TPS53129
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SLVSAE6B - 2009年10月 - 修订2010年7月
双路同步降压控制器
对于低电压电源轨
检查样品：
TPS53129
1
特点
D- CAP2 模式控制
快速瞬态响应
- 无需外部配件For循环
赔偿金
- 兼容陶瓷输出
电容器
高初始参考精度（ ± 1 ％ ）
低输出纹波
宽输入电压范围： 4.5 V至24 V
输出电压范围： 0.76 V至5.5 V
低压侧R
DS （ ON）
无损电流检测
带有集成升压自适应栅极驱动器
二极管
可调软启动
非下沉预偏置软启动
2
700 - kHz开关频率
逐周期过流限制控制
30 mV至300 mV的OCP阈值电压
热补偿OCP由4000 PPM /°C的
在我
旅
应用
负载点调节低功耗
为广泛的应用系统
- 数字电视电源
- 家庭网络终端
- 数字机顶盒（ STB ）
- DVD播放机/录像机
游戏机
描述
该TPS53129是一款双通道，自适应接通时间D- CAP2 模式同步降压控制器。该TPS53129
使系统设计人员能够完成各种终端设备的电源总线调节器的套件与成本
高效，低元件数，低待机电流解决方案。主控制回路的TPS53129用途
在D- CAP2 模式控制可提供无需外部元件非常快的瞬态响应。该
TPS53129还具有一个电路，使该装置能够适应两个低等效串联电阻（ESR ）
输出电容器，例如POSCAP或SP - CAP和超低ESR的陶瓷电容器。固定频率
仿真自适应导通时间控制支持PWM模式之间无缝运行在高负荷状态
而在轻负载的高效率降低工作频率降低到毫安range.The设备提供
方便快捷的操作与4.5 V的输入电压为24 V ，输出电压为0.76 V至
5.5 V.
该TPS53129是4毫米x 4毫米24引脚QFN （ RGE ）或24引脚TSSOP （ PW ）封装，是
从-40 ° C至85 ° C的环境温度范围。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D- CAP2是德州仪器的商标。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS53129
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典型应用电路
输入电压
4.5V至24V
C9
10uF
保护地
R4
3.63k
C10
4700pF
R5
10k
R2
10k
SGND
R1
13.5k
6
5
4
3
2
1
VFB1
GND
VO2
VFB2
C6
10uF
Q3
FDS8878
L2
SPM6530T
1.5uH
7
SS1
VO1
EN2
VBST2
DRVH2
TPS53129 RGE
SW2
（ QFN ）
DRVL2
电源PAD
EN1
24
C5
0.1uF
8
9
10
VBST1
23
DRVH1
22
SW1
21
C2
0.1uF
Q1
FDS8878
L1
SPM6530T
1.5uH
L1
C3
10uF
VO2
1.05V/4A
Q4
FDS8690
11
12
DRVL1
20
V5FILT
TRIP2
C4
22uFx2
保护地
R6
4.7k
VIN
TRIP1
PGND2
VREG5
PGND1
19
Q2
FDS8690
VO1
1.8V/4A
SS2
13
14
15
16
17
18
C1
22uFx2
R
4.3k
保护地
C
1uF
C7
4.7uF
保护地
C11
4700pF
SGND
图1. QFN
C2
0.1uF
1
Q1
FDS8878
L1
SPM6530T
1.5uH
C3
10uF
DRVH1
VBST1
EN1
VO1
VFB1
GND
SS1
VFB2
VO2
EN2
VBST2
DRVH2
TPS53129PW
TSSOP24
SW1
24
VO1
1.8V/4A
Q2
FDS8690
R
4.3k
C1
22uFx2
2
DRVL1
23
PGND1
TRIP1
VIN
22
21
R1
13.5k
3
4
保护地
输入电压
R2
10k
5
20
6
VREG5
19
V5FILT
18
SS2
17
C7
4.7uF
4.5V至24V
C9
10uF
保护地
C11
4700pF
R5
10k
R4
3.63k
C10
SGND4700pF
7
8
C
1uF
9
TRIP2
16
PGND2
15
DRVL2
SW2
14
13
10
11
12
R6
4.7k
SGND
保护地
Q4
FDS8690
L2
SPM6530T
1.5uH
Q3
FDS8878
C4
22uFx2
VO2
1.05V/4A
C5
0.1uF
C6
10uF
图2. TSSOP
2
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订购信息
(1)
T
A
包
(2)
(3)
订购
产品型号
TPS53129RGET
TPS53129RGER
TPS53129PWR
TPS53129PW
