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典型尺寸
6,6毫米X 9.8毫米
TPS54611 Q1 , TPS54612 Q1
TPS54613 Q1 , TPS54614 Q1
TPS54615 Q1 , TPS54616 Q1
SGLS266D - 2004年10月 - 修订2004年12月
3 V至6 V输入, 6 A输出同步降压PWM
切换器,带集成FET ( SWIFT )
特点
D
资格认证通过AEC -Q100
(1)
D
通过汽车应用认证
D
客户特定的配置可以控制
D
D
D
D
D
D
D
支持随着大型-变化
赞同
30毫欧, 12 - A峰值MOSFET开关高
效率在6 -A的连续输出源
和水槽
0.9 V , 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V和3.3 V固定
输出电压的设备用1%的初始
准确性
内部补偿,易于使用和
最少的元件数目
快速瞬态响应
宽PWM频率 - 固定350千赫,
550 kHz或可调280 kHz至700 kHz的
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
描述
该SWIFT系列DC / DC稳压器,该TPS54611 ,
TPS54612 , TPS54613 , TPS54614 , TPS54615以及
TPS54616低输入电压高输出电流
同步降压PWM转换器集成了所有必需的
活性成分。包括在衬底上都为真,
性能高,能够提供电压误差放大器
瞬态条件下的高性能;一
欠电压锁定电路,以防止启动时,直到
输入电压达到3伏;内部和外部设置
慢启动电路,以限制浪涌电流;和一个电源良好
输出处理器/逻辑复位,故障信号和有用
电源排序。
该TPS54611-6设备处于可用热
增强型28引脚TSSOP ( PWP )使用PowerPad 封装,
这消除了笨重的散热器。德州仪器
提供评估板和SWIFT设计师
软件工具来辅助快速实现高性能
电源设计,以满足积极的设备
开发周期。
( 1 )联系德州仪器的细节。 Q100认证数据
可根据要求提供。
应用
D
低电压,高密度系统采用
D
D
D
分布式电源5 V或3.3 V
负载调整高点
高性能DSP , FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
便携式电脑/笔记本电脑
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2001-2004年德州仪器
TPS54611 Q1 , TPS54612 Q1
TPS54613 Q1 , TPS54614 Q1
TPS54615 Q1 , TPS54616 Q1
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100
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效率350千赫
简化的原理图
输入
VIN
PH
效率 - %
95
产量
TPS54614
BOOT
保护地
VBIAS VSENSE
AGND
90
85
80
75
70
65
60
55
50
0
1
2
3
4
5
6
负载电流 - 一个
PWP封装
( TOP VIEW )
AGND
VSENSE
NC
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
热22
PAD
21
20
19
18
17
16
15
RT
FSEL
SS / ENA
VBIAS
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
可选项
包装设备
TJ
产量
电压
0.9 V
40 C 125 C
-40_C到125_C
1.2 V
1.5 V
塑料HTSSOP
(PWP)(1)
TPS54611QPWPRQ1
TPS54612QPWPRQ1(2)
TPS54613QPWPRQ1
TJ
产量
电压
1.8 V
40 C 125 C
-40_C到125_C
2.5 V
3.3 V
包装设备
塑料HTSSOP
(PWP)(1)
TPS54614QPWPRQ1
TPS54615QPWPRQ1
TPS54616QPWPRQ1
( 1 ) PWP封装卷带封装标示为设备类型(例如, TPS54616QPWPRQ1 ) R后缀。
见数据表的使用PowerPad图纸和布局信息的应用程序部分。
( 2 )产品预览
2
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TPS54611 Q1 , TPS54612 Q1
TPS54613 Q1 , TPS54614 Q1
TPS54615 Q1 , TPS54616 Q1
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终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
NC
保护地
PH
PWRGD
RT
SS / ENA
FSEL
VBIAS
VIN
VSENSE
号
1
5
3
1519
614
4
28
26
27
25
2024
2
描述
模拟地。回报慢启动电容, VBIAS电容,电阻RT FSEL 。使将PowerPAD连接到AGND 。
自举输入。一个0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高定FET驱动器。
无连接
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大面积覆铜区域
输入和输出恢复供电的输入和输出电容器的负端。
相输入/输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
电源良好漏极开路输出。高阻时VSENSE
≥
90% Vref时,否则PWRGD低。注意,输出为低时
SS / ENA为低或内部关断信号有效。
频率设定电阻输入。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率。
