6,4 mm
y
5,0 mm
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TPS54350
SLVS456C - 2003年10月 - 修订2004年10月
4.5 V至20 V输入，3A输出同步PWM
切换器，带集成FET （ SWIFT ）
特点
D
100毫欧， 4.5 A峰值MOSFET开关，用于高
D
D
D
D
D
D
D
D
D
效率3 -A的连续输出电流
使用外部低压侧MOSFET或二极管
输出电压可调低至0.891 V
用1％的准确度
同步至外部时钟
1805异相同步的
宽PWM频率 - 固定250千赫，
500 kHz或可调250 kHz至700 kHz的
内部慢启动
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
可调节欠压锁定
16引脚TSSOP封装PowerPADE
描述
该TPS54350是一个介质输出电流同步
降压PWM转换器，集成高边
MOSFET和一个可选的低侧栅极驱动器
外部MOSFET 。功能包括一个高性能
电压误差放大器，能够最大
瞬态工况和灵活性下的性能
选择输出滤波电感器和电容器。该
TPS54350具有欠电压锁定电路，以防止
直到输入电压达到4.5 V启动;内部
慢启动电路，以限制浪涌电流;和一个电源良好
输出到显示输出的有效条件。该
同步功能可配置为输入
或便于180°相位同步的输出。
该TPS54350装置处于热可
增强型16引脚TSSOP （ PWP） PowerPAD包。
TI提供评估模块和SWIFT设计
软件工具来辅助快速实现高性能
电源设计，以满足积极的设备
开发周期。
应用
D
工业&商业低功耗系统
D
LCD显示器和电视
D
电脑外设
D
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
简化的原理图
TPS54350
SYNC
PWRGD
ENA
VBIAS
COMP
LSG
保护地
VSENSE
PwrPad
VIN
输入
电压
效率
vs
负载电流
95
90
85
效率 - ％
BOOT
PH
80
75
70
65
60
55
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
IL - 负载电流 - 一个
VI = 12 V
VO = 5 V
FS = 250千赫
产量
电压
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2003至2004年，德州仪器
TPS54350
SLVS456C - 2003年10月 - 修订2004年10月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
TA
输出电压
包
产品型号
-40 ° C至85°C
可调至0.891 V
塑料HTSSOP （ PWP ）
TPS54350PWP
（ 1 ） PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即TPS54350PWPR ） 。
包装耗散额定值
(1)
包
16引脚PWP焊料（ 2 ）
热阻抗
结到环境
42.1°C/W
TA = 25°C
额定功率
2.36
0.66
TA = 70℃
额定功率
1.31
0.36
TA = 85°C
额定功率
0.95
0.26
16引脚PWP无焊料
151.9°C/W
（ 1 ）参见图46的功耗曲线。
（2）试验板情况
1.厚度： 0.062 “
2. 3” x 3”
3. 2盎司位于PCB板焊接的顶部和底部的铜迹线
位于PCB板焊接的顶部和底部4.铜区
5.电源层和接地层， 1盎司铜（ 0.036毫米厚）
6.散热孔，0.33毫米直径，1.5 mm间距
电源平面7.热隔离
欲了解更多信息，请参阅TI技术简介SLMA002 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
单位
VIN
VSENSE
UVLO
输入电压范围， VI
SYNC
ENA
BOOT
VBIAS
LSG
SYNC
输出电压范围， VO
RT
PWRGD
COMP
PH
PH
源电流， IO
LSG （稳态电流）
COMP ， VBIAS
SYNC
LSG （稳态电流）
灌电流， IS
PH值（稳态电流）
COMP
ENA ， PWRGD
电压差动
存储温度， TSTG
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
AGND至PGND
工作结温范围， TJ
0.3 V至21.5 V
0.3 V至8.0 V
