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TPS54218
www.ti.com
.........................................................................................................................................................................................
SLVS974 - 2009年9月
2.95 V至6 V输入, 2 A输出,为2MHz ,同步降压
切换器,带集成FET ( SWIFT )
检查样品: TPS54218
1
特点
两个30毫欧(典型值)的MOSFET高
效率在2A负载
200kHz至2MHz的开关频率
0.8 V± 1 %基准电压源过
温度
同步至外部时钟
可调慢启动/排序
UV和OV电源良好输出
低工作和关机静态
当前
安全启动至预偏置输出
逐周期电流限制,热和
频率折返保护
-40 ° C至150 ° C工作结
温度范围
耐热增强型采用3mm x 3mm 16引脚QFN
描述
该TPS54218器件是一个全功能的6 V , 2 A,
下电流模式转换器,同步降压
两个集成的MOSFET。
该TPS54218实现小型设计通过整合
MOSFET管,实施电流模式控制
减少外部元件数量,降低了电感器
通过支持高达2 MHz的开关频率的大小,
并尽量减少与小型3mm x中的IC足迹
3毫米耐热增强型QFN封装。
该TPS54218提供精确调节的
各种负载用精确的±1%的电压
引用( V
REF
),过温。
效率是通过集成30mΩ到最大化
MOSFET和350μA典型电源电流。运用
使能引脚,关断电源电流降低至
2
μA
通过进入关断模式。
欠压闭锁在内部设定为2.6 V ,但
可以增加通过编程与阈
一个电阻网络上的使能引脚。输出
电压启动斜坡由慢启动控制
引脚。一个开漏电源良好信号指示
输出电压为93 % 107 %的额定电压。
频率折返和热关断保护
在过流情况下该设备。
该TPS54218支撑在的SwitcherPro
TM
在软件工具
www.ti.com/switcherpro 。
C
BOOT
BOOT
2
应用
低电压,高密度的电源系统
点负载调节的高性能
的DSP , FPGA的ASIC和微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
VIN
VIN
CI
R4
TPS54218
EN
R5
PWRGD
VSENSE
SS
RT / CLK
COMP
SS
RT
R3
C1
PH
CO
R1
LO
VOUT
欲了解更多SWIFT
TM
文档,请参阅TI
网站:
www.ti.com/swift 。
100
95
90
效率 - %
85
80
75
70
65
60
55
50
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25 1.5
I
O
- 输出电流 - 一个
1.75
2
GND
AGND
使用PowerPad
R2
V
I
= 5 V,
V
O
= 1.8 V,
F
S
= 1000千赫
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT是德州仪器的商标。
版权所有 2009年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS54218
SLVS974 - 2009年9月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
T
J
-40 ° C至150℃
(1)
3 × 3毫米QFN
产品型号
(1)
TPS54218RTET
TPS54218RTER
在RTE包仅提供卷带封装。如需订购,后缀“R”添加到部分结束
为3000的卷轴数,或者添加了后缀“T”型的零件编号的末尾为250的卷轴(如
TPS54218RTER).
