TPS54377
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SLVS779 - 2007年9月
1.6兆赫， 3 V至6 V的输入， 3 -A同步降压SWIFT转换器
与启动时禁用塌陷
1
特点
描述
由于SWIFT 系列DC中的一员/ DC
监管机构，
该
TPS54377
低输入电压
高输出电流
同步降压
PWM
转换器集成了所有必需的活性成分。
包括基板与上市功能上
一个真正的，高性能，电压误差放大器，其
提供瞬态条件下的高性能;
欠压闭锁电路，以防止启动
直到输入电压达到3伏;内部和
外部设置慢启动电路，以限制浪涌
电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源
测序。
对于可靠的电源在输出预充电
应用中， TPS54377被设计为仅
在启动过程中的源电流。
该TPS54377装置处于热可
增强的24引脚QFN （ RHF ）使用PowerPad 封装，
这消除了笨重的散热器。 TI提供
评估模块和SWIFT设计软件
工具来实现高性能电源辅助
供电设计，以满足积极的设备
开发周期。
60毫欧的MOSFET开关，可进行高效率
在3 -A的连续输出电流
可调输出电压低至0.9 V带
1 ％的精度
开关频率：可调距
280千赫至1600千赫
残疾人吸收电流在启动过程
快速瞬态响应
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
间距节能4毫米x 5mm的QFN封装
对于SWIFT文档，应用笔记，
和设计软件，请参见TI网站
www.ti.com/swift
2
应用
低电压，高密度系统采用
分布式电源5 V或3.3 V
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
简化的
概要
启动波形
*
输入
VIN
PH
PWRGD
BOOT
SS / ENA
SYNC
保护地
RT
VBIAS VSENSE
AGND COMP
TPS54377
*
产量
R
L
= 1
V
I
= 3.3 V
1 V / DIV
V
O
= 1.8 V
*
可选
5.0 ms /格
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
2007 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS54377
SLVS779 - 2007年9月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
J
-40_C到125_C
(1)
(2)
输出电压
可调低至0.9 V
包
QFN （ RHF ）
(1) (2)
产品型号
TPS54377RHF
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
在RHF包是在两个不同的磁带和卷轴批量供货。添加的R后缀的设备类型（即TPS54377RHFR ）一
3000件卷轴和250件卷轴加一件T后缀（ TPS54377RHFT ） 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
VIN ， SS / ENA ， SYNC
V
I
输入电压范围
RT
VSENSE
BOOT
VBIAS ， PWRGD ， COMP
V
O
输出电压范围
PH值（稳态）
PH值（瞬时< 20纳秒）
I
O
输出电流范围
PH
COMP ， VBIAS
PH
灌电流
电压差动
连续功率耗散
T
J
T
英镑
(1)
经营虚拟结温范围
储存温度
COMP
SS / ENA ， PWRGD
AGND至PGND
6
6
6
10
±0.3
见功耗额定值表
-40至150
-65到150
°C
°C
-0.3 7
-0.3 6
-0.3 4
-0.3至17
-0.3 7
-0.6至10
= 210的
内部限制
mA
A
mA
mA
V
单位
V
V
V
V
V
V
V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
I
T
J
输入电压范围
工作结温
3
–40
喃
最大
6
125
单位
V
°C
2
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TPS54377
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(2)
包装耗散额定值
(1)
包
24引脚RHF用焊锡
(1)
(2)
热阻抗
结到环境
19.7°C/W
热阻抗
结到外壳
1.7°C/W
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
测试板条件：
一。 3英寸× 3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
B 。 2盎司位于PCB的顶部铜迹线
。 2盎司在PCB的底部铜地平面
。 2盎司在2层内部的铜接地层
。 6散热通孔（见推荐地格局，
图12）
电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ，V
I
= 3 V至6 V（除非另有说明）
参数
电源电压VIN
V
I
输入电压范围， VIN
f
s
= 350 kHz时， SYNC = 0.8 V， RT开放
静态电流
f
s
= 550 kHz时， SYNC
≥
2.5 V ， RT开放，
相开路
关机， SS / ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲，
UVLO
(1)
偏压
V
O
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS
准确性
线路调整
(1)
负载调整率
振荡器
内部设置自由运行频率
范围
外部设置的自由运行频率
范围
高级别阈值电压时，SYNC
低级别的阈值电压， SYNC
脉冲持续时间，同步
(1)
频率范围， SYNC
斜坡谷
(1)
斜坡幅度（峰 - 峰值）
最小可控时间
最大占空比
(1)
(2)
(3)
按设计规定
只有静态电阻负载
通过在所使用的电路中指定
网络连接gure 10 。
90%
(1)
(3)
(2)
测试条件
民
3
典型值
最大
6
单位
V
6.2
8.4
1
2.95
2.7
0.14
