6,4 mm
5
5,0 mm
TPS54550
SLVS623A - 2006年3月 - 修订2006年4月
www.ti.com
4.5 V至20 V输入， 6 -A输出同步PWM
切换器，带集成FET （ SWIFT ）
特点
40毫欧的MOSFET开关，用于高效率的
6 -A （ 7.5峰值）输出电流
使用外部低压侧MOSFET
输出电压可调低至0.891 V
用1％的准确度
同步至外部时钟
180 °错相同步的
宽PWM固定频率 - 250 kHz时，
500 kHz或可调250 kHz至700 kHz的
可调慢启动
可调节欠压锁定
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
16引脚TSSOP使用PowerPad 封装
SWIFT文档应用手册，并
设计软件：
www.ti.com/swift
描述
该TPS54550是一个介质输出电流
同步降压PWM转换器集成
高边MOSFET和一个低侧栅极驱动器
外部MOSFET 。其特点包括高
高性能电压误差放大器，使
瞬态条件下的最大性能
并且在选择输出滤波电感器的灵活性
和
电容器。
该
TPS54550
有
an
欠电压锁定电路，以防止启动直到
输入电压达到4.5伏;慢启动电路，以
限制浪涌电流;和一个电源良好输出
表明有效的输出条件。同步
功能可配置为输入或输出
为方便180°相位的同步。
该TPS54550装置处于热可
增强型16引脚TSSOP （ PWP ）使用PowerPad
封装。 TI提供评估模块和
SWIFT Designer软件工具，迅速帮助在
实现高效的电源设计，
符合要求严格的设备开发周期。
应用
工业和商业低功耗
系统
LCD显示器和电视
电脑外设
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
简化的原理图
TPS54550
SYNC
PWRGD
SS / ENA
VIN
输入
电压
100
95
90
效率
vs
输出电流
效率 - ％
VBIAS
COMP
BOOT
PH
LSG
85
80
75
70
65
60
55
50
0
1
2
3
4
I
O
- 输出电流 - 一个
5
6
V
I
= 9 V,
V
O
= 3.3 V,
f
sw
= 700千赫
产量
电压
VSENSE
保护地
PwrPad
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
TPS54550
SLVS623A - 2006年3月 - 修订2006年4月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
j
-40°C至125°C
(1)
(2)
输出电压
可调至0.891 V
包
塑料HTSSOP （ PWP ）
产品型号
(1)
TPS54550PWP
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54550PWPR ） 。
包装耗散额定值
(1)
包
16引脚PWP用焊锡
(2)
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
40.1°C/W
T
A
= 25°C
额定功率
2.49
T
A
= 70°C
额定功率
1.37
T
A
= 85°C
额定功率
1.00
SEE
图22
对于功耗曲线。
测试板条件
一。 3英寸×3英寸
B 。厚度： 0.062英寸
。 2层PCB
。 2盎司铜
。看
图26 ，图27中
与TPS54550评估模块用户指南布局的建议。
2
提交文档反馈
www.ti.com
TPS54550
SLVS623A - 2006年3月 - 修订2006年4月
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
单位
VIN
VSENSE
V
I
输入电压范围
UVLO
SYNC
SSENA
BOOT
VBIAS
LSG
SYNC
V
O
输出电压范围
RT
PWRGD
COMP
PH
PH
I
O
源出电流
LSG （稳态电流）
COMP ， VBIAS
SYNC
LSG （稳态电流）
I
S
灌电流，
PH值（稳态电流）
COMP
SSENA ， PWRGD
电压差动
T
J
T
英镑
结温
储存温度
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
AGND至PGND
0.3 V至21.5 V
0.3 V至8.0 V
0.3 V至8.0 V
0.3 V至4.0 V
0.3 V至4.0 V
VI （ PH ） + 8.0 V
-0.3 8.5 V
-0.3 8.5 V
-0.3 4.0 V
-0.3 4.0 V
-0.3 6.0 V
-0.3 4.0 V
-1.5 V至22 V
内部限制（ A）
10毫安
3毫安
5毫安
百毫安
500毫安
3毫安
10毫安
±0.3 V
+150°C
-65 ° C至+ 150°C
260°C
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
静电放电
民
人体模型
带电器件模型
HBM
清洁发展机制
JESD22-A114
JESD22-C101
典型值
最大
1.5
1.5
单位
kV
kV
推荐工作条件
民
V
I
T
J
输入电压范围
工作结温
4.5
-40
喃
最大
20
125
单位
V
°C
