典型尺寸
（ 6.3毫米× 6.4毫米）
www.ti.com
TPS54310 Q1
SGLS280B - 2005年1月 - 修订2007年2月
3 V至6 V的输入，3A输出同步降压PWM
切换器，带集成FET （ SWIFT ）
特点
D
资格认证通过AEC -Q100
(1)
D
通过汽车应用认证
D
客户特定的配置可以控制
D
D
D
D
D
D
D
支持随着大型-变化
赞同
60毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
在3 -A的连续输出的源，汇
当前
0.9 V至3.3 V可调输出电压
1 ％的精度
外部补偿的设计灵活性
快速瞬态响应
宽PWM频率：固定350千赫，
550 kHz或可调280 kHz至700 kHz的
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
描述
由于DC / DC稳压器的SWIFT家族的成员，
该TPS54310低输入电压高输出电流
同步降压PWM转换器集成了所有
所需的活性成分。包括在衬底上
与列出的特征是一个真正的，高性能的，
电压误差放大器，提供高性能
瞬态条件下，欠压闭锁
电路，以防止启动直到输入电压达到
3 V ，内部和外部设置慢启动电路
限制浪涌电流和电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源
测序。
TPS54310的设备是在热可
增强型20引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD
包，它省去了大散热器。得克萨斯州
仪器提供评估模块和
SWIFT设计软件工具，帮助快速实现
高性能电源设计，以满足
积极的设备开发周期。
（ 1 ）联系德州仪器的细节。 Q100认证数据
可根据要求提供。
应用
D
负载调整高点
D
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
汽车系统
- 导航台
- 娱乐模块
卫星收音机
工业高密度系统用电源
分布在5 V或3.3 V
D
订购信息
TJ
-40_C到125_C
输出电压
0.9 V至3.3 V
包装设备
塑料HTSSOP
(PWP)(1)
TPS54310QPWPRQ1
（ 1 ） PWP封装卷带封装是R后缀的设备类型（即TPS54310QPWPRQ1 ）所示。请参阅应用区
该数据表使用PowerPad图纸和布局的信息。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad和SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2007年，德州仪器
TPS54310 Q1
SGLS280B - 2005年1月 - 修订2007年2月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
效率
vs
负载电流
96
94
92
效率 - ％
90
88
86
84
简化的原理图
输入
VIN
PH
BOOT
保护地
产量
TPS54310
COMP
VBIAS
VSENSE
AGND
赔偿金
网
82
80
0
TA = 25°C
VI = 5 V
VO = 3.3 V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
负载电流 - 一个
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
TPS54310-Q1
VIN ， SS / ENA ， FSEL
RT
输入电压范围， VI
VSENSE
BOOT
VBIAS ， PWRGD ， COMP
输出电压范围， VO
源电流， IO
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流
电压差动
连续功率耗散
工作结温范围， TJ
存储温度， TSTG
COMP
SS / ENA ， PWRGD
AGND至PGND
-0.3 7
-0.3 6
-0.3 4
-0.3至17
-0.3 7
-0.6至10
内部限制
6
6
6
10
±0.3
mA
A
mA
mA
V
单位
V
V
V
V
V
V
见功耗
评级表
-40至150
-65到150
°C
°C
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
300
°C
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
www.ti.com
TPS54310 Q1
SGLS280B - 2005年1月 - 修订2007年2月
推荐工作条件
民
输入电压范围， VI
工作结温， TJ
3
40
喃
最大
6
125
单位
V
°C
包装耗散额定值
(1) (2)
包
20引脚PWP用焊锡
20引脚PWP无焊料
热阻抗
结到环境
26°C/W
57.5°C/W
TA
=
25°C
额定功率
3.85 W(3)
1.73 W
TA = 70℃
额定功率
2.12 W
0.96 W
TA = 85°C
额定功率
1.54 W
0.69 W
（ 1 ）有关PWP包的详细信息，请参阅德州仪器技术简介（ SLMA002 ） 。
（2）试验板的条件：
1. 3”
×
3 “ ， 2层，厚度： 0.062 ”
位于PCB顶部2 1.5盎司铜线
在PCB底部3 1.5盎司铜接地平面
4.十大热过孔（见推荐的焊盘图形在此数据表的应用程序部分）
（3）最大功率耗散可以通过过电流保护的限制。
3
TPS54310 Q1
SGLS280B - 2005年1月 - 修订2007年2月
www.ti.com
电气特性
TJ = -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至6 V （除非另有说明）
