典型尺寸
6.4毫米× 6.6毫米
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TPS54380-Q1
SLVS836 - 2008年6月
3 V至6 V的输入， 3 -A输出跟踪同步降压
具有集成FET （ SWIFT ）进行测序PWM SWITCHER
特点
D
通过汽车应用认证
D
上电/断电跟踪测序
D
60毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
在3 -A的连续输出的源，汇
当前
描述
由于SWIFT系列DC / DC稳压器中的一员，
该TPS54380低输入电压，高输出电流，
同步降压PWM转换器集成了所有
所需的活性成分。使用TRACKIN销
与其他监管机构，同时上电和断电
很容易实现的。包括在衬底上
在列出的功能是一个真正的，高性能，电压
误差放大器，实现最佳的性能和
在选择输出滤波器L和C的灵活性
组件;欠压闭锁电路，以防止
直到输入电压达到3V的启动;内部
或外部设置慢启动电路，以限制浪涌
电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位。
该TPS54380是采用热增强型
采用20引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD包，
消除了笨重的散热器。 TI提供评估
模块和SWIFT设计者软件工具来辅助
在迅速实现高性能电源
设计，以满足积极的设备开发
周期。
D
宽PWM频率：
固定的350 kHz或可调280 kHz至
700千赫
D
电源良好和启用
D
荷载的峰值电流限制和保护
D
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
元件数量
应用
D
低电压，高密度分布式电源
系统
D
点负载调节的
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器需要测序
D
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
I / O电源
输入
VIN
PH
TPS54380
BOOT
核心供电
启动波形
R
L
= 1
VI / O = 3.3 V
500 mV /格
TRACKIN保护地
VBIAS VSENSE
AGND COMP
核心电压= 1.8 V
1 ms /格
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2008年，德州仪器
TPS54380-Q1
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
J
-40_C到125_C
(1)
包
(2)
HTSSOP - PW
2000年卷
订购型号
TPS54380QPWPRQ1
顶部端标记
54380Q
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者看到TI网站
在http://www.ti.com 。
(2))
包装图纸，热数据和符号可在http://www.ti.com/packaging 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
VIN ， ENA
RT
输入电压范围，V
I
I
吨LT
VSENSE ， TRACKIN
BOOT
VBIAS ， COMP ， PWRGD
输出LT
吨吨的电压范围，V
O
源电流，我
O
S
t
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流，我
S
电压差动
经营虚拟结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
人体模型（ HBM ）
静电放电保护， ESD
(1)
-0.3 V至7 V
0.3 V至6 V
0.3 V至24 V
0.3 V至17 V
-0.3 V至7 V
-0.6 V至10 V
内部限制
6毫安
6A
6毫安
10毫安
±0.3
V
-40_C到125_C
-65_C到150_C
300°C
2000 V
1500 V
COMP
ENA ， PWRGD
AGND至PGND
带电器件模型（ CDM）
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
输入电压V
I
工作结温，T
J
3
40
最大
6
125
单位
V
°C
耗散额定值
(1)(2)
包
20引脚PWP用焊锡
20引脚PWP无焊料
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
26
° C / W
57.5
° C / W
T
A
= 25°C
额定功率
3.85 W
(3)
1.73 W
T
A
= 70°C
额定功率
2.12 W
0.96 W
T
A
= 85°C
额定功率
1.54 W
0.69 W
有关PWP包的详细信息，请参阅TI技术简介，文献数量SLMA002 。
测试板条件：
1. 3英寸× 3英寸， 2层，厚度： 0.062在
2.位于PCB顶部1.5盎司铜的痕迹
在PCB底部3. 1.5盎司纯铜接地层
4. 10散热通孔（参见本数据手册的应用部分“推荐的焊盘图案” ）
(3)
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
2
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
参数
电源电压VIN
输入电压范围， VIN
f
s
= 350 kHz时， RT开放，
PH引脚开路
I
(Q)
静态电流
f
s
= 500 kHz时， RT = 100 kΩ的， PH引脚开路
关机， ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲，
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS
累计参考
V
REF
准确性
I
L
= 1.5 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 1.5 A，F
s
