典型尺寸
（ 6.3毫米× 6.4毫米）
www.ti.com
TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416A - 2002年2月 - 2003年7月
3 V至6 V的输入， 3 -A输出同步降压PWM
切换器，带集成FET （ SWIFT ）
特点
D
60毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
D
D
D
D
D
D
在3 -A的连续输出的源，汇
当前
0.9 V ， 1.2 V， 1.5 V， 1.8 V， 2.5 V和3.3 V固定
输出电压的设备用1％的初始
准确性
内部补偿低元件数
快速瞬态响应
宽PWM频率：固定350千赫， 550
千赫，或可调280 kHz至700 kHz的
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
描述
由于DC / DC稳压器的SWIFT家族成员，
TPS54311,
TPS54312,
TPS54313,
TPS54314,
TPS54315与TPS54316低输入电压高输出 -
电流同步降压PWM转换器集成了所有
所需的活性成分。包括在衬底上
与列出的特征是一个真正的，高性能，
电压误差放大器，提供高性能
在瞬态条件;一个欠压锁定电路
为了防止启动时，直到输入电压达到3伏;一
内部和外部设置慢启动电路，以限制
浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源
测序。
该TPS54311 ， TPS54312 ， TPS54313 ， TPS54314 ，
TPS54315与TPS54316器件均提供
耐热增强型20引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD
包，它省去了大散热器。 TI提供
评估模块和SWIFT设计软件工具
以帮助快速实现高性能的电源
设计，以满足积极的设备开发
周期。
应用
D
低电压，高密度系统采用
D
D
D
分布式电源5 V或3.3 V
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
便携式电脑/笔记本电脑
简化的原理图
输入
VIN
PH
BOOT
保护地
VBIAS
VSENSE
GND
产量
效率
vs
负载电流
96
94
92
效率 - ％
90
88
86
84
82
80
0
TA = 25°C
VI = 5 V
VO = 3.3 V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
TPS54316
负载电流 - 一个
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002年至2003年，德州仪器
TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416A - 2002年2月 - 2003年7月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
TA
产量
电压
0.9 V
–40 C 85 C
-40 ° C至85°C
1.2 V
1.5 V
包装设备
塑料HTSSOP （PWP ）（1）
TPS54311PWP
TPS54312PWP
TPS54313PWP
–40 C 85 C
-40 ° C至85°C
TA
产量
电压
1.8 V
2.5 V
3.3 V
包装设备
塑料HTSSOP （PWP ）（1）
TPS54314PWP
TPS54315PWP
TPS54316PWP
（ 1 ） PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54316PWPR ） 。看到数据应用部分
片使用PowerPad图纸和布局信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
TPS54310
VIN ， SS / ENA ， SYNC
RT
输入电压范围， VI
VSENSE
BOOT
VBIAS ， PWRGD ， COMP
输出电压范围， VO
源电流， IO
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流
电压差动
存储温度， TSTG
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
COMP
SS / ENA ， PWRGD
AGND至PGND
工作结温范围， TJ
-0.3 V至7 V
0.3 V至6 V
0.3 V至24 V
0.3 V至17 V
-0.3 V至7 V
-0.6 V至10 V
内部限制
6毫安
6A
6毫安
10毫安
±0.3
V
-40_C到125_C
-65_C到150_C
300°C
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
输入电压范围， VI
工作结温， TJ
3
–40
喃
最大
6
125
单位
V
°C
包装耗散额定值
(1) (2)
包
20引脚PWP用焊锡
20引脚PWP无焊料
热阻抗
结到环境
26.0°C/W
57.5°C/W
TA
=
25°C
额定功率
3.85 W(3)
1.73 W
TA = 70℃
额定功率
2.12 W
0.96 W
TA = 85°C
额定功率
1.54 W
0.69 W
（ 1 ）有关PWP包的详细信息，请参见TI技术简介（ SLMA002 ） 。
（2）试验板的条件：
1. 3”
×
3 “ ， 2层，厚度： 0.062 ”
位于PCB顶部2 1.5盎司铜线
在PCB底部3 1.5盎司铜接地平面
4.十大热过孔（见推荐地格局本数据手册的应用程序部分）
（3）最大功率耗散可以通过过电流保护的限制。
2
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TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416A - 2002年2月 - 2003年7月
电气特性
TJ = -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至6 V （除非另有说明）
参数
电源电压VIN
VIN输入电压范围
FS = 350千赫，
FS = 550千赫，
相开路
关机，