提交文档反馈
3
TPS54550
SLVS623A - 2006年3月 - 修订2006年4月
www.ti.com
电气特性
T
J
= -40 ℃至125 ℃， VIN = 4.5到20V （除非另有说明）
参数
电源电流
I
Q
静态电流
启动阈值电压
VIN
停止阈值电压
迟滞
欠压锁定（ UVLO引脚）
启动阈值电压
UVLO
停止阈值电压
迟滞
偏置电压（ VBIAS PIN）
VBIAS
输出电压
I
VBIAS
= 1毫安， VIN
≥
12 V
I
VBIAS
= 1毫安， VIN = 4.5 V
T
J
= 25°C
7.5
4.4
0.888
0.882
RT接地
RT开放
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
(1)
测试CONDITIOINS
工作电流， PH引脚开路，
无需外部低边MOSFET ， RT =高阻
关机， SSENA = 0 V
民
典型值
最大
单位
10.3
1.1
4.32
3.69
3.97
350
1.20
1.02
1.10
100
7.8
4.47
0.891
0.891
250
500
500
200
5
180
100
360
2.5
0.6
0.8
2.3
8.0
4.5
0.894
0.899
300
600
575
500
10
1.24
4.49
mA
mA
V
V
mV
V
V
mV
V
参考系统精度
参考电压
振荡器（ RT PIN）
内部设置PWM开关频率
外部设置PWM开关频率
SYNC出低到高的上升时间（10％ / 90％）
同步输出高电平到低电平的下降时间
下降沿的延迟时间
(1)
最小输入脉冲宽度
(1)
延迟（下降沿到SYNC上升沿
同步输出高电平电压
同步输出低电平电压
SYNC低电平门槛
SYNC在较高水平门槛
SYNC的频率范围
(1)
前馈调制器（内部信号）
调制器的增益
调制器的增益变化
最小可控ON
最大占空比
(1)
误差放大器（ VSENSE和COMP引脚）
误差放大器的开环电压增益
(1)
误差放大器的单位增益带宽
(1)
输入偏置电流， VSENSE引脚
COMP
输出电压转换速率（对称）
(1)
1.5
60
1.0
80
2.8
500
dB
兆赫
nA
V / μs的
时间
(1)
VIN = 4.5 V
80%
VIN = 12 V ，T
J
= 25°C
-25%
180
86%
8
25%
ns
V/V
编程频率的百分比
-10%
225
PH ）
(1)
200
400
425
千赫
千赫
ns
ns
°
ns
ns
V
V
V
V
千赫
10%
770
V
V
下降沿触发双向同步系统（ SYNC引脚）
25 pF到地面
25 pF到地面
从上升沿延迟的上升沿
PH引脚
RT = 100 kΩ的
RT = 100 kΩ的
50 kΩ电阻接地，
没有上拉电阻
(90%/10%)
(1)
(1)
4
按设计规定，未经生产测试。
提交文档反馈
www.ti.com
TPS54550
SLVS623A - 2006年3月 - 修订2006年4月
电气特性（续）
T
J
= -40 ℃至125 ℃， VIN = 4.5到20V （除非另有说明）
参数
慢启动/ ENABLE （ SSENA PIN）
禁止低电平输入电压
内部慢启动时间（10％ 90 ％）
上拉电流源
下拉MOSFET
POWER GOOD （ PWRGD引脚）
电源正常阈值
上升沿延迟
(2)
输出饱和电压
PWRGD
输出饱和电压
开路漏极漏电流
电流限制
电流限制
电流限制打嗝时间
(2)
热关断
热关断触发点
热关断迟滞
(2)
低边MOSFET驱动器（ LSG PIN）
打开的上升时间， （10％ / 90％）
(2)
死区时间
(2)
驱动导通电阻
输出功率MOSFET （ PH PIN）
相节点电压时禁用
电压降，低边FET和二极管
r
DS （ ON）
高侧功率MOSFET开关
(3)
直流条件和无负荷， SSENA = 0V
VIN = 4.5 V ，IDC =百毫安
VIN = 12 V ，IDC = 100毫安
VIN = 4.5 V ， BOOT -PH = 4.5 V，I
O
= 0.5 A
VIN = 12V， BOOT -PH = 8 V，I
O
= 0.5 A
0.5
1.13
1.08
60
40
1.42
1.38
V
V
m
VIN = 4.5 V ，容性负载= 1000 pF的
VIN = 8 V ，容性负载= 1000 pF的
VIN = 12 V
VIN = 4.5 V汇/源
VIN = 12 V汇/源
15
12
60
7.5
5
ns
ns
165
7
°C
°C
VIN = 12 V
f
s
= 500千赫
7.5
8.5
4.5
9.5
A
ms
上升的电压
f
s
250千赫
f
s
= 500千赫
I
SINK
= 1毫安， VIN > 4.5 V
I
SINK
= 100
A,
VIN = 0 V
在PWRGD = 6 V电压
97%
4
2
0.05
0.76
3
ms
V
V
A
二（ SSENA ） = 1毫安
f
s
= 250 kHz时， RT =地面
f
s
= 500 kHz时， RT =高阻
(2)
1.8
(2)
测试CONDITIOINS
民
典型值
最大
0.5
单位
V
ms
4.6
2.3
5
0.1
10
A
V
(2)
(3)
按设计规定，未经生产测试。
电阻从VIN至PH引脚。
提交文档反馈
5
QQ：2881677436 复制
