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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第450页 > TPS54312PWPR
TPS54311 , TPS54312
TPS54313 , TPS54314
TPS54315 , TPS54316
典型尺寸
6,60毫米× 2.20毫米
SLVS416 - 2002年2月
3 V至6 V的输入, 3 -A输出同步降压PWM
切换器,带集成FET ( SWIFT )
特点
D
60毫欧的MOSFET开关,可进行高效率
D
D
D
D
D
D
在3 -A的连续输出的源,汇
当前
0.9 V , 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V和3.3 V固定
输出电压的设备用1%的初始
准确性
内部补偿的易用性和
最少的元件数目
快速瞬态响应
宽PWM频率,固定的350千赫,
550 kHz或可调280 kHz至700 kHz的
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
描述
由于SWIFT系列DC / DC稳压器的成员,
该TPS54311 , TPS54312 , TPS54313 , TPS54314 ,
TPS54315与TPS54316低输入电压高
输出电流同步降压PWM转换器
集成了所有必需的活性成分。包括上
与上市的特点衬底是一个真正的,高
性能,电压误差放大器,可提供快速的
瞬态条件下的反应;一个undervoltage-
锁定电路,以防止启动时,直到输入电压
达到3 V ;内部和外部设置慢启动
电路,以限制浪涌电流;和一个电源良好输出
处理器/逻辑复位,故障信号和有用
电源排序。
该TPS54311-6设备处于可用热
增强型20引脚TSSOP ( PWP ) PowerPAD
包,它省去了大散热器。 TI提供
评估模块和SWIFT设计软件
工具,有助于快速实现高性能电源
供电设计,以满足积极的设备
开发周期。
效率
vs
负载电流
100
应用
D
低电压,高密度系统采用
D
D
D
分布式电源5 V或3.3 V
点负载调节的
高性能DSP , FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
便携式电脑/笔记本电脑
简化的原理图
输入
VIN
PH
BOOT
保护地
VBIAS
VSENSE
GND
产量
90
效率 - %
80
70
TPS54316
60
VI = 5 V
VO = 3.3 V
F = 350千赫
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
50
负载电流 - 一个
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT和使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2002年,德州仪器
www.ti.com
1
TPS54311 , TPS54312
TPS54313 , TPS54314
TPS54315 , TPS54316
SLVS416 - 2002年2月
该器件包含电路,以保护其投入和对输出的伤害,由于高静电压或静电场。这些
电路已合格,根据MIL -STD- 883C ,以保护该器件免受高达2kV的静电放电( ESD )
方法3015 ;然而,应该注意,应采取预防措施,以避免应用高于任何电压的最大额定
电压对这些高阻抗电路。在储存或处理,设备引线应短接在一起或设备
应放置在导电泡沫。在一个电路中,未使用的输入应始终连接到拨逻辑电压电平,
优选VCC或地。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物
指南
处理静电放电敏感( ESDS )器件和组件
从德州仪器。
PWP封装
( TOP VIEW )
AGND
VSENSE
NC
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
RT
FSEL
SS / ENA
VBIAS
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
NC - 无内部连接
可选项
TJ
产量
电压
0.9 V
- 40 ° C至125°C
40 C 125 C
1.2 V
1.5 V
包装设备
塑料HTSSOP ( PWP )
TPS54311PWP
TPS54312PWP
TPS54313PWP
- 40 ° C至125°C
40 C 125 C
TJ
产量
电压
1.8 V
2.5 V
3.3 V
包装设备
塑料HTSSOP ( PWP )
TPS54314PWP
TPS54315PWP
TPS54316PWP
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型(即, TPS54316PWPR ) 。参见应用部分
数据表PowerPAD绘图和布局信息。
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
FSEL
NC
保护地
PH
PWRGD
RT
SS / ENA
VBIAS
VIN
VSENSE
1
5
19
3
11–13
6–10
4
20
