典型尺寸
6.4毫米× 9.7毫米
TPS54010
SLVS509A - 2004年5月 - 修订2004年8月
www.ti.com
2.2 - 4 - V ， 14 -A输出同步降压PWM SWITCHER
具有集成FET （ SWIFT ）
特点
独立的低电压电源总线
8毫欧的MOSFET开关，可进行高效率的
14 -A的连续输出
可调输出电压低至0.9 V
外部补偿用1％内
参考精度
快速瞬态响应
宽PWM频率：可调280 kHz至
700千赫
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
描述
由于SWIFT 系列DC / DC的一员稳压
lators ，该TPS54010低输入电压，高输出
电流同步降压PWM转换器的集成
所有必需的活性成分。包括在
基板与列出的功能是一个真正的，高
性能，电压误差放大器，使
瞬态条件下的最大性能
而在选择输出滤波器L和C的灵活性
组件;欠压闭锁电路，以预
发泄启动，直到VIN输入电压达到3 V ;
内部和外部设置slowstart电路，以限制
浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源SE-
quencing 。
该TPS54010是采用热增强型
28引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD包，
消除了笨重的散热器。
应用
低电压，高密度系统采用
分布式电源在2.5 V ， 3.3 V可用
负载调整率的高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
2.5 V或3.3 V
0.68 mH的
Input1
350 μF的
3.3 V
PVIN
PH
TPS54010
BOOT
保护地
0.047 μF的
200 μF的
0.1 μF的
产量
100
95
90
120 pF的
4.64千瓦
3300 pF的
422 W
10千瓦
效率 - ％
85
80
75
70
65
14.7千瓦
1500 pF的
效率
vs
输出电流
Input2
1 μF的
VIN
VBIAS
COMP
AGND VSENSE
1 μF的
赔偿金
网
60
55
50
0
2
4
6
8
VIN = 3.3 V ，
PVIN = 2.5 V ，
V
O
= 1.5 V,
f
s
= 700千赫
10
12
14
16
I
O
- 输出电流 - 一个
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004年，德州仪器
TPS54010
SLVS509A - 2004年5月 - 修订2004年8月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
输出电压
Adjustible低至0.9 V
包
塑料HTSSOP
（ PWP ）
(1)
产品型号
TPS54010PWP
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54010PWPR ） 。看到应用程序
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息的部分。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
SS / ENA ， SYNC
RT
V
I
输入电压范围
VSENSE
PVIN ，输入电压
BOOT
V
O
V
O
输出电压范围
VBIAS ， COMP ， PWRGD
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
I
S
灌电流
COMP
SS / ENA ， PWRGD
电压差动
T
J
T
英镑
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
静电放电（ ESD ）额定值
人体模型（ HBM ）
清洁发展机制
AGND至PGND
(1)
TPS54010
-0.3 7
-0.3 6
-0.3 4
-0.3 4.5
-0.3至10
-0.3 7
-0.6 6
内部限制
6
25
6
10
±0.3
-40至125
-65到150
300
1.5
750
单位
V
V
源出电流
mA
A
mA
V
°C
°C
°C
kV
V
(1)
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
I
T
J
输入电压VIN
电源输入电压， PVIN
工作结温
3
2.2
–40
喃
最大
4
4
125
单位
V
V
°C
耗散额定值
(1) (2)
包
28引脚PWP用焊锡
无焊28引脚PWP
热阻抗
结到环境
14.4°C/W
27.9°C/W
T
A
= 25°C
额定功率
6.94 W
(3)
3.58 W
T
A
= 70°C
额定功率
3.81 W
1.97 W
T
A
= 85°C
额定功率
2.77 W
1.43 W
(1)
(2)
(3)
2
有关PWP包的详细信息，请参阅TI技术简介，文献数量SLMA002 。
测试板条件：
一。 3英寸× 3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
B 。 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
。 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
。 0.5盎司在2层内部的铜接地层
。 12散热通孔（参见本数据手册的应用部分推荐的焊盘图案）
最大功率耗散可过电流保护限制的。
TPS54010
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电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至24 V ， PVIN = 2.2 V至24 V （除非另有说明）
参数
电源电压VIN
V
I
输入电压VIN
电源电压范围， PVIN
输出= 1.8 V
f
s
= 350 kHz时， RT开放， PH引脚开路， PVIN = 2.5 V ，
SYNC = 0 V
VIN
f
s
= 550 kHz时， RT开放， PH引脚开路， SYNC
≥
2.5 V,
PVIN = 2.5 V
关机， SS / ENA = 0 V， PVIN = 2.5 V
f
s
= 350 kHz时， RT开放， PH引脚开路， PVIN = 3.3 V ，
SYNC = 0 V
PVIN
f
s
= 550 kHz时， RT开放， PH引脚开路， SYNC
≥
2.5 V,
PVIN = 2.5V， VIN = 3.3 V
关机， SS / ENA = 0 V ， VIN = 3.3 V
欠压锁定（ VIN ）
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲，
