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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第533页 > TPS54372
典型尺寸
6.4毫米× 6.6毫米
TPS54372
SLVS430D - 2002年6月 - 修订2005年2月
www.ti.com
与3 -A输出跟踪/终止同步PWM SWITCHER
集成FET （ SWIFT ）
特点
跟踪外部基准电压
60毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
在3 -A的连续输出的源，汇
当前
6 ％至90 ％的V
I
输出跟踪范围
宽PWM频率：固定350 kHz或
可调节280 kHz至700 kHz的
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
描述
由于SWIFT 系列DC / DC的一员稳压
lators ，该TPS54372低输入电压，高输出
目前，同步降压PWM转换器的集成
所有必需的活性成分。包括在
基板与列出的功能是一个真正的，高
性能，电压误差放大器，使
瞬态条件下的最大性能
而在选择输出滤波器L和C的灵活性
组件;欠压闭锁电路，以预
泄的启动，直到输入电压达到3伏;一
内部和外部设置慢启动电路，以限制
浪涌电流;和一个状态输出，以指示有效
操作条件。
该TPS54372是采用热增强型
采用20引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD包，
消除了笨重的散热器。 TI提供评估
模块和SWIFT Designer软件工具
有助于迅速实现高性能电源
供电设计，以满足积极的设备人员开发
opment周期。
应用
DDR存储器终端电压
GTL和SSTL主动终止
高速逻辑系列
DAC控制，高电流输出级
精密电源负载点的
简化的原理图
简化的原理图
输入
VDDQ
VIN
PH
TPS54372
BOOT
保护地
REFIN
VBIAS
AGND VSENSE
COMP
VTTQ
VO - 输出电压 - 50 mV /格
瞬态响应
V
I
= 5 V,
V
O
= 1.25 V
I O - 输出电流 - 1 A /格
0至
2.25 A
赔偿金
网
吨 - 时间 - 25 ms /格
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2002-2005 ，德州仪器
TPS54372
SLVS430D - 2002年6月 - 修订2005年2月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
REFIN电压
0.2 V至1.75 V
包
塑料HTSSOP （ PWP ）
产品型号
(2)
TPS54372PWP
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54372PWPR ） 。看到应用程序
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息的部分。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS54372
VIN ， ENA
输入电压范围，V
I
RT
VSENSE ， REFIN
BOOT
输出电压范围，V
O
源电流，我
O
VBIAS ， COMP ， STATUS
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流，我
S
电压差动
贮藏温度，T
英镑
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
COMP
ENA ， STATUS
AGND至PGND
工作结温范围，T
J
-0.3 7
-0.3 6
-0.3 4
-0.3至17
-0.3 7
-0.6 6
内部限制
6
6
6
10
±0.3
-40至125
-65到150
300
mA
A
mA
V
°C
°C
°C
V
V
单位
超越那些在"absolute最大额定值讲“ ，可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
输入电压V
I
工作结温，T
J
3
–40
喃
最大
6
125
单位
V
°C
2
TPS54372
www.ti.com
SLVS430D - 2002年6月 - 修订2005年2月
(1) (2)
耗散额定值
包
20引脚PWP用焊锡
20引脚PWP无焊料
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
26.0°C/W
57.5°C/W
T
A
= 25°C
额定功率
3.85 W
(3)
T
A
= 70°C
额定功率
2.11 W
0.96 W
T
A
= 85°C
额定功率
1.54 W
0.69 W
1.73 W
(3)
有关PWP包的详细信息，请参阅TI技术简介，文献数量SLMA002 。
测试板条件：
一。 3英寸×3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
B 。 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
。 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
。十散热通孔（见
推荐地格局
本数据表中的应用部分）
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ，V
I
= 3 V至6 V（除非另有说明）
参数
电源电压VIN
VIN
I
(Q)
输入电压范围
f
s
= 350 kHz时， RT开放， PH引脚开路
静态电流
f
s
= 500 kHz时， RT = 100 kΩ的， PH引脚开路
关机， ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲， UVLO
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS
规
线路调整
(1) (3)
负载
振荡器
内部设置自由运行频率
外部设置的自由运行频率范围
斜坡谷
(1)
斜坡幅度（峰 - 峰值）
(1)
最小可控时间
(1)
最大占空比
(1)
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压
范围
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ，
COMP
(1)
(1)
(2)
(3)
按设计规定
只有静态电阻负载
由图8中所使用的电路中指定
3
1 kΩ的COMP至AGND
(1)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP到
本站由内部LDO
(1)
VSENSE = V
REF
1.0
AGND
(1)
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
90%
RT开放
RT = 180 kΩ的（1％电阻
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻
AGND ）
(1)
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
AGND ）
(1)
280
252
460
663
350
280
500
700
0.75
1
200
420
308
540
762
V
V
ns
千赫
千赫
规
(1) (3)
I
L
= 1.5 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 3 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
0.07
0.03
%/V
%/A
(2)
(1)
测试条件
民
3.0
典型值
最大单位
6.0
V
mA
6.2
8.4
1
2.95
2.70
0.14
2.80
0.16
2.5
9.60
12.8
1.4
3.0
V
V
V
s
2.90
100
V
A
I
（ VBIAS ）
= 0
2.70
2.80
TPS54372
SLVS430D - 2002年6月 - 修订2005年2月
www.ti.com
电气特性（续）
T
J
= -40 ° C至125°C ，V
I
= 3 V至6 V（除非另有说明）
参数
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（不包括
死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， ENA
启用滞后电压，
内部慢启动时间
状态
输出饱和电压， STATUS
漏电流，状态
电流限制
电流限制
电流限制前沿消隐时间
(1)
电流限制总响应时间
(4)
热关断
热关断触发点
(4)
热关断迟滞
(4)
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
功率MOSFET开关
V
I
= 6 V
(5)
V
I
= 3 V
(5)
59
85
88
136
m
135
150
10
165
°C
°C
V
I
= 3 V
(1)
V
I
= 6 V
(1)
测试条件
民
典型值
最大单位
10 mV过
(1)
70
85
ns
0.82
1.20
0.03
2.5
1.40
V
V
s
ENA
(1)
2.6
I
SINK
= 2.5毫安
V
I
= 3.6 V
4
4.5
下降沿抗尖峰脉冲， ENA
(1)
3.35
0.18
4.1
0.30
1
ms
V
A
6.5
7.5
100
200
A
ns
ns
(4)
(5)
按设计规定
匹配的MOSFET低侧R
DS （ ON）
和高侧R
DS （ ON）
生产测试。
4
TPS54372
www.ti.com
SLVS430D - 2002年6月 - 修订2005年2月
HTTSOP使用PowerPad
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
COMP
状态
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
RT
ENA
REFIN
VBIAS
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
COMP
ENA
保护地
号
1
5
3
19
11-13
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容和RT
电阻器。连接将PowerPAD连接到AGND。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
使能输入。逻辑高电平使振荡器， PWM控制和MOSFET驱动电路。逻辑低电平禁止操作
并将设备在低静态电流的状态。
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大铜
区域的输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。单点
建议连接到AGND。
相输入/输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
频率设定电阻输入。从连接RT电阻到AGND设置开关频率f
s
.
