典型尺寸

（ 6.3毫米× 6.4毫米）

TPS54310-EP

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SLVS818 - 2008年4月

3 V至6 V的输入， 3 -A输出同步降压PWM

切换器，带集成FET （ SWIFT ）

1

特点

可调输出电压低至0.9 V带

1 ％的精度

外部补偿的设计灵活性

快速瞬态响应

宽PWM频率：固定350千赫， 550

千赫，或可调280 kHz至700 kHz的

荷载的峰值电流限制和保护

热关断

集成的解决方案降低电路板面积和

总成本

控制基线

- 一个大会网站

- 一个试验场

- 一个制作网站

扩展温度性能

-55 ° C至125°C

增强递减制造源

（ DMS ）支持

增强型产品更改通知

资质谱系

(1)

60毫欧的MOSFET开关，可进行高效率

在3 -A的连续输出的源，汇

当前

2

应用

低压高密度系统采用

分布式电源5 V或3.3 V

点负载调节的

高性能DSP ， FPGA的ASIC和

微处理器

宽带网络和光

通信基础设施

便携式电脑/笔记本电脑

(1)

按照JEDEC和组件认证

行业标准，以确保可靠运行了一个多

扩展级温度范围。这包括，但不限于

到，高加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，

温度循环，高压灭菌器或无偏HAST ，

电，债券间的生活，和模塑料

生活。这样的资格测试不应该被看作是

超出规定的证明使用该组件的

性能和环境限制。

描述/订购信息

由于SWIFT 系列DC / DC稳压器的成员，该TPS54310低输入电压高输出电流

同步降压PWM转换器集成了所有必需的活性成分。包括在衬底上

列出的功能是一个真正的，高性能，电压误差放大器，实现了在高性能

瞬态工况;欠压闭锁电路，以防止启动直到输入电压达到3 V ;一

内部和外部设置慢启动电路，以限制浪涌电流;和一个电源良好输出有用

处理器/逻辑复位，故障信号和电源排序。

该TPS54310器件采用耐热增强型20引脚TSSOP （ PWP ）使用PowerPad 封装，

消除了笨重的散热器。 TI提供评估模块和SWIFT设计软件工具，以帮助

迅速实现高性能的电源设计，以满足积极的设备开发周期。

1

2

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。

2008 ，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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简化的原理图

输入

VIN

PH

TPS54310

BOOT

效率 - ％

94

92

90

88

86

84

82

80

效率

vs

负载电流

产量

96

保护地

VBIAS VSENSE

AGND COMP

T

A

= 25°C

V

I

= 5 V

V

O

= 3.3 V

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

负载电流 - 一个

这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。

订购信息

(1)

T

J

-55 ° C至125°C

(1)

(2)

(3)

输出电压

可调低至0.9 V

包装设备

塑料HTSSOP （ PWP ）

(2) (3)

TPS54310MPWPREP

顶面标记

54310EP

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

包装图纸，热数据和符号可在

www.ti.com/packaging 。

PWP封装出货卷带封装用2000单位每卷。请参见本数据手册使用PowerPad的应用程序部分

图纸和布局信息。

绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

(1)

TPS54310

VIN ， SS / ENA ， SYNC

V

I

输入电压范围

RT

VSENSE

BOOT

V

O

I

O

输出电压范围

输出电压范围

VBIAS ， PWRGD ， COMP

PH

PH

COMP ， VBIAS

PH

灌电流

电压差动

连续功率耗散

T

J

T

英镑

(1)

经营虚拟结温范围

储存温度

COMP

SS / ENA ， PWRGD

AGND至PGND

-0.3 7

-0.3 6

-0.3 4

-0.3至17

-0.3 7

-0.6至10

内部限制

6

6

6

10

±0.3

见包耗散额定值

-55到150

-65到150

°C

°C

mA

A

mA

mA

V

单位

V

V

V

V

V

V

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

2

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推荐工作条件

民

V

I

T

J

输入电压

经营虚拟结温

(2)

最大

6

125

单位

V

°C

3

–55

包装耗散额定值

(1)

包

20引脚PWP用焊锡

20引脚PWP无焊料

(1)

(2)

热阻抗

结到环境

26°C/W

57.5°C/W

T

A

= 25°C

额定功率

3.85 W

(3)

1.73 W

T

A

= 70°C

额定功率

2.12 W

0.96 W

T

A

= 85°C

额定功率

1.54 W

0.69 W

(3)

有关PWP包的详细信息，请参阅TI技术简介，文献数量SLMA002 。

测试板条件：

A. 3英寸

×

3英寸， 2层，厚度： 0.062英寸

B 。位于PCB顶部1.5盎司铜线

。在PCB底部1.5盎司铜接地平面

。十散热通孔（见推荐的焊盘图案本数据手册的应用程序部分）

最大功率耗散可通过过电流保护的限制。

电气特性

T

J

= -55 ° C至125°C ， VIN = 3 V至6 V （除非另有说明）

参数

电源电压VIN

VIN输入电压范围

f

s

= 350 kHz时， SYNC = 0.8 V， RT开放

静态电流

f

s

= 550 kHz时， SYNC

≥

2.5 V ， RT开放，相位引脚开路

关机， SS / ENA = 0 V

欠压锁定

启动阈值电压时， UVLO

断阈值电压时， UVLO

滞后电压， UVLO

上升沿和下降沿抗尖峰脉冲， UVLO

偏压

V

O

输出电压， VBIAS

输出电流， VBIAS

(2)

(1)

