TPS5420-Q1
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SLVS752B - 2007年11月 - 修订2008年6月
2 -A宽输入范围降压SWIFT转换器
1
特点
应用
工业和汽车音响电源
电池充电器,大功率LED电源
12 -V / 24 -V分布式电源系统
通过汽车应用认证
宽输入电压范围: 5.5 V至36 V
截至2 -A连续( 3 - A峰值)输出
当前
效率高达95 %的110 mΩ的启用
集成的MOSFET开关
宽输出电压范围:可调低至
1.22 V ,1.5 %的初始精度
内部补偿最大限度地减小外部
件数
固定的500 kHz开关频率小
滤镜尺寸
改进的线性调整率和瞬态
响应由输入电压前馈
通过系统的过电流限制保护,
过电压保护,以及热
关闭
-40 ° C至125°C的工作结
温度范围
可在小型8引脚SOIC封装
对于SWIFT 文档,应用程序
笔记和设计软件,查看TI网站
at
www.ti.com/swift
2
描述
由于SWIFT系列DC / DC稳压器中的一员,
该TPS5420是一个高输出电流的PWM变换器
集成了低电阻的高侧的N沟道
MOSFET。包括在所列出的基片上
特征是一个高性能的电压误差放大器
提供根据严格的电压调节精度
瞬态条件下,欠压锁定电路
防止启动直到输入电压达到5.5 V ,
内部设置慢启动电路,以限制浪涌
电流和电压前馈电路,以
改进的瞬态响应。使用ENA引脚,
关断电源电流降至18
A
典型的。其他功能还包括高有效
使,过流限制,过压保护,
和热关断。为了降低设计的复杂性
和外部元件数量,将TPS5420
反馈回路是内部补偿。
该TPS5420器件提供一个易于使用的
8引脚SOIC封装。 TI提供评估模块
与SWIFT设计软件工具,以帮助
迅速实现高性能电源
设计,以满足积极的设备开发
周期。
EF网络效率与输出电流
100
VOUT
简化的原理图
VIN
VIN
PH
95
90
TPS5420
效率 - %
NC
NC
BOOT
85
80
75
70
65
60
55
50
0
0.5
1.5
2.5
1
2
I
O
-
输出电流
-
A
3
V
I
= 12 V
ENA VSENSE
GND
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT是德州仪器的商标。
版权所有2007-2008 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
J
-40_C到125_C
(1)
(2)
输入电压
5.5 V至36 V
输出电压
可调至1.22 V
包
(2)
SOIC ( D)
产品型号
TPS5420QDRQ1
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
VIN
BOOT
PH (稳态)
V
I
输入电压范围
EN
VSENSE
BOOT -PH
PH值(瞬时< 10纳秒)
I
O
I
LKG
T
J
T
英镑
ESD
(1)
(2)
(3)
源出电流
漏电流
经营虚拟结温范围
存储温度范围
静电放电额定值
人体模型( HBM )
机器模型( MM )
PH
PH
(1) (2)
0.3 V至40 V
(3)
0.3 V至50 V
-0.6 V至40 V
(3)
-0.3 V至7 V
0.3 V至3 V
10 V
–1.2 V
内部限制
10
A
-40 ° C至150℃
-65_C到150_C
2000 V
150 V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件,仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
接近绝对最大额定值为VIN引脚可能对PH引脚上的电压超过绝对最大额定值。
(2)
耗散额定值
(1)
包
8针D
(1)
(2)
(3)
热阻抗
结到环境
75°C/W
(3)
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
额定功率在特定的环境温度T
A
应为125 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。最终PCB的热管理应努力保持结温达到或
低于125 ℃,以获得最佳性能和长期的可靠性。看
热计算
本数据表中的应用更加节
信息。
测试板条件:
一。 3 ×3中,两个层,厚度: 0.062英寸
B 。 2盎司位于印刷电路板的顶部和底部的铜迹线
推荐工作条件
民
V
I
T
J
输入电压范围, VIN
工作结温
5.5
–40
最大
36
125
单位
V
°C
2
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电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C , VIN = 5.5 V至36 V (除非另有说明)