2.8
0.16
2.5
9.6
12.8
1.4
3
mA
V
V
s
I
（ VBIAS ）
= 0
2.7
2.8
2.9
100
V
A
V
%/V
%/A
累计参考
V
REF
0.882
I
L
= 1.5 A，F
s
= 1.1兆赫，T
J
= 25°C
I
L
= 0 3 A，F
s
= 1.1兆赫，T
J
= 25°C
SYNC
≤
0.8 V， RT开放
SYNC
≥
2.5 V ， RT开放
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 43 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
280
440
460
995
2.5
0.8
50
330
0.75
1
150
1600
0.891
0.04
0.09
350
550
500
1075
420
660
540
1155
0.900
规
(1) (3)
千赫
千赫
V
V
ns
千赫
V
V
ns
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3
TPS54377
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电气特性（续）
T
J
= -40 ° C至125°C ，V
I
= 3 V至6 V（除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入
电压范围
I
IB
V
O
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ，
COMP
PWM比较器的传播延迟
时， PWM比较器输入PH引脚
（不包括死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA
下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA
内部慢启动时间
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压
(4)
(4)
(4)
(4)
测试条件
1 kΩ的COMP至AGND
(4)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP至AGND
本站由内部LDO
(4)
VSENSE = V
REF
(4)
民
90
3
0
典型值
110
5
最大
单位
dB
兆赫
VBIAS
60
250
V
nA
V / μs的
1
1.4
PWM比较器
10 mV过
(4)
70
85
ns
0.82
1.2
0.03
2.5
1.4
V
V
s
2.6
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 0.2 V ，V
I
= 2.7 V
VSENSE下降
3
1.3
3.35
5
2.3
90
3
35
4.1
8
4
ms
A
mA
%V
REF
%V
REF
s
电源良好下降沿抗尖峰脉冲
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
输出饱和电压， PWRGD
I
（汇）
= 2.5毫安
V
I
= 5.5 V
V
I
= 3 V ，输出短路
V
I
= 6 V ，输出短路
(4)
(4)
0.18
0.3
1
V
A
4
4.5
6.5
7.5
100
200
A
ns
ns
165
°C
°C
88
136
m
电流限制前沿消隐
时间
(4)
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
(4)
功率MOSFET开关
V
I
= 6 V
V
I
= 3 V
(4)
(4)
(4)
135
150
10
59
85
热关断迟滞
按设计规定
4
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2007 ，德州仪器
TPS54377
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引脚分配
RHF包装
（底视图）
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
6
1
2
3
4
5
PH
7
8
9
10
11
12
VSNS
AGND
RT
NC
SYNC
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
PH
PH
NC
保护地
保护地
裸露
散热垫
（引脚25 ）
VIN
VIN
VIN
保护地
终端功能
终奌站
名字
COMP
PWRGD
BOOT
PH
保护地
VIN
VBIAS
SS / ENA
SYNC
RT
AGND
VSNS
NC
号
1
2
3
4-9
11-14
15-17
18
19
20
22
23, 25
24
10, 21
描述
误差放大器的输出。从COMP连接补偿网络VSENSE 。
电源良好漏极开路输出。高当VSENSE
≥
90% V
REF
否则PWRGD低。注意，输出为低
当SS / ENA为低或内部关断信号有效。
自举输入。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH产生的浮动驱动器
高侧FET驱动器。
相输入/输出。结的内部高侧和低侧功率MOSFET和输出电感器。
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大铜
区域的输入和输出电源恢复，和的输入和输出电容器的负端。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。旁路VIN引脚PGND引脚接近
器件封装，具有高品质，低ESR 1μF至10 μF陶瓷电容。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到引脚AGND用
高品质，低ESR 0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备的操作和
电容输入到外部设置的启动时间。
同步输入。双功能引脚，提供逻辑输入同步至一个外部振荡器或引脚
2内部设置的开关频率之间进行选择。当用于同步到外部信号，电阻器
必须连接至RT引脚。
频率设定电阻输入。从连接RT电阻到AGND设置开关频率f
s
.