参数
电源电压VIN
VIN输入电压范围
FS = 350 kHz时， FSEL
≤
0.8 V， RT开放，相
开路
静态电流
FS = 550 kHz时， FSEL
≥
2.5 V ， RT开放，相
开路
关机， SS / ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲， UVLO （ 1 ）
偏压
VO
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS （ 2 ）
我（ VBIAS ）= 0
2.7
2.8
2.95
100
V
A
V
2.7
2.95
2.8
0.16
2.5
3
V
V
s
3
6.2
8.4
1
6
9.6
12.8
1.4
mA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
累计参考
VREF
Accuracy(1)
规
行规（ 1 ） （ 3 ）
负载调整率（ 1 ） （ 3 ）
振荡器
内部设置自由运行频率范围
FSEL
≤
0.8 V,
FSEL
≥
2.5 V,
RT开放
RT开放
IL = 1.5 A， FS = 350 kHz时， TJ = 125°C
IL = 1.5 A， FS = 550 kHz时， TJ = 125°C
IL = 0 3 A， FS = 350 kHz时， TJ = 125°C
IL = 0 3 A， FS = 550 kHz时， TJ = 125°C
0.882
0.891
0.900
0.07
0.07
0.03
0.03
%/V
%/A
265
415
252
290
663
2.5
350
550
280
312
700
440
680
308
350
762
千赫
RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND） （ 1 ）
外部设置的自由运行频率范围
高级别阈值电压， FSEL
低级别的阈值电压， FSEL
脉冲持续时间， FSEL （1）
频率范围， FSEL （1）（ 4）
斜坡谷（ 1 ）
斜坡幅度（峰 - 峰值）（1）
最小可控时间（ 1 ）
最大占空比（1）
RT = 160 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻AGND） （ 1 ）
千赫
V
0.8
50
330
0.75
1
200
90%
700
V
ns
千赫
V
V
ns
（ 1 ）指定设计
只有（ 2 ）静态电阻负载
（3）通过在图10中使用的电路指定。
（ 4 ）为保证正常运行时的RC滤波器用于外部时钟和FSEL引脚之间，建议值分别为R
≤
为1kΩ和
C
≤
120 pF的。
4
www.ti.com
TPS54310 Q1
SGLS280B - 2005年1月 - 修订2007年2月
电气特性（续）
TJ = -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至6 V （除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压
范围
输入偏置电流， VSENSE （ 1 ）
输出电压转换速率（对称） ，
COMP(1)
1 kΩ的COMP到AGND （ 1 ）
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP到AGND （ 1 ）
本站由内部LDO （ 1 ）
VSENSE = VREF
1
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
测试条件
民
典型值
最大
单位
IIB
VO
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚（不包括
死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA （ 1 ）
下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA （ 1 ）
内部慢启动时间（ 1 ）
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压（ 1 ）
电源良好下降沿抗尖峰脉冲（ 1 ）
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
电流限制前沿消隐时间
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点（ 1 ）
热关断迟滞（ 1 ）
输出功率MOSFET
RDS （ ON）
功率MOSFET开关
IO = 3 A，
IO = 3 A，
VI = 6 V （ 2 ）
VI = 3 V （ 2 ）
59
85
88
136
m
135
150
10
165
°C
°C
VI = 3 V ，输出短路（ 1 ）
VI = 6 V ，输出短路（ 1 ）
4
4.5
6.5
7.5
100
200
A
ns
ns
我（汇） = 2.5毫安
VI = 5.5 V
VSENSE下降
90
3
35
0.18
0.3
1
VREF ％
VREF ％
s
V
A
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 0.2 V ， VI = 2.7 V
2.6
2.5
1.2
0.82
1.2
0.03
2.5
3.35
5
2.3
4.1
8
4
1.4
V
V
s
ms
A
mA
10 mV过（ 1 ）
70
85
ns
（ 1 ）指定设计
（ 2 ）符合条件的MOSFET ，低侧RDS（ON）生产测试，高侧RDS（ON）按设计规定
5
QQ：2880707522 复制