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流，
VBIAS
(2)
I
（ VBIAS ）
= 0
2.7
2.8
2.9
100
V
A
UVLO
(1)
2.7
2.95
2.8
0.11
2.5
3
V
V
V
s
3
2.2
6.3
8.3
1
6
6
<140
4
4
10
13
1.4
8
9
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
Q
静态电流
累计参考
V
REF
准确性
线路调整
(1) (3)
负载调整率
(1) (3)
振荡器
内部设置自由运行频率
RT开放
(1)
， SYNC
≤
0.8 V
RT开放
(1)
， SYNC
≥
2.5 V
RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
(1)
外部设置的自由运行频率范围
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻
高级别阈值电压时，SYNC
低级别的阈值电压， SYNC
脉冲持续时间，
谷
(1)
时间
(1)
90%
SYNC
(1)
50
300
0.75
1
200
700
AGND ）
(1)
280
440
252
460
663
2.5
0.8
350
550
280
500
700
420
660
308
540
762
V
V
ns
千赫
V
V
ns
千赫
千赫
0.882
0.891
0.900
V
规
I
L
= 7 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 14 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
PVIN = 2.5V， VIN = 3.3 V
0.05
0.013
%/V
%/A
频率范围， SYNC
坡道
斜坡幅度（峰 - 峰值）
(1)
最小可控ON
最大占空比
周期
(1)
(1)
(2)
(3)
按设计规定
只有静态电阻负载
由图12中所使用的电路中指定
3
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电气特性（续）
T
J
= -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至24 V ， PVIN = 2.2 V至24 V （除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压
范围
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ， COMP
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，脉宽调制
比较器输入PH引脚（不包括
死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压，
下降沿抗尖峰脉冲，
SS / ENA
(4)
SS / ENA
(4)
2.6
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 0.2 V， VIN = 2.7 V ， PVIN = 2.5 V
2
1.3
0.82
1.2
0.03
2.5
3.35
5
2.3
4.1
8
4
1.4
V
V
s
ms
A
mA
10 mV过
(4)
70
85
ns
1 kΩ的COMP至AGND
(4)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP至AGND
(4)
本站由内部LDO
(4)
VSENSE = V
REF
1
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
测试条件
民
典型值
最大
单位
内部慢启动时间
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好电压阈值
电源良好滞后电压
(4)
电源良好下降沿抗尖峰脉冲
(4)
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制
电流限制前沿消隐
电流限制总响应
热关断
热关断触发点
(4)
热关断
迟滞
(4)
时间
(4)
时间
(4)
VIN = 3.3 V ， PVIN = 2.5 V
(4)
,
VSENSE下降
93
3
35
%V
REF
%V
REF
s
0.3
1
V
A
I
（汇）
= 2.5毫安
VIN = 3.3 V ， PVIN = 2.5 V
0.18
输出短路
14.5
21
100
200
A
ns
ns
°C
°C
21
18
135
165
10
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
功率MOSFET开关
VIN = 3V ， PVIN = 2.5 V
VIN = 3.6 V ， PVIN = 2.5 V
8
8
m
(4)
按设计规定
4
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设备信息
PWP封装
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
热22
PAD
21
20
19
18
17
16
15
RT
SYNC
SS / ENA
VBIAS
VIN
PVIN
PVIN
PVIN
PVIN
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
终端功能
引脚名称
AGND
BOOT
COMP
保护地
PH
PVIN
PWRGD
RT
SS / ENA
SYNC
VBIAS
VIN
VSENSE
引脚数
1
5
3
15, 16, 17, 18,
19
6-14
20, 21, 22, 23
4
28
26
27
25
24
2
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容和
RT电阻。如果使用的是使用PowerPad ，将其连接到AGND 。见
应用信息
节
详细信息。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH ，生成浮动
驱动为高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大
铜区域，以输入和输出电源恢复，并且对输入和输出的负极端子
电容器。建议单点连接至AGND 。
相输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。绕过PVIN引脚的
PGND引脚靠近器件封装具有高品质，低ESR的10 μF陶瓷电容。
电源就绪漏极开路输出。高当VSENSE > 90 ％V
REF
否则PWRGD低。注意
输出为低电平时的SS / ENA为低或内部关断信号激活。
频率设定电阻输入。从连接RT电阻到AGND设置开关频率f
s
.