18
17
14–16
2
I / O
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器,慢启动电容, VBIAS电容,电阻RT
和FSEL引脚。让PowerPadTM连接到AGND 。
自举输入。 0.022
F
0.1
F
低ESR电容从BOOT到PH连接产生浮盘为
高定FET驱动器。
频率选择输入。提供逻辑输入2内部设置的开关频率之间进行选择。
无连接
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大铜
区域的输入和输出电源恢复,和的输入和输出电容器的负端。
相输入/输出。结的内部高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
电源就绪漏极开路输出。高阻时VSENSE
≥90%
VREF ,否则PWRGD低。注意,输出为低
当SS / ENA为低或内部关断信号有效。
频率设定电阻输入。连接一个电阻RT和AGND设置开关频率fs的。
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚,提供逻辑输入以启用/禁用设备的操作和
电容输入到外部设置的启动时间。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚
高品质,低ESR 0.1
F
1.0
F
陶瓷电容器。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近
器件封装,具有高品质,低ESR 1
F
10
F
陶瓷电容器。
误差放大器的反相输入端。直接连接到输出电压检测点。
2
www.ti.com
TPS54311 , TPS54312
TPS54313 , TPS54314
TPS54315 , TPS54316
SLVS416 - 2002年2月
在工作结温范围内绝对最大额定值(除非另有
说明)
VIN , SS / ENA , FSEL 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
RT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
VSENSE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至24 V
BOOT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至17 V
输出电压范围,V
O
: VBIAS , PWRGD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
PH值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6 V至10 V
源电流,我
O
: PH值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。内部限制
VBIAS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6毫安
灌电流,我
S
:
PH值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6的
SS / ENA , PWRGD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
电压差: AGND至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±0.3
V
连续功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见功耗额定值表
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
贮藏温度,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
额定功耗表
20引脚PWP用焊锡
20引脚PWP无焊料
热阻抗
结到环境
26.0毫瓦/°C的
57.5毫瓦/°C的
TA = 25°C
额定功率
3.85 W§
1.73 W
TA = 70℃
额定功率
2.12 W
0.96 W
TA = 85°C
额定功率
1.54 W
0.69 W
输入电压范围,V
I
:
§测试板条件:
1. 3 “×3” , 2层,厚度: 0.062 “
2. 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
3. 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
4. 10散热通孔(参见本数据手册的应用部分推荐的焊盘图案)
有关PWP包的详细信息,请参阅TI技术简介,文献数量SLMA002 。
§最大功耗可通过过电流保护是有限的。
附加3A SWIFT器件
设备
TPS54310
输出电压
0.9 V至3.3 V
相关的DC / DC产品
D
UCC3585 - DC / DC控制器
D
PT5500系列- 3 -A插件模块
D
TPS757xx - 3 -A低压差稳压器
www.ti.com
3
TPS54311 , TPS54312
TPS54313 , TPS54314
