TPS53318 ， TPS53319
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SLUSAY8B - 2012年6月 - 修订2013年5月
高效率的8 -A或14 -A同步降压转换器具有Eco-Mode
检查样品：
TPS53318 ， TPS53319
1
特点
转换输入电压范围： 1.5 V至22 V
VDD输入电压范围： 4.5 V至25 V
91 ％的效率从12 V至1.5 V ，在14一
输出电压范围： 0.6 V至5.5 V
5 -V LDO输出
支持单轨输入
集成了功率MOSFET与8 -A
（ TPS53318 ）或连续14 -A （ TPS53319 ）
输出电流
自动跳过Eco模式轻载
效率
<110
μA
关断电流
具有快速瞬态响应的D- CAP 模式
从250 kHz的可选择的开关频率
以1 MHz的外部电阻
可选自动跳过或仅PWM操作
内置1 ％， 0.6 -V参考。
0.7毫秒， 1.4毫秒， 2.8毫秒和5.6毫秒可选
内部电压伺服软启动
集成的升压开关
预充电启动能力
具有热调节的过流限制
赔偿金
过压，欠压，欠压锁定和过
温度保护
支持所有的陶瓷输出电容器
开漏电源良好指示
集成NexFET功率模块
技术
22引脚QFN封装，与使用PowerPad
2
应用
服务器/存储
工作站和台式机
电信基础设施
描述
该TPS53318与TPS53319是D- CAP 模式，
8 -A或14 -A同步切换器整合
的MOSFET。它们被设计为便于使用，低
外部元件数量和空间意识
电源系统。
这些器件具有精确的1 ％ ， 0.6 V基准电压源，
而集成的升压开关。竞争样品
特性包括： 1.5 V至22 V宽输入转换
电压范围，非常低外部元件数量， D-
CAP 模式控制的超快速瞬态，自动
跳跃模式工作，内部软启动控制，
可选择的频率，无需赔偿。
转换的输入电压范围为1.5 V至
22 V时，电源电压范围是从4.5伏到25伏，
和输出电压范围是从0.6伏至5.5伏
这些器件采用5 ×6mm的22引脚
QFN封装，工作在-40° C至85°C 。
简化应用
V
VDD
V
IN
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
VDD
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
LL
10
模式
TPS53318/TPS53319
VREG
VREG
旅
GND
PGOOD
ROVP
VBST
VFB
EN
LL
LL
LL
LL
1
PGOOD
EN
2
3
4
5
6
7
8
9
11
V
OUT
LL
VIN
RF
UDG-12040
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
生态模式的NexFET ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有 2012-2013 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
包
订购零件
数
TPS53318DQPR
-40 ° C至85°C
塑料QFN
（ DQP ）
TPS53318DQPT
TPS53319DQPR
TPS53319DQPT
22
引脚
输出电源
磁带和卷轴
迷你盘
磁带和卷轴
迷你盘
最低
QUANTITY
2500
250
2500
250
无铅（ RoHS指令
免除）
环保计划
绝对最大额定值
(1)
价值
民
VIN （主电源）
VDD
输入电压范围
VBST
VBST （相对于LL）上
EN ， TRIP ， VFB ， RF ， MODE ， ROVP
LL
输出电压范围
DC
脉冲<为20ns ， E = 5
μJ
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–2
–7
–0.3
–0.3
50
–40
–55
–40
85
150
150
300
C
最大
30
28
32
7
7
30
32
7
0.3
mA
V
V
单位
PGOOD ， VREG
GND
VBST
源出/吸入电流
经营自由的空气温度，T
A
存储温度范围，T
英镑
结温范围，T
J
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
热信息
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
TPS53319
DQP （ 22针）
27.2
17.1
5.9
0.8
5.8
1.2
° C / W
单位
(1)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