0.3 V至8.0 V
0.3 V至4.0 V
0.3 V至4.0 V
VI （ PH ） + 8.0 V
-0.3 8.5 V
-0.3 8.5 V
-0.3 4.0 V
-0.3 4.0 V
-0.3 6.0 V
-0.3 4.0 V
-1.5 V至22 V
内部限制（ A）
10毫安
3毫安
5毫安
百毫安
500毫安
3毫安
10毫安
±0.3
V
-40 ° C至+ 150°C
-65 ° C至+ 150°C
260°C
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
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TPS54350
SLVS456C - 2003年10月 - 修订2004年10月
推荐工作条件
民
输入电压范围， VI
工作结温， TJ
4.5
40
喃
最大
20
125
单位
V
°C
电气特性
TJ = -40 ° C至125°C ， VIN = 4.5 V至20 V （除非另有说明）
参数
电源电流
IQ
静态电流
启动阈值电压
VIN
停止阈值电压
迟滞
欠压锁定（ UVLO引脚）
启动阈值电压
UVLO
停止阈值电压
迟滞
偏置电压（ VBIAS PIN）
VBIAS
输出电压
IVBIAS = 1毫安， VIN
≥
12 V
IVBIAS = 1毫安， VIN = 4.5 V
TJ = 25°C
7.5
4.4
0.888
0.882
RT接地
内部设置PWM开关频率
外部设置PWM开关频率
RT开放
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
200
400
425
7.8
4.47
0.891
0.891
250
500
500
200
5
180
100
360
2.5
0.6
0.8
2.3
编程频率的百分比
10%
225
10%
770
千赫
8.0
4.5
0.894
0.899
300
600
575
500
10
千赫
千赫
ns
ns
°
ns
ns
V
V
V
V
V
1.02
1.20
1.10
100
1.24
V
V
mV
3.69
工作电流， PH引脚开路，
无需外部低边MOSFET ， RT =高阻
关机， ENA = 0 V
5
1.0
4.32
3.97
350
4.49
mA
mA
V
V
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
参考系统精度
V
V
参考电压
振荡器（ RT PIN）
下降沿触发双向同步系统（ SYNC引脚）
SYNC出低到高的上升时间（10％ / 90％ ）（1）
25 pF到地面
同步输出高电平到低电平的下降时间（ 90 ％ / 10 ％ ）（ 1 ）
下降沿的延迟时间（1）
最小输入脉冲宽度（ 1 ）
延迟（下降沿同步到边缘PH值上升） （1）
同步输出高电平电压
同步输出低电平电压
SYNC低电平门槛
SYNC在较高水平门槛
SYNC的频率范围（ 1 ）
（ 1 ）由设计保证，未经生产测试。
25 pF到地面
从上升沿延迟的上升沿
PH引脚，见图19
RT = 100 kΩ的
RT = 100 kΩ的
50 kΩ电阻接地，不拉
电阻器
3
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电气特性
TJ = -40 ° C至125°C ， VIN = 4.5 V至20 V （除非另有说明）
参数
前馈调制器（内部信号）
调制器的增益
调制器的增益变化
最小可控导通时间（ 1 ）
最大占空比（ 1 ）
误差放大器（ VSENSE和COMP引脚）
误差放大器的开环电压增益（ 1 ）
误差放大器的单位增益带宽（ 1 ）
输入偏置电流， VSENSE引脚
COMP
输出电压转换速率（对称） （ 1 ）
禁止低电平输入电压
内部慢启动时间（10％ 90 ％）
上拉电流源
下拉MOSFET
POWER GOOD （ PWRGD引脚）
电源正常阈值
上升沿延迟（1）
输出饱和电压
PWRGD
输出饱和电压
开路漏极漏电流
电流限制
电流限制
电流限制打嗝时间（ 1 ）
热关断
热关断触发点（ 1 ）
热关断迟滞（ 1 ）
低边MOSFET驱动器（ LSG PIN）
打开的上升时间， （10％ / 90％ ）（1）
死区时间（ 1 ）
驱动导通电阻
输出功率MOSFET （ PH PIN）
相节点电压时禁用
电压降，低边FET和二极管
RDS（ON） ，高侧功率MOSFET开关（ 2 ）
（ 1 ）由设计保证，未经生产测试。
（ 2 ）耐VIN至PH引脚。
直流条件和无负荷， ENA = 0 V.