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲，
UVLO(1)
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS （ 2 ）
输出电压
TPS54311
TPS54312
TPS54313
VO
输出电压
TPS54314
TPS54315
TPS54316
规
行规（ 1 ） （ 3 ）
负载调整率（ 1 ） （ 3 ）
振荡器
内部设置自由运行频率
范围
外部设置的自由运行频率
范围
在FSEL高级别阈值电压
在FSEL低级别的阈值电压
斜坡谷（ 1 ）
斜坡幅度（峰 - 峰值）（1）
最小可控时间（ 1 ）
最大占空比
（ 1 ）指定设计
只有（ 2 ）静态电阻负载
（3）通过在图10中使用的电路指定。
90%
FSEL
≤
0.8 V,
FSEL
≥
2.5 V,
RT开放
RT开放
280
440
252
460
663
2.5
0.8
0.75
1
200
350
550
280
500
700
420
660
308
540
762
V
V
V
V
ns
千赫
千赫
IL = 1.5 A ，
IL = 0 3 A，
350
≤
fs
≤
550千赫，
350
≤
fs
≤
550千赫，
TJ = 85°C
TJ = 85°C
0.21
0.21
%/V
%/A
TJ = 25 ° C，
3
≤
VIN
≤
6 V,
TJ = 25 ° C，
3
≤
VIN
≤
6 V,
TJ = 25 ° C，
3
≤
VIN
≤
6 V,
TJ = 25 ° C，
3
≤
VIN
≤
6 V,
TJ = 25 ° C，
3
≤
VIN
≤
6 V,
TJ = 25 ° C，
3
≤
VIN
≤
6 V,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
–40
≤
TJ
≤
125
–2.5%
–40
≤
TJ
≤
125
–2.5%
3.3
2.5%
–40
≤
TJ
≤
125
–2.5%
2.5
2.5%
V
–40
≤
TJ
≤
125
–2.5%
1.8
2.5%
V
–40
≤
TJ
≤
125
–2.5%
1.5
2.5%
V
–40
≤
TJ
≤
125
–2.5%
1.2
2.5%
V
0.9
2.5%
V
V
我（ VBIAS ）= 0
2.70
2.80
2.90
100
V
A
2.70
0.14
2.95
2.80
0.16
2.5
3
V
V
s
FSEL = 0.8 V，
FSEL
≥
2.5 V,
SS / ENA = 0 V
RT开放
RT开放，
3
6.2
8.4
1
6
9.6
12.8
1.4
mA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
静态电流
RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND） （ 1 ）
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻AGND） （ 1 ）
3
TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416A - 2002年2月 - 2003年7月
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电气特性（续）
TJ = -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至6 V （除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益（ 1 ）
误差放大器的单位增益带宽（ 1 ）
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（ EX-
cluding死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA （ 1 ）
下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA （ 1 ）
TPS54311
TPS54312
内部慢启动时间（ 1 ）
TPS54313
TPS54314
TPS54315
TPS54316
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压（ 1 ）
电源良好下降沿抗尖峰脉冲（ 1 ）
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点（ 1 ）
热关断迟滞（ 1 ）
输出功率MOSFET
RDS （ ON）
功率MOSFET开关
VI = 6 V （ 2 ）
VI = 3 V （ 2 ）
59
85
88
136
m
135
150
10
165
°C
°C
VI = 3 V ，输出短路（ 1 ）
VI = 6 V ，输出短路（ 1 ）
(1)
(1)
4
4.5
6.5
7.5
100
200
A
ns
ns
我（汇） = 2.5毫安
VI = 5.5 V
VSENSE下降
90
3
35
0.18
0.30
1
VREF ％
VREF ％
s
V
A
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 0.2 V ，
VI = 1.5 V
2.6
3.5
4.4
2.6
3.6
4.7
3
1.5
0.82
1.20
0.03
2.5
3.3
4.5
5.6
3.3
4.7
6.1
5
2.3
4.1
5.4
6.7
4.1
5.6
7.6
8
4
A
mA
ms
1.40
V
V
s
10 mV过（ 1 ）
70
85
ns
26
3
5
dB
兆赫
测试条件
民
典型值
最大
单位
（ 1 ）指定设计
（ 2 ）符合条件的MOSFET ，低侧RDS（ON）生产测试，高侧RDS（ON）按设计规定
4
www.ti.com
TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416A - 2002年2月 - 2003年7月
引脚分配
PWP封装
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
NC
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
RT
FSEL
SS / ENA
VBIAS