2
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
民
VIN （主电源）
VDD
输入电压范围
VBST
VBST （相对于LL）上
EN ， TRIP ， VFB ， RF ， MODE ， ROVP
输出电压范围
结温范围，T
J
LL
PGOOD ， VREG
1.5
4.5
4.5
4.5
–0.1
–1
–0.1
–40
最大
22
25
28
6.5
6.5
27
6.5
125
°C
V
V
单位
电气特性
在推荐的自由空气的温度范围内，V
VDD
= 12 V（除非另有说明）
参数
电源电流
V
VIN
V
VDD
I
VIN （泄漏）
I
VDD
I
VDDSDN
V
VFB
V
VFB
I
VFB
V
VREG
I
VREG
V
DO
V
FBST
I
VBSTLK
t
关（ MIN）的
t
开（分钟）
软启动
R
模式
= 39 kΩ
t
SS
内部软启动时间
V
OUT
= 0 V 95 ％V的
OUT
R
模式
= 100 kΩ
R
模式
= 200 kΩ
R
模式
= 470 kΩ
输出电压放电
I
DSCHG
(1)
输出电压的放电电流
V
EN
= 0 V, V
SW
= 0.5 V
5.0
6.6
9.0
mA
0.7
1.4
2.8
5.6
ms
VIN引脚的电源转换输入
电压
电源输入电压
VIN引脚漏电流
VDD电源电流
VDD关断电流
VFB调节电压
VFB调节电压
VFB输入电流
LDO输出电压
LDO输出电流
(1)
低压降稳压
正向电压
VBST泄漏电流
最小关断时间
最小导通时间
V
EN
= 0 V
T
A
= 25 ° C，无负载，V
EN
= 5 V, V
VFB
= 0.630 V
T
A
= 25 ° C，无负载，V
EN
= 0 V
CCM条件
(1)
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
85°C
–40°C
≤
T
A
≤
85°C
V
VFB
= 0.630 V，T
A
= 25°C
0毫安
≤
I
VREG
≤
30毫安
从LDO允许的最大电流
V
VDD
= 4.5 V，I
VREG
= 30毫安
V
VREG - VBST
, I
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
V
VBST
= 23 V, V
SW
= 17 V ，T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
V
IN
= 17 V, V
OUT
= 0.6 V，F
SW
= 1 MHz时，
T
A
= 25 °C
(1)
150
0.1
0.01
260
35
4.77
LDO输出
5.00
5.36
30
250
0.2
1.50
400
V
mA
mV
V
A
ns
ns
0.597
0.5952
0.594
0.600
0.600
0.600
0.600
0.01
0.603
0.6048
0.606
0.20
A
V
420
1.5
4.5
22
25.0
1
590
110
V
V
A
A
A
V
条件
民
典型值
最大
单位
内部参考电压
自举开关
占空比和频率的控制
由设计保证。未经生产测试。
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电气特性
在推荐的自由空气的温度范围内，V
VDD
= 12 V（除非另有说明）
参数
POWERGOOD
的PG在较低
V
THPG
R
PG
t
PGDEL
PG门槛
PG的晶体管的导通电阻
PG延迟
延迟的PG
启用
关闭
V
EN
= 5 V
R
RF
= 0
Ω
到GND ，T
A
= 25°C
(1)
测试条件
民
92.5%
107.5%
2.5%
15
0.8
1.0
0.8
200
250
350
450
540
670
770
880
(1)
典型值
95.0%
110.0%
5.0%
30
1
1.3
1.0
250
300
400
500
600
750
850
970
10
3000
最大
98.5%
112.5%
7.5%
60
1.2
1.6
1.2
1.0
300
350
450
550
660
820
930
1070
单位
PG从高
PG滞后
Ω
ms
逻辑阈值与设定条件
V
EN
I
EN
EN电压
EN输入电流
V
A
R
RF
= 187 kΩ到GND ，T
A
= 25°C
(1)
R
RF
= 619 kΩ的，到GND ，T
A
= 25°C
f
SW
开关频率
R
RF
=开放，T
A
= 25°C
(1)
R
RF
= 866 kΩ到VREG ，T
A
= 25°C
(1)
R
RF
= 309 kΩ到VREG ，T
A
= 25°C
(1)
R
RF
