TPS53513
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SLUSBP9A - 2013年9月 - 修订2013年12月
1.5 18 V （ 4.5 25 V偏置）输入， 8 -A单同步降压SWIFT
变流器
1
特点
综合13.8和5.9毫欧的MOSFET采用8 -A
连续输出电流
支持所有的陶瓷输出电容器
参考电压为600mV ± 0.5 ％的容差
输出电压范围： 0.6 V至5.5 V
D- CAP3 控制方式快速负载阶跃
响应
自动跳过Eco模式高灯 -
负载效率
FCCM了严格的输出纹波和电压
需求
八个可选频率设定在
200千赫兹至1 MHz
预充电启动功能
内置输出放电电路
漏极开路电源就绪输出
3.5毫米× 4.5毫米， 28引脚QFN封装
PGOOD
V
IN
应用
服务器和云计算的POL
宽带网络和光
通信基础设施
I / O电源
支撑在
WEBENCH 设计中心
2
描述
该TPS53513是一个小型的，同步降压
转换器的自适应实时D- CAP3控制
模式。该器件提供易于使用性和低
对于空间有限的电源外部元件数量
系统。
该器件具有高性能的集成
MOSFET的，准确0.5 ％ 0.6 V基准电压源，以及
集成的升压开关。有竞争力的功能包括
非常低外部元件数量，快速负载
瞬态响应，自动跳过模式操作时，
内部软启动控制，并没有要求
赔偿金
一个强制连续传导模式有助于满足
严格的电压调节精度要求
高性能DSP和FPGA 。该TPS53513是
采用28引脚QFN封装，规定工作
从-40 ° C到85 ° C的环境温度。
.
.
效率
100
23
FB
22
GND
21
模式
20
VREG
19
VDD
18
NC
17
VIN
16
VIN
15
VIN
保护地
保护地
14
13
12
11
10
保护地
保护地
保护地
24
25
26
27
28
VO
旅
DNC
GND1
TPS53513
VBST
GND2
RF
PGOOD
SW
SW
N / C
SW
8
1
2
3
4
5
6
7
SW
9
EN
V
OUT
VREG
效率（％）
热
PAD
EN
90
80
f
SW
= 500千赫，V
IN
= 12 V, V
DD
= 5 V
T
A
= 25° L
OUT
= 1
H,
模式=自动跳转
C,
VOUT = 0.6 V
VOUT
V
OUT
V
OUT
= 1 V
VOUT = 1.2 V
VOUT
V
OUT
V
OUT
= 1.5 V
V
OUT
V
OUT
= 2.5 V
VOUT = 1.8 V
VOUT
V
OUT
= 3.3 V
V
OUT
= 5 V
VOUT
VOUT
0
2
4
6
输出电流（A ）
8
10
12
C003
70
60
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ， D- CAP3 ，生态模式， WEBENCH是德州仪器的商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
民
EN
SW
VBST
输入电压范围
(2)
单位
最大
7.7
30
32
36
6
38
28
30
6
7.7
6
150
150
V
°C
°C
V
–0.3
DC
短暂< 10纳秒
(3)
–3
–5
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–40
–55
VBST
VDD
VIN
VBST当瞬态< 10纳秒
VO ， FB ， MODE ， RF
输出电压范围
温度
(1)
(2)
(3)
PGOOD
VREG ， TRIP
结，T
J
存储，T
英镑
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定条件下我的影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于网络的接地端子。
电压值是相对于于SW端子。
热信息
TPS53513
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
(1)
RVE
28个引脚
37.5
34.1
18.1
1.8
18.1
2.2
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