外部参考输入。高阻抗输入慢启动和误差放大器电路。
漏极开路输出。置为低电平时， VIN < UVLO ， VBIAS和内参都没有解决或内部
关闭信号被激活。否则状态为高电平。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到引脚AGND用
高品质，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近
器件封装，具有高品质，低ESR的10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。连接到输出电压补偿网络/输出分频器。
描述
PH
RT
REFIN
状态
VBIAS
V
IN
VSENSE
6-10
20
18
4
17
14-16
2
5
典型尺寸
6.4毫米× 6.6毫米
TPS54372
SLVS430D - 2002年6月 - 修订2005年2月
www.ti.com
与3 -A输出跟踪/终止同步PWM SWITCHER
集成FET （ SWIFT ）
特点
跟踪外部基准电压
60毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
在3 -A的连续输出的源，汇
当前
6 ％至90 ％的V
I
输出跟踪范围
宽PWM频率：固定350 kHz或
可调节280 kHz至700 kHz的
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
描述
由于SWIFT 系列DC / DC的一员稳压
lators ，该TPS54372低输入电压，高输出
目前，同步降压PWM转换器的集成
所有必需的活性成分。包括在
基板与列出的功能是一个真正的，高
性能，电压误差放大器，使
瞬态条件下的最大性能
而在选择输出滤波器L和C的灵活性
组件;欠压闭锁电路，以预
泄的启动，直到输入电压达到3伏;一
内部和外部设置慢启动电路，以限制
浪涌电流;和一个状态输出，以指示有效
操作条件。
该TPS54372是采用热增强型
采用20引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD包，
消除了笨重的散热器。 TI提供评估
模块和SWIFT Designer软件工具
有助于迅速实现高性能电源
供电设计，以满足积极的设备人员开发
opment周期。
应用
DDR存储器终端电压
GTL和SSTL主动终止
高速逻辑系列
DAC控制，高电流输出级
精密电源负载点的
简化的原理图
简化的原理图
输入
VDDQ
VIN
PH
TPS54372
BOOT
保护地
REFIN
VBIAS
AGND VSENSE
COMP
VTTQ
VO - 输出电压 - 50 mV /格
瞬态响应
V
I
= 5 V,
V
O
= 1.25 V
I O - 输出电流 - 1 A /格
0至
2.25 A
赔偿金
网
吨 - 时间 - 25 ms /格
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2002-2005 ，德州仪器
TPS54372
SLVS430D - 2002年6月 - 修订2005年2月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
REFIN电压
0.2 V至1.75 V
包
塑料HTSSOP （ PWP ）
产品型号
(2)
TPS54372PWP
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54372PWPR ） 。看到应用程序
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息的部分。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS54372
VIN ， ENA
输入电压范围，V
I
RT
VSENSE ， REFIN
BOOT
输出电压范围，V
O
源电流，我
O
VBIAS ， COMP ， STATUS
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流，我
S
电压差动
贮藏温度，T
英镑
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
COMP
ENA ， STATUS
AGND至PGND
工作结温范围，T
J
-0.3 7
-0.3 6
-0.3 4
-0.3至17
-0.3 7
-0.6 6
内部限制
6
6
6
10
±0.3
-40至125
-65到150
300
mA
A
mA
V
°C
°C
°C
V
V
单位
超越那些在"absolute最大额定值讲“ ，可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
输入电压V
I
工作结温，T
J
3
–40
喃
最大
6
125
单位
V
°C
2
TPS54372
www.ti.com
SLVS430D - 2002年6月 - 修订2005年2月
(1) (2)
耗散额定值
包
20引脚PWP用焊锡
20引脚PWP无焊料
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
26.0°C/W
57.5°C/W
T
A
= 25°C
额定功率
3.85 W
(3)
T
A
= 70°C
额定功率
2.11 W
0.96 W
T
A
= 85°C
额定功率
1.54 W
0.69 W
1.73 W
(3)
有关PWP包的详细信息，请参阅TI技术简介，文献数量SLMA002 。
测试板条件：
一。 3英寸×3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
B 。 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
。 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
。十散热通孔（见
推荐地格局
本数据表中的应用部分）
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ，V
I
= 3 V至6 V（除非另有说明）
参数
电源电压VIN
VIN
I
(Q)
输入电压范围
f
s
= 350 kHz时， RT开放， PH引脚开路
静态电流
f
s
= 500 kHz时， RT = 100 kΩ的， PH引脚开路
关机， ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲， UVLO
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS
规
线路调整
(1) (3)
负载
振荡器
内部设置自由运行频率
外部设置的自由运行频率范围
斜坡谷
(1)
斜坡幅度（峰 - 峰值）
(1)
最小可控时间
(1)
最大占空比
(1)
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压
范围
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ，
COMP
(1)
(1)
(2)
(3)
按设计规定
只有静态电阻负载
由图8中所使用的电路中指定
3
1 kΩ的COMP至AGND
(1)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP到
本站由内部LDO
(1)
VSENSE = V
REF
1.0
AGND
(1)
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
90%
RT开放
RT = 180 kΩ的（1％电阻