绝对最大额定值
价值
VIN
EN
BOOT
输入电压
VSENSE
COMP
PWRGD
SS
RT / CLK
BOOT -PH
输出电压
PH
PH值10 ns的瞬态
源出电流
EN
RT / CLK
COMP
灌电流
PWRGD
SS
静电放电( HBM )
静电放电( CDM )
工作结温,T
j
贮藏温度,T
英镑
-0.3 7
-0.3 7
PH + 8
-0.3 3
-0.3 3
-0.3 7
-0.3 3
-0.3 6
8
-0.6 7
-27的
100
100
100
10
100
2
500
-40至150
-65到150
(2) (3)
单位
V
V
μA
μA
μA
mA
μA
kV
V
°C
°C
包装耗散额定值
(1)
RTE
(1)
(2)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
热阻抗
结到环境
37°C/W
φ
JT
热特性
结到TOP
1°C/W
(3)
最大功耗可以通过过电流保护限制
额定功率在特定的环境温度T
A
应为150 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。 PCB的热管理应努力保持结点温度等于或低于
150℃为最佳性能和长期的可靠性。看
功耗估计
本数据表中的多个应用程序部分
信息。
测试板条件:
(一)2英寸× 2英寸的4层,厚度: 0.062英寸
(二) 2盎司位于PCB的顶部铜迹线
(三) 2盎司在2层的内部和底层铜接地层
位于器件封装下(D ) 4散热通孔( 10MIL )
2
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版权所有 2009年,德州仪器
TPS54218
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SLVS974 - 2009年9月
电气特性
T
J
= -40 ℃至150 ℃, VIN = 2.95至6 V (除非另有说明)
描述
电源电压( VIN引脚)
工作输入电压
欠压锁定阈值内
关断电源电流
静态电流 - 我
q
ENABLE和UVLO ( EN引脚)
启用阈值
输入电流
参考电压( VSENSE PIN)
参考电压
MOSFET
高边开关电阻
低压侧开关电阻
误差放大器器
输入电流
误差放大器的跨导(GM )
在误差放大器的跨导(GM )
慢启动
误差放大器的源/汇
COMP到Iswitch克
电流限制
电流限制阈值
热关断
热关断
迟滞
定时电阻和外部时钟(RT / CLK引脚)
开关采用RT模式下频率范围
开关频率
使用CLK模式切换频率范围
最小CLK脉冲宽度
RT / CLK电压
RT / CLK高门槛
RT / CLK低门槛
RT / CLK的下降沿到PH上升沿延迟
PLL锁定时间
酸碱度(PH PIN)
最小导通时间
测量在50 %点PH,我
OUT
= 2 A
测量在50 %点PH , VIN = 5V ,
I
OUT
= 0 A
最小关断时间
上升/下降时间
在此之前,跳脉冲, BOOT -PH = 2.95 V,
I
OUT
= 2 A
VIN = 5 V
60
110
60
1.5
ns
V / ns的
ns
测量频率为500 kHz带有R
T
电阻串联
测量频率为500 kHz
0.4
R
( RT / CLK )
= 400k
R
T
= 400 k
200
400
300
75
0.5
1.6
0.6
90
14
2.2
500
2000
600
2000
千赫
千赫
千赫
ns
V
V
V
ns
μs
175
15
°C
°C
2.9
3.6
A
–2
μA
& LT ;我
(COMP)
& LT ; 2
μA,
V
(COMP)
= 1 V
–2
μA
& LT ;我
(COMP)
& LT ; 2
μA,
V
(COMP)
= 1 V,
VSENSE = 0.4 V
V
(COMP)
= 1 V , 100 mV过
7
225
70
±20
13
nA
μmhos
μmhos
μA
A / V
BOOT -PH = 5 V
BOOT -PH = 2.95 V
VIN = 5 V
VIN = 2.95 V
30
44
30
44
60
70
60
70
m
m
2.95 V
VIN
6 V , -40°C <T
J
< 150℃
0.795
0.803
0.811
V
升起
落下
启用上升阈值+ 50毫伏
启用下降阈值 - 50毫伏
1.16
1.25
1.18
-3.2
-0.65
μA
1.37
V
无电压滞后,上升沿和下降沿
EN = 0 V , 25 ° C, 2.95 V
VIN
6 V
VSENSE = 0.9 V, VIN = 5V , 25 ° C,R
T
= 400 k
2.95
2.6
2
350
6
2.8
5
500
V
V
μA
μA
条件
典型值
最大
单位
版权所有 2009年,德州仪器
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3
TPS54218
SLVS974 - 2009年9月
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电气特性(续)
T
J
= -40 ℃至150 ℃, VIN = 2.95至6 V (除非另有说明)
描述
引导( BOOT引脚)
BOOT充电电阻
BOOT -PH UVLO
慢启动( SS引脚)
充电电流
SS为交叉参考
SS放电电压(过载)
SS放电电流( UVLO , EN ,热
故障)
POWER GOOD ( PWRGD引脚)
VSENSE落下(故障)
VSENSE门槛
VSENSE上升(好)
VSENSE上升(故障)
VSENSE下降(好)
迟滞
输出高漏
抗性
输出低
最小输入电压VIN的输出有效
I
( PWRGD )
= 3.5毫安
V
( PWRGD )
< 0.5 V ,100
μA
VSENSE下降
VSENSE = VREF ,V
( PWRGD )
= 5.5 V
91
93
107
105
2
2
100
0.3
1.2
1.6
VREF %