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备
操作和电容器输入到外部设定的启动时间。
同步输入。双功能引脚，提供逻辑输入同步至一个外部振荡器
两个内部设置的开关频率之间的引脚选择。当用于同步到外部
信号，电阻器必须连接到RT引脚。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND
引脚具有高品质，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源的内部控制电路。绕过VIN引脚与PGND引脚靠近器件封装
以高品质，低ESR 1μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。连接到输出电压补偿网络/输出分频器。
5
典型尺寸
6.4毫米× 9.7毫米
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2.2 - 4 - V ， 14 -A输出同步降压PWM SWITCHER
具有集成FET （ SWIFT ）
特点
独立的低电压电源总线
8毫欧的MOSFET开关，可进行高效率的
14 -A的连续输出
可调输出电压低至0.9 V
外部补偿用1％内
参考精度
快速瞬态响应
宽PWM频率：可调280 kHz至
700千赫
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
总成本
描述
由于SWIFT 系列DC / DC的一员稳压
lators ，该TPS54010低输入电压，高输出
电流同步降压PWM转换器的集成
所有必需的活性成分。包括在
基板与列出的功能是一个真正的，高
性能，电压误差放大器，使
瞬态条件下的最大性能
而在选择输出滤波器L和C的灵活性
组件;欠压闭锁电路，以预
发泄启动，直到VIN输入电压达到3 V ;
内部和外部设置slowstart电路，以限制
浪涌电流;和一个电源良好输出有用
处理器/逻辑复位，故障信号和电源SE-
quencing 。
该TPS54010是采用热增强型
28引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD包，
消除了笨重的散热器。
应用
低电压，高密度系统采用
分布式电源在2.5 V ， 3.3 V可用
负载调整率的高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
简化的原理图
2.5 V或3.3 V
0.68 mH的
Input1
350 μF的
3.3 V
PVIN
PH
TPS54010
BOOT
保护地
0.047 μF的
200 μF的
0.1 μF的
产量
100
95
90
120 pF的
4.64千瓦
3300 pF的
422 W
10千瓦
效率 - ％
85
80
75
70
65
14.7千瓦
1500 pF的
效率
vs
输出电流
Input2
1 μF的
VIN
VBIAS
COMP
AGND VSENSE
1 μF的
赔偿金
网
60
55
50
0
2
4
6
8
VIN = 3.3 V ，
PVIN = 2.5 V ，
V
O
= 1.5 V,
f
s
= 700千赫
10
12
14
16
I
O
- 输出电流 - 一个
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004年，德州仪器
TPS54010
SLVS509A - 2004年5月 - 修订2004年8月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
输出电压
Adjustible低至0.9 V
包
塑料HTSSOP
（ PWP ）
(1)
产品型号
TPS54010PWP
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（即， TPS54010PWPR ） 。看到应用程序
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息的部分。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
SS / ENA ， SYNC
RT
V
I
输入电压范围
VSENSE
PVIN ，输入电压
BOOT
V
O
V
O
输出电压范围
VBIAS ， COMP ， PWRGD
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
I
S
灌电流
COMP
SS / ENA ， PWRGD
电压差动
T
J
T
英镑
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
静电放电（ ESD ）额定值
人体模型（ HBM ）
清洁发展机制
AGND至PGND
(1)
TPS54010
-0.3 7
-0.3 6
-0.3 4
-0.3 4.5
-0.3至10
-0.3 7
-0.6 6
内部限制
6
25
6
10
±0.3
-40至125
-65到150
300
1.5
750
单位
V
V
源出电流
mA
A
mA
V
°C
°C
°C
kV
V
(1)
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