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻
AGND ）
(1)
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
AGND ）
(1)
280
252
460
663
350
280
500
700
0.75
1
200
420
308
540
762
V
V
ns
千赫
千赫
规
(1) (3)
I
L
= 1.5 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 3 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
0.07
0.03
%/V
%/A
(2)
(1)
测试条件
民
3.0
典型值
最大单位
6.0
V
mA
6.2
8.4
1
2.95
2.70
0.14
2.80
0.16
2.5
9.60
12.8
1.4
3.0
V
V
V
s
2.90
100
V
A
I
（ VBIAS ）
= 0
2.70
2.80
TPS54372
SLVS430D - 2002年6月 - 修订2005年2月
www.ti.com
电气特性（续）
T
J
= -40 ° C至125°C ，V
I
= 3 V至6 V（除非另有说明）
参数
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（不包括
死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， ENA
启用滞后电压，
内部慢启动时间
状态
输出饱和电压， STATUS
漏电流，状态
电流限制
电流限制
电流限制前沿消隐时间
(1)
电流限制总响应时间
(4)
热关断
热关断触发点
(4)
热关断迟滞
(4)
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
功率MOSFET开关
V
I
= 6 V
(5)
V
I
= 3 V
(5)
59
85
88
136
m
135
150
10
165
°C
°C
V
I
= 3 V
(1)
V
I
= 6 V
(1)
测试条件
民
典型值
最大单位
10 mV过
(1)
70
85
ns
0.82
1.20
0.03
2.5
1.40
V
V
s
ENA
(1)
2.6
I
SINK
= 2.5毫安
V
I
= 3.6 V
4
4.5
下降沿抗尖峰脉冲， ENA
(1)
3.35
0.18
4.1
0.30
1
ms
V
A
6.5
7.5
100
200
A
ns
ns
(4)
(5)
按设计规定
匹配的MOSFET低侧R
DS （ ON）
和高侧R
DS （ ON）
生产测试。
4
TPS54372
www.ti.com
SLVS430D - 2002年6月 - 修订2005年2月
HTTSOP使用PowerPad
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
COMP
状态
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
RT
ENA
REFIN
VBIAS
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
COMP
ENA
保护地
号
1
5
3
19
11-13
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容和RT
电阻器。连接将PowerPAD连接到AGND。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
使能输入。逻辑高电平使振荡器， PWM控制和MOSFET驱动电路。逻辑低电平禁止操作
并将设备在低静态电流的状态。
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大铜
区域的输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。单点
建议连接到AGND。
相输入/输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
频率设定电阻输入。从连接RT电阻到AGND设置开关频率f
s
.
外部参考输入。高阻抗输入慢启动和误差放大器电路。
漏极开路输出。置为低电平时， VIN < UVLO ， VBIAS和内参都没有解决或内部
关闭信号被激活。否则状态为高电平。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到引脚AGND用
高品质，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近
器件封装，具有高品质，低ESR的10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。连接到输出电压补偿网络/输出分频器。
描述
PH
RT
REFIN
状态
VBIAS
V
IN
VSENSE
6-10
20
18
4
17
14-16
2
5
选购指南
SLVT153C - 2007年9月 - 修订2008年10月
SWIFT转换器产品组合
SWIFT产品
部分
数
V
IN
(V)
V
OUT
(V)
I
OUT
(A)
I
q
（典型值）
（MA ）
开关频率
固定
（千赫）
500
-
500
500
500
可调整的
（千赫）
-
300 2500
-
-
-
包
特点
宽输入电压，非同步降压
TPS5410
TPS54160
TPS5420
TPS5430
TPS5450
5.5 36
3.5 60
5.5 36
5.5 36
5.5 36
1.23 31
0.8 57
1.23 31
1.23 31
1.22 31
1
1.5
2
3
5
3
0.116
3
3
3
8SOIC
EN ，诠释。比较。
TM ， PG ， EN ，软启动，欠压锁定， RT ，
10MSOP,
TRACKIN ， CLK ，分机。照例，
PowerPAD
Eco模式
8SOIC
EN ，诠释。比较。
8SO
EN ，诠释。比较。
PowerPAD
8HSOIC
EN ，诠释。比较。
PowerPAD
PG ， EN ， SYNC ， UVLO ， LSG ， RT ，
分机。照例， 180 °的相位差
PG ， EN ， SYNC ， UVLO ， LSG ， RT ，
诠释。照例， 180 °的相位差
PG ， EN ，软启动，同步， UVLO ，
LSG ， RT ，诠释。照例，
180 °的相位差
EN ，软启动，欠压锁定，分机。照例，
Eco模式
EN ，软启动，欠压锁定，分机。照例，
Eco模式
EN1 ， EN2 ， ILIM2 ， SEQ ，诠释。比较。
EN1 ， EN2 ， ILIM2 ， SEQ ，诠释。比较。
EN1 ， EN2 ， ILIM2 ， SEQ ，诠释。比较。
EN1 ， EN2 ， ILIM2 ， SEQ ，诠释。比较。
EN1 ， EN2 ， ILIM2 ， SEQ ，分机。
比较。
EN1 ， EN2 ， ILIM2 ， SEQ ，分机。
比较。
中秋节输入电压同步降压
TPS54350
TPS5435x
4.5 20的
4.5 20的
0.9 12
1.2, 1.5,
1.8, 2.5,
3.3, 5.0
0.9 12
3
3
9
9
250, 500
250, 500
250 700
250 700
16HTSSOP
16HTSSOP
TPS54550
4.5 20的
6
9
250, 500
250 700
16HTSSOP
中秋节输入电压，非同步降压
TPS54231
TPS54331
3.5 28
3.5 28
0.8 25
0.8 25
2
3
0.11
0.11
570
570
-
-