间隔
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
EN
SW
VBST
输入电压范围
VBST
VDD
VIN
VO ， FB ， MODE ， RF
输出电压范围
T
A
(1)
PGOOD
VREG ， TRIP
工作自由空气的温度
电压值是相对于所述SW引脚。
(1)
最大
7
27
28
5.5
25
18
5.5
7
5.5
85
单位
–0.1
–3
–0.1
–0.1
4.5
1.5
–0.1
–0.1
–0.1
–40
V
V
°C
电气特性
在工作自由空气的温度范围内， VREG = 5 V ， EN = 5 V （除非另有说明）
参数
电源电流
I
VDD
I
VDDSTBY
I
VIN （泄漏）
V
VREF
V
VREFTOL
VDD偏置电流
VDD待机电流
VIN漏电流
参考电压
参考电压容差
T
A
= 25 ℃，无负荷
开启电源转换（无转换）
T
A
= 25 ℃，无负荷
电源转换无效
V
EN
= 0 V
FB W / R / T GND ，T
A
= 25°C
FB W / R / T GND ，T
J
= 0 ° C至85°C
FB W / R / T GND ，T
J
= -40 ° C至85°C
V
FB
= 600毫伏
V
VO
= 0.5 V ，电源转换无效
V
IN
= 12 V, V
VO
= 3.3 V ，R
DR
< 0.041
V
IN
= 12 V, V
VO
= 3.3 V ，R
DR
= 0.096
V
IN
= 12 V, V
VO
= 3.3 V ，R
DR
= 0.16
f
SW
VO开关频率
(1)
V
IN
= 12 V, V
VO
= 3.3 V ，R
DR
= 0.229
V
IN
= 12 V, V
VO
= 3.3 V ，R
DR
= 0.297
V
IN
= 12 V, V
VO
= 3.3 V ，R
DR
= 0.375
V
IN
= 12 V, V
VO
= 3.3 V ，R
DR
= 0.461
V
IN
= 12 V, V
VO
= 3.3 V ，R
DR
> 0.557
t
开（分钟）
t
关（ MIN）的
V
F
I
VBST
(1)
(2)
最小导通时间
最小关断时间
正向电压
VBST泄漏电流
T
A
= 25°C
(2)
T
A
= 25°C
V
VREG - VBST
, T
A
= 25 ° C，I
F
= 10毫安
T
A
= 25 ° C，V
VBST
= 33 V, V
SW
= 28 V
175
10
597
–0.6%
–0.7%
50
12
250
300
400
500
600
750
850
1000
60
240
0.15
0.01
310
0.25
1.5
ns
ns
V
A
千赫
600
1350
850
1850
1150
0.5
603
0.5%
0.5%
100
15
nA
mA
A
A
A
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
VREF输出
输出电压
I
FB
I
VODIS
FB输入电流
VO放电电流
SMPS频率
内部自举SW
电阻分压比（R
DR
）中描述
公式1 。
按设计规定。未经生产测试。
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电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围内， VREG = 5 V ， EN = 5 V （除非另有说明）
参数
逻辑阈值
V
ENH
V
ENL
V
ENhyst
V
ENLEAK
t
SS
EN使能阈值电压
EN关断阈值电压
EN滞后电压
EN输入漏电流
软启动时间
PGOOD从高
V
PGth
VDDQ PGOOD门槛
PGOOD在从下
PGOOD出更高
PGOOD出降低
I
PG
t
PGDLY
I
PGLK
R
旅
I
OCL
I
OCLN
V
ZC
PGOOD灌电流
PGOOD延迟时间
PGOOD泄漏电流
TRIP管脚的电阻范围
电流限制阈值，山谷
负电流限制阈值，
谷
过零检测信号的偏移
WAKE -UP
关闭
唤醒（默认）
关闭
OVP电压检测
随着100 - mV过载
UVP检测电压
UVP滤波器延迟
关断温度
迟滞
V
IN
= 12 V，I
负载
= 10毫安