参数
电源电压( VIN引脚)
I
Q
静态电流
VSENSE = 2 V ,不切换, PH引脚开路
关机, ENA = 0 V
3
18
5.3
330
T
J
= 25°C
I
O
= 0 2一
1.202
1.196
400
87%
1.221
1.221
500
150
89%
1.3
0.5
450
5.4
3
13
135
8
4
16
162
14
VIN = 5.5 V
VIN = 10 V至36 V
150
110
230
10
6.5
21
V
V
mV
ms
A
ms
°C
°C
1.239
1.245
600
200
4.4
50
5.5
mA
A
V
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
欠压锁定( UVLO )
启动阈值电压时, UVLO
滞后电压, UVLO
参考电压
参考电压精度
振荡器
内部设置自由运行频率
最小可控时间
最大占空比
ENABLE ( ENA PIN)
启动阈值电压, ENA
停止阈值电压, ENA
滞后电压, ENA
内部慢启动时间(0 100%)
电流限制
电流限制
限流打嗝时间
热关断
热关断触发点
热关断迟滞
输出MOSFET
r
DS ( ON)
高侧功率MOSFET开关
m
千赫
ns
V
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3
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引脚分配
包
( TOP VIEW )
BOOT
NC
NC
VSENSE
1
2
3
4
8
7
6
5
PH
VIN
GND
ENA
终端功能
终奌站
名字
BOOT
NC
VSENSE
ENA
GND
VIN
PH
号
1
2, 3
4
5
6
7
8
在内部没有连接
反馈电压稳压器。连接到输出电压分压器。
开/关控制。低于0.5 V时,器件停止开关。浮针来使能。
地
输入电源电压。旁路VIN引脚连接到GND引脚靠近器件封装具有高品质低ESR的陶瓷
电容。
源高侧功率MOSFET 。连接到外部电感和二极管。
描述
升压电容为高侧FET的栅极驱动器。连接0.01 μF的低ESR从BOOT引脚电容PH引脚。
4
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典型特征
振荡器频率
vs
结温
530
520
I
Q
- 工作静态电流 - 毫安
3.5
V
I
= 12 V
工作静态电流
vs
结温
180
170
3.25
最小可控时间
vs
结温
的F - 振荡器频率 - 千赫
510
最小可控导通时间 - NS
-50
-25
0
25
50
75
o
160
500
490
480
3
150
140
2.75
470
460
-50
130
2.5
-25
0
25
50
75
100
125
100
125
120
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
T
J
- 结温 -
o
C
T
J
- 结温 - C
T
J
- 结温 - C
图1 。
参考电压
vs
结温
1.23
图2中。
导通状态电阻
vs
结温
180
170
V
I
= 12 V
网络连接gure 3 。
内部慢速启动时间
vs
结温
9
r
DS ( ON)
- 导通状态电阻 - 米
W
V
REF
- 参考电压 - V
160
150
140
130
120
110
100
90
1.225
t
SS
- 内部慢启动时间 - 毫秒
-50
-25
0
25
50
75
100
125
8.5
1.22
8
1.215
7.5
1.21
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
80
T
J
- 结温 -
o
C
7
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
T
J
- 结温 - C
T
J
- 结温 - C
图4中。
关机静态电流
vs
输入电压
25
ENA = 0 V
图5中。
最小可控DUTY
比
vs
结温
8
图6 。
I
SD
- 关断电流 -
m
A
15
TJ = 27
o
C
最小负荷比 - %
20
TJ = 125℃
o
7.5
7.5
10
TJ = -40
o
C
7.25
5
7
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
V
I
- 输入电压 - V
T
J
- 结温 - C
图7 。
网络连接gure 8 。
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