8SOIC
8SOIC
中秋节输入电压，双通道，非同步降压
TPS54283
TPS54286
TPS54383
TPS54386
TPS55383
TPS55386
4.528
4.528
4.528
4.528
4.528
4.528
0.8至25.2
0.8至25.2
0.8至25.2
0.8至25.2
0.8至25.2
0.8至25.2
2/2
2/2
3/3
3/3
3/3
3/3
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
300
600
300
600
300
600
-
-
-
-
-
-
14HTSSOP
14HTSSOP
14HTSSOP
14HTSSOP
16HTSSOP
16HTSSOP
SLVT153C - 2007年9月 - 修订2008年10月
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SWIFT转换器产品组合
1
www.ti.com
SWIFT产品（续）
部分
数
V
IN
(V)
V
OUT
(V)
I
OUT
(A)
I
q
（典型值）
（MA ）
开关频率
固定
（千赫）
可调整的
（千赫）
包
特点
低输入电压同步降压
TPS54110
TPS54310
TPS5431x
TPS54317
TPS54610
TPS5461x
TPS54810
TPS54910
TPS54010
3至6
3至6
3至6
3至6
3至6
3至6
46
3至4个
2.2到4
0.9 4.5
0.9 3.3
0.9, 1.2,
1.8, 2.5,
3.3
0.9 3.3
0.9 4.5
0.9, 1.2,
1.8, 2.5,
3.3
0.9 3.3
0.9 2.5
0.9 2.5
1.5
3
3
3
6
6
8
9
14
4.2
6.2
6.2
6.2
11
11
11
11
13
350, 550
350, 550
350, 550
-
350, 550
350, 550
350, 550
350, 550
350, 550
280 700
280 700
280 700
280 1600
280 700
280 700
280 700
280 700
280 700
20HTSSOP
20HTSSOP
20HTSSOP
24QFN
28HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
PG ， EN ，软启动，同步， RT ，
分机。比较。
PG ， EN ，软启动，同步， RT ，
分机。比较。
PG ， EN ，软启动，同步， RT ，
诠释。比较。
PG ， EN ，同步，软启动， RT ，
分机。比较。
PG ， EN ，同步，软启动， RT ，
分机。比较。
PG ， EN ，软启动， RT ，诠释。比较。
PG ， EN ，同步，软启动， RT ，
分机。比较。
PG ， EN ，同步，软启动， RT ，
分机。比较。
PG ， EN ，同步，软启动， RT ，
分离轨，分机。比较。
PG ， EN ， RT ， REFIN ，分机。比较。
PG ， EN ， RT ， REFIN ，分机。比较。
PG ， EN ， RT ， REFIN ，分机。比较。
PG ， EN ， RT ， REFIN ，分机。比较。
DDR内存（有源总线终端） ，同步降压
TPS54372
TPS54672
TPS54872
TPS54972
3至6
3至6
46
3至4个
为0.2 4.5
为0.2 4.5
0.2 3.3
为0.2 2.5
3
6
8
9
6.2
11
11
11
350
350
350
350
280 700
280 700
280 700
280 700
20HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
20HTSSOP
2
SWIFT转换器产品组合
SLVT153C - 2007年9月 - 修订2008年10月
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www.ti.com
SWIFT产品（续）
部分
数
V
IN
(V)
V
OUT
(V)
I
OUT
(A)
I
q
（典型值）
（MA ）
开关频率
固定
（千赫）
可调整的
（千赫）
包
特点
测序，同步降压
TPS54380
TPS54680
TPS54880
TPS54980
3至6
3至6
46
3至4个
0.9 4.5
0.9 4.5
0.9 3.3
0.9 2.5
3
6
8
9
6.2
11
11
11
350
350
350
350
280 700
280 700
280 700
280 700
20HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
PG ， EN ， RT ， TRACKIN ，
分机。比较。
PG ， EN ， RT ， TRACKIN ，
分机。比较。
PG ， EN ， RT ， TRACKIN ，
分机。比较。
PG ， EN ， RT ， TRACKIN ，
分机。比较。
PG ， EN ，同步，软启动， RT ，
分机。比较。
PG ， EN ，同步，软启动， RT ，
分机。比较。
PG ， EN ，同步，软启动， RT ，
分机。比较。
PG ， EN ，同步，软启动， RT ，
分机。比较。
PG ， EN ，同步，软启动， RT ，
分机。比较。
PG ， EN ，同步，软启动， RT ，
分机。比较。
预偏置，同步降压
TPS54073
TPS54373
TPS54377
TPS54673
TPS54873
TPS54973
2.2到4
3至6
3至6
3至6
46
3至4个
0.9 2.5
0.9 3.3
0.9 3.3
0.9 4.5
0.9 3.3
0.9 2.5
14
3
3
6
8
9
13
6.2
6.2
11
11
11
350, 550
350, 550
-
350, 550
350, 550
350, 550
280 700
280 700
280 1600
280 700
280 700
280 700
28HTSSOP
20HTSSOP
24QFN
28HTSSOP
28HTSSOP
28HTSSOP
词汇表
名字
PG电源良好引脚
EN使能引脚
SYNC同步控制器引脚
UVLO欠压锁定引脚
LSG栅极驱动低侧MOSFET
RT频率设置引脚
软启动调节慢启动
TRACKIN外部基准输入引脚同时排序
外部基准输入引脚有源总线终端
分离轨独立的电源和控制电压输入
限流门限调节引脚输出2只
SEQ配置输出启动模式引脚
分机。比较。外部补偿
诠释。比较。内部补偿
Eco模式高效率在轻负载
CLK引脚的时钟同步频率（内部PLL ）
德网络nition
SLVT153C - 2007年9月 - 修订2008年10月
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SWIFT转换器产品组合
3
重要通知
德州仪器（TI）及其附属公司（ TI）保留随时更正，修改，增强，改进的权利，
等改变其产品和服务在任何时间，停止任何产品或服务，恕不另行通知。客户应
在下订单前获得最新相关信息，并验证这些信息是否是最新的，完整的。所有产品均
出售须TI销售条款与在订单确认时所提供的条件。
其硬件产品的TI保证产品性能在销售按照与TI的标准时间规范
质保。测试及其它质量控制技术被用来程度TI认为有必要支持这项保证。除
政府要求的，否则没有必要对每种产品的所有参数进行测试。
TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。客户有责任为他们的产品和
使用TI组件的应用程序。为尽量减小与客户产品和应用相关的风险，客户应提供
充分的设计与操作安全措施。
TI不保证或表示任何许可，无论明示或暗示，在任何TI专利权，版权，屏蔽作品权授予，
