TPS542951
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SLVSBI4 - 2012年7月
2A / 3A双通道同步降压型切换器，带集成FET
检查样品：
TPS542951
1
特点
D- CAP2 控制模式
快速瞬态响应
- 无需外部配件For循环
赔偿金
- 兼容陶瓷输出
电容器
宽输入电压范围： 4.5 V至18 V
输出电压范围： 0.76V到7.0V
优化的高效集成FET
低占空比应用
- 150毫欧（高压侧）和100毫欧（低端）
高初始参考精度
支持恒2将CH1和3A CH2负载
当前
低压侧R
DS （ ON）
无损电流检测
可调软启动
非下沉预偏置软启动
700 kHz的开关频率
逐周期过流限制控制
OCL / UVLO / TSD保护功能
打嗝定时器过载保护
带有集成升压自适应栅极驱动器
PMOS开关
OCP常因热补偿
r
DS （ ON）
用4000ppm / ℃
℃
16引脚HTSSOP
自动跳过Eco模式实现高效率的
轻载
输入电压
应用
负载点调节低功耗
为广泛的应用系统
- 数字电视电源
- 家庭网络终端
- 数字机顶盒（ STB ）
- DVD播放机/录像机
- 游戏机和其他
2
描述
该TPS542951是一款双通道，自适应导通时间D-
CAP2 模式同步降压转换器。该
TPS542951使系统设计者能够完成
各种终端设备的电源总线套件
稳压器具有成本效益，低元件数，
和低待机电流解决方案。主控制
该TPS542951的循环使用D - CAP2 模式
控制，提供了一个非常快速的瞬态响应
无需外部补偿元件。该
自适应导通时间控制支持无缝过渡
PWM方式在较高负载条件下与间
在轻负载生态模式操作。生态模式
允许TPS542951保持高效率
在轻负载条件下。该TPS542951能
以适应这两个低等效串联电阻
（ESR）输出电容器，例如POSCAP或SP-
CAP ，以及超低ESR的陶瓷电容。该
器件提供了方便快捷的操作
与输入电压从4.5V到18V 。
该TPS542951是一个4.4毫米× 5.0毫米16个可用
引脚TSSOP （ PWP ）封装，并指定为
环境温度范围为-40 ° C至85°C 。
V
O
2
= 1.5 V (50
1
VIN1
VBST1
SW1
PGND1
EN1
SS1
（使用PowerPad ）
VFB1
GND
TPS542951
HTSSOP16
VIN2
16
C11
VO1
C21
L11
2
VBST2
15
C12
C32
L12
C22
VO2
C31
3
SW2
14
PGND2
13
EN2
SS2
VFB2
VREG5
4
IOUT（ 2 A /格）
保护地
保护地
5
12
6
11
R11
R21
SGND
7
SGND
10
R12
R22
C4
8
9
保护地
SGND
1
SGND
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D- CAP2 ，生态模式，生态模式是德州仪器的商标。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
A
-40 ℃至85℃
(1)
(2)
(3)
包
(2)
PWP
(3)
订货型号
TPS542951PWPR
TPS542951PWP
引脚
16
输出电源
带盘式
管
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
所有的包装选项有铜镍钯金铅/焊球涂层。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
VIN1 ， VIN2 ， EN1 ， EN2
VBST1 ， VBST2
VBST1 ， VBST2 （ 10ns的瞬态）
输入电压范围
VBST1 - SW1 ， VBST2 -SW2
VFB1 ， VFB2
SW1，SW2
SW1 ， SW2 （ 10ns的瞬态）
输出电压范围
静电放电
T
A
T
英镑
T
J
(1)
(2)
VREG5 ， SS1 ， SS2
PGND1 ， PGND2
人体模型（ HBM ）
带电器件模型（ CDM）
(2)
价值
-0.3 20
-0.3至26
-0.3至28
-0.3 6.5
-0.3 6.5
-2 20
-3 22
-0.3 6.5
-0.3 0.3
2
500
-40到85
-55到150
-40至150
单位
V
V
kV
V
°C
°C
°C
工作环境温度范围
存储温度范围
结温范围
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备在这些或超出下"recommended操作指示的任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于IC GND端子。
热信息
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
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PWP （ 16 ）引脚
47.5
27.1
20.8
1.0
20.6
2.7
° C / W
单位
(1)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
2
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
值
民
电源输入电压范围
VIN1 ， VIN2
VBST1 ， VBST2
VBST1 ， VBST2 （ 10ns的瞬态）
VBST1 - SW1 ， VBST2 -SW2
输入电压范围
VFB1 ， VFB2
EN1 ， EN2
SW1，SW2
SW1 ， SW2 （ 10ns的瞬态）
VREG5 ， SS1 ， SS2
输出电压范围
T
A
T
J
工作自由空气的温度
工作结温
PGND1 ， PGND2
VO1 ， VO2
4.5
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–1.0