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
NC - 无内部连接
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
FSEL
NC
保护地
PH
PWRGD
RT
SS / ENA
VBIAS
VIN
VSENSE
号
1
5
19
3
11–13
6–10
4
20
18
17
14–16
2
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容，电阻RT和
FSEL引脚。使将PowerPAD连接到AGND 。
自举输入。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
频率选择输入。提供逻辑输入2内部设置的开关频率之间进行选择。
无连接
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大型铜矿区的
输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。
相输入/输出。结的内部高侧和低侧功率MOSFET和输出电感器。
电源良好漏极开路输出。高阻时VSENSE
≥
90％ Vref时，否则PWRGD低。注意，输出为低时
SS / ENA为低或内部关断信号有效。
频率设定电阻输入。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率fs的。
慢启动/ enableinput /输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备操作和电容
输入到外部设置启动时间。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装，高品质，低ESR 1μF至10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。直接连接到输出电压检测点。
5
典型尺寸
（ 6.3毫米× 6.4毫米）
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TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416A - 2002年2月 - 2003年7月
3 V至6 V的输入， 3 -A输出同步降压PWM
切换器，带集成FET （ SWIFT ）
特点
D
60毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
D
D
D
D
D
D
在3 -A的连续输出的源，汇
当前
0.9 V ， 1.2 V， 1.5 V， 1.8 V， 2.5 V和3.3 V固定
输出电压的设备用1％的初始
准确性
内部补偿低元件数
快速瞬态响应
宽PWM频率：固定350千赫， 550
千赫，或可调280 kHz至700 kHz的
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
描述
由于DC / DC稳压器的SWIFT家族成员，
TPS54311,
TPS54312,
TPS54313,
TPS54314,
TPS54315与TPS54316低输入电压高输出 -
电流同步降压PWM转换器集成了所有
所需的活性成分。包括在衬底上
与列出的特征是一个真正的，高性能，
电压误差放大器，提供高性能
在瞬态条件;一个欠压锁定电路
为了防止启动时，直到输入电压达到3伏;一
内部和外部设置慢启动电路，以限制
浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源
测序。
该TPS54311 ， TPS54312 ， TPS54313 ， TPS54314 ，
TPS54315与TPS54316器件均提供
耐热增强型20引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD
包，它省去了大散热器。 TI提供
评估模块和SWIFT设计软件工具
以帮助快速实现高性能的电源
设计，以满足积极的设备开发
周期。
应用
D
低电压，高密度系统采用
D
D
D
分布式电源5 V或3.3 V
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
便携式电脑/笔记本电脑
简化的原理图
输入
VIN
PH
BOOT
保护地
VBIAS
VSENSE
GND
产量
效率
vs
负载电流
96
94
92
效率 - ％
90
88
86
84
82
80
0
TA = 25°C
VI = 5 V
VO = 3.3 V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
TPS54316
负载电流 - 一个
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002年至2003年，德州仪器
TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416A - 2002年2月 - 2003年7月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
TA
产量
电压
0.9 V
–40 C 85 C
-40 ° C至85°C
1.2 V
1.5 V
包装设备
塑料HTSSOP （PWP ）（1）
TPS54311PWP
TPS54312PWP
TPS54313PWP
–40 C 85 C
-40 ° C至85°C
TA
产量
电压
1.8 V
2.5 V
3.3 V
包装设备
塑料HTSSOP （PWP ）（1）
TPS54314PWP
TPS54315PWP
TPS54316PWP
（ 1 ） PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54316PWPR ） 。看到数据应用部分
片使用PowerPad图纸和布局信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
TPS54310
VIN ， SS / ENA ， SYNC
RT
输入电压范围， VI
VSENSE
BOOT
VBIAS ， PWRGD ， COMP
输出电压范围， VO
源电流， IO
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流