或其他TI知识产权有关的任何组合，机器或过程，其中TI产品或服务的使用。信息
TI所第三方产品或服务，不能构成从TI获得使用这些产品或服务或授权刊登
保证或认可。使用此类信息可能需要获得第三方的专利权或其它知识产权的许可
第三方，或通过TI的专利权或TI的其它知识产权的许可的财产。
对于TI的数据手册或数据表TI的信息再现允许的，只要还原度没有改变，并伴随
相关授权，条件，限制和声明。这些信息与变更再现是一种不公平和欺骗性
商业行为。 TI是不负责或承担此类篡改过的文件。第三方的信息可能会受到额外的
限制。
TI的产品或服务，或超出TI针对产品或服务规定的参数声明不同的则会失去所有
快递及相关TI产品或服务的任何默示保证，是一种不公平和欺诈性商业行为。 TI是不
负责或承担任何此类陈述。
TI产品未被授权用于安全关键型应用（如生命支持）使用，其中TI产品的失败会合理
预计将造成严重的人身伤害或死亡，除非各方人员签订的协议具体管理
这样使用。购房者表示，他们有足够的能力在他们的应用程序的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责有关产品的所有法律，法规和安全相关要求
和任何使用TI产品在此类关键安全应用中，尽管任何应用相关信息或支持，可能是
由TI提供的。此外，购买者必须全额赔偿TI及其代理人因在使用TI产品的任何损失
这样的安全关键型应用程序。
TI产品并非设计或专门用于军事/航空应用，以及除非TI的产品环境中使用
由TI专门指定由TI指定的军用产品才满足军用军用级或"enhanced plastic."只产品
规格。购买者认可并同意，任何此类使用TI产品而TI未指定为军用级完全是在
买方的风险，他们全权负责遵守与此类使用相关的所有法律和法规要求。
TI产品并非设计或专门用于汽车应用以及环境中，除非特定的TI产品的使用
由TI指定为符合ISO / TS 16949的要求。购买者认可并同意，如果他们使用任何非指定的
产品在汽车应用中，TI将不承担任何未能满足这些要求。
以下是URL地址以获取有关其它TI产品和应用解决方案的信息：
制品
放大器器
数据转换器
DSP
时钟和计时器
接口
逻辑
电源管理
微控制器
RFID
RF / IF和ZigBee解决方案
amplifier.ti.com
dataconverter.ti.com
dsp.ti.com
www.ti.com/clocks
interface.ti.com
logic.ti.com
power.ti.com
microcontroller.ti.com
www.ti-rfid.com
www.ti.com/lprf
应用
音频
汽车
宽带
数字控制
医
军事
光网络
安全
电话
视频&影像
无线
www.ti.com/audio
www.ti.com/automotive
www.ti.com/broadband
www.ti.com/digitalcontrol
www.ti.com/medical
www.ti.com/military
www.ti.com/opticalnetwork
www.ti.com/security
www.ti.com/telephony
www.ti.com/video
www.ti.com/wireless
邮寄地址：德州仪器，邮政信箱655303 ，达拉斯，德克萨斯州75265
2008 ，德州仪器
TPS54377
www.ti.com
SLVS779 - 2007年9月
1.6兆赫， 3 V至6 V的输入， 3 -A同步降压SWIFT转换器
与启动时禁用塌陷
1
特点
描述
由于SWIFT 系列DC中的一员/ DC
监管机构，
该
TPS54377
低输入电压
高输出电流
同步降压
PWM
转换器集成了所有必需的活性成分。
包括基板与上市功能上
一个真正的，高性能，电压误差放大器，其
提供瞬态条件下的高性能;
欠压闭锁电路，以防止启动
直到输入电压达到3伏;内部和
外部设置慢启动电路，以限制浪涌
电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源
测序。
对于可靠的电源在输出预充电
应用中， TPS54377被设计为仅
在启动过程中的源电流。
该TPS54377装置处于热可
增强的24引脚QFN （ RHF ）使用PowerPad 封装，
这消除了笨重的散热器。 TI提供
评估模块和SWIFT设计软件
工具来实现高性能电源辅助
供电设计，以满足积极的设备
开发周期。
60毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
在3 -A的连续输出电流
可调输出电压低至0.9 V带
1 ％的精度
开关频率：可调距
280千赫至1600千赫
残疾人吸收电流在启动过程
快速瞬态响应
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
间距节能4毫米x 5mm的QFN封装
对于SWIFT文档，应用笔记，
和设计软件，请参见TI网站
www.ti.com/swift
2
应用
低电压，高密度系统采用
分布式电源5 V或3.3 V
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
简化的
概要
启动波形
*
输入
VIN
PH
PWRGD
BOOT
SS / ENA
SYNC
保护地
RT
VBIAS VSENSE
AGND COMP
TPS54377
*
产量
R
L
= 1
V
I
= 3.3 V
1 V / DIV
V
O
= 1.8 V
*
可选
5.0 ms /格
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
2007 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS54377
SLVS779 - 2007年9月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
J
-40_C到125_C
(1)
(2)
输出电压
可调低至0.9 V
包
QFN （ RHF ）
(1) (2)
产品型号
TPS54377RHF
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
在RHF包是在两个不同的磁带和卷轴批量供货。添加的R后缀的设备类型（即TPS54377RHFR ）一
3000件卷轴和250件卷轴加一件T后缀（ TPS54377RHFT ） 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
VIN ， SS / ENA ， SYNC
V
I
输入电压范围
RT
VSENSE
BOOT
VBIAS ， PWRGD ， COMP
V
O
输出电压范围
PH值（稳态）
PH值（瞬时< 20纳秒）
I
O
输出电流范围
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流
电压差动
连续功率耗散
T
J
T
英镑
(1)
经营虚拟结温范围
储存温度
COMP
SS / ENA ， PWRGD
AGND至PGND
6
6
6
10
±0.3
见功耗额定值表
-40至150
-65到150
°C
°C
-0.3 7
-0.3 6
-0.3 4
-0.3至17
-0.3 7
-0.6至10
= 210的
内部限制
mA
A
mA
mA
V
单位
V
V
V
V
V
V
V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
I
T
J
输入电压范围
工作结温
3
–40
喃
最大
6
125
单位
V
°C
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPS54377
2007 ，德州仪器
TPS54377
www.ti.com