引脚
输出电源
带盘式
环保计划
塑料四方
扁平封装（ QFN ）
-40 ° C至85°C
TSSOP
(1)
(2)
(3)
24
带盘式
带盘式
管
绿色
（ RoHS和无锑/溴）
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
所有的包装选项有铜镍钯金铅/焊球涂层。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
VIN ， EN1 ， EN2
VBST1 ， VBST2
V
I
输入电压范围
VBST1 - SW1 ， VBST2 - SW2
V5FILT ， VFB1 ， VFB2 ， TRIP1 ， TRIP2 ，
VO1 ， VO2
SW1，SW2
DRVH1 ， DRVH2
V
O
输出电压范围
DRVH1 - SW1 ， DRVH2 - SW2
DRVL1 ， DRVL2 ， VREG5 ， SS1 ， SS2
PGND1 ， PGND2
T
A
T
英镑
T
J
(1)
工作环境温度范围
存储温度范围
结温范围
(1)
价值
-0.3至26
-0.3 32
-0.3 6
-0.3 6
-2 26
-1到32
-0.3 6
-0.3 6
-0.3 0.3
-40到85
-55到150
-40至150
单位
V
V
°C
°C
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备在这些或超出下"recommended操作指示的任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
耗散额定值
2盎司焊锡微量铜垫
包
24引脚QFN封装
24引脚TSSOP
T
A
< 25℃
额定功率
2.33 W
0.778 W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
23.3毫瓦/°C的
7.8毫瓦/°C的
T
A
= 85°C
额定功率
0.93 W
0.31 W
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
IN
电源输入电压
VIN
V5FILT
VBST1 ， VBST2
VBST1 - SW1 ， VBST2 - SW2
V
I
输入电压
VFB1 ， VFB2 ， VO1 ， VO2
TRIP1 ， TRIP2
EN1 ， EN2
SW1，SW2
4.5
4.5
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–1.8
最大
24
5.5
30
5.5
5.5
0.3
24
24
V
单位
V
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推荐工作条件（续）
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
DRVH1 ， DRVH2
V
O
输出电压
VBST1 - SW1 ， VBST2 - SW2
DRVL1 ， DRVL2 ， VREG5 ， SS1 ， SS2
PGND1 ， PGND2
T
A
T
J
工作自由空气的温度
工作结温
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–40
–40
最大
30
5.5
5.5
0.1
85
125
°C
°C
V
单位
电气特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
电源电流
I
IN
VIN电源电流
VIN电流，T
A
= 25 ° C， VREG5绑
到V5FILT ， EN1 = EN2 = 5 V ，
VFB1 = VFB2 = 0.8 V，
SW1 SW2 = = 0.5 V
VIN电流，T
A
= 25°C,
空载时， EN1 = EN2 = 0 V ，
VREG5 = ON
T
A
= 25°C
T
A
= 25 ° C， SW
INJ
=关闭
V
VFBTHx
VFBx阈值电压
TA = 0℃至70℃，
SW
INJ
=关闭
(1)
T
A
= -40 ° C至85°C ，
SW
INJ
=关闭
(1)
I
VFB
R
Dischg
VFB输入电流
VO放电电阻
VFBx = 0.8 V，T
A
= 25°C
ENX = 0 V ，氧化钒= 0.5 V ，T
A
= 25°C
T
A
= 25 ° C， 5.5 V < VIN < 24 V ，
0℃，我
VREG5
＆ LT ; 10毫安
5.5 V < VIN < 24 V，I
VREG5
= 10毫安
1毫安<我
VREG5
＆ LT ; 10毫安
VIN = 5.5 V ，V
REG5
= 4.0 V,
T
A
= 25°C
资料来源，我
DRVHx
= -100毫安
水槽，我
DRVHx
= 100毫安
资料来源，我
DRVLx
= -100毫安
水槽，我
DRVLx
= 100毫安
DRVHx低到DRVLx上
DRVLx低到DRVHx上
