TPS53316
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SLUSAP5
–
2011年12月
高效率， 5 -A降压调节器，内置切换器
检查样品：
TPS53316
1
特点
96 ％的最大效率
连续5 -A的输出电流能力
支持所有的MLCC输出电容
SmoothPWM 自动跳过Eco模式供
轻负载效率
电压模式控制
单轨输入
可选频率
可选择的OCP阈值
可选的软启动时间
2.9 V至6.0 V输入电压范围
可调输出电压为0.6 V测距
高达0.8
×
V
IN
软停止输出放电过程中禁用
过流，过压和
过温保护
开漏电源良好指示
内部自举开关
支持预偏置启动功能
3小
×
3 ， 16引脚QFN封装
低R
DS （ ON）
， 22 mΩ的3.3 - V输入和18 mΩ的
与5 - V输入
低电压应用
低电压应用的5 -V降压
轨
低电压应用的3.3 -V降压
轨
2
描述
TPS53316提供了一个完全集成的3.3 V或5 V
输入同步降压转换器，共16
部件，在200毫米
2
的PCB面积。由于低
R
DS （ ON）
与TI专有的SmoothPWM 跳跃模式
操作的，它使96％峰值效率和过
90 ％的效率在负载轻为100毫安。它要求
只有两个22 μF陶瓷输出电容器的
功率密度， 5 -A解决方案。
TPS53316拥有750千赫， 1.1 - MHz和2 MHz的
开关频率选择，预偏置启动，
可选的内部软启动，软输出放电，
内部VBST开关，电源状态良好， EN / UVLO输入，
过流，过压，欠压和过
温保护和所有陶瓷输出
电容支持。它支持从2.9输入电压
V到6.0 V并没有多余的偏置电压是必要的。该
输出电压从0.6 V至0.8可调
×
V
IN
.
TPS53316是在3 mm内可用的
×
3mm时， 16针，
QFN封装（绿符合RoHS标准，无铅）
并从指定的
–40°C
至85℃ 。
典型应用电路
2.9 V至6 V
输出所有的MLCC
VREG3
VIN
SW
VBST
C
BST
V
IN
AGND
TPS53316
EN
EN
RF / OC
PS
使用PowerPad
PGD
FB
COMP
PGD
UDG-11233
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Eco模式， SmoothPWM是德州仪器的商标。
版权
2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1) (2)
T
A
塑料QFN
（ RGT ）
(1)
(2)
包
–40°C
至85℃
订购
设备号
TPS53316RGTR
TPS53316RGTT
引脚
16
16
产量
供应
磁带和卷轴
迷你盘
最低订购数量
3000
250
环保计划
绿色环保（RoHS和无
铅/溴）
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在这个文件的末尾，或访问TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
VIN
VBST
输入电压范围
VBST （相对于LL）上
EN
FB ， PS 。 RF / OC
SW
输出电压范围
PGD
COMP ， VREG3
保护地
经营自由的空气温度，T
A
存储温度范围，T
英镑
结温范围，T
J
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
DC
脉冲
＆ LT ;
为20ns ， E = 5μJ
–0.3
7到
–0.3
to17
–0.3
7到
–0.3
7到
–0.3
3.7
–1
7到
≥ –5
or
<10
–0.3
7到
–0.3
3.7
–0.3
0.3
–40
85
–55
150
–40
150
300
°C
°C
°C
C
V
V
单位
强调超越那些在列
"absolute
最大ratings"可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
"recommended
操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
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电气特性
在工作自由空气的温度范围， VIN = 3.3V ， PGND = GND （除非另有说明）
参数
电源：电压，电流， UVLO
V
VIN
I
VIN （ SDN ）
I
VIN
V
UVLO
V
UVLO （ HYS ）
V
REG3
V
VREF
托尔
VREF
UGBW
(1)
A
OL
(1)
条件
额定输入电压范围
EN = LO
EN = HI ，V
FB
= 0.63 V，无负载
斜坡上升; EN = HI
VIN UVLO迟滞
V
VIN
= 5 V, 0
≤
I
DD
≤
5毫安
内部精密基准电压
0°C
≤
T
A
≤
85°C
–40°C ≤
T
A
≤
85°C
民
2.9
典型值
最大
6.0
15
单位
V
A
mA
V
mV
VIN电源电压
VIN关断电流
VIN电源电流
VIN UVLO阈值
VIN UVLO迟滞
LDO输出
VREF
VREF公差
单位增益带宽
开环增益
FB输入漏电流
Outaput下沉和采购
当前
压摆率
2.0
2.8
120
3.135
3.3
0.6
–1%
–1.25%
14
80
3.5
3.465
V
V
电压反馈环路： VREF和误差放大器
1%
1.25%
兆赫
dB
30
5
5
4.5的设置，当我
OUT
超过该阈值
连续4个周期，
V
VIN
= 3.3V, V
OUT
= 1.5 V与1 - μH电感器，
f
SW
= 1.1兆赫，T
A
= 25°C
4.5 -A设置，即时时关闭
检测的电流达到这个值
V
VIN