SLVS779 - 2007年9月
(2)
包装耗散额定值
(1)
包
24引脚RHF用焊锡
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
19.7°C/W
热阻抗
结到外壳
1.7°C/W
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
测试板条件：
一。 3英寸× 3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
B 。 2盎司位于PCB的顶部铜迹线
。 2盎司在PCB的底部铜地平面
。 2盎司在2层内部的铜接地层
。 6散热通孔（见推荐地格局，
图12）
电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ，V
I
= 3 V至6 V（除非另有说明）
参数
电源电压VIN
V
I
输入电压范围， VIN
f
s
= 350 kHz时， SYNC = 0.8 V， RT开放
静态电流
f
s
= 550 kHz时， SYNC
≥
2.5 V ， RT开放，
相开路
关机， SS / ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲，
UVLO
(1)
偏压
V
O
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS
准确性
线路调整
(1)
负载调整率
振荡器
内部设置自由运行频率
范围
外部设置的自由运行频率
范围
高级别阈值电压时，SYNC
低级别的阈值电压， SYNC
脉冲持续时间，同步
(1)
频率范围， SYNC
斜坡谷
(1)
斜坡幅度（峰 - 峰值）
最小可控时间
最大占空比
(1)
(2)
(3)
按设计规定
只有静态电阻负载
通过在所使用的电路中指定
网络连接gure 10 。
90%
(1)
(3)
(2)
测试条件
民
3
典型值
最大
6
单位
V
6.2
8.4
1
2.95
2.7
0.14
2.8
0.16
2.5
9.6
12.8
1.4
3
mA
V
V
s
I
（ VBIAS ）
= 0
2.7
2.8
2.9
100
V
A
V
%/V
%/A
累计参考
V
REF
0.882
I
L
= 1.5 A，F
s
= 1.1兆赫，T
J
= 25°C
I
L
= 0 3 A，F
s
= 1.1兆赫，T
J
= 25°C
SYNC
≤
0.8 V， RT开放
SYNC
≥
2.5 V ， RT开放
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 43 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
280
440
460
995
2.5
0.8
50
330
0.75
1
150
1600
0.891
0.04
0.09
350
550
500
1075
420
660
540
1155
0.900
规
(1) (3)
千赫
千赫
V
V
ns
千赫
V
V
ns
2007 ，德州仪器
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TPS54377
3
TPS54377
SLVS779 - 2007年9月
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电气特性（续）
T
J
= -40 ° C至125°C ，V
I
= 3 V至6 V（除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入
电压范围
I
IB
V
O
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ，
COMP
PWM比较器的传播延迟
时， PWM比较器输入PH引脚
（不包括死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA
下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA
内部慢启动时间
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压
(4)
(4)
(4)
(4)
测试条件
1 kΩ的COMP至AGND
(4)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP至AGND
本站由内部LDO
(4)
VSENSE = V
REF
(4)
民
90
3
0
典型值
110
5
最大
单位
dB
兆赫
VBIAS
60
250
V
nA
V / μs的
1
1.4
PWM比较器
10 mV过
(4)
70
85
ns
0.82
1.2
0.03
2.5
1.4
V
V
s
2.6
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 0.2 V ，V
I
= 2.7 V
VSENSE下降
3
1.3
3.35
5
2.3
90
3
35
4.1
8
4
ms
A
mA
%V
REF
%V
REF
s
电源良好下降沿抗尖峰脉冲
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
输出饱和电压， PWRGD
I
（汇）
= 2.5毫安
V
I
= 5.5 V
V
I
= 3 V ，输出短路
V
I
= 6 V ，输出短路
(4)
(4)
0.18
0.3
1
V
A
4
4.5
6.5
7.5
100
200
A
ns
ns
165
°C
°C
88
136
m
电流限制前沿消隐
时间
(4)
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
(4)
功率MOSFET开关
V
I
= 6 V
V
I
= 3 V
(4)
(4)
(4)
135
150
10
59
85
热关断迟滞
按设计规定
4
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TPS54377
2007 ，德州仪器
TPS54377
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SLVS779 - 2007年9月
引脚分配
RHF包装
（底视图）
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
6
1
2
3
4
5
PH
7
8
9
10
11
12
VSNS
AGND
RT
NC
SYNC
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
PH
PH
NC
保护地
保护地
裸露
散热垫
（引脚25 ）
VIN
VIN
VIN
保护地
终端功能
终奌站
名字
COMP
PWRGD
BOOT
PH
保护地
VIN
VBIAS
SS / ENA
SYNC
RT
AGND
VSNS
NC
号
1
2
3
4-9
11-14
15-17
18
19
20
22
23, 25
24
10, 21
描述
误差放大器的输出。从COMP连接补偿网络VSENSE 。
电源良好漏极开路输出。高当VSENSE
≥
90% V
REF
否则PWRGD低。注意，输出为低
当SS / ENA为低或内部关断信号有效。
自举输入。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
相输入/输出。结的内部高侧和低侧功率MOSFET和输出电感器。
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大铜
区域的输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近