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容，电阻RT
与SYNC引脚。使将PowerPAD连接到AGND 。
误差放大器的反相输入端。
没有内部连接。
SS / ENA
VBIAS
保护地
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TPS54377
5
TPS5430
TPS5431
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SLVS632D - 2006年1月 - 修订2013年1月
3 -A ，宽输入范围，降压SWIFT 转换器
检查样品：
TPS5430
,
TPS5431
1
特点
宽输入电压范围：
- TPS5430 ： 5.5 V至36 V
- TPS5431 ： 5.5 V至23 V
截至3 -A连续（ 4 - A峰值）输出
当前
效率高达95 ％的110 mΩ的启用
集成的MOSFET开关
宽输出电压范围：可调低至
1.22 V ，1.5 ％的初始精度
内部补偿最大限度地减小外部
件数
固定的500 kHz开关频率小
滤镜尺寸
改进的线性调整率和瞬态
响应由输入电压前馈
系统由过电流限制保护，
过压保护和热关断
-40 ° C至125°C的工作结
温度范围
可在小型耐热增强型8引脚
SOIC使用PowerPad 封装
对于SWIFT 文档，应用程序
笔记和设计软件，查看TI网站
at
www.ti.com/swift
应用
消费者：机顶盒， DVD ， LCD显示器
工业和汽车音响电源
电池充电器，大功率LED电源
12 -V / 24 -V分布式电源系统
2
描述
由于SWIFT 系列DC中的一员/ DC
监管层的TPS5430 / TPS5431是一个高输出 -
当前PWM转换器集成了低
耐高侧N沟道MOSFET 。包括上
与所列特征的基底是一个高
高性能电压误差放大器，实现了紧
根据瞬态电压调节精度
条件;欠压闭锁电路，以防止
直到输入电压达到5.5 V启动;一
内部设置慢启动电路，以限制浪涌电流;
和电压前馈电路，以改善
瞬态响应。使用ENA引脚，关机
供电电流减少到18
μA
典型的。其他
功能包括一个高电平有效使能，过流
限制，
过压
保护
和
热
关机。为了降低设计的复杂性和外部
元件数量的TPS5430 / TPS5431反馈
循环内部补偿。该TPS5431是
为了从电源轨运行达23 V的
TPS5430调节多种电源的
包括24 -V总线。
该TPS5430 / TPS5431设备处于可用
热增强型，易于使用的8引脚SOIC
使用PowerPad 封装。 TI提供评估
模块和SWIFT Designer软件工具
有助于迅速实现高性能电源
供电设计，以满足积极的设备
开发周期。
简化的原理图
100
VIN
VIN
PH
VOUT
EF网络效率与输出电流
95
90
TPS5430/31
效率 - ％
NC
NC
BOOT
85
80
75
70
65
60
55
50
0
0.5
2
1
1.5
2.5
3
I
O
-
输出电流
-
A
3.5
V
I
= 12 V
V
O
= 5 V
f
s
= 500千赫
o
T
A
= 25 C
ENA VSENSE
GND
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有 2006年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS5430
TPS5431
SLVS632D - 2006年1月 - 修订2013年1月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
T
J
-40_C到125_C
-40_C到125_C
(1)
(2)
输入电压
5.5 V至36 V
5.5 V至23 V
输出电压
可调至1.22 V
可调至1.22 V
包
(1)
耐热增强型SOIC （ DDA ）
(2)
耐热增强型SOIC （ DDA ）
(2)
产品型号
TPS5430DDA
TPS5431DDA
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在这个文件的末尾，或见TI
网站www.ti.com 。
多哈发展议程包也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即TPS5430DDAR ） 。请参阅应用章节
数据表使用PowerPad 绘图和布局的信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
VIN
TPS5430
V
I
输入电压范围
TPS5431
BOOT
PH （稳态）
VIN
BOOT
PH （稳态）
ENA
BOOT -PH
VSENSE
PH值（瞬时< 10纳秒）
I
O
I
LKG
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
源出电流
漏电流
经营虚拟结温范围
储存温度
PH
PH
(1) (2)
价值
-0.3 40
(3)
-0.3 50
-0.6至40
(3)
-0.3至25
-0.3至35
-0.6至25
-0.3 7
10
-0.3 3
–1.2
内部限制
10
-40至150
-65到150
单位
V
μA
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
接近绝对最大额定值为VIN引脚可能对PH引脚上的电压超过绝对最大额定值。
2
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TPS5430 TPS5431
TPS5430
TPS5431
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热信息
热公制
θ
JA
θ
JA
θ
JA
ψ
JT
ψ
JB
θ
JC （顶部）
θ
JC （底部）
θ
JB
(1)
(2)
(3)
(1) (2) (3)
TPS5430
TPS5431
DDA （ 8芯）
(4)
(5)
单位
结至环境热阻（ 2层的定制电路板）
结至环境热阻（ 4层的定制电路板）
结至环境热阻（标准板）
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（顶部）热阻
结至外壳（底部）热阻
结至电路板的热阻
33
26
42.3
4.9
20.7
46.4
0.8
20.8
° C / W
(4)
(5)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅IC封装热度量应用报告，
SPRA953.