V
VREG5-VBSTx
, I
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
VBSTx = 29 V， SWX = 24 V，
T
A
= 25°C
SW1 = 12 V ， VO1 = 1.8 V
SW2 = 12 V ， VO2 = 1.8 V
20
20
0.7
170
–1
748
746.6
745
–100
–10
40
758
450
800
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VINSDN
VIN关断电流
30
60
mA
VFB电压和放电电阻
V
BG
最初的带隙调节精度
1
768
769.4
771
100
80
nA
mV
%
VREG5输出
V
VREG5
V
LN5
V
LD5
I
VREG5
VREG5输出电压
线路调整
负载调整率
输出电流
4.8
5.0
5.2
20
40
V
mV
mV
mA
输出： N沟道MOSFET栅极驱动器
R
DRVH
R
DRVL
T
D
DRVH性
DRVL性
死区时间
5.5
2.5
4
2
50
40
0.8
0.1
11
5
8
4
80
80
0.9
1
ns
内部升压二极管
V
FBST
I
VBSTLK
正向电压
VBST泄漏电流
V
mA
ON- TIME定时器控制
T
ON1L
T
ON2L
(1)
4
CH1上的时间
CH2准时
165
140
ns
ns
未经过生产测试 - 由设计保证。
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电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
T
OFF1L
T
OFF2L
通道1分钟关闭时间
CH 2分钟关闭时间
测试条件
SW1 = 0.7 V，T
A
= 25°C,
VFB1 = 0.7 V
SW2 = 0.7 V，T
A
= 25°C,
VFB2 = 0.7 V
V
SS1
/V
SS2
= 0 V ，T
A
= 25°C
在25℃的基础
V
SS1
/V
SS2
= 0.5 V
V5FILT上升
迟滞
EN 1/2
EN 1/2
VTRIPx = 0.1 V，T
A
= 25°C
在25℃的基础
(V
TRIPx -GND
-V
PGNDx - SWX
）电压，
V
TRIPx -GND
= 60毫伏，T
A
= 25°C
(V
TRIPx -GND
-V
PGNDx - SWX
）电压，
V
TRIPx -GND
= 60 mV的
V
PGNDx - LLX
电压
V
TRIPx -GND
电压
OVP检测
UVP检测
迟滞（恢复< 20
女士）
17
UVP启用延迟/软启动时间
关断温度
迟滞
(2)
(2)
(1)
民
典型值
216
216
最大
单位
ns
ns
软启动
I
SSC
TC
ISSC
I
SSD
UVLO
V
UV5VFILT
V5FILT UVLO阈值
3.7
0.2
2.0
0.3
8.5
10
4000
–15
–20
0.5
30
110
65
115
1.5
70
10
30
x1.7
150
20
40
x2.0
x1.4
75
300
120
0
15
mV
20
mV
mV
%
ms
%
ms
ms
11.5
4.0
0.3
4.3
0.4
V
SS1 / SS2充电电流
I
SSC
温度COEF网络cient
SS1 / SS2放电电流
–1.44
–3.3
100
150
–2
–2.56
3.3
mA
NA / ℃，
mA
逻辑阈值
V
ENH
V
ENL
I
旅
TC
ITRIP
ENX高电平输入电压
ENX低电平输入电压
TRIP源电流
I
旅
温度COEF网络cient
V
V
mA
PPM /°C的
电流检测
V
OCLoff
OCP补偿偏移
V
ZC
V
RTRIP
V
OVP
T
OVPDEL
V
UVP
T
UVPDEL
T
UVPEN
零交叉检测比较
OFFSET
电流限制阈值设定范围
输出过压保护门限
输出OVP传播延迟
输出的UVP跳变门限
输出的UVP延迟
输出的UVP延迟启用
输出欠压和过压保护
热关断
T
SDN
(2)
热关断阈值
°C
未经过生产测试 - 由设计保证。
终端功能
PIN温控功能表
终奌站
名字
VBST1,
VBST2
EN1 ， EN2
VO1 ， VO2
QFN
24
23, 8
24, 7
1, 6
TSSOP
24
2, 11
3, 10
4, 9
I / O
描述
电源输入，高侧NFET驱动程序。绕道SWX具有高品质
0.1 μF的陶瓷电容器。外部肖特基二极管可以从被添加
VREG5如果正向压降是非常关键的驱动高侧FET 。
启用。拉大，使开关电源。
输出电压输入对时间的调整和输出放电。连
直接将输出电压。
I
I
I
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5
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