电压差动
存储温度， TSTG
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
COMP
SS / ENA ， PWRGD
AGND至PGND
工作结温范围， TJ
-0.3 V至7 V
0.3 V至6 V
0.3 V至24 V
0.3 V至17 V
-0.3 V至7 V
-0.6 V至10 V
内部限制
6毫安
6A
6毫安
10毫安
±0.3
V
-40_C到125_C
-65_C到150_C
300°C
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
输入电压范围， VI
工作结温， TJ
3
–40
喃
最大
6
125
单位
V
°C
包装耗散额定值
(1) (2)
包
20引脚PWP用焊锡
20引脚PWP无焊料
热阻抗
结到环境
26.0°C/W
57.5°C/W
TA
=
25°C
额定功率
3.85 W(3)
1.73 W
TA = 70℃
额定功率
2.12 W
0.96 W
TA = 85°C
额定功率
1.54 W
0.69 W
（ 1 ）有关PWP包的详细信息，请参见TI技术简介（ SLMA002 ） 。
（2）试验板的条件：
1. 3”
×
3 “ ， 2层，厚度： 0.062 ”
位于PCB顶部2 1.5盎司铜线
在PCB底部3 1.5盎司铜接地平面
4.十大热过孔（见推荐地格局本数据手册的应用程序部分）
（3）最大功率耗散可以通过过电流保护的限制。
2
www.ti.com
TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416A - 2002年2月 - 2003年7月
电气特性
TJ = -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至6 V （除非另有说明）
参数
电源电压VIN
VIN输入电压范围
FS = 350千赫，
FS = 550千赫，
相开路
关机，
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲，
UVLO(1)
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS （ 2 ）
输出电压
TPS54311
TPS54312
TPS54313
VO
输出电压
TPS54314
TPS54315
TPS54316
规
行规（ 1 ） （ 3 ）
负载调整率（ 1 ） （ 3 ）
振荡器
内部设置自由运行频率
范围
外部设置的自由运行频率
范围
在FSEL高级别阈值电压
在FSEL低级别的阈值电压
斜坡谷（ 1 ）
斜坡幅度（峰 - 峰值）（1）
最小可控时间（ 1 ）
最大占空比
（ 1 ）指定设计
只有（ 2 ）静态电阻负载
（3）通过在图10中使用的电路指定。
90%
FSEL
≤
0.8 V,
FSEL
≥
2.5 V,
RT开放
RT开放
280
440
252
460
663
2.5
0.8
0.75
1
200
350
550
280
500
700
420
660
308
540
762
V
V
V
V
ns
千赫
千赫
IL = 1.5 A ，
IL = 0 3 A，
350
≤
fs
≤
550千赫，
350
≤
fs
≤
550千赫，
TJ = 85°C
TJ = 85°C
0.21
0.21
%/V
%/A
TJ = 25 ° C，
3
≤
VIN
≤
6 V,
TJ = 25 ° C，
3
≤
VIN
≤
6 V,
TJ = 25 ° C，
3
≤
VIN
≤
6 V,
TJ = 25 ° C，
3
≤
VIN
≤
6 V,
TJ = 25 ° C，
3
≤
VIN
≤
6 V,
TJ = 25 ° C，
3
≤
VIN
≤
6 V,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
–40
≤
TJ
≤
125
–2.5%
–40
≤
TJ
≤
125
–2.5%
3.3
2.5%
–40
≤
TJ
≤
125
–2.5%
2.5
2.5%
V
–40
≤
TJ
≤
125
–2.5%
1.8
2.5%
V
–40
≤
TJ
≤
125
–2.5%
1.5
2.5%
V
–40
≤
TJ
≤
125
–2.5%
1.2
2.5%
V
0.9
2.5%
V
V
我（ VBIAS ）= 0
2.70
2.80
2.90
100
V
A
2.70
0.14
2.95
2.80
0.16
2.5
3
V
V
s
FSEL = 0.8 V，
FSEL
≥
2.5 V,
SS / ENA = 0 V
RT开放
RT开放，
3
6.2
8.4
1
6
9.6
12.8
1.4
mA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
静态电流
RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND） （ 1 ）
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻AGND） （ 1 ）
3
TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416A - 2002年2月 - 2003年7月
www.ti.com
电气特性（续）
TJ = -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至6 V （除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益（ 1 ）
误差放大器的单位增益带宽（ 1 ）
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（ EX-
cluding死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA （ 1 ）
下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA （ 1 ）
TPS54311
TPS54312
内部慢启动时间（ 1 ）
TPS54313
TPS54314
TPS54315
TPS54316
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压（ 1 ）
电源良好下降沿抗尖峰脉冲（ 1 ）