I
T
J
输入电压VIN
电源输入电压， PVIN
工作结温
3
2.2
–40
喃
最大
4
4
125
单位
V
V
°C
耗散额定值
(1) (2)
包
28引脚PWP用焊锡
无焊28引脚PWP
热阻抗
结到环境
14.4°C/W
27.9°C/W
T
A
= 25°C
额定功率
6.94 W
(3)
3.58 W
T
A
= 70°C
额定功率
3.81 W
1.97 W
T
A
= 85°C
额定功率
2.77 W
1.43 W
(1)
(2)
(3)
2
有关PWP包的详细信息，请参阅TI技术简介，文献数量SLMA002 。
测试板条件：
一。 3英寸× 3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
B 。 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
。 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
。 0.5盎司在2层内部的铜接地层
。 12散热通孔（参见本数据手册的应用部分推荐的焊盘图案）
最大功率耗散可过电流保护限制的。
TPS54010
www.ti.com
SLVS509A - 2004年5月 - 修订2004年8月
电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至24 V ， PVIN = 2.2 V至24 V （除非另有说明）
参数
电源电压VIN
V
I
输入电压VIN
电源电压范围， PVIN
输出= 1.8 V
f
s
= 350 kHz时， RT开放， PH引脚开路， PVIN = 2.5 V ，
SYNC = 0 V
VIN
f
s
= 550 kHz时， RT开放， PH引脚开路， SYNC
≥
2.5 V,
PVIN = 2.5 V
关机， SS / ENA = 0 V， PVIN = 2.5 V
f
s
= 350 kHz时， RT开放， PH引脚开路， PVIN = 3.3 V ，
SYNC = 0 V
PVIN
f
s
= 550 kHz时， RT开放， PH引脚开路， SYNC
≥
2.5 V,
PVIN = 2.5V， VIN = 3.3 V
关机， SS / ENA = 0 V ， VIN = 3.3 V
欠压锁定（ VIN ）
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲，
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流，
VBIAS
(2)
I
（ VBIAS ）
= 0
2.7
2.8
2.9
100
V
A
UVLO
(1)
2.7
2.95
2.8
0.11
2.5
3
V
V
V
s
3
2.2
6.3
8.3
1
6
6
<140
4
4
10
13
1.4
8
9
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
Q
静态电流
累计参考
V
REF
准确性
线路调整
(1) (3)
负载调整率
(1) (3)
振荡器
内部设置自由运行频率
RT开放
(1)
， SYNC
≤
0.8 V
RT开放
(1)
， SYNC
≥
2.5 V
RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
(1)
外部设置的自由运行频率范围
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻
高级别阈值电压时，SYNC
低级别的阈值电压， SYNC
脉冲持续时间，
谷
(1)
时间
(1)
90%
SYNC
(1)
50
300
0.75
1
200
700
AGND ）
(1)
280
440
252
460
663
2.5
0.8
350
550
280
500
700
420
660
308
540
762
V
V
ns
千赫
V
V
ns
千赫
千赫
0.882
0.891
0.900
V
规
I
L
= 7 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 14 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
PVIN = 2.5V， VIN = 3.3 V
0.05
0.013
%/V
%/A
频率范围， SYNC
坡道
斜坡幅度（峰 - 峰值）
(1)
最小可控ON
最大占空比
周期
(1)
(1)
(2)
(3)
按设计规定
只有静态电阻负载
由图12中所使用的电路中指定
3
TPS54010
SLVS509A - 2004年5月 - 修订2004年8月
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电气特性（续）
T
J
= -40 ° C至125°C ， VIN = 3 V至24 V ， PVIN = 2.2 V至24 V （除非另有说明）
参数
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入电压
范围
输入偏置电流， VSENSE
输出电压转换速率（对称） ， COMP
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，脉宽调制