器件封装，具有高品质，低ESR 1μF至10 μF陶瓷电容。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到引脚AGND用
高品质，低ESR 0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备的操作和
电容输入到外部设置的启动时间。
同步输入。双功能引脚，提供逻辑输入同步至一个外部振荡器或引脚
2内部设置的开关频率之间进行选择。当用于同步到外部信号，电阻器
必须连接至RT引脚。
频率设定电阻输入。从连接RT电阻到AGND设置开关频率f
s
.
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容，电阻RT
与SYNC引脚。使将PowerPAD连接到AGND 。
误差放大器的反相输入端。
没有内部连接。
SS / ENA
VBIAS
保护地
2007 ，德州仪器
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TPS54377
5
TPS54317
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SLVS619A - 2005年11月 - 修订2006年2月
1.6兆赫， 3 V至6 V的输入， 3 -A同步降压SWIFT转换器
特点
60毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
在3 -A的连续输出电流
可调输出电压低至0.9 V带
1 ％的精度
开关频率：可调距
280千赫至1600千赫
外部补偿的设计灵活性
快速瞬态响应
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
间距节能4毫米x 5mm的QFN封装
对于SWIFT文档，应用笔记，
和设计软件，请参见TI网站
www.ti.com/swift
描述
由于SWIFT 系列DC / DC的成员
监管机构，
该
TPS54317
低输入电压
高输出电流
同步降压
PWM
转换器集成了所有必需的活性成分。
包括基板与上市功能上
一个真正的，高性能，电压误差放大器，其
提供瞬态条件下的高性能;
欠压闭锁电路，以防止启动
直到输入电压达到3伏;内部和
外部设置慢启动电路，以限制浪涌
电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源
测序。
该TPS54317装置处于热可
增强的24引脚QFN （ RHF ）使用PowerPad 封装，
这消除了笨重的散热器。 TI提供
评估模块和SWIFT设计软件
工具来实现高性能电源辅助
供电设计，以满足积极的设备
开发周期。
应用
低电压，高密度系统采用
分布式电源5 V或3.3 V
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
输入
VIN
效率
vs
负载电流
产量
100
95
90
TPS54317
PH
PWRGD
SS / ENA
SYNC
RT
VBIAS
AGND
效率
%
BOOT
保护地
VSENSE
COMP
85
80
75
70
65
60
55
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
I
O
- 输出电流
A
T
A
= 25 C,
V
I
= 3.3 V,
V
O
= 1.8 V,
FS = 1.1 MHz的
o
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2005-2006 ，德州仪器
TPS54317
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
J
-40_C到125_C
(1)
(2)
输出电压
可调低至0.9 V
包
QFN （ RHF ）
(1) (2)
产品型号
TPS54317RHF
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
在RHF包是在两个不同的磁带和卷轴批量供货。添加的R后缀的设备类型（即TPS54317RHFR ）一
3000件卷轴和250件卷轴加一件T后缀（ TPS54317RHFT ） 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
VIN ， SS / ENA ， SYNC
V
I
输入电压范围
RT
VSENSE
BOOT
VBIAS ， PWRGD ， COMP
V
O
输出电压范围
PH值（稳态）
PH值（瞬时< 20纳秒）
I
O
输出电流范围
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流
电压差动
连续功率耗散
T
J
T
英镑
(1)
经营虚拟结温范围
储存温度
COMP
SS / ENA ， PWRGD
AGND至PGND
6
6
6
10
±0.3
见功耗额定值表
-40至150
-65到150
°C
°C
-0.3 7
-0.3 6
-0.3 4
-0.3至17
-0.3 7
-0.6至10
= 210的
内部限制
mA
A
mA
mA
V
单位
V
V
V
V
V
V
V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
I
T
J
输入电压范围
工作结温
3
–40
喃
最大
6
125
单位
V
°C
2
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包装耗散额定值
(1) (2)
包
24引脚RHF用焊锡
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
19.7°C/W
热阻抗
结到外壳
1.7°C/W
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
测试板条件：
3英寸× 3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
2盎司位于PCB的顶部铜迹线
2盎司在PCB的底部铜地平面
2盎司在2层内部的铜接地层
6散热通孔（见推荐地格局，
图12）
电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ，V
I
= 3 V至6 V（除非另有说明）
参数
电源电压VIN
V
I
输入电压范围， VIN
f
s
= 350 kHz时， SYNC = 0.8 V， RT开放
静态电流
f
s
= 550 kHz时， SYNC
≥
2.5 V ， RT开放，
相开路
关机， SS / ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲，
UVLO
(1)
偏压
V
O
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS
准确性
线路调整
(1) (3)
负载
振荡器
内部设置自由运行频率
范围
外部设置的自由运行频率
范围
高级别阈值电压时，SYNC
低级别的阈值电压， SYNC
脉冲持续时间，同步
(1)
频率范围， SYNC
坡道
谷
(1)
斜坡幅度（峰 - 峰值）
(1)
最小可控时间
最大占空比
(1)
(2)
(3)
按设计规定
只有静态电阻负载
通过在所使用的电路中指定
网络连接gure 10 。
90%
50
330
0.75
1
150
1600
SYNC
≤
0.8 V， RT开放
SYNC
≥
2.5 V ， RT开放
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 43 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
