整合
MOSFET管，实施电流模式控制
减少外部元件数量，降低了电感器
通过支持高达2 MHz的开关频率的大小，
并尽量减少与小型3mm x中的IC足迹
3毫米耐热增强型QFN封装。
该TPS54618提供精确调节的
各种负载用精确的±1％的电压
参考电压（VREF ）以上的温度。
效率是通过集成12mΩ最大化
MOSFET和515μA典型电源电流。运用
使能引脚，关断电源电流降低至
5.5μA通过进入关断模式。
欠压锁定内部设置为2.6 V ，但
可以增加通过编程与阈
一个电阻网络上的使能引脚。输出
电压启动斜坡由慢启动控制
引脚。一个开漏电源良好信号指示
输出电压为93 ％ 107 ％的额定电压。
频率折返和热关断保护
在过电流状态的装置。
该TPS54618支撑在的SwitcherPro
在软件工具
www.ti.com/switcherpro 。
VIN
BOOT
C
BOOT
2
应用
低电压，高密度的电源系统
点负载调节的高性能
的DSP ， FPGA的ASIC和微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
垂直间隔
垂直间隔
VIN
CI
R4
EN
R5
欲了解更多SWIFT
TM
文档，请参阅TI
网站：
www.ti.com/swift 。
LO
VOUT
100
3 VIN
95
TPS54618
PH
CO
PWRGD
VSENSE
SS / TR
RT / CLK
COMP
R2
效率 - ％
R1
90
85
80
75
70
65
60
5 VIN
SS
RT
R3
C1
GND
AGND
使用PowerPad
f
s
= 500kHz的
55
50
0
1
2
3
4
I
O
- 输出电流 - 一个
VOUT = 1.8V
5
6
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
斯威夫特的SwitcherPro是德州仪器的商标。
版权所有2010-2012 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
J
-40 ° C至150℃
(1)
包
3 × 3毫米QFN
产品型号
TPS54618RTE
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文档，或参阅TI的网站
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绝对最大额定值
(1)
单位
VIN
EN
BOOT
输入电压
VSENSE
COMP
PWRGD
SS / TR
RT / CLK
BOOT -PH
输出电压
PH
PH值10 ns的瞬态
源出电流
EN
RT / CLK
COMP
灌电流
PWRGD
SS / TR
静电放电（人体模型） QSS 009-105 （ JESD22- A114A ）
(2)
静电放电（充电德维克模型） QSS 009-147 （ JESD22- C101B.01 ）
温度
(1)
(2)
T
j
T
英镑
-0.3 7
-0.3 3.3
PH + 7
-0.3 3
-0.3 3
-0.3 7
-0.3 3
-0.3 3.3
7
-0.6 7
= 210的
100
100
100
10
100
2
500
-40至150
-65到150
A
A
mA
A
kV
V
°C
°C
V
V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备的唯一，和运行在这些或超出电气在标明的任何其他条件
规格是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。该机型号为200- pF的
电容直接排入每个引脚。
2
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热信息
TPS54618
热公制
(1) (2) (3)
θ
JA
θ
JA
ψ
JT
ψ
JB
θ
JC （顶部）
θ
JC （底部）
θ
JB
结至环境热阻
结至环境热阻
(4)
（RTE）
（ QFN - 16 ）引脚
56.4
35.5
0.9
22.2
28.7
12.5
22.7
单位
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（顶部）热阻
结至外壳（底部）热阻
结至电路板的热阻
° C / W
(1)
(2)
(3)
(4)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅IC封装热度量应用报告，
SPRA953.
最大功耗可以通过过电流保护限制
额定功率在特定的环境温度TA应为150 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。 PCB的热管理应努力保持结点温度等于或低于
150℃为最佳性能和长期的可靠性。见功耗估计在此数据表的应用程序部分的详细
信息。
测试板条件：
（一）2英寸× 2英寸的4层，厚度： 0.062英寸
（二） 2盎司位于PCB的顶部铜迹线
（三） 2盎司在2层的内部和底层铜接地层
位于器件封装下（D ） 4散热通孔（ 10MIL ）
电气特性
T
J
= -40 ℃至150 ℃， VIN = 2.95至6 V （除非另有说明）
描述
电源电压（ VIN引脚）
工作输入电压
欠压锁定阈值内
关断电源电流
静态电流 - 我
q
ENABLE和UVLO （ EN引脚）
启用阈值
输入电流
参考电压（ VSENSE PIN）
参考电压
MOSFET
高边开关电阻
低压侧开关电阻
误差放大器器
输入电流
误差放大器的跨导（GM ）
在误差放大器的跨导（GM ）
慢启动
误差放大器的源/汇
COMP到Iswitch克
–2
μA
＆ LT ;我
（COMP）
＆ LT ; 2
μA,
V
（ COMP
) = 1 V
–2
μA
＆ LT ;我
（COMP）
＆ LT ; 2
μA,
V
（COMP）
= 1 V,
VSENSE = 0.4 V
V
（COMP）