最大功耗可以通过过电流保护限制
额定功率在特定的环境温度T
A
应为125 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。最终PCB的热管理应努力保持结温达到或
低于125 ℃，以获得最佳性能和长期的可靠性。看
热计算
本数据表中的应用更加节
信息。
测试板条件：
（ a）约3 ×3× ， 2层，厚度： 0.062英寸。
（二） 2盎司铜迹线位于所述印刷电路板的顶部和底部。
（三）在器件封装下使用PowerPad面积6散热通孔。
测试板条件：
（ a）约3 ×3× ， 4层，厚度： 0.062英寸。
（二） 2盎司铜迹线位于所述印刷电路板的顶部和底部。
（三） 2盎司铜地平面上的2个内部层。
（四）在器件封装下使用PowerPad面积6散热通孔。
推荐工作条件
闽喃
VIN
T
J
输入电压范围
工作结温
TPS5430
TPS5431
5.5
5.5
–40
最大
36
23
125
单位
V
°C
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电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ， VIN = 12 V （除非另有说明）
参数
电源电压（ VIN引脚）
I
Q
静态电流
VSENSE = 2 V ，不切换，
PH引脚开路
关机， ENA = 0 V
欠压锁定（ UVLO ）
启动阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
参考电压
参考电压精度
振荡器
内部设置自由运行频率
最小可控时间
最大占空比
ENABLE （ ENA PIN）
启动阈值电压， ENA
停止阈值电压， ENA
滞后电压， ENA
内部慢启动时间（0 100％）
电流限制
电流限制
电流限制打嗝时间
热关断
热关断触发点
热关断迟滞
输出MOSFET
r
DS （ ON）
高侧功率MOSFET开关
VIN = 5.5 V
150
110
230
m
135
162
14
°C
°C
4
13
5
16
6
20
A
ms
6.6
0.5
450
8
10
1.3
V
V
mV
ms
87
400
500
150
89
600
200
千赫
ns
%
T
J
= 25°C
I
O
= 0 A – 3 A
1.202
1.196
1.221
1.221
1.239
1.245
V
5.3
330
5.5
V
mV
3
18
4.4
50
mA
μA
测试条件
民
典型值
最大
单位
4
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SLVS632D - 2006年1月 - 修订2013年1月
引脚分配
DDA包装
（ TOP VIEW ）
BOOT
NC
NC
VSENSE
1
2
3
4
使用PowerPad
（引脚9 ）
8
7
6
5
PH
VIN
GND
ENA
终端功能
终奌站
名字
BOOT
NC
VSENSE
ENA
GND
VIN
PH
使用PowerPad
号
1
2, 3
4
5
6
7
8
9
没有内部连接。
反馈电压稳压器。连接到输出电压分压器。
开/关控制。低于0.5 V时，器件停止开关。浮针来使能。
地面上。连接到使用PowerPad 。
输入电源电压。旁路VIN引脚连接到GND引脚靠近器件封装具有高品质，低ESR的陶瓷
电容。
源高侧功率MOSFET的。连接到外部电感和二极管。
GND引脚必须连接到正常工作的裸露焊盘。
描述
升压电容为高侧FET的栅极驱动器。连接0.01
μF
低ESR电容从BOOT引脚到引脚的PH值。
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