TPS54315 , TPS54316
SLVS416 - 2002年2月
电特性,T
J
= -40 ° C至125°C ,V
I
= 3 V至6 V(除非另有说明)
参数
电源电压VIN
输入电压范围为VIN
FS = 350 kHz时, FSEL
0.8 V, RT开放,
相开路
IQ
静态电流
FS = 550 kHz时, FSEL
2.5 V , RT开放,
相开路
关机, SS / ENA = 0 V
欠压锁定
VIT (开始)
VIT (停止)
VHYS
TF , Tr的
开始在UVLO阈值电压
停在UVLO阈值电压
在UVLO滞回电压
瑞星和UVLO下降沿抗尖峰脉冲
输出电压VBIAS
输出电流VBIAS
输出电压
TPS54311
TPS54312
TPS54313
VO
输出电压
TPS54314
TPS54315
TPS54316
线路调整
负载调整率
注:1.由设计保证
只有2.静态电阻负载
3.检测中使用的电路如图9
IL = 1.5A , 350
fs
550千赫, TJ = 85°C ,
见注1 , 3
IL = 0 3A, 350
fs
550千赫, TJ = 85°C ,
见注1和3
0.21
0.21
%/V
%/A
TJ = 25 ° C,
VIN = 5.0 V
3
VIN
6 V, 0
IL
3A, –40
TJ
125
TJ = 25°C , VIN = 5.0 V
3
VIN
6 V, 0
IL
3 A, –40
TJ
125
TJ = 25°C , VIN = 5.0V
3
VIN
6 V, 0
IL
3 A, –40
TJ
125
TJ = 25°C , VIN = 5.0 V
3
VIN
6 V, 0
IL
3 A, –40
TJ
125
TJ = 25°C , VIN = 5.0V
3
VIN
6 V, 0
IL
3 A, –40
TJ
125
TJ = 25°C , VIN = 5.0V
3
VIN
6 V, 0
IL
3 A, –40
TJ
125
0.9
–2.5%
1.2
–2.5%
1.5
–2.5%
1.8
–3%
2.5
–3%
3.3
–3%
3%
3%
V
3%
V
2.5%
V
2.5%
V
2.5%
V
V
见注1
IVBIAS = 0
见注2
2.70
2.70
0.14
2.95
2.80
0.16
2.5
2.80
2.90
100
3.0
V
V
V
s
V
A
3.0
6.2
8.4
1
6.0
9.6
12.8
1.4
V
mA
mA
mA
测试条件
典型值
最大
单位
偏压
4
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TPS54311 , TPS54312
TPS54313 , TPS54314
TPS54315 , TPS54316
SLVS416 - 2002年2月
电特性,T
J
= -40 ° C至125°C ,V
I
= 3 V至6 V(除非另有说明) (续)
参数
振荡器
内部设置自由运行频率
设置免费
SYNC< = 0.8 V, RT开放
SYNC> = 2.5V , RT开放
RT = 180 kΩ的( 1 %电阻AGND )
在外部自由设定运行频率范围
设置免费
在FSEL高水平门槛
在FSEL水平低门槛
斜坡谷
斜坡幅度(峰峰值)
最小可控时间
最大占空比
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压范围
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间, PWM比较器
输入到PH销(不包括死区时间)
SLOW START / ENABLE
启用在SS / ENA阈值电压
启用在SS / ENA滞后电压
在SS / ENA下降沿抗尖峰脉冲
内部慢启动时间
充电电流SS / ENA
放电电流为SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压
电源良好下降沿抗尖峰脉冲
在PWRGD输出饱和电压
漏电流, PWRGD
电流限制
电流限制
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点
热关断迟滞
输出功率MOSFET
在功率MOSFET开关的小信号漏源
漏源
OWER
RDS -ON
IO = 3A , VIN = 6.0 V见注4
IO = 3A , VIN = 3.0V,见注4
59
85
88
136
m
见注1
见注1
135
150
10
165
°C
°C
VIN = 3V(见注1 )
VIN = 6 V (见注1 )
4.0
4.5
6.5
7.5
100
200
A
ns
ns
VSENSE下降
见注1
见注1
ISINK = 2.5毫安
VIN = 5.5 V
90
3
35
0.18
0.30
1
%的VOUT
%的VOUT
s
V
A
SS / ENA = 0V
SS / ENA = 1.3 V, VIN = 1.5 V
见注1
见注1
2.6
3
1.5
0.95
1.20
0.03
2.5
3.35
5
2.3
4.1
8
4.0
1.40
V
V
s
ms
A
mA
10 mV过,见注1
70
85
ns
见注1
见注1
本站由内部LDO ,见注1
3
0
26
5
VBIAS
dB
兆赫
V
见注1
见注1
见注1
见注1
90%
0.75
1
200
RT = 100 kΩ的( 1 %电阻AGND )