VREF %
VREF %
VREF %
VREF %
nA
V
V
V
(SS)
= 0.4 V
98 %的名义
VSENSE = 0 V
VIN = 5V ,V
(SS)
= 0.5 V
1.8
0.9
20
1.25
μA
V
μA
mA
VIN = 5 V
VIN = 2.95 V
16
2.1
V
条件
典型值
最大
单位
4
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TPS54218
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SLVS974 - 2009年9月
引脚配置
QFN16
RTE包
( TOP VIEW )
PWRGD
EN
16
15
14
13
VIN
VIN
GND
1
BOOT
VIN
12
PH
2
3
PAD
(17)
11
PH
PH
10
GND
4
9
SS
5
6
7
8
VSENSE
AGND
COMP
引脚功能
名字
AGND
BOOT
COMP
EN
GND
PH
使用PowerPad
PWRGD
RT / CLK
SS
VIN
VSENSE
5
13
7
15
3, 4
10, 11,
12
17
14
8
9
1, 2, 16
6
描述
模拟地应该是电连接至GND靠近器件。
自举电容所需的引导和PH之间。如果在该电容器上的电压低于最低
通过BOOT UVLO要求,输出被强制关闭,直到电容被刷新。
误差放大器的输出,并输入到输出开关电流比较器。连接频率补偿
组件到该引脚。
使能引脚,内部上拉电流源。低于1.2伏拉禁用。浮来启用。可用于设置
开/关阈值(调整UVLO)有两个额外的电阻。
电源地。该引脚应直接电连接到下IC中的电源焊垫。
内部高压侧功率MOSFET的源极的内部低侧和漏极(同步)整流器
MOSFET。
GND端子应连接到露出的电源垫才能正常工作。该电源焊盘应
使用多个过孔进行良好的散热性能连接到任何内部PCB接地层。
一个开漏输出,置为低电平,如果输出电压偏低,由于热关断,过流,
过压/欠压或EN关闭。
电阻的定时或外部时钟输入引脚。
慢启动。连接到这个引脚上的外部电容设置输出电压的上升时间。
输入电源电压, 2.95 V至6 V.
反相跨导( GM)误差放大器的节点。
RT / CLK
版权所有 2009年,德州仪器
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5
TPS54218
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SLVS974A - 2009年9月 - 修订2012年8月
2.95 V至6 V输入, 2 A输出,为2MHz ,同步降压
切换器,带集成FET ( SWIFT )
检查样品:
TPS54218
1
特点
两个30毫欧(典型值)的MOSFET高
效率在2A负载
200kHz至2MHz的开关频率
0.8 V± 1 %基准电压源过
温度
同步至外部时钟
可调慢启动/排序
UV和OV电源良好输出
低工作和关机静态
当前
安全启动至预偏置输出
逐周期电流限制,热和
频率折返保护
-40 ° C至150 ° C工作结
温度范围
耐热增强型采用3mm x 3mm 16引脚QFN
描述
该TPS54218器件是一个全功能的6 V , 2 A,
下电流模式转换器,同步降压
两个集成的MOSFET。
该TPS54218实现小型设计通过整合
MOSFET管,实施电流模式控制
减少外部元件数量,降低了电感器
通过支持高达2 MHz的开关频率的大小,
并尽量减少与小型3mm x中的IC足迹
3毫米耐热增强型QFN封装。
该TPS54218提供精确调节的
各种负载用精确的±1%的电压
引用( V
REF
),过温。
效率是通过集成30mΩ到最大化
MOSFET和350μA典型电源电流。运用
使能引脚,关断电源电流降低至
2
μA
通过进入关断模式。
欠压闭锁在内部设定为2.6 V ,但
可以增加通过编程与阈
一个电阻网络上的使能引脚。输出
电压启动斜坡由慢启动控制
引脚。一个开漏电源良好信号指示
输出电压为93 % 107 %的额定电压。
频率折返和热关断保护
在过流情况下该设备。
该TPS54218支撑在的SwitcherPro
TM
在软件工具
www.ti.com/switcherpro 。
欲了解更多SWIFT
TM
文档,请参阅TI
网站:
www.ti.com/swift 。
100
LO
PH
CO
PWRGD
VSENSE
SS
RT / CLK
COMP
VOUT
2
应用
低电压,高密度的电源系统
点负载调节的高性能
的DSP , FPGA的ASIC和微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
VIN
VIN
BOOT
CI
R4
TPS54218
EN
R5
C
BOOT
95
90
效率 - %
R1
85
80
75
70
65
60
55
50
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25 1.5
I
O
- 输出电流 - 一个
1.75
2
SS
RT
R3
C1
GND
AGND
使用PowerPad
R2
V
I
= 5 V,
V
O
= 1.8 V,
F
S
= 1000千赫
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT是德州仪器的商标。
版权所有2009-2011 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS54218
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
J
-40 ° C至150℃
(1)
3 × 3毫米QFN
产品型号
(1)
TPS54218RTET
TPS54218RTER
在RTE包仅提供卷带封装。如需订购,后缀“R”添加到部分结束
为3000的卷轴数,或者添加了后缀“T”型的零件编号的末尾为250的卷轴(如
TPS54218RTER).