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚,提供逻辑输入以启用/禁用设备的操作和
电容输入到外部设置的启动时间。
频率选择输入。提供逻辑输入2内部设置的开关频率之间进行选择。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量,低ESR的0.1 μF至1μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装,高品质,低ESR 1μF至10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。直接连接到输出电压检测点。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明( 1 )
VIN , SS / ENA , FSEL
RT
VI
输入电压范围
VSENSE
BOOT
VBIAS , PWRGD
VO
IO
IS
输出电压范围
源出电流
灌电流
PH
PH
VBIAS
PH
SS / ENA , PWRGD
AGND至PGND
电压差动
连续功率耗散
TJ
TSTG
经营虚拟结温范围
储存温度
-0.3 V至7 V
0.3 V至6 V
0.3 V至24 V
0.3 V至17 V
-0.3 V至7 V
-0.6 V至10 V
内部限制
6毫安
12 A
10毫安
±0.3
V
见功耗额定值表
-40 ° C至150℃
-65_C到150_C
300°C
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
( 1 )强调超越“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
3
TPS54611 Q1 , TPS54612 Q1
TPS54613 Q1 , TPS54614 Q1
TPS54615 Q1 , TPS54616 Q1
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耗散额定值
(1)(2)
包
28引脚PWP焊锡
热阻抗
结到环境
18.2°C/W
TA = 25°C
额定功率
5.49 W(3)
TA = 70℃
额定功率
3.02 W
TA = 85°C
额定功率
2.2 W
0.99 W
28引脚PWP无焊料
40.5°C/W
2.48 W
1.36 W
( 1 )有关PWP包的详细信息,请参阅德州仪器技术简介,文献数量SLMA002 。
(2)试验板的条件:
1. 3 “×3” , 4层,厚度: 0.062 “
2. 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
3. 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
4. 0.5盎司在2层内部的铜接地层
5. 12散热通孔(参见本数据手册的应用部分“推荐的焊盘图案” )
(3)最大功率耗散可以通过过电流保护的限制。
附加6A SWIFT器件
设备
TPS54610
TPS54672
TPS54680
TPS54673
输出电压
0.9 V至3.3 V
DDR内存可调
可调测序
预偏置调节
相关的DC / DC产品
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4
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电气特性
TJ = -40 ° C至125°C , VI = 3 V至6 V (除非另有说明)
参数
电源电压VIN
输入电压范围, VIN
FS = 350 kHz时, FSEL
≤
0.8 V, RT开放,相位引脚开路
FS = 550 kHz时, FSEL
≥
2.5 V , RT开放,相位引脚开路
关机, SS / ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时, UVLO
断阈值电压时, UVLO
滞后电压, UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲,
UVLO(1)
偏压
输出电压, VBIAS
输出电流, VBIAS ( 2 )
输出电压
TPS54611
TPS54612
TPS54613
VO
输出电压
TPS54614
TPS54615
TPS54616
规
行规( 1 ) ( 3 )
负载调整率( 1 ) ( 3 )
IL = 3 A, 350
≤
fs
≤
550千赫, TJ = 85°C
IL = 0 6 A, 350
≤
fs
≤
550千赫, TJ = 85°C
0.088
0.0917
%/V
%/A
TJ = 25°C , VIN = 5 V
3 V
≤
VIN
≤
6 V, 0
≤
IL
≤
6 A, 40°
≤
TJ
≤
125°C
TJ = 25°C , VIN = 5 V
3 V
≤
VIN
≤
6 V, 0
≤
IL
≤
6 A, 40°
≤
TJ
≤
125°C
TJ = 25°C , VIN = 5 V
3 V
≤
VIN
≤
6 V, 0
≤
IL
≤
6 A, 40°
≤
TJ
≤
125°C
TJ = 25°C , VIN = 5 V
3 V
≤
VIN
≤
6 V, 0
≤
IL
≤
6 A, 40°
≤
TJ
≤
125°C
TJ = 25°C , VIN = 5 V
3 V
≤
VIN
≤
6 V, 0
≤
IL
≤
6 A, 40°
≤
TJ
≤
125°C
TJ = 25°C , VIN = 5 V
4 V
≤
VIN
≤
6 V, 0
≤
IL
≤
6 A, 40°
≤
TJ
≤
125°C
0.9
2%
1.2
2%
1.5
2%
1.8
3%
2.5
3%
3.3
3%
3%
3%
V
3%
V
2%
V
2%
V
2%
V
V
我( VBIAS )= 0
2.7
2.8
2.95
100
V
A
2.7
2.95
2.8
0.16
2.5
3
V
V
V
s
3
9.8
14
1
6
15
23
1.4
mA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
Ⅰ(Q )
静态电流
5