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点（ 1 ）
热关断迟滞（ 1 ）
输出功率MOSFET
RDS （ ON）
功率MOSFET开关
VI = 6 V （ 2 ）
VI = 3 V （ 2 ）
59
85
88
136
m
135
150
10
165
°C
°C
VI = 3 V ，输出短路（ 1 ）
VI = 6 V ，输出短路（ 1 ）
(1)
(1)
4
4.5
6.5
7.5
100
200
A
ns
ns
我（汇） = 2.5毫安
VI = 5.5 V
VSENSE下降
90
3
35
0.18
0.30
1
VREF ％
VREF ％
s
V
A
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 0.2 V ，
VI = 1.5 V
2.6
3.5
4.4
2.6
3.6
4.7
3
1.5
0.82
1.20
0.03
2.5
3.3
4.5
5.6
3.3
4.7
6.1
5
2.3
4.1
5.4
6.7
4.1
5.6
7.6
8
4
A
mA
ms
1.40
V
V
s
10 mV过（ 1 ）
70
85
ns
26
3
5
dB
兆赫
测试条件
民
典型值
最大
单位
（ 1 ）指定设计
（ 2 ）符合条件的MOSFET ，低侧RDS（ON）生产测试，高侧RDS（ON）按设计规定
4
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TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
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引脚分配
PWP封装
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
NC
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
RT
FSEL
SS / ENA
VBIAS
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
NC - 无内部连接
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
FSEL
NC
保护地
PH
PWRGD
RT
SS / ENA
VBIAS
VIN
VSENSE
号
1
5
19
3
11–13
6–10
4
20
18
17
14–16
2
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容，电阻RT和
FSEL引脚。使将PowerPAD连接到AGND 。
自举输入。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
频率选择输入。提供逻辑输入2内部设置的开关频率之间进行选择。
无连接
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大型铜矿区的
输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。
相输入/输出。结的内部高侧和低侧功率MOSFET和输出电感器。
电源良好漏极开路输出。高阻时VSENSE
≥
90％ Vref时，否则PWRGD低。注意，输出为低时
SS / ENA为低或内部关断信号有效。
频率设定电阻输入。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率fs的。
慢启动/ enableinput /输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备操作和电容
输入到外部设置启动时间。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装，高品质，低ESR 1μF至10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。直接连接到输出电压检测点。
5
典型尺寸
（ 6.3毫米× 6.4毫米）
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TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416B
2002年2月
修订后的2005年4月
3 V至6 V的输入， 3 -A输出同步降压PWM
切换器，带集成FET （ SWIFT ）
特点
D
60毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
D
D
D
D
D
D
描述
由于DC / DC稳压器的SWIFT家族成员，
TPS54311,
TPS54312,
TPS54313,
TPS54314,
TPS54315与TPS54316低输入电压高输出 -
电流同步降压PWM转换器集成了所有
所需的活性成分。包括在衬底上
与列出的特征是一个真正的，高性能，
电压误差放大器，提供高性能
在瞬态条件;一个欠压锁定电路
为了防止启动时，直到输入电压达到3伏;一
内部和外部设置慢启动电路，以限制
浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源
测序。
该TPS54311 ， TPS54312 ， TPS54313 ， TPS54314 ，
TPS54315与TPS54316器件均提供
耐热增强型20引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD
包，它省去了大散热器。 TI提供
评估模块和SWIFT设计软件工具
以帮助快速实现高性能的电源
设计，以满足积极的设备开发
周期。
在3 -A的连续输出的源，汇
当前
0.9 V ， 1.2 V， 1.5 V， 1.8 V， 2.5 V和3.3 V固定
输出电压的设备用1％的初始
准确性
内部补偿低元件数
快速瞬态响应
宽PWM频率：固定350千赫， 550
千赫，或可调280 kHz至700 kHz的
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
应用
D
低电压，高密度系统采用
D
D
D
分布式电源5 V或3.3 V
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