VIN = 4.5 V ，IDC =百毫安
VIN = 12 V ，IDC = 100毫安
VIN = 4.5 V ， BOOT -PH = 4.5 V ， IO = 0.5 A
VIN = 12V， BOOT -PH = 8 V ， IO = 0.5 A
0.5
1.13
1.08
150
100
1.42
1.38
300
200
m
V
V
VIN = 4.5 V ，容性负载= 1000 pF的
VIN = 12 V
VIN = 4.5 V汇/源
VIN = 12 V汇/源
165
7
15
60
7.5
5
_C
_C
ns
ns
VIN = 12 V
FS = 500千赫
3.3
4.5
4.5
6.5
A
ms
上升的电压
FS = 250千赫
FS = 500千赫
ISINK = 1毫安， VIN > 4.5 V
ISINK = 100
A,
VIN = 0 V
在PWRGD = 6 V电压
97%
4
2
0.05
0.76
3
ms
V
V
A
二（ENA） = 1毫安
飞秒= 250千赫，RT =接地（1）
FS = 500 kHz时， RT =高阻（ 1 ）
1.8
4.6
2.3
5
0.1
10
ms
A
V
1.5
0.5
ENABLE （ ENA PIN）
V
VIN = 4.5 V
VIN = 12V， TJ = 25°C
25%
180
80%
60
1.0
86%
80
2.8
500
dB
兆赫
nA
V / μs的
8
25%
ns
V/V
测试条件
民
典型值
最大
单位
4
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引脚分配
PWP封装
（ TOP VIEW ）
VIN
VIN
UVLO
PWRGD
RT
SYNC
ENA
COMP
1
2
3
4
5
6
7
8
热
PAD
16
15
14
13
12
11
10
9
BOOT
PH
PH
LSG
VBIAS
保护地
AGND
VSENSE
注意：如果没有一个引脚1的指标，转向装置，使
读取符号从左至右。引脚1处于较低
该装置的左上角。
终端功能
终奌站
号
1, 2
3
4
5
6
名字
VIN
UVLO
PWRGD
RT
SYNC
描述
输入电源电压， 4.5 V至20 V.必须绕过了低ESR 10 μF陶瓷电容。
欠压锁定引脚。连接VIN从外部电阻分压器的引脚将取代内部
默认VIN启动和停止阈值。
电源良好输出。开漏输出。在引脚上的低表示输出小于期望的输出电压。
上有PWRGD比较器的输出的内部上升沿滤波器。
频率设定引脚。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率。连接RT引脚来
接地或浮动将频率设置为内部预选的频率。
双向同步I / O引脚。 SYNC引脚是当RT引脚悬空或接低电平输出。的输出是一个
与PH值的上升沿边缘信号下降沿的相位。同步可以用作输入到同步到系统时钟
通过连接到一个下降沿信号时，一个RT电阻。看到180 °异相同步操作的
应用信息部分。
启用。低于0.5 V时，器件停止开关。浮针来使能。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE引脚。
反转节点误差放大器。
模拟地，内部连接到敏感的模拟电路的地。连接到PGND和使用PowerPad 。
电源接地，噪声通过从PGND引脚的LSG驱动器输出的内部回报率地返回电流。 CON-
NECT至AGND和使用PowerPad 。
内部8.0V的偏置电压。一个1.0 uF的陶瓷旁路电容是必需的VBIAS引脚。
栅极驱动可选的低边MOSFET 。连接的n沟道MOSFET的栅极为一高效率的同步降压
转换器配置。否则，请打开，然后从地面连接肖特基二极管， PH引脚。
相节点连接到外部L- C滤波器。
自举电容器用于高侧栅极驱动器。连接0.1
F
陶瓷电容器从开机到PH引脚。
PGND和AGND引脚必须连接到正常工作的裸露焊盘。参见图21中的例子PCB
布局。
7
8
9
10
11
12
13
14, 15
16
ENA
COMP
VSENSE
AGND
保护地
VBIAS
LSG
PH
BOOT
使用PowerPad
5
QQ：2881677436 复制