测试条件

民

典型值

最大

单位

3

6.2

8.4

1

6

9.6

12.8

1.4

V

mA

2.95

2.70

0.10

2.80

0.16

2.5

3

V

V

s

I

（ VBIAS ）

= 0

2.70

2.80

2.95

100

V

A

累计参考

V

REF

准确性

0.880

0.891

0.900

V

规

线路调整

(1)

负载调整率

(1)

(3)

I

L

= 1.5 A，F

s

= 350千赫，T

J

= 85°C

I

L

= 1.5 A，F

s

= 550千赫，T

J

= 85°C

I

L

= 0 3 A，F

s

= 350千赫，T

J

= 85°C

I

L

= 0 3 A，F

s

= 550千赫，T

J

= 85°C

0.07

0.07

0.03

0.03

%/V

(3)

%/A

(1)

(2)

(3)

按设计规定

只有静态电阻负载

通过在所使用的电路中指定

网络连接gure 10 。

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电气特性（续）

T

J

= -55 ° C至125°C ， VIN = 3 V至6 V （除非另有说明）

参数

振荡器

内部设置自由运行频率范围

SYNC

≤

0.8 V， RT开放

SYNC

≥

2.5 V ， RT开放

RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）

(4)

外部设置的自由运行频率范围

RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）

RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）

高级别阈值电压时，SYNC

低级别的阈值电压， SYNC

脉冲持续时间，同步

斜坡谷

(4)

斜坡幅度（峰 - 峰值）

最小可控时间

最大占空比

误差放大器器

误差放大器的开环电压增益

误差放大器的单位增益带宽

误差放大器的共模输入电压范围

I

IB

V

O

输入偏置电流， VSENSE

输出电压转换速率（对称） ， COMP

1 kΩ的COMP至AGND

(5)

平行的10kΩ ， 160 pF的COMP至AGND

本站由内部LDO

VSENSE = V

REF

(5)

(5)

(4)

(5)

测试条件

民

典型值

最大

单位

255

400

245

450

650

2.5

350

550

280

500

700

450

700

313

550

775

千赫

千赫

V

0.8

V

50

330

0.75

1

200

90%

700

千赫

V

V

ns

频率范围， SYNC

(5)

90

3

0

110

5

VBIAS

60

1.4

250

dB

兆赫

V

nA

V / μs的

PWM比较器

PWM比较器的传播延迟时间，脉宽调制

比较器的输入，以PH值销（不包括死区时间）

慢启动/ ENABLE

启用阈值电压， SS / ENA

启用滞后电压， SS / ENA

下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA

内部慢启动时间

充电电流， SS / ENA

放电电流， SS / ENA

电源良好

电源良好阈值电压

电源良好滞后电压

(4)

(4)

(4)

10 mV过

(5)

70

85

ns

0.82

1.20

0.03

2.5

1.45

V

V

s

2.2

SS / ENA = 0 V

SS / ENA = 0.2 V ，V

I

= 2.7 V

VSENSE下降

2.5

1.2

3.35

5

2.3

4.1

8

4

ms

A

mA

90

3

35

%V

REF

%V

REF

s

0.30

1

V

A

电源良好下降沿抗尖峰脉冲

(4)

输出饱和电压， PWRGD

漏电流， PWRGD

电流限制

电流限制跳变点

电流限制前沿消隐时间

(4)

电流限制总响应时间

热关断

热关断触发点

(4)

热关断迟滞

输出功率MOSFET

r

DS （ ON）

功率MOSFET开关

I

O

= 0.5 A ， VI = 6 V

(6)

I

O

= 0.5 A ， VI = 3 V

(6)

(4)

(4)

I

（汇）

= 2.5毫安

V

I

= 5.0 V

V

I

= 3 V ，输出短路

(5)

V

I

= 6 V ，输出短路

(5)

0.18

4

4.5

6.5

7.5

100

200

A

ns

ns

°C

°C

88

136

135

150

10

165

59

85

m

(4)

(5)

(6)

按设计规定

设计对于T指定

J

= -40 ° C至125°C

匹配的MOSFET ，低侧R

DS （ ON）

生产测试，高侧R

DS （ ON）

按设计规定。

4

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引脚分配

PWP封装

（ TOP VIEW ）

AGND

VSENSE

COMP

PWRGD

BOOT

PH

PH

PH

PH

PH

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

RT

SYNC

SS / ENA

VBIAS

VIN

VIN

VIN

保护地

保护地

保护地

终端功能

终奌站

名字

AGND

BOOT

COMP

保护地

PH

PWRGD

RT

SS / ENA

SYNC

VBIAS

VIN

VSENSE

号

1

5

3

11–13

6–10

4

20

18

19

17

14–16

2

描述

模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容，电阻RT

与SYNC引脚。使将PowerPAD连接到AGND 。

自举输入。 0.022 μF至0.1μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器

高侧FET驱动器。

误差放大器的输出。从COMP连接补偿网络VSENSE 。

电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大铜

区域的输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。

相输入/输出。结的内部高侧和低侧功率MOSFET和输出电感器。

电源良好漏极开路输出。高当VSENSE

≥

90% V

REF

否则PWRGD低。注意，输出为低

当SS / ENA为低或内部关断信号有效。

频率设定电阻输入。从连接RT电阻到AGND设置开关频率f

s

.

慢启动/使能输入/输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备的操作和

电容输入到外部设置的启动时间。

同步输入。双功能引脚，提供逻辑输入同步至一个外部振荡器或引脚

2内部设置的开关频率之间进行选择。当用于同步到外部信号，电阻器

必须连接至RT引脚。

内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到引脚AGND用

高品质，低ESR 0.1 μF至1.0 μF的陶瓷电容。

输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近

器件封装，具有高品质，低ESR 1μF至10 μF陶瓷电容。

误差放大器的反相输入端。

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