= 550千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 3 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 3 A，F
s
= 550千赫，T
J
= 85°C
RT开放
RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
(1)
在外部自由设定运行频率范围
设置免费
斜坡谷
(1)
斜坡幅度
（峰 - 峰值）
(1)
90%
最小可控时间
(1)
最大占空比
(1)
(2)
(2)
测试条件
民
3.0
典型值
最大
6.0
单位
V
6.2
8.4
1
2.95
2.70
0.14
2.80
0.16
2.5
9.6
12.8
1.4
3.0
V
V
V
s
2.90
100
V
A
V
mA
UVLO
(1)
I
（ VBIAS ）
= 0
2.70
2.80
0.882
0.891
0.900
0.07
0.07
0.03
0.03
规
线路调整
(1)(3)
负载调整率
(1)(3)
振荡器
内部设置自由运行频率
280
252
460
663
350
280
500
700
0.75
1
200
420
308
540
762
V
V
ns
千赫
千赫
%/V
%/A
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
(1)
按设计规定
只有静态电阻负载
(3)
由图9中所使用的电路中指定
3
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电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压
范围
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ，
COMP
(1)
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（不包括
死区时间）
启用
启用阈值电压， ENA
启用滞后电压， ENA
下降沿抗尖峰脉冲， ENA
(1)
漏电流， ENA
电源良好
电源良好电压阈值
电源良好滞后电压
(1)
电源良好下降沿
尖峰脉冲
(1)
I
（汇）
= 2.5毫安
V
I
= 5.5 V
V
I
= 3 V
V
I
= 6 V
输出短路
(1)
输出短路
(1)
4
4.5
6.5
7.5
100
200
135
150
10
V
I
= 6 V
(4)
V
I
= 3
V
(4)
1.5
0
59
85
88
136
1.5
V
REF
m
165
A
ns
ns
°C
°C
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
目前李毅吧T I点
C
吨极限之旅I T
电流限制前沿消隐时间
(1)
电流限制总响应时间
(1)
热关断
热关断触发点
(1)
热关断
迟滞
(1)
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
功率MOSFET开关
VSENSE下降
90
3
35
0.18
0.3
1
%V
REF
%V
REF
s
V
A
V
I
= 5.5 V
0.82
1.20
0.03
2.5
1.5
1.40
V
V
s
A
10 mV过
(1)
70
85
ns
1 kΩ的COMP至AGND
(1)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP至AGND
(1)
本站由内部LDO
(1)
VSENSE = V
REF
1.0
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
测试条件
民
典型值
最大
单位
TRACKIN
输入失调， TRACKIN
输入电压范围， TRACKIN
(1)
(2)
V
SENSE
= TRACKIN = 1.25 V
(1)
见注1
mV
V
按设计规定
只有静态电阻负载
(3)
由图9中所使用的电路中指定
(4)
匹配的MOSFET低侧R
DS （ ON）
生产测试，高侧R
DS （ ON）
按设计规定
4
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PWP封装
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
热16
PAD
15
14
13
12
11
RT
ENA
TRACKIN
VBIAS
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
COMP
ENA
保护地
号
1
5
3
19
1113
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容， RT电阻。
连接将PowerPAD到AGND 。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
使能输入。逻辑高电平使振荡器， PWM控制和MOSFET驱动电路。逻辑低禁用操作和
设备放置在低静态电流的状态。
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大型铜矿区
到输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。单点连接
到AGND建议。
相输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
电源就绪漏极开路输出。高当VSENSE
≥
90% V
REF
否则PWRGD低。
频率设定电阻输入。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率。
外部参考输入。高阻抗输入到内部基准/多路复用器和误差放大器电路。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装，高品质，低ESR的10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。通过补偿网络/输出分频器连接到输出电压。
PH
PWRGD
RT
TRACKIN
VBIAS
VIN
610
4
20
18
17
1416
2
VSENSE
5
QQ：2880707522 复制