RT = 68 kΩ的( 1 %电阻AGND )
280
440
252
460
663
2.5
0.8
350
550
280
500
700
420
660
308
540
762
V
V
V
V
nS
千赫
千赫
测试条件
典型值
最大
单位
注:3 :使用电路如图9经测试
4.配套的MOSFET ,低侧RDS -ON生产测试,高侧RDS -ON通过设计保证
www.ti.com
5
典型尺寸
( 6.3毫米× 6.4毫米)
www.ti.com
TPS54311 , TPS54312
TPS54313 , TPS54314
TPS54315 , TPS54316
SLVS416B
2002年2月
修订后的2005年4月
3 V至6 V的输入, 3 -A输出同步降压PWM
切换器,带集成FET ( SWIFT )
特点
D
60毫欧的MOSFET开关,可进行高效率
D
D
D
D
D
D
描述
由于DC / DC稳压器的SWIFT家族成员,
TPS54311,
TPS54312,
TPS54313,
TPS54314,
TPS54315与TPS54316低输入电压高输出 -
电流同步降压PWM转换器集成了所有
所需的活性成分。包括在衬底上
与列出的特征是一个真正的,高性能,
电压误差放大器,提供高性能
在瞬态条件;一个欠压锁定电路
为了防止启动时,直到输入电压达到3伏;一
内部和外部设置慢启动电路,以限制
浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位,故障信号和电源
测序。
该TPS54311 , TPS54312 , TPS54313 , TPS54314 ,
TPS54315与TPS54316器件均提供
耐热增强型20引脚TSSOP ( PWP ) PowerPAD
包,它省去了大散热器。 TI提供
评估模块和SWIFT设计软件工具
以帮助快速实现高性能的电源
设计,以满足积极的设备开发
周期。
在3 -A的连续输出的源,汇
当前
0.9 V , 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V和3.3 V固定
输出电压的设备用1%的初始
准确性
内部补偿低元件数
快速瞬态响应
宽PWM频率:固定350千赫, 550
千赫,或可调280 kHz至700 kHz的
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
应用
D
低电压,高密度系统采用
D
D
D
分布式电源5 V或3.3 V
负载调整高点
高性能DSP , FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
便携式电脑/笔记本电脑
简化的原理图
输入
VIN
PH
BOOT
VBIAS
保护地
VSENSE
GND
产量
效率
vs
负载电流
96
94
92
效率
%
90
88
86
84
82
80
0
TPS54316
T
A
= 25°C
V
I
= 5 V
V
O
= 3.3 V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
负载电流
A
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002
2005年,德州仪器
TPS54311 , TPS54312
TPS54313 , TPS54314
TPS54315 , TPS54316
SLVS416B
2002年2月
修订后的2005年4月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
产量
电压
0.9 V
40°C
至85℃
40 C 85°C
(1)
包装设备
塑料HTSSOP
( PWP )
(1)(2)
TPS54311PWP
TPS54312PWP
TPS54313PWP
T
A
产量
电压
1.8 V
包装设备
塑料HTSSOP
( PWP )
(1)(2)
TPS54314PWP
TPS54315PWP
TPS54316PWP
1.2 V
1.5 V
40°C
至85℃
40 C 85°C
2.5 V
3.3 V
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或者查看TI网站
在www.ti.com 。
(2))
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型(即, TPS54316PWPR ) 。看到数据应用部分
片使用PowerPad图纸和布局信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
(1)
TPS54310
VIN , SS / ENA , SYNC
输入电压范围V
I
范围内,
RT
VSENSE
BOOT
输出电压范围V
O
范围内,
源电流我
O
目前,
VBIAS , PWRGD , COMP
PH
PH
COMP , VBIAS
PH
灌电流
电压差动
贮藏温度,T
英镑
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
(1)
0.3
V至7 V
0.3
V至6 V
0.3
V到24 V
0.3
V到17 V
0.3
V至7 V
0.6
V到10 V
内部限制
6毫安
6A
6毫安
10毫安
±0.3
V
40°C
至125℃