= 124 kΩ到VREG ，T
A
= 25°C
(1)
R
RF
= 0
Ω
到VREG ，T
A
= 25°C
(1)
千赫
保护：电流检测
I
旅
TC
ITRIP
V
旅
V
OCL
V
OCLN
I
OCP
V
AZCADJ
TRIP源电流
跳闸电流温度coeffficient
电流限制阈值设置
范围
电流限制阈值
负电流限制阈值
谷电流限制门限
汽车零交叉调节范围
TPS53318
TPS53319
V
旅
= 1 V ，T
A
= 25°C
在25℃的基础
V
TRIP- GND
V
旅
= 1.2 V
V
旅
= 0.4
V
旅
= 1.2 V
V
旅
= 0.4 V
R
旅
= 66.5 kΩ的， 0 ℃，
≤
T
A
≤
125°C
R
旅
= 66.5 kΩ的， -40°C
≤
T
A
≤
125°C
积极
负
OVP检测
VFB延迟， 50 mV过
UVP检测
从启用到UVP可行
醒来
迟滞
关断温度
(2)
迟滞
(2)
65%
0.8
1.5
4.00
115%
4.6
4.4
3
(2)
A
PPM /°C的
1.5
2.4
V
mV
mV
6.3
6.3
–3
125%
s
75%
1.2
3.0
4.33
ms
ms
A
mV
0.4
0.4
37.5
12.5
–37.5
–12.5
5.4
5.4
15
–15
120%
1
70%
1.0
2.3
4.20
0.25
145
10
保护： UVP和OVP
V
OVP
t
OVPDEL
V
UVP
t
UVPDEL
t
UVPEN
UVLO
V
UVVREG
VREG UVLO阈值
V
OVP阈值之旅
OVP proprogation延迟
输出的UVP跳变门限
输出的UVP proprogation延迟
输出的UVP延迟启用
热关断
T
SDN
热关断阈值
°C
(1)
(2)
未经生产测试。测试条件为V
IN
= 12 V, V
OUT
= 1.2 V，I
OUT
= 5 A使用显示在应用电路
图1 。
由设计保证。未经生产测试。
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设备信息
DQP套餐
22针
（ TOP VIEW ）
VFB
EN
PGOOD
VBST
ROVP
LL
LL
LL
LL
LL
LL
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
GND
22
21
20
19
18
RF
旅
模式
VDD
VREG
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
使用PowerPad
TM
17
16
15
14
13
12
引脚功能
针
名字
EN
GND
6
7
LL
8
9
10
11
模式
PGOOD
ROVP
RF
20
3
5
22
I
O
I
I
软启动和模式选择。连接一个电阻器来选择使用软启动时间
表1中。
软启动时间
被检测，并且在启动时存储到内部寄存器中。
开漏电源良好标记。提供了1毫秒的启动延时VFB落在指定的限制之后。当VFB
走出规定的限值PGOOD的2微秒的延迟后变为低电平
冗余的过压保护（ OVP ）的输入。用一个电阻分压器将该引脚连接到V
OUT
.
内部下拉至GND， 1.5 MΩ电阻。订阅此引脚或连接到GND。如果多余的过压保护是
没有必要的。
开关频率选择。一个电阻连接到GND或VREG使用选择开关频率
表2中。
开关频率被检测，并且在启动过程中被存储。
OCL检测门限设置引脚。我
旅
= 10微安，在室温下为3000ppm / ℃，电流为了源代码
并设置OCL跳变电压，如下所示。
空间
V
OCL
=V
旅
/32
VBST
VDD
VFB
4
19
1
12
13
VIN
14
15
16
17
(1)
I =输入， O =输出， B =双向，P =电源，G =接地
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5
P
转换功率input.The转换输入电压范围是从1.5 V至22 V.
P
P
I
(V
旅
≤
2.4 V, V
OCL
≤
75毫伏）
电源输入，高侧FET栅极驱动器（提升终端） 。此引脚与LL节点连接的电容器。
通过自举MOSFET开关内部连接到VREG 。
控制器的电源输入。 VDD输入电压范围为4.5 V至25 V.
输出的反馈输入。将此引脚连接到V
OUT
通过一个电阻分压器。
B
转换后的输出功率。该引脚连接到输出电感。
号
2
I / O / P
(1)
I
G
描述
启用pin.Typical导通阈值电压为1.3 V.典型关断阈值电压为1.0 V.
地面和设备的散热垫。使用过孔的适当数量的连接到地平面。
旅
21
I
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