–3
–0.1
–0.1
0.76
–40
–40
最大
18
24
27
5.7
5.7
18
18
21
5.7
0.1
7.0
85
150
°C
°C
V
V
单位
V
电气特性
(1)
在推荐的自由空气的温度范围， VIN = 12 V （除非另有说明）
参数
电源电流
I
IN
I
VINSDN
V
VFBTHLx
TC
VFBx
I
VFBx
VIN电源电流
VIN关断电流
VFBx阈值电压
温度COEF网络cient
VFBx输入电流
T
A
= 25°C ， EN1 = EN2 = 5 V ，
VFB1 = VFB2 = 0.8 V
T
A
= 25°C,
T
A
= 25°C ， CH1 = 3.3 V ， CH2 = 1.5 V
在25℃的基础
(2)
VFBx = 0.8 V，T
A
= 25°C
T
A
= 25 ° C， 6 V < VIN1 < 18 V ，
I
VREG
= 5毫安
VIN1 = 6 V ， VREG5 = 4.0 V，
T
A
= 25°C
(2)
T
A
= 25 ℃ ， VBSTx - SWX = 5.5 V
T
A
= 25℃
(2)
(2)
条件
民
典型值
最大
单位
1300
80
758
–115
–0.4
0.2
765
2000
150
773
115
0.4
A
A
mV
PPM / °
A
反馈电压
VREG5输出
V
VREG5
I
VREG5
MOSFET的
r
DS （ON ）H
r
DS （ON ）l
T
ON1
T
ON2
T
OFF1
T
OFF2
软启动
I
SSC
TC
ISSC
I
SSD
(1)
(2)
SSX充电电流
I
SSC
温度COEF网络cient
SSX放电电流
VSSX = 0.5 V ，T
A
= 25℃
在25℃的基础
(2)
VSSX = 0.5 V
–8.4
–4
3
7
–8.0
–7.6
3
10
A
NA / ℃，
mA
高边开关电阻
低压侧开关电阻
SW1打开时间
SW2开启时间
SW1最小关断时间
SW2最小关断时间
150
100
165
165
220
220
mΩ
mΩ
ns
ns
ns
ns
VREG5输出电压
输出电流
5.5
75
V
mA
ON- TIME定时器控制
SW1 = 12 V ， VO1 = 1.2 V
SW2 = 12 V ， VO2 = 1.2 V
T
A
= 25 ℃ ， VFB1 = 0.7 V
T
A
= 25 ℃ ， VFB2 = 0.7 V
(2)
(2)
x表示1或2 ，例如VFBx指VFB1或VFB2 。
由设计保证。未经生产测试。
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电气特性
(1)
（续）
在推荐的自由空气的温度范围， VIN = 12 V （除非另有说明）
参数
UVLO
V
UVREG5
VREG5 UVLO阈值
VREG5上升
迟滞
2.0
0.4
ENX = 12V
L
OUT1
= 2.2 H
(3)
L
OUT2
= 1.5 H
(3)
在VFBx测
UVP启用延迟/软启动时间
关断温度
(3)
迟滞
(3)
225
2.7
3.5
63%
x 1.4
450
3.9
4.7
68%
1.5
x 1.7
155
25
x 2.0
900
4.5
5.4
73%
ms
3.83
0.6
V
条件
民
典型值
最大
单位
逻辑阈值
V
ENxH
V
ENxL
R
ENx_IN
I
OCL1
I
OCL2
V
UVP
T
UVPDEL
T
UVPEN
ENX H电平的阈值电压
ENX L电平的阈值电压
ENX输入电阻
CH1电流限制
CH1电流限制
输出的UVP跳变门限
输出的UVP延迟时间
输出的UVP延迟启用
V
V
kΩ
A
A
电流限制
输出欠压和过电压保护（ UVP ， OVP ）
热关断
T
SD
热关断阈值
°C
(3)
由设计保证。未经生产测试。
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设备信息
HTSSOP封装
（ TOP VIEW ）
1
VIN1
VIN2
16
2
VBST1
VBST2
15
3
SW1
SW 2
14
4
PGND1
TPS542951
HTSSOP16
保护地2
13
5
EN1
EN2
12
6
SS1
（使用PowerPad ）
SS2
11
7
VFB1
VFB2
10
8
GND
VREG5
9
引脚功能
(1)
针
名字
VIN1 ， VIN2
VBST1 ， VBST2
SW1，SW2
PGND1 ， PGND2
EN1 ， EN2
SS1, SS2
VFB1 ， VFB2
GND
VREG5
裸露散热
PAD
(1)
数
1, 16
2, 15
3, 14
4, 13
5, 12
6, 11
7, 10
8
9
背面
I
I
I / O
I / O
I
O
I
I / O
O
I / O
电源输入，并连接到两个高端NFET水渠。
电源输入为5.5V线性稳压器。
电源输入为高侧NFET栅极驱动电路。连接0.1μF的陶瓷电容
VBSTx和SWX引脚。一个内部二极管连接VREG5和VBSTx之间
交换结点的连接的高压侧的NFET和低侧NFET的两个。输入电流的
比较器。
返回地面低侧MOSFET 。输入电流比较器。
启用。拉高根据换算，让。
软启动引脚进行编程。从SSX引脚连接电容到地编程软启动
时间。
D- CAP2反馈输入。连接到输出电压的电阻分压器。
信号地。连接敏感SSX和VFBx返回到GND在单个点。
输出5.5V线性稳压器。旁路至GND与高品质陶瓷电容至少
1.0 μF 。 VREG5激活时VIN1高。
包装的散热片。必须焊接到达到适当的散热。必须是
连接到GND 。
I / O
描述
x表示1或2 ，例如VFBx指VFB1或VFB2 。
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5
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