65°C
至150℃
300°C
COMP
SS / ENA , PWRGD
AGND至PGND
工作结温范围,T
J
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
输入电压范围,V
I
工作结温,T
J
3
40
最大
6
125
单位
V
°C
包装耗散额定值
(1) (2)
20引脚PWP用焊锡
20引脚PWP无焊料
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
26.0°C/W
57.5°C/W
T
A
=
25°C
额定功率
3.85 W
(3)
1.73 W
T
A
= 70°C
额定功率
2.12 W
0.96 W
T
A
= 85°C
额定功率
1.54 W
0.69 W
有关PWP包的详细信息,请参阅TI技术简介( SLMA002 ) 。
测试板条件:
1. 3”
×
3 “ , 2层,厚度: 0.062 ”
位于PCB顶部2 1.5盎司铜线
在PCB底部3 1.5盎司铜接地平面
4.十大热过孔(见推荐地格局本数据手册的应用程序部分)
(3)
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
2
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TPS54311 , TPS54312
TPS54313 , TPS54314
TPS54315 , TPS54316
SLVS416B
2002年2月
修订后的2005年4月
电气特性
T
J
=
40°C
至125℃ , VIN = 3V至6 V (除非另有说明)
参数
电源电压VIN
VIN输入电压范围
f
s
= 350千赫,
静态电流
f
s
= 550千赫,
相开路
关机,
欠压锁定
启动阈值电压时, UVLO
断阈值电压时, UVLO
滞后电压, UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲,
UVLO
(1)
偏压
输出电压, VBIAS
输出电流, VBIAS
(2)
输出电压
TPS54311
TPS54312
TPS54313
V
O
输出电压
TPS54314
TPS54315
TPS54316
线路调整
(1) (3)
负载调整率
振荡器
内部设置自由运行频率
自由运行
范围
在外部自由设定运行频率
自由运行
范围
在FSEL高级别阈值电压
在FSEL低级别的阈值电压
斜坡谷
(1)
斜坡幅度(峰 - 峰值)
(1)
最小可控ON
最大占空比
(1)
(2)
(1) (3)
测试条件
3
典型值
最大
6
单位
V
FSEL = 0.8 V,
FSEL
2.5 V,
SS / ENA = 0 V
RT开放
RT开放,
6.2
8.4
1
2.95
2.70
0.14
2.80
0.16
2.5
9.6
12.8
1.4
3
mA
V
V
s
I
( VBIAS )
= 0
2.70
2.80
2.90
100
V
A
V
T
J
= 25°C,
3
VIN
6 V,
T
J
= 25°C,
3
VIN
6 V,
T
J
= 25°C,
3
VIN
6 V,
T
J
= 25°C,
3
VIN
6 V,
T
J
= 25°C,
3
VIN
6 V,
T
J
= 25°C,
3
VIN
6 V,
I
L
= 1.5 A,
I
L
= 0 3 A,
FSEL
0.8 V,
FSEL
2.5 V,
VIN = 5 V
0
IL
3 A,
VIN = 5 V
0
IL
3 A,
VIN = 5 V
0
IL
3 A,
VIN = 5 V
0
IL
3 A,
VIN = 5 V
0
IL
3 A,
VIN = 5 V
0
IL
3 A,
350
f
s
550千赫,
350
f
s
550千赫,
RT开放
RT开放
40
T
J
125
T
J
= 85°C
T
J
= 85°C
280
440
252
460
663
2.5
2.5%
40
T
J
125
2.5%
40
T
J
125
2.5%
40
T
J
125
2.5%
40
T
J
125
2.5%
40
T
J
125
2.5%
0.9
2.5%
1.2
2.5%
1.5
2.5%
1.8
2.5%
2.5
2.5%
3.3
2.5%
0.21
0.21
350
550
280
500
700
420
660
308
540
762
V
V
V
V
V
%/V
%/A
千赫
RT = 180 kΩ的( 1 %电阻AGND )
(1)
RT = 100 kΩ的( 1 %电阻AGND )
RT = 68 kΩ的( 1 %电阻
AGND )
(1)
千赫
V
0.8
0.75
1
200
90%
V
V
V
ns
时间
(1)
按设计规定
只有静态电阻负载
(3)
由图10中所使用的电路中指定。
3
TPS54311 , TPS54312
TPS54313 , TPS54314
TPS54315 , TPS54316
SLVS416B
2002年2月
修订后的2005年4月
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电气特性(续)
T
J
=
40°C
至125℃ , VIN = 3V至6 V (除非另有说明)
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
(1)
误差放大器的单位增益
