TPS53321
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SLUSAF3 - 2010年12月
5 -A降压调节器，内置切换器
检查样品：
TPS53321
1
特点
96 ％的最大效率
连续5 -A的输出电流
支持所有的MLCC输出电容
SmoothPWM 自动跳过Eco模式供
轻负载效率
在轻载和重载优化效率
电压模式控制
支持主 - 从交错操作
同步可达±标称20 ％
频率
转换电压范围在2.9 V和
6.0 V
软停止输出放电过程中禁用
可调输出电压范围在
0.6 V和0.84 V× V
IN
过流，过压和
过温保护
小型3 × 3 ， 16引脚QFN封装
开漏电源良好指示
内置自举开关
低R
DS （ ON）
， 24 mΩ的3.3 - V输入和19 mΩ的
与5 - V输入
支持预偏置启动
低电压应用
5 -V降压铁
3.3 -V降压铁
2
描述
该TPS53321提供了一个完全集成的3 - V至5 V
V
IN
集成的同步FET转换器解决方案
带16的总组件，但是在200毫米
2
的PCB面积。
由于低导通电阻和TI专有的
操作SmoothPWM 跳过模式，它使
96 ％的峰值效率，效率超过90％ ，在
负载轻为100毫安。它仅需要两个22 μF
陶瓷输出电容器的功率密集的5 -A
的解决方案。
该TPS53321拥有一个1.1 MHz的开关
频率跳跃模式工作的支持，预偏置
启动时，内部软启动，软输出放电，
内部VBST开关，电源状态良好， EN / UVLO输入，
过流，
过压，
欠压
和
超温保护，所有陶瓷输出
电容支持。它支持电源电压
2.9 V至3.5 V和转换电压从2.9 V至
6.0伏，并且输出电压是可调的，从0.6 V至
0.84 V × V
IN
.
该TPS53321是在3毫米× 3毫米可用
16引脚QFN封装（绿符合RoHS标准，无铅
免费的），并在-40°C和85°C的工作。
典型应用电路
输出所有的MLCC
V
IN
2.9 V至6 V
V
DD
2.9 V至3.5 V
13
VIN
12 VDD
11 AGND
SYNC
EN
2
1
8
SYNC
EN
PS
保护地PGND
15
16
PAD
TPS53321
PGD
3
PGD
14
VIN
5
6
7
C
BST
4
V
IN
SW SW SW
VBST
FB 10
COMP
9
UDG-10204
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SmoothPWM ， Eco模式是德州仪器的商标。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS53321
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
T
A
-40 ° C至
85°C
包
塑料QFN
（ RGT ）
订购设备
数
TPS53321RGTR
TPS53321RGTT
引脚
16
16
输出电源
磁带和卷轴
迷你盘
最低
QUANTITY
3000
250
环保计划
绿色环保（RoHS和无铅/溴）
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
民
VIN ， EN
输入电压范围
VBST
VBST （相对于SW）的
FB ， PS ， VDD
SW
输出电压范围
PGD
COMP ， SYNC
保护地
静电放电
环境温度
储存温度
结温
人体模型（ HBM ）
带电器件模型（ CDM）
T
A
T
英镑
T
J
–40
–55
–40
DC
脉冲<为20ns ， E = 5MJ
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–3
–0.3
–0.3
–0.3
最大
7
17
7
3.7
7
10
7
3.7
0.3
2000
500
85
150
150
300
V
C
C
C
C
V
V
单位
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
价值
民
VIN
VDD
输入电压范围
VBST
VBST （相对于SW）的
EN
FB ， PS
SW
输出电压范围
PGD
COMP ， SYNC
保护地
结温范围，T
J
2.9
2.9
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–1
–0.1
–0.1
–0.1
–40
3.3
喃
最大
6
3.5
13.5
6
6
3.5
6.5
6
3.5
0.1
125
°C
V
V
单位
2
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2010 ，德州仪器
TPS53321
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电气特性
在推荐的自由空气的温度范围内，V
IN
= 3.3 V, V
VDD
= 3.3 V ， PGND = GND （除非另有说明） 。
参数
电源：电压，电流， UVLO
V
IN
I
VINSDN
V
UVLO
V
UVLOHYS
V
DD
I
DDSDN
I
DD
V
DDUVLO
V
DDUVLOHYS
V
VREF
TOLV
REF
UGBW
A
OL （1）
I
FBINT
I
EAMAX （1）
SR
(1)
(1)
条件
额定输入电压范围
EN = “ LO ”
斜坡上升; EN =' HI '
VIN UVLO迟滞
标称3.3 V的输入电压范围
EN = “ LO ”
EN =' HI ' ，没有开关
斜坡上升; EN =' HI '
民
2.9
典型值
最大
6.0
3
单位