便携式电脑/笔记本电脑
简化的原理图
输入
VIN
PH
BOOT
VBIAS
保护地
VSENSE
GND
产量
效率
vs
负载电流
96
94
92
效率
%
90
88
86
84
82
80
0
TPS54316
T
A
= 25°C
V
I
= 5 V
V
O
= 3.3 V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
负载电流
A
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002
2005年，德州仪器
TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
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修订后的2005年4月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
产量
电压
0.9 V
40°C
至85℃
40 C 85°C
(1)
包装设备
塑料HTSSOP
（ PWP ）
(1)(2)
TPS54311PWP
TPS54312PWP
TPS54313PWP
T
A
产量
电压
1.8 V
包装设备
塑料HTSSOP
（ PWP ）
(1)(2)
TPS54314PWP
TPS54315PWP
TPS54316PWP
1.2 V
1.5 V
40°C
至85℃
40 C 85°C
2.5 V
3.3 V
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者查看TI网站
在www.ti.com 。
(2))
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54316PWPR ） 。看到数据应用部分
片使用PowerPad图纸和布局信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS54310
VIN ， SS / ENA ， SYNC
输入电压范围V
I
范围内，
RT
VSENSE
BOOT
输出电压范围V
O
范围内，
源电流我
O
目前，
VBIAS ， PWRGD ， COMP
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流
电压差动
贮藏温度，T
英镑
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
0.3
V至7 V
0.3
V至6 V
0.3
V到24 V
0.3
V到17 V
0.3
V至7 V
0.6
V到10 V
内部限制
6毫安
6A
6毫安
10毫安
±0.3
V
40°C
至125℃
65°C
至150℃
300°C
COMP
SS / ENA ， PWRGD
AGND至PGND
工作结温范围，T
J
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
输入电压范围，V
I
工作结温，T
J
3
40
喃
最大
6
125
单位
V
°C
包装耗散额定值
(1) (2)
包
20引脚PWP用焊锡
20引脚PWP无焊料
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
26.0°C/W
57.5°C/W
T
A
=
25°C
额定功率
3.85 W
(3)
1.73 W
T
A
= 70°C
额定功率
2.12 W
0.96 W
T
A
= 85°C
额定功率
1.54 W
0.69 W
有关PWP包的详细信息，请参阅TI技术简介（ SLMA002 ） 。
测试板条件：
1. 3”
×
3 “ ， 2层，厚度： 0.062 ”
位于PCB顶部2 1.5盎司铜线
在PCB底部3 1.5盎司铜接地平面
4.十大热过孔（见推荐地格局本数据手册的应用程序部分）
(3)
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
2
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TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416B
2002年2月
修订后的2005年4月
电气特性
T
J
=
40°C
至125℃ ， VIN = 3V至6 V （除非另有说明）
参数
电源电压VIN
VIN输入电压范围
f
s
= 350千赫，
静态电流
f
s
= 550千赫，
相开路
关机，
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲，
UVLO
(1)
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS
(2)
输出电压
TPS54311
TPS54312
TPS54313
V
O
输出电压
TPS54314
TPS54315
TPS54316
规
线路调整
(1) (3)
负载调整率
振荡器
内部设置自由运行频率
自由运行
范围
在外部自由设定运行频率
自由运行
范围
在FSEL高级别阈值电压
在FSEL低级别的阈值电压
斜坡谷
(1)
斜坡幅度（峰 - 峰值）
(1)
最小可控ON
最大占空比
(1)
(2)
(1) (3)
测试条件
民
3
典型值
最大
6
单位
V
FSEL = 0.8 V，
FSEL
≥
2.5 V,
SS / ENA = 0 V
RT开放
RT开放，
6.2
8.4
1
2.95
2.70
0.14
2.80
0.16
2.5
9.6
12.8
1.4
3
mA
V
V
s
I
（ VBIAS ）
= 0
2.70
2.80
2.90
100
V
A
V
T
J
= 25°C,
3
≤
VIN
≤
6 V,
T
J
= 25°C,
3
≤
VIN
≤
6 V,
T
J
= 25°C,
3
≤
VIN
≤
6 V,
T
J
= 25°C,
3
≤
VIN
≤
6 V,
T
J
= 25°C,
3
≤
VIN
≤
6 V,
T
J
= 25°C,
3
≤
VIN
≤
6 V,
I
L
= 1.5 A,
I
L
= 0 3 A，
FSEL
≤
0.8 V,
FSEL
≥
2.5 V,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
VIN = 5 V
0
≤
IL
≤
3 A,
350
≤
f
