TPS54311 -EP , TPS54312 -EP ,
TPS54313 -EP , TPS54314 -EP ,
TPS54315 -EP , TPS54316 -EP
SGLS376A - 2007年2月 - 修订2007年3月
www.ti.com
该TPS54311 , TPS54312 , TPS54313 , TPS54314 , TPS54315以及TPS54316器件均提供
耐热增强型20引脚TSSOP ( PWP )使用PowerPad 封装,消除了笨重的散热器。得克萨斯州
仪器提供评估模块和SWIFT设计软件工具来帮助快速实现
高性能电源设计,以满足积极的设备开发周期。
订购信息
(1)
T
J
输出电压
0.9 V
1.2 V
-55 ° C至125°C
1.5 V
1.8 V
2.5 V
3.3 V
(1)
(2)
封装器件塑料HTSSOP
( PWP )
(2)
TPS54311MPWPREP
TPS54312MPWPREP
TPS54313MPWPREP
TPS54314MPWPREP
TPS54315MPWPREP
TPS54316MPWPREP
顶端标记
TPS54311
TPS54312
TPS54313
TPS54314
TPS54315
TPS54316
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
PWP封装卷带封装是R后缀表示。见数据表的应用程序部分使用PowerPad图纸和
布局信息
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
FSEL
NC
保护地
PH
PWRGD
RT
SS / ENA
VBIAS
VIN
VSENSE
号
1
5
19
3
11–13
6–10
4
20
18
17
14–16
2
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器,软启动电容, VBIAS电容, RT
电阻和FSEL引脚。使将PowerPAD连接到AGND 。
自举输入。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH ,生成浮动驱动器
高侧FET驱动器。
频率选择输入。提供逻辑输入2内部设置的开关频率之间进行选择。
无连接
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大铜
区域的输入和输出电源恢复,和的输入和输出电容器的负端。
相输入/输出。结的内部高侧和低侧功率MOSFET和输出电感器。
电源良好漏极开路输出。高阻时VSENSE
≥
90% V
REF
否则PWRGD低。注意,输出为低
当SS / ENA为低或内部关断信号有效。
频率设定电阻输入。从连接RT电阻到AGND设置开关频率f
s
.
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚,提供逻辑输入以启用/禁用设备的操作和
电容输入到外部设置的启动时间。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚
高品质,低ESR 0.1 μF至1μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近
器件封装,具有高品质,低ESR 1μF至10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。直接连接到输出电压检测点。
2
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