绝对最大额定值
价值
VIN
EN
BOOT
输入电压
VSENSE
COMP
PWRGD
SS
RT / CLK
BOOT -PH
输出电压
PH
PH值10 ns的瞬态
源出电流
EN
RT / CLK
COMP
灌电流
PWRGD
SS
静电放电( HBM )
静电放电( CDM )
工作结温,T
j
贮藏温度,T
英镑
-0.3 7
-0.3 7
PH + 8
-0.3 3
-0.3 3
-0.3 7
-0.3 3
-0.3 6
8
-0.6 7
-27的
100
100
100
10
100
2
500
-40至150
-65到150
(2) (3)
单位
V
V
μA
μA
μA
mA
μA
kV
V
°C
°C
包装耗散额定值
(1)
RTE
(1)
(2)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
热阻抗
结到环境
37°C/W
φ
JT
热特性
结到TOP
1°C/W
(3)
最大功耗可以通过过电流保护限制
额定功率在特定的环境温度T
A
应为150 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。 PCB的热管理应努力保持结点温度等于或低于
150℃为最佳性能和长期的可靠性。看
功耗估计
本数据表中的多个应用程序部分
信息。
测试板条件:
(一)2英寸× 2英寸的4层,厚度: 0.062英寸
(二) 2盎司位于PCB的顶部铜迹线
(三) 2盎司在2层的内部和底层铜接地层
位于器件封装下(D ) 4散热通孔( 10MIL )
2
版权所有2009-2011 ,德州仪器
TPS54218
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SLVS974A - 2009年9月 - 修订2012年8月
电气特性
T
J
= -40 ℃至150 ℃, VIN = 2.95至6 V (除非另有说明)
描述
电源电压( VIN引脚)
工作输入电压
欠压锁定阈值内
关断电源电流
静态电流 - 我
q
ENABLE和UVLO ( EN引脚)
启用阈值
输入电流
参考电压( VSENSE PIN)
参考电压
MOSFET
高边开关电阻
低压侧开关电阻
误差放大器器
输入电流
误差放大器的跨导(GM )
在误差放大器的跨导(GM )
慢启动
误差放大器的源/汇
COMP到Iswitch克
电流限制
电流限制阈值
热关断
热关断
迟滞
定时电阻和外部时钟(RT / CLK引脚)
开关采用RT模式下频率范围
开关频率
使用CLK模式切换频率范围
最小CLK脉冲宽度
RT / CLK电压
RT / CLK高门槛
RT / CLK低门槛
RT / CLK的下降沿到PH上升沿延迟
PLL锁定时间
酸碱度(PH PIN)
最小导通时间
测量在50 %点PH,我
OUT
= 2 A
测量在50 %点PH , VIN = 5V ,
I
OUT
= 0 A
最小关断时间
上升/下降时间
在此之前,跳脉冲, BOOT -PH = 2.95 V,
I
OUT
= 2 A
VIN = 5 V
60
110
60
1.5
ns
V / ns的
ns
测量频率为500 kHz带有R
T
电阻串联
测量频率为500 kHz
0.4
R
( RT / CLK )
= 400k
R
T
= 400 k
200
400
300
75
0.5
1.6
0.6
90
14
2.2
500
2000
600
2000
千赫
千赫
千赫
ns
V
V
V
ns
μs
175
15
°C
°C
瞬间峰值电流
2.9
3.6
A
–2
μA
& LT ;我
(COMP)
& LT ; 2
μA,
V
(COMP)
= 1 V
–2
μA
& LT ;我
(COMP)
& LT ; 2
μA,
V
(COMP)
= 1 V,
VSENSE = 0.4 V
V
(COMP)
= 1 V , 100 mV过
7
225
70
±20
13
nA
μmhos
μmhos
μA
A / V
BOOT -PH = 5 V
BOOT -PH = 2.95 V
VIN = 5 V
VIN = 2.95 V
30
44
30
44
60
70
60
70
m
m
2.95 V
VIN
6 V , -40°C <T
