TPS53125
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SLVS947A - 2009年10月 - 修订2009年10月
双路同步降压控制器
对于低电压电源轨
检查样品：
TPS53125
1
特点
D- CAP2 模式控制
快速瞬态响应
- 无需外部配件For循环
赔偿金
- 兼容陶瓷输出
电容器
高初始参考精度（ ± 1 ％ ）
低输出纹波
宽输入电压范围： 4.5 V至24 V
输出电压范围： 0.76 V至5.5 V
低压侧R
DS （ ON）
无损电流检测
带有集成升压自适应栅极驱动器
二极管
可调软启动
非下沉预偏置软启动
350 - kHz开关频率
逐周期过流限制控制
30 mV至300 mV的OCP阈值电压
热补偿OCP由4000 PPM /°C的
在我
旅
应用
负载点调节低功耗
为广泛的应用系统
- 数字电视电源
- 家庭网络终端
- 数字机顶盒（ STB ）
- DVD播放机/录像机
游戏机
2
描述
该TPS53125是一款双通道，自适应接通时间D- CAP2
模式同步降压控制器。该器件使
系统设计人员能够经济有效地完成
套件的各个终端设备的电源总线
监管者与低外部元件数量和
低待机功耗。主控制回路，用于
该TPS53125采用D- CAP2 模式的拓扑结构
它提供了不带一个非常快的瞬态响应
外部组件。
该TPS53125 / 7还具有一个专有的电路，其
使设备能够适应不仅低等效
串联电阻（ESR ）输出电容器，如
POSCAP / SP -CAP ，而且陶瓷电容器。该
部分提供了一个方便快捷的操作
从4.5 V与转换电压为24 V和
从0.76 V至5.5 V的输出电压
该TPS53125采用24引脚RGE / PW可
封装，工作在-40 °C至85°C
环境温度范围内。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D- CAP2是德州仪器的商标。
版权所有 2009年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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典型应用电路
图1. QFN
图2. TSSOP
2
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订购信息
(1)
T
A
包
(2) (3)
订购
产品型号
TPS53125RGET
（预览版）
TPS53125RGER
（预览版）
TPS53125PWR
TPS53125PW
引脚
输出电源
带盘式
环保计划
塑料四方
扁平封装（ QFN ）
-40 ° C至85°C
TSSOP
(1)
(2)
(3)
24
带盘式
带盘式
管
绿色
（ RoHS和无锑/溴）
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
所有的包装选项有铜镍钯金铅/焊球涂层。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
VIN ， EN1 ， EN2
VBST1 ， VBST2
V
I
输入电压范围
VBST1 - SW1 ， VBST2 - SW2
V5FILT ， VFB1 ， VFB2 ， TRIP1 ， TRIP2 ，
VO1 ， VO2
SW1，SW2
DRVH1 ， DRVH2
V
O
输出电压范围
DRVH1 - SW1 ， DRVH2 - SW2
DRVL1 ， DRVL2 ， VREG5 ， SS1 ， SS2
PGND1 ， PGND2
T
A
T
英镑
T
J
(1)
工作环境温度范围
存储温度范围
结温范围
(1)
价值
-0.3至26
-0.3 32
-0.3 6
-0.3 6
-2 26
-1到32
-0.3 6
-0.3 6
-0.3 0.3
-40到85
-55到150
-40至150
单位
V
V
°C
°C
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备在这些或超出下"recommended操作指示的任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
耗散额定值
2盎司焊锡微量铜垫
包
24引脚QFN封装
24引脚TSSOP
T
A
< 25℃
额定功率
2.33 W
0.778 W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
23.3毫瓦/°C的
7.8毫瓦/°C的
T
A
= 85°C
额定功率
0.93 W
0.31 W
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
IN
电源输入电压
VIN
V5FILT
VBST1 ， VBST2
VBST1 - SW1 ， VBST2 - SW2
V
I
输入电压
VFB1 ， VFB2 ， VO1 ， VO2
TRIP1 ， TRIP2
EN1 ， EN2
SW1，SW2
版权所有 2009年，德州仪器
最大
24
5.5
30
5.5
5.5
0.3
24
24
单位
V
4.5
4.5
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–1.8
V
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3
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推荐工作条件（续）
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
DRVH1 ， DRVH2
V
O
输出电压
VBST1 - SW1 ， VBST2 - SW2
DRVL1 ， DRVL2 ， VREG5 ， SS1 ， SS2
PGND1 ， PGND2
T
A
T
J
工作自由空气的温度
工作结温
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–40
–40
最大
30
5.5
5.5
0.1
85
125
°C
°C
V
单位
电气特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
