TPS54352-EP
,
TPS54353-EP
,
TPS54354-EP
TPS54355-EP
,
TPS54356-EP
,
TPS54357-EP
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SLVS684A - 2007年1月 - 修订2009年7月
4.5 V至20 V输入, 3 -A输出同步PWM SWITCHES
具有集成FET ( SWIFT )
1
特点
100毫欧, 4.5 A峰值MOSFET开关,用于高
效率3 -A的连续输出电流
使用外部低边MOSFET或二极管
固定输出版本 - 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V /
2.5 V/3.3 V/5 V
内部补偿低元件数
同步至外部时钟
180°异相同步
宽脉冲宽度调制( PWM)的
频率 - 固定250千赫,
500千赫,或可调250 kHz至700 kHz的
内部慢启动
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
可调节欠压锁定
16引脚使用PowerPad 超薄紧缩小外形
封装( TSSOP ) ( PWP )
2
简化的原理图
TPS54356
SYNC
PWRGD
ENA
BIAS
BOOT
PH
LSG
保护地
VSENSE
PwrPad
VIN
输入
电压
产量
电压
效率
vs
输出电流
100
95
90
V
I
= 6 V
V
I
= 12 V
工业和商业低功耗
系统
LCD显示器和电视
电脑外设
规制性负载点的
高性能DSP , FPGA的ASIC和
微处理器
效率 - %
应用
85
80
75
70
65
60
55
50
0
1
2
3
4
I
O
- 输出电流 - 一个
V
I
= 12 V
V
O
= 3.3 V
f
s
= 500千赫
支持国防,航天,
和医疗应用
(1)
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
提供军用( -55°C / 125°C )
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
额外的温度范围可供选择 - 联系工厂
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ,使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有 2007-2009 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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,
TPS54353-EP
,
TPS54354-EP
TPS54355-EP
,
TPS54356-EP
,
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描述/订购信息
该TPS5435x是中等输出电流同步降压PWM转换器,集成高边
MOSFET和一个可选的低侧外部MOSFET的栅极驱动器。功能包括一个高性能
电压误差放大器,使瞬态条件下的最大性能。该TPS5435x有
欠压锁定(UVLO )电路,以防止启动时,直到输入电压达到预先设定的值时,内部
慢启动电路,以限制浪涌电流和电源就绪( PWRGD )输出到显示输出的有效条件。
同步功能可配置为输入或便于180 °的输出外的相
同步。
该TPS5435x器件采用耐热增强型16引脚使用PowerPad 超薄紧缩小外形
封装( TSSOP ) 。 TI提供评估模块和SWIFT Designer软件工具,迅速帮助在
实现高效的电源设计,以满足积极的设备开发周期。
2
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TPS54352-EP
,
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,
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TPS54355-EP
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TPS54357-EP
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SLVS684A - 2007年1月 - 修订2009年7月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
J
包
(1)
塑料HTSSOP - PWP
塑料HTSSOP - PWP
-55 ° C至125°C
塑料HTSSOP - PWP
塑料HTSSOP - PWP
塑料HTSSOP - PWP
塑料HTSSOP - PWP
(1)
(2)
输出电压
1.2 V
1.5 V
1.8 V
2.5 V
3.3 V
5V
产品型号
TPS54352MPWPREP
(2)
TPS54353MPWPREP
TPS54355MPWPREP
(2)
包
记号
待定
待定
PMDM
待定
PMEM
待定
TPS54354MPWPREP
(2)
TPS54356MPWPREP
TPS54357MPWPREP
(2)
该PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型(即TPS5435xPWPR ) 。
产品预览
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
单位
VIN
VSENSE
输入电压范围,V
I
UVLO
SYNC
ENA
BOOT
VBIAS
LSG
SYNC
输出电压范围,V
O
RT
PWRGD
COMP
PH
PH
源电流,我
O
LSG (稳态电流)
COMP , VBIAS
SYNC
LSG (稳态电流)
灌电流,我
S
PH (稳态电流)
COMP
ENA , PWRGD
电压差动
AGND至PGND
工作结温范围,T
J
存储温度范围,T
英镑
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下, 10秒
(1)
0.3 V至21.5 V
0.3 V至8 V
0.3 V至8 V
0.3 V至24 V
0.3 V至24 V
VI ( PH ) + 8 V
0.3 V至8.5 V
0.3 V至8.5 V
0.3 V至24 V
0.3 V至24 V
0.3 V至6 V
0.3 V至24 V
-1.5 V至22 V
内部限制( A)
10毫安
3毫安
5毫安
百毫安
500毫安
3毫安
10毫安
±0.3 V
-55_C到150_C