= 1 V ， 100 mV过
2
245
79
±20
25
nA
μmhos
μmhos
μA
A / V
BOOT -PH = 5 V
BOOT -PH = 2.95 V
VIN = 5 V
VIN = 2.95 V
12
16
13
17
25
33
25
33
m
m
2.95 V
≤
VIN
≤
6 V ， -40°C <T
J
< 150℃
0.791
0.799
0.807
V
升起
落下
启用阈值+ 50毫伏
启用门槛 - 50 mV的
1.25
1.18
–3.5
–1.9
V
μA
VIN UVLO停止
VIN UVLO启动
EN = 0 V ， 25 ° C， 2.95 V
≤
VIN
≤
6 V
VSENSE = 0.9 V， VIN = 5V ， 25 ° C， RT = 400 kΩ的
2.95
2.28
2.45
5.5
515
6.0
2.5
2.6
15
650
V
V
μA
μA
条件
民
典型值
最大
单位
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3
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电气特性（续）
T
J
= -40 ℃至150 ℃， VIN = 2.95至6 V （除非另有说明）
描述
电流限制
电流限制阈值
热关断
热关断
迟滞
定时电阻和外部时钟（RT / CLK引脚）
开关采用RT模式下频率范围
开关频率
使用CLK模式切换频率范围
最小CLK脉冲宽度
RT / CLK电压
RT / CLK高门槛
RT / CLK低门槛
RT / CLK的下降沿到PH上升沿延迟
PLL锁定时间
酸碱度（PH PIN）
测量在50 ％点PH，我
OUT
= 3 A
最小导通时间
测量在50 ％点PH ， VIN = 6 V ，
I
OUT
= 0 A
在此之前，跳脉冲， BOOT -PH = 2.95 V，
I
OUT
= 3 A
VIN = 6 V ， 6的
75
120
60
2.25
2
16
2.1
2
54
1.1
61
350
1.9
ns
测量在500 kHz的RT电阻串联
测量频率为500 kHz
0.4
R
（ RT / CLK ）
= 400 k
RT = 400 kΩ的
200
400
300
75
0.5
1.6
0.6
90
42
2.2
500
2000
600
2000
千赫
千赫
千赫
ns
V
V
V
ns
μs
168
20
°C
°C
VIN = 6 V ，25°C <牛逼
J
< 150℃
VIN = 2.95 V， 25℃ <牛逼
J
< 150℃
7.46
7.68
10.6
10.2
15.3
13.5
A
条件
民
典型值
最大
单位
最小关断时间
上升时间
下降时间
引导（ BOOT引脚）
BOOT充电电阻
BOOT -PH UVLO
慢启动和跟踪（ SS / TR引脚）
充电电流
SS / TR到VSENSE匹配
SS / TR引用交叉
SS / TR放电电压（过载）
SS / TR放电电流（过载）
SS放电电流（ UVLO ， EN ，热
故障）
POWER GOOD （ PWRGD引脚）
ns
V / ns的
VIN = 5 V
VIN = 2.95 V
V
（ SS / TR ）
= 0.4 V
V
（ SS / TR ）
= 0.4 V
98 ％正常
VSENSE = 0 V
VSENSE = 0 V ，V
（ SS / TR ）
= 0.4 V
VIN = 5V ，V （ SS ）= 0.5 V
V
μA
mV
V
mV
A
mA
VSENSE落下（故障）
VSENSE门槛
VSENSE上升（好）
VSENSE上升（故障）
VSENSE下降（好）
迟滞
输出高漏
抗性
输出低
最小输入电压VIN的输出有效
I
（ PWRGD ）
= 3毫安
V
（ PWRGD ）
< 0.5 V ，100
μA
VSENSE下降
VSENSE = VREF ，V
（ PWRGD ）
= 5.5 V
91
93
109
107
2
7
56
0.2
0.65
100
0.3
1.5
VREF ％
nA
V
V
％ Vre的
4
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设备信息
引脚配置
QFN16
RTE包
（ TOP VIEW ）
PWRGD
BOOT
13
VIN
16
15
EN
14
VIN
1
12
PH
VIN
2
裸露的散热焊盘
(17)
11
PH
GND
3
10
PH
GND
4
9
SS / TR
5
6
7
8
VSENSE
AGND
COMP
引脚功能
针
名字
AGND
BOOT
COMP
EN
GND
PH
使用PowerPad
PWRGD
RT / CLK
SS / TR
VIN
VSENSE
号
5
13
7
15
3, 4
10, 11,
12
17
14
8
9
1, 2, 16
6
描述
模拟地应该是电连接至GND靠近器件。
自举电容所需的引导和PH之间。如果在该电容器上的电压低于最低
通过BOOT UVLO要求，输出被强制关闭，直到电容被刷新。
误差放大器的输出，并输入到输出开关电流比较器。连接频率补偿
组件到该引脚。
使能引脚，内部上拉电流源。低于1.2伏拉禁用。浮来启用。可用于设置
开/关阈值（调整UVLO）有两个额外的电阻。
电源地。该引脚应直接电连接到下IC中的电源焊垫。
内部高压侧功率MOSFET的源极的内部低侧和漏极（同步）整流器
MOSFET。
GND端子应连接到露出的电源垫才能正常工作。该电源焊盘应
使用多个过孔进行良好的散热性能连接到任何内部PCB接地层。
一个开漏输出;置为低电平，如果输出电压偏低，由于热关断，过流，过压/欠压
电压或EN停机。
电阻的定时或外部时钟输入引脚。
慢启动和跟踪。连接到这个引脚上的外部电容设置输出电压的上升时间。
该引脚也可以被用于跟踪。
输入电源电压， 2.95 V至6 V.
反相跨导（ GM）误差放大器的节点。
RT / CLK
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