= 3.3 V, V
OUT
= 0.6 V与1 - μH电感器，
f
SW
= 1.1兆赫，T
A
= 25°C
6.5的设置，当我
OUT
超过该阈值
连续4个周期，
V
VIN
= 3.3 V, V
OUT
= 1.5 V与1 - μH电感器，
f
SW
= 1.1兆赫，T
A
= 25°C
6.5的设置，即时时关闭
检测的电流达到这个值
V
VIN
= 3.3 V, V
OUT
= 0.6 V与1 - μH电感器，
f
SW
= 1.1兆赫，T
A
= 25°C
f
SW
= 1.1兆赫
保护地
–
SW ， SKIP模式
–4.5
nA
mA
V / μs的
I
FBINT
I
EA （最大值） （1）
SR
(1)
从FB引脚采购
C
COMP
= 20 pF的
OCP ：过流，过零
I
OCPL3A
(2)
高侧FET过流限制
4.05
4.5
4.95
A
I
OCPH3A （2）
一次性过电流的闭锁
低边FET
4.49
5.1
5.61
A
I
OCPL5A （2）
高侧FET过流限制
6.1
6.8
7.5
A
I
OCPH5A （2）
t
嗝
V
ZXOFF （1）
有一次在过电流闭锁
低边FET
打嗝时间间隔
过零比较器内部
OFFSET
过压保护门限
电压
欠压保护阈值
电压
PGD门槛低
PGD阈值上限
最小输入电压有关有效
PGD在启动
热关断
6.75
7.50
14.5
–3.0
8.30
A
ms
–1.5
mV
保护： OVP ， UVP ， PGD和内部热关断
V
OVP
V
UVP
V
PGDL
V
PGDU
V
INMINPG
公顷thsd
(1)
测量在FB W / R / T VREF
测量在FB W / R / T VREF
测量在FB W / R / T VREF
测量在FB W / R / T .VREF
测量的VIN与PGD 1 mA的灌电流
销在启动
130
控制器重新启动后温度有
下降
114%
80%
80%
114%
117%
83%
83%
117%
1
140
40
150
120%
86%
86%
120%
V
°C
°C
公顷thsd
HYS （1）
热关断迟滞
(1)
(2)
由设计保证。未经生产测试。
SEE
图5
和
图6
在OCP水平等工作条件。
4
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电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围， VIN = 3.3V ， PGND = GND （除非另有说明）
参数
逻辑引脚： I / O电压和电流
V
PGPD
I
PGLK
R
恩普
V
ENH
V
ENHYS
PGD下拉电压
PGD漏电流
使能上拉电阻
EN逻辑高
EN迟滞
V
VIN
= 3.3 V
V
VIN
= 5 V
V
VIN
= 3.3 V
V
VIN
= 5 V
1级到2级
2级到3级
PS
THS
PS模式阈值电压
3级到4级
4级至5级
5级至6级
I
PS
PS源
当启用时10 μA上拉电流
1级到2级
(4)
2级到3级
RF / OC
THS
RF / OC引脚阈值电压
3级到4级
4级至5级
5级至6级
I
RF / OC
I
VBSTLK
t
SS_1
t
SS_2
t
PGDENDLY
t
OVPDLY
t
UVPDLY
RF / OC源电流
VBST泄漏电流
延时后EN主张
软启动ramp_up时间
PGD启动延迟时间
OVP延迟时间
UVP延迟时间
当启用时10 μA上拉电流
V
VIN
= 3.3 V, V
VBST
= 6.6 V，T
A
= 25C
EN =
“嗨”
0 V
≤
V
SS
≤
0.6 V
0 V
≤
V
SS
≤
0.6 V， 4× SS时间（选项2 ）
V
SS
= 0.6 V至PGD （ SSOK ）要高
V
SS
= 0.6 V至PGD （ SSOK ） ，选项2
时间从FB出来的VREF + 20％到OVP故障
时间从FB出来的
–20%
VREF为UVP故障
所有模式中，f
SET
± 0.75兆赫
f
SW
开关频率
所有模式中，f
SET
= 1.1兆赫
FCCM和DE模式中，f
SET
= 2 MHz的
HEF模式中，f
SET
= 2 MHz的
斜坡幅度
t
MIN （关闭）
D
最大
D
最大
R
SFTSTP
(3)
(4)
(5)
(5)
(3)
条件
下拉电压具有4mA吸收电流
高阻泄漏电流， 3.3V应用在关闭状态
民
典型值
0.1
最大
0.3
2
1.10
1.25
0.24
0.275
单位
V
A
MΩ
V
V
V
V
–2
0.82
0.95
0
2.25
0.97
1.10
0.16
0.2
0.12
0.4
0.8
1.4
2.2
V
8
10
0.12
0.4
0.8
1.4
2.2
12
A
V
8
10
12
1
A
A
ms
ms
ms
自举：电压和漏电流
定时器： SS ，频率，上升，导通时间和I / O时序
0.2
0.4
1.6
0.3
1.2
1.0
0.653
0.99
1.71
1.566
1.7
10
0.725
1.10
1.90
1.800
V
VIN
/4
90
160
84%
75%
89%
81%
60
Ω
130
240
0.798
1.21
2.09
2.034
V
ns
ns
兆赫
2.5
s
s
2.9 V
≤
V
VIN
≤
6.0 V
所有频率
f
SW
= 1.1兆赫
f
SW
= 1.1兆赫
所有频率
EN = LO ，V
VIN
= 3.3 V, V
OUT
= 0.5 V
最小关断时间， FCCM和DE
最小关断时间， HEF
最大占空比， FCCM和
DE
最大占空比， HEF
软放电晶体管电阻
看到PS引脚说明水平。
见RF / OC引脚说明水平。
由设计保证。未经生产测试。
版权
2011年，德州仪器
5
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