V
A
V
mV
VIN电源电压
VIN关断电流
VIN UVLO阈值
VIN UVLO迟滞
内部电路的电源电压
VDD的电流关断
待机电流
3.3V UVLO阈值
3.3V UVLO迟滞
VREF
VREF公差
单位增益带宽
开环增益
FB输入漏电流
输出下沉和采购
当前
压摆率
2.8
130
2.9
3.3
2.2
2.8
75
3.5
5
3.5
V
A
mA
V
mV
V
电压反馈环路： VREF和误差放大器
内部精密基准电压
0°C
≤
T
A
≤
85°C
–40°C
≤
T
A
≤
85°C
–1%
–1.25%
14
80
从FB引脚采购
C
COMP
= 20 pF的
5
5
当我
OUT
超过该阈值4
连续周期。 V
IN
=3.3 V,
V
OUT
= 1.5 V与1 - μH电感器，T
A
= 25°C
立即停机检测的电流时，
达到此值。 V
IN
=3.3 V,
V
OUT
= 1.5 V与1 - μH电感器，T
A
= 25°C
30
0.6
1%
1.25%
兆赫
dB
nA
mA
V / μs的
OCP ：过流，过零
I
OCPL
在上面的MOSFET管过流限制
有一次，过电流闭锁
在下面的FET
打嗝时间间隔
过零比较器
内部偏移
过压保护
阈值电压
欠压保护
阈值电压
PGD门槛低
PGD阈值上限
最小输入电压VIN电压有效
PGD在启动。
热关断
(1)
6.0
6.5
7.0
A
I
OCPH
t
嗝
V
ZXOFF （1）
6.25
12.5
6.80
14.5
–3.0
7.35
16.5
–1.5
A
ms
mV
PGND - SW ，跳跃模式
–4.5
保护： OVP ， UVP ， PGD和内部热关断
V
OVP
V
UVP
V
PGDL
V
PGDU
V
INMINPG
公顷thsd
(1)
公顷thsd
HYS
(1)
测量FB W / R / T VREF
测量FB W / R / T VREF
测量FB W / R / T VREF
测量FB W / R / T VREF 。
测量V
IN
与1 - mA（或2 - mA）的沉
目前PGD引脚在启动时
闭锁控制器，试图软停止
控制器重新启动后，气温有所下降
130
114%
80%
80%
114%
117%
83%
83%
117%
1
140
40
150
120%
86%
86%
120%
V
°C
°C
热关断迟滞
由设计保证。未经生产测试。
4
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2010 ，德州仪器
TPS53321
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SLUSAF3 - 2010年12月
电气特性（续）
在推荐的自由空气的温度范围内，V
IN
= 3.3 V, V
VDD
= 3.3 V ， PGND = GND （除非另有说明） 。
参数
逻辑引脚： I / O电压和电流
V
PGPD
I
PGLK
R
恩普
V
ENH
V
ENHYS
PGD下拉电压
PGD漏电流
使能上拉电阻
EN逻辑高门槛
EN迟滞
1级到2级
(2)
2级到3级
PS
THS
PS模式阈值电压
3级到4级
4级至5级
5级至6级
I
PS
f
SYNCSL
PW
SYNC
I
SYNC
V
SYNCTHS
V
SYNCHYS
I
VBSTLK
t
SS_1
t
SS_2
t
SS_3
t
PGDENDLY
t
OVPDLY
t
UVPDLY
f
SW
(3)
(3)
条件
下拉电压， 4 mA的灌电流
高阻泄漏电流，适用于3.3 -V在关闭状态
民
典型值
0.2
最大
0.4
2
1.30
0.24
单位
V
A
MΩ
V
V
–2
1.10
0
1.35
1.18
0.18
0.12
0.4
0.8
1.4
2.2
V
PS源
从机同步频率范围
SYNC低电平脉宽
SYNC引脚灌电流
同步阈值
SYNC滞后
VBST泄漏电流
延时后EN主张
延时后EN主张
软启动斜坡上升时间
PGD启动延迟时间
过电压保护延时
时间
欠压保护延时
时间
开关频率控制
斜坡幅度
(3)
10 μA，当启用时上拉电流。
相对于标称开关频率
T
A
= 25°C
下降沿
8
–20%
10
110
10
1.0
0.5
12
20%
A
ns
A
V
V
自举：电压和漏电流
V
IN
= 3.3V, V
VBST
= 6.6 V，T
A
= 25°C
EN =' HI ' ，船长或HEF模式
EN =' HI ' ，从等待时间
从V上升
SS
= 0 V到V
SS
= 0.6 V
从V上升
SS
= 0 V到V
SS
= 0.6 V,
从V
SS
达到0.6 V到V
PGD
去高
时间从FB出来的VREF + 20％到OVP故障
时间从FB出来的VREF -20 ％至UVP故障
FCCM
2.9 V < V
IN
< 6.0 V
FCCM或DE模式
HEF模式
84%
f
SW
= 1.1 MHz时， 0 ℃，
≤
T
A
≤
85°C
75%
V
EN
=低，V
IN
= 3.3 V, V
OUT
= 0.5 V
81%
60
Ω
0.99
1.0
0.2
0.5
0.4
1.2
1.7
11
1.1
V
IN
/4
100
175
89%
140
250
1.21
2.5
1
A
ms
ms
ms
ms
s
s
兆赫
V
ns
定时器： SS ，频率，上升，导通时间和I / O时序
t
MIN （关闭）
最小关断时间
最大占空比， FCCM
和DE模式
最大占空比， HEF
模式
软放电晶体管
阻力
D
最大
R
SFTSTP
(2)
(3)
看到PS引脚说明水平。
由设计保证。未经生产测试。
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