电源电流
I
IN
VIN电源电流
VIN电流，T
A
= 25 ° C， VREG5绑
到V5FILT ， EN1 = EN2 = 5 V ，
VFB1 = VFB2 = 0.8 V，
SW1 SW2 = = 0.5 V
VIN电流，T
A
= 25°C,
空载时， EN1 = EN2 = 0 V ，
VREG5 = ON
T
A
= 25°C
T
A
= 25 ° C， SW
INJ
=关闭
V
VFBTHx
VFBx阈值电压
TA = 0℃至70℃，
SW
INJ
=关闭
(1)
T
A
= -40 ° C至85°C ，
SW
INJ
=关闭
(1)
I
VFB
R
Dischg
VFB输入电流
VO放电resistancee
VFBx = 0.8 V，T
A
= 25°C
ENX = 0 V ，氧化钒= 0.5 V ，T
A
= 25°C
T
A
= 25 ° C， 5.5 V < VIN < 24 V ，
0℃，我
VREG5
＆ LT ; 10毫安
5.5 V < VIN < 24 V，I
VREG5
= 10毫安
1毫安<我
VREG5
＆ LT ; 10毫安
VIN = 5.5 V ，V
REG5
= 4.0 V,
T
A
= 25°C
资料来源，我
DRVHx
= -100毫安
水槽，我
DRVHx
= 100毫安
资料来源，我
DRVLx
= -100毫安
水槽，我
DRVLx
= 100毫安
DRVHx低到DRVLx上
DRVLx低到DRVHx上
V
VREG5-VBSTx
, I
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
VBSTx = 29 V， SWX = 24 V，
T
A
= 25°C
SW1 = 12 V ， VO1 = 1.8 V
SW2 = 12 V ， VO2 = 1.8 V
20
20
0.7
170
–1
755
753.5
752
–100
–10
40
765
450
800
μA
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VINSDN
VIN关断电流
30
60
μA
VFB电压和放电电阻
V
BG
最初的带隙调节精度
1
775
776.5
778
100
80
nA
mV
%
VREG5输出
V
VREG5
V
LN5
V
LD5
I
VREG5
VREG5输出电压
线路调整
负载调整率
输出电流
4.8
5.0
5.2
20
40
V
mV
mV
mA
输出： N沟道MOSFET栅极驱动器
R
DRVH
R
DRVL
T
D
DRVH性
DRVL性
死区时间
5.5
2.5
4
2
50
40
0.8
0.1
11
5
8
4
80
80
0.9
1
ns
内部升压二极管
V
FBST
I
VBSTLK
正向电压
VBST泄漏电流
V
μA
ON- TIME定时器控制
T
ON1L
T
ON2L
(1)
4
CH1上的时间
CH2准时
490
390
ns
ns
未经过生产测试 - 由设计保证。
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电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
T
OFF1L
T
OFF2L
通道1分钟关闭时间
CH 2分钟关闭时间
测试条件
SW1 = 0.7 V，T
A
= 25°C,
VFB1 = 0.7 V
SW2 = 0.7 V，T
A
= 25°C,
VFB2 = 0.7 V
V
SS1
/V
SS2
= 0 V ，T
A
= 25°C
在25℃的基础
(1)
V
SS1
/V
SS2
= 0.5 V
醒来
迟滞
EN 1/2
EN 1/2
VTRIPx = 0.1 V，T
A
= 25°C
在25℃的基础
(V
TRIPx -GND
-V
PGNDx - SWX
）电压，
V
TRIPx -GND
= 60毫伏，T
A
= 25°C
(V
TRIPx -GND
-V
PGNDx - SWX
）电压，
V
TRIPx -GND
= 60 mV的
V
TRIPx -GND
电压
OVP检测
UVP检测
迟滞（恢复< 20
μs)
17
UVP启用延迟/软启动时间
关断温度
迟滞
(2)
(2)
民
典型值
285
285
最大
单位
ns
ns
软启动
I
SSC
TC
ISSC
I
SSD
UVLO
V
UV5VFILT
V5FILT UVLO阈值
3.7
0.2
2.0
0.3
8.5
10
4000
–15
–20
30
110
65
115
1.5
70
10
30
x1.7
150
20
40
x2.0
x1.4
75
0
15
mV
20
300
120
mV
%
μs
%
μs
ms
11.5
4.0
0.3
4.3
0.4
V
SS1 / SS2充电电流
I
SSC
温度COEF网络cient
SS1 / SS2放电电流
–1.5
–4
100
150
–2
–2.5
3
μA
NA / ℃，
μA
逻辑阈值
V
ENH
V
ENL
I
旅
TC
ITRIP
ENX高电平输入电压
ENX低电平输入电压
TRIP源电流
I
旅
温度COEF网络cient
V
V
μA
PPM /°C的
电流检测
V
OCLoff
OCP补偿偏移
V
RTRIP
V
OVP
T
OVPDEL
V
UVP
T
UVPDEL
T
UVPEN
电流限制阈值设定范围
输出过压保护门限
输出OVP传播延迟
输出的UVP跳变门限
输出的UVP延迟
输出的UVP延迟启用
输出欠压和过压保护
热关断
T
SDN
(2)
热关断阈值
°C
未经过生产测试 - 由设计保证。
终端功能
PIN温控功能表
终奌站
名字
VBST1,
VBST2
EN1 ， EN2
VO1 ， VO2
VFB1,
VFB2
QFN
24
23, 8
24, 7
1, 6
2, 5
TSSOP
24
2, 11
3, 10
4, 9
5, 8
I / O
描述
电源输入，高侧NFET驱动程序。绕道SWX具有高品质
0.1μF的陶瓷电容。外部肖特基二极管可以从被添加
VREG5如果正向压降是非常关键的驱动高侧FET 。
启用。拉大，使开关电源。
输出电压输入对时间的调整和输出放电。连
直接将输出电压。
D- CAP2反馈输入。连接到输出电压的电阻分压器。
I
I
I
I
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