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间,
PWM比较器输入PH引脚( EX-
cluding死区时间)
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压, SS / ENA
启用滞后电压, SS / ENA
(1)
下降沿抗尖峰脉冲,
SS / ENA
(1)
TPS54311
TPS54312
内部慢速启动时间
(1)
慢启动
TPS54313
TPS54314
TPS54315
TPS54316
充电电流, SS / ENA
放电电流, SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后
电压
(1)
I
(汇)
= 2.5毫安
V
I
= 5.5 V
V
I
= 3 V ,输出短路
(1)
V
I
= 6 V ,输出
(1)
(1)
测试条件
典型值
26
最大
单位
dB
兆赫
带宽
(1)
3
5
10 mV过
(1)
70
85
ns
0.82
1.20
0.03
2.5
1.40
V
V
s
2.6
3.5
4.4
2.6
3.6
4.7
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 0.2 V ,
VSENSE下降
V
I
= 1.5 V
3
1.5
3.3
4.5
5.6
3.3
4.7
6.1
5
2.3
90
3
35
0.18
4.1
5.4
6.7
4.1
5.6
7.6
8
4
A
mA
%V
REF
%V
REF
s
0.30
1
V
A
ms
电源良好下降沿抗尖峰脉冲
(1)
输出饱和电压, PWRGD
漏电流, PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点
(1)
热关断
迟滞
(1)
V
I
= 6 V
(2)
V
I
= 3
V
(2)
输出功率MOSFET
r
DS ( ON)
(1)
(2)
4
4.5
6.5
7.5
100
200
(1)
A
ns
ns
165
°C
°C
88
136
135
150
10
59
85
功率MOSFET开关
m
按设计规定
匹配的MOSFET ,低侧R
DS ( ON)
生产测试,高侧R
DS ( ON)
按设计规定
4
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TPS54311 , TPS54312
TPS54313 , TPS54314
TPS54315 , TPS54316
SLVS416B
2002年2月
修订后的2005年4月
引脚分配
PWP封装
( TOP VIEW )
AGND
VSENSE
NC
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
RT
FSEL
SS / ENA
VBIAS
VIN
VIN
VIN
保护地
保护地
保护地
NC
无内部连接
终端功能
终奌站
名字
AGND
BOOT
FSEL
NC
保护地
PH
PWRGD
RT
SS / ENA
VBIAS
VIN
VSENSE
1
5
19
3
1113
610
4
20
18
17
1416
2
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器,软启动电容, VBIAS电容,电阻RT和
FSEL引脚。使将PowerPAD连接到AGND 。
自举输入。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
频率选择输入。提供逻辑输入2内部设置的开关频率之间进行选择。
无连接
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大型铜矿区的
输入和输出电源恢复,和的输入和输出电容器的负端。
相输入/输出。结的内部高侧和低侧功率MOSFET和输出电感器。
电源良好漏极开路输出。高阻时VSENSE
90% V
REF
否则PWRGD低。注意,输出为低时
SS / ENA为低或内部关断信号有效。
频率设定电阻输入。从连接RT电阻到AGND设置开关频率f
s
.
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚,提供逻辑输入以启用/禁用设备操作和电容
输入到外部设置启动时间。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND引脚具有高
高质量,低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近设备
封装,高品质,低ESR 1μF至10 μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。直接连接到输出电压检测点。
5
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0.1
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QQ:
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联系人:张女士
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