J
< 150℃
0.795
0.803
0.811
V
升起
落下
启用上升阈值+ 50毫伏
启用下降阈值 - 50毫伏
1.16
1.25
1.18
-3.2
-0.65
μA
1.37
V
无电压滞后,上升沿和下降沿
EN = 0 V , 25 ° C, 2.95 V
VIN
6 V
VSENSE = 0.9 V, VIN = 5V , 25 ° C,R
T
= 400 k
2.95
2.6
2
350
6
2.8
5
500
V
V
μA
μA
条件
典型值
最大
单位
版权所有2009-2011 ,德州仪器
3
TPS54218
SLVS974A - 2009年9月 - 修订2012年8月
www.ti.com
电气特性(续)
T
J
= -40 ℃至150 ℃, VIN = 2.95至6 V (除非另有说明)
描述
引导( BOOT引脚)
BOOT充电电阻
BOOT -PH UVLO
慢启动( SS引脚)
充电电流
SS为交叉参考
SS放电电压(过载)
SS放电电流( UVLO , EN ,热
故障)
POWER GOOD ( PWRGD引脚)
VSENSE落下(故障)
VSENSE门槛
VSENSE上升(好)
VSENSE上升(故障)
VSENSE下降(好)
迟滞
输出高漏
抗性
输出低
最小输入电压VIN的输出有效
I
( PWRGD )
= 3.5毫安
V
( PWRGD )
< 0.5 V ,100
μA
VSENSE下降
VSENSE = VREF ,V
( PWRGD )
= 5.5 V
91
93
107
105
2
2
100
0.3
1.2
1.6
VREF %
VREF %
VREF %
VREF %
VREF %
nA
V
V
V
(SS)
= 0.4 V
98 %的名义
VSENSE = 0 V
VIN = 5V ,V
(SS)
= 0.5 V
1.8
0.9
20
1.25
μA
V
μA
mA
VIN = 5 V
VIN = 2.95 V
16
2.1
V
条件
典型值
最大
单位
4
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TPS54218
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SLVS974A - 2009年9月 - 修订2012年8月
引脚配置
QFN16
RTE包
( TOP VIEW )
PWRGD
EN
16
15
14
13
VIN
VIN
GND
1
BOOT
VIN
12
PH
2
3
PAD
(17)
11
PH
PH
10
GND
4
9
SS
5
6
7
8
VSENSE
AGND
COMP
引脚功能
名字
AGND
BOOT
COMP
EN
GND
PH
使用PowerPad
PWRGD
RT / CLK
SS
VIN
VSENSE
5
13
7
15
3, 4
10, 11,
12
17
14
8
9
1, 2, 16
6
描述
模拟地应该是电连接至GND靠近器件。
自举电容所需的引导和PH之间。如果在该电容器上的电压低于最低
通过BOOT UVLO要求,输出被强制关闭,直到电容被刷新。
误差放大器的输出,并输入到输出开关电流比较器。连接频率补偿
组件到该引脚。
使能引脚,内部上拉电流源。低于1.2伏拉禁用。浮来启用。可用于设置
开/关阈值(调整UVLO)有两个额外的电阻。
电源地。该引脚应直接电连接到下IC中的电源焊垫。
内部高压侧功率MOSFET的源极的内部低侧和漏极(同步)整流器
MOSFET。
GND端子应连接到露出的电源垫才能正常工作。该电源焊盘应
使用多个过孔进行良好的散热性能连接到任何内部PCB接地层。
一个开漏输出,置为低电平,如果输出电压偏低,由于热关断,过流,过压/欠压
电压或EN停机。
电阻的定时或外部时钟输入引脚。
慢启动。连接到这个引脚上的外部电容设置输出电压的上升时间。
输入电源电压, 2.95 V至6 V.
反相跨导( GM)误差放大器的节点。
RT / CLK
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5
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