s
≤
550千赫，
350
≤
f
s
≤
550千赫，
RT开放
RT开放
40
≤
T
J
≤
125
T
J
= 85°C
T
J
= 85°C
280
440
252
460
663
2.5
2.5%
40
≤
T
J
≤
125
2.5%
40
≤
T
J
≤
125
2.5%
40
≤
T
J
≤
125
2.5%
40
≤
T
J
≤
125
2.5%
40
≤
T
J
≤
125
2.5%
0.9
2.5%
1.2
2.5%
1.5
2.5%
1.8
2.5%
2.5
2.5%
3.3
2.5%
0.21
0.21
350
550
280
500
700
420
660
308
540
762
V
V
V
V
V
%/V
%/A
千赫
RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
(1)
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻
AGND ）
(1)
千赫
V
0.8
0.75
1
200
90%
V
V
V
ns
时间
(1)
按设计规定
只有静态电阻负载
(3)
由图10中所使用的电路中指定。
3
TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416B
2002年2月
修订后的2005年4月
www.ti.com
电气特性（续）
T
J
=
40°C
至125℃ ， VIN = 3V至6 V （除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
(1)
误差放大器的单位增益
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（ EX-
cluding死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA
(1)
下降沿抗尖峰脉冲，
SS / ENA
(1)
TPS54311
TPS54312
内部慢速启动时间
(1)
慢启动
TPS54313
TPS54314
TPS54315
TPS54316
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后
电压
(1)
I
（汇）
= 2.5毫安
V
I
= 5.5 V
V
I
= 3 V ，输出短路
(1)
V
I
= 6 V ，输出
(1)
(1)
测试条件
民
典型值
26
最大
单位
dB
兆赫
带宽
(1)
3
5
10 mV过
(1)
70
85
ns
0.82
1.20
0.03
2.5
1.40
V
V
s
2.6
3.5
4.4
2.6
3.6
4.7
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 0.2 V ，
VSENSE下降
V
I
= 1.5 V
3
1.5
3.3
4.5
5.6
3.3
4.7
6.1
5
2.3
90
3
35
0.18
4.1
5.4
6.7
4.1
5.6
7.6
8
4
A
mA
%V
REF
%V
REF
s
0.30
1
V
A
ms
电源良好下降沿抗尖峰脉冲
(1)
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点
(1)
热关断
迟滞
(1)
V
I
= 6 V
(2)
V
I
= 3
V
(2)
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
(1)
(2)
4
4.5
6.5
7.5
100
200
短
(1)
A
ns
ns
165
°C
°C
88
136
135
150
10
59
85
功率MOSFET开关
m
按设计规定
匹配的MOSFET ，低侧R
DS （ ON）
生产测试，高侧R
DS （ ON）
按设计规定
4
www.ti.com
TPS54311 ， TPS54312
TPS54313 ， TPS54314
TPS54315 ， TPS54316
SLVS416B
2002年2月
修订后的2005年4月
引脚分配
PWP封装
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
NC
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
RT
FSEL
SS / ENA
VBIAS
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
NC
无内部连接
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
FSEL
NC
保护地
PH
PWRGD
RT
SS / ENA
VBIAS
VIN
VSENSE
号
1
5
19
3
1113
610
4
20
18
17
1416
2
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容，电阻RT和
FSEL引脚。使将PowerPAD连接到AGND 。
自举输入。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
频率选择输入。提供逻辑输入2内部设置的开关频率之间进行选择。
无连接
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大型铜矿区的
输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。
相输入/输出。结的内部高侧和低侧功率MOSFET和输出电感器。
电源良好漏极开路输出。高阻时VSENSE
≥
90% V
REF
否则PWRGD低。注意，输出为低时
SS / ENA为低或内部关断信号有效。
频率设定电阻输入。从连接RT电阻到AGND设置开关频率f
s
.
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备操作和电容
输入到外部设置启动时间。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装，高品质，低ESR 1μF至10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。直接连接到输出电压检测点。
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