V
IN
= 4.5 V，I
负载
= 30毫安，T
A
= 25°C
V
IN
= 12 V ，T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
170
200
13.8
5.9
15.5
7.0
4.65
64%
3.25
3.00
4.15
3.95
116%
R
旅
= 34.8 kΩ
R
旅
= 25.5 kΩ
R
旅
= 34.8 kΩ
R
旅
= 25.5 kΩ
V
PGOOD
= 0.5 V
延迟PGOOD将在
延迟PGOOD现身
V
PGOOD
= 5 V
–1
20
6.2
4.2
–10.5
–8.7
8.0
6.2
–7.9
–6.1
0
3.34
3.12
4.25
4.05
120%
300
68%
1
140
40
5
5.45
365
71%
ms
3.41
3.19
4.35
4.15
124%
ns
104%
89%
113%
80%
4
0.8
–1
1.3
1.1
1.4
1.2
0.22
0
1
108%
92%
116%
84%
6
1.0
2
0
1
50
9.8
8.2
–5.3
–3.5
1.2
111%
96%
120%
87%
mA
ms
s
A
kΩ
A
A
mV
1
1.5
1.3
V
V
V
A
ms
测试条件
民
典型值
最大
单位
软启动
PGOOD比较器
电流检测
PROTECTIONS
V
VREGUVLO
V
VDDUVLO
V
OVP
t
OVPDLY
V
UVP
t
UVPDLY
VREG欠压锁定
（ UVLO ）阈值电压
VDD UVLO阈值电压
过电压保护（ OVP ）
阈值电压
OVP传播延迟
欠压保护（ UVP ）
阈值电压
UVP延迟
V
V
热关断
T
SDN
热关断阈值
(3)
°C
LDO电压
V
REG
V
DOVREG
I
LDOMAX
R
DS （ON ）H
R
DS （ON ）l
(3)
LDO输出电压
LDO的低下垂的压降
LDO过流限制
高边MOSFET导通电阻
低边MOSFET导通电阻
V
mV
mA
mΩ
mΩ
内置MOSFET
按设计规定。未经生产测试。
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设备信息
RVE包装
28-PIN
（ TOP VIEW ）
GND2
GND1
旅
25
DNC
28
27
26
24
23
22
21
20
RF
PGOOD
EN
VBST
NC
SW
SW
SW
SW
VO
1
2
3
4
5
6
7
8
FB
GND
模式
VREG
VDD
NC
VIN
VIN
VIN
TPS53513
19
18
17
16
散热垫
9
10
11
12
13
14
15
保护地
保护地
保护地
引脚说明
针
名字
EN
FB
GND
GND1
GND2
模式
NC
DNC
号
3
23
22
27
28
21
5
18
26
10
11
保护地
12
13
14
PGOOD
RF
2
1
6
SW
7
8
9
I / O
SW为功率转换器的输出切换端子。该引脚连接到输出电感。
O
I
开漏电源良好状态信号FB电压后提供启动延迟值以内
规定的限值。之后， FB电压超出规定的地方移动， PGOOD变为低电平在2微秒。
RF是SW-频率配置管脚。该引脚连接到VREG之间的电阻分压器
GND编程软件不同频率的设定。
G
这些接地引脚被连接到内部低侧MOSFET的回报。
I / O
(1)
描述
I
I
G
I
I
I
—
O
使能引脚导通该DC-DC开关转换器。
V
OUT
反馈输入。该引脚连接至VOUT引脚与GND之间的电阻分压器。
该引脚是内部模拟电路和驱动电路的接地。连接到GND保护地平面
用很短的走线（例如，将该引脚连接到散热垫有一个跟踪和连接
散热垫PGND引脚和PGND平面） 。
该引脚连接到地面。 GND1是未使用的内部电路的输入端和必须连接到地面。
该引脚连接到地面。 GND2是未使用的内部电路的输入端和必须连接到地面。
MODE引脚设置强制连续导通模式（ FCCM ）或跳过模式操作。这也
选择的D- CAP3模式斜坡系数。
未连接。这些引脚内部浮动的。
不要连接。该管脚为未使用的内部电路的输出，必须浮动。
(1)
I =输入， O =输出，P =电源，G =接地
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