-65_C到150_C
260°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
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,
TPS54353-EP
,
TPS54354-EP
TPS54355-EP
,
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静电放电( ESD)保护
民
人体模型( HBM )
带电器件模型( CDM)
最大
600
1.5
单位
V
kV
推荐工作条件
民
输入电压范围,V
I
工作结温,T
J
TPS54352-6
TPS54357
4.5
6.65
–55
最大
20
20
125
单位
V
°C
电气特性
T
J
= -55 ° C至125°C , VIN = 4.5 V至20 V (除非另有说明)
参数
电源电流
I
Q
静态电流
启动阈值
电压
VIN
停止阈值
电压
迟滞
输出电压
TPS54352
TPS54353
TPS54354
V
O
输出电压
TPS54355
T
J
= 25 ° C,I
O
= 100 mA至3一
I
O
= 100 mA至3一
T
J
= 25 ° C,I
O
= 100 mA至3一
I
O
= 100 mA至3一
T
J
= 25 ° C,I
O
= 100 mA至3一
I
O
= 100 mA至3一
T
J
= 25 ° C,I
O
= 100 mA至3一
I
O
= 100 mA至3一
T
J
= 25 ℃, VIN = 5.5 V至20 V ,
I
O
= 100 mA至3一
VIN = 5.5 V至20 V,I
O
= 100 mA至3一
TPS54357
欠压锁定( UVLO )
启动阈值电压
UVLO
停止阈值电压
迟滞
偏置电压( VBIAS )
VBIAS
输出电压
I
VBIAS
= 5毫安, VIN
≥
12 V
I
VBIAS
= 5毫安, VIN = 4.5 V
RT接地
RT开放
RT = 100 kΩ的( 1 %电阻AGND )
7.5
4.4
200
400
425
7.8
4.47
250
500
500
8
4.5
300
600
575
V
1.02
1.2
1.1
100
1.25
V
V
mV
T
J
= 25 ℃, VIN = 7.5 V至20 V ,
I
O
= 100 mA至3一
VIN = 7.5 V至20 V,I
O
= 100 mA至3一
1.88
1.176
1.485
1.47
1.782
1.764
2.475
2.45
3.267
3.234
4.95
4.9
1.2
1.2
1.5
1.5
1.8
1.8
2.5
2.5
3.3
3.3
5
5
1.212
1.224
1.515
1.53
1.818
1.836
2.525
2.55
3.333
3.366
5.05
5.1
V
TPS54352-6
TPS54357
TPS54352-6
TPS54357
TPS54352-6
TPS54357
3.69
5.45
工作电流, PH引脚开路,
无需外部低边MOSFET , RT =高阻
关机, ENA = 0 V
5
1
4.32
6.4
3.97
5.8
350
600
4.48
6.65
V
V
mV
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
TPS54356
振荡器( RT )
内部设置PWM开关频率
外部设置PWM开关频率
4
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千赫
千赫
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电气特性(续)
T
J
= -55 ° C至125°C , VIN = 4.5 V至20 V (除非另有说明)
参数
下降沿触发双向同步系统( SYNC)
同步输出由低到高的上升时间
(10%/90%)
(1)
同步输出高电平到低电平的下降时间
(90%/10%)
(1)
下降沿延迟时间
(1)
最小输入脉冲宽度
(1)
25 pF到地面
25 pF到地面
延迟从上升沿到PH上升沿
销,见
图19
RT = 100 kΩ的
200
5
180
100
360
2.5
0.6
0.8
2.3
编程频率的百分比
–10%
225
VIN = 12 V ,T
J
= 25°C
8
±25%
180
VIN = 4.5 V
80%
86%
1
0.5
f
s
= 250 kHz时, RT =地面
f
s
= 500 kHz时, RT =高阻
(1)
f
s
= 250 kHz时, RT =地面
f
s
= 500 kHz时, RT =高阻
(1)
f
s
= 250 kHz时, RT =地面
f
s
= 500 kHz时, RT =高阻
(1)
f
s
= 250 kHz时, RT =地面
(1)
f
s
= 500 kHz时, RT =高阻
(1)
f
s
= 250 kHz时, RT =地面
(1)
f
s
= 500 kHz时, RT =高阻
f
s
= 500 kHz时, RT =高阻
I
我(ENA)
= 1毫安
上升的电压
f
s
250千赫
f
s
= 500千赫
I
SINK
= 1毫安, VIN > 4.5 V
I
SINK
= 100
A,
VIN = 0 V
在PWRGD = 6 V电压
(1)
(1)
(1)
(1)
测试条件
民
典型值
最大
单位
500
10
ns
ns
°
ns
ns
V
V
V
V
千赫
延迟
RT = 100 kΩ的
(下降沿到SYNC上升沿PH )
(1)
同步输出高电平电压
同步输出低电平电压
SYNC在低水平阈
SYNC在高级别阈
SYNC的频率范围
(1)
前馈调制器(内部信号)
调制器的增益
调制器的增益变化
最小可控时间
(1)
最大占空比
VSENSE
输入偏置电流, VSENSE
启用(ENA)
禁用低电平输入电压
TPS54352
TPS54353
TPS54354
TPS54355
TPS54356
TPS54357
上拉电流源
下拉MOSFET
电源良好( PWRGD )
电源良好阈值
上升沿延迟
(1)
输出饱和电压
PWRGD
输出饱和电压
漏极开路漏电流
(1)
按设计规定,未经生产测试
(1)
50 kΩ电阻接地,没有上拉电阻
10%
770
ns
A
V
3.2
1.6
4
2
4.6
2.3
4.4
2.2
5.9
2.9
5.4
2.7
1.8
5
0.1
97%
4
2
0.05
0.76
3
ms
V
V
A
10
A
V
ms
国内
慢启动时间
(10%至90%)的
f
s
= 250 kHz时, RT =地面
(1)
(1)
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