比较器输入PH引脚（不包括
死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压，
下降沿抗尖峰脉冲，
SS / ENA
(4)
SS / ENA
(4)
2.6
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 0.2 V， VIN = 2.7 V ， PVIN = 2.5 V
2
1.3
0.82
1.2
0.03
2.5
3.35
5
2.3
4.1
8
4
1.4
V
V
s
ms
A
mA
10 mV过
(4)
70
85
ns
1 kΩ的COMP至AGND
(4)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP至AGND
(4)
本站由内部LDO
(4)
VSENSE = V
REF
1
90
3
0
60
1.4
110
5
VBIAS
250
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
测试条件
民
典型值
最大
单位
内部慢启动时间
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好电压阈值
电源良好滞后电压
(4)
电源良好下降沿抗尖峰脉冲
(4)
输出饱和电压， PWRGD
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制
电流限制前沿消隐
电流限制总响应
热关断
热关断触发点
(4)
热关断
迟滞
(4)
时间
(4)
时间
(4)
VIN = 3.3 V ， PVIN = 2.5 V
(4)
,
VSENSE下降
93
3
35
%V
REF
%V
REF
s
0.3
1
V
A
I
（汇）
= 2.5毫安
VIN = 3.3 V ， PVIN = 2.5 V
0.18
输出短路
14.5
21
100
200
A
ns
ns
°C
°C
21
18
135
165
10
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
功率MOSFET开关
VIN = 3V ， PVIN = 2.5 V
VIN = 3.6 V ， PVIN = 2.5 V
8
8
m
(4)
按设计规定
4
TPS54010
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SLVS509A - 2004年5月 - 修订2004年8月
设备信息
PWP封装
（ TOP VIEW ）
AGND
VSENSE
COMP
PWRGD
BOOT
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
热22
PAD
21
20
19
18
17
16
15
RT
SYNC
SS / ENA
VBIAS
VIN
PVIN
PVIN
PVIN
PVIN
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
终端功能
引脚名称
AGND
BOOT
COMP
保护地
PH
PVIN
PWRGD
RT
SS / ENA
SYNC
VBIAS
VIN
VSENSE
引脚数
1
5
3
15, 16, 17, 18,
19
6-14
20, 21, 22, 23
4
28
26
27
25
24
2
描述
模拟地。回报补偿网络/输出分频器，软启动电容， VBIAS电容和
RT电阻。如果使用的是使用PowerPad ，将其连接到AGND 。见
应用信息
节
详细信息。
引导输出。 0.022 - μF至0.1 μF低ESR电容从BOOT连接至PH ，生成浮动
驱动为高侧FET驱动器。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络VSENSE
电源地。高电流返回为低侧驱动器和功率MOSFET。连接地线与大
铜区域，以输入和输出电源恢复，并且对输入和输出的负极端子
电容器。建议单点连接至AGND 。
相输出。路口内的高侧和低侧功率MOSFET和输出电感。
输入电源为功率MOSFET开关和内部偏置稳压器。绕过PVIN引脚的
PGND引脚靠近器件封装具有高品质，低ESR的10 μF陶瓷电容。
电源就绪漏极开路输出。高当VSENSE > 90 ％V
REF
否则PWRGD低。注意
输出为低电平时的SS / ENA为低或内部关断信号激活。
频率设定电阻输入。从连接RT电阻到AGND设置开关频率f
s
.
慢启动/使能输入/输出。双功能引脚，提供逻辑输入以启用/禁用设备
操作和电容器输入到外部设定的启动时间。
同步输入。双功能引脚，提供逻辑输入同步至一个外部振荡器
两个内部设置的开关频率之间的引脚选择。当用于同步到外部
信号，电阻器必须连接到RT引脚。
内部偏置稳压器输出。电源电压调节到内部电路。绕道VBIAS引脚到AGND
引脚具有高品质，低ESR的0.1 μF至1.0 μF陶瓷电容。
输入电源的内部控制电路。绕过VIN引脚与PGND引脚靠近器件封装
以高品质，低ESR 1μF陶瓷电容。
误差放大器的反相输入端。连接到输出电压补偿网络/输出分频器。
5
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