280
440
460
995
2.5
0.8
350
550
500
1075
420
660
540
1155
千赫
千赫
V
V
ns
千赫
V
V
ns
规
(1) (3)
I
L
= 1.5 A，F
s
= 1.1兆赫，T
J
= 25°C
I
L
= 0 3 A，F
s
= 1.1兆赫，T
J
= 25°C
(2)
测试条件
民
3
典型值
最大
6
单位
V
6.2
8.4
1
2.95
2.7
0.14
2.8
0.16
2.5
9.6
12.8
1.4
3
mA
V
V
s
I
（ VBIAS ）
= 0
2.7
2.8
2.9
100
V
A
V
%/V
%/A
累计参考
V
REF
0.882
0.891
0.04
0.09
0.900
规
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3
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电气特性（续）
T
J
= -40 ° C至125°C ，V
I
= 3 V至6 V（除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入
电压范围
I
IB
V
O
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ，
COMP
PWM比较器的传播延迟
时， PWM比较器输入PH引脚
（不包括死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA
下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA
内部慢启动时间
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压
(4)
(4)
(4)
(4)
测试条件
1 kΩ的COMP至AGND
(4)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP至AGND
(4)
本站由内部LDO
(4)
VSENSE = V
REF
民
90
3
0
典型值
110
5
最大
单位
dB
兆赫
VBIAS
60
250
V
nA
V / μs的
1
1.4
PWM比较器
10 mV过
(4)
70
85
ns
0.82
1.2
0.03
2.5
1.4
V
V
s
2.6
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 0.2 V ，V
I
= 2.7 V
VSENSE下降
3
1.5
3.35
5
2.3
90
3
35
4.1
8
4
ms
A
mA
%V
REF
%V
REF
s
电源良好下降沿抗尖峰脉冲
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
输出饱和电压， PWRGD
I
（汇）
= 2.5毫安
V
I
= 5.5 V
V
I
= 3 V ，输出短路
V
I
= 6 V ，输出短路
(4)
(4)
0.18
0.3
1
V
A
4
4.5
6.5
7.5
100
200
A
ns
ns
165
°C
°C
88
136
m
电流限制前沿消隐
时间
(4)
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
功率MOSFET开关
V
I
= 6 V
V
I
= 3 V
(4)
(4)
(4)
135
150
10
59
85
热关断迟滞
(4)
按设计规定
4
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引脚分配
RHF包装
（底视图）
PWRGD
COMP
BOOT
PH
PH
PH
6
1
2
3
4
5
PH
7
8
9
10
11
12
VSNS
AGND
RT
NC
SYNC
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
PH
PH
NC
保护地
保护地
裸露
散热垫
（引脚25 ）
VIN
VIN
VIN
保护地
终端功能
终奌站
名字
COMP
PWRGD
BOOT
PH
保护地
VIN
VBIAS
SS / ENA
SYNC
RT
AGND
VSNS
NC
号
1
2
3
4-9
11-14
15-17
18
19
20
22
23, 25
24
10, 21
描述
误差放大器的输出。从COMP连接补偿网络VSENSE 。
电源良好漏极开路输出。高当VSENSE
≥
90% V
REF
否则PWRGD低。注意，输出为低
当SS / ENA为低或内部关断信号有效。
自举输入。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
相输入/输出。结的内部高侧和低侧功率MOSFET和输出电感器。
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大铜
区域的输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近
器件封装，具有高品质，低ESR 1μF至10 μF陶瓷电容。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到引脚AGND用
高品质，低ESR 0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备的操作和
电容输入到外部设置的启动时间。
同步输入。双功能引脚，提供逻辑输入同步至一个外部振荡器或引脚
2内部设置的开关频率之间进行选择。当用于同步到外部信号，电阻器
必须连接至RT引脚。
频率设定电阻输入。从连接RT电阻到AGND设置开关频率f
s
.
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容，电阻RT
与SYNC引脚。使将PowerPAD连接到AGND 。
误差放大器的反相输入端。
没有内部连接。
SS / ENA
VBIAS
保护地
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供货商
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    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TPS54372
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
TPS54372
TI
15+
2400
HTSSOP
原装现货
深圳市合一方科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：960030175 复制

电话：13480301972
联系人：陈先生
地址：福田区中航路华强北街道国利大厦2030
TPS54372
TI/德州仪器
23+
23000
TSSOP
全新原装现货 优势库存
深圳勤思达科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881243225 复制

电话：0755-83268779
联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
TPS54372
TI
11+
8000
TSSOP-20
全新原装，绝对正品现货供应
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ：2748708193 复制
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