TPS5211
高频可编程迟滞
DC控制器
SLVS243 - 1999年9月
终端功能
终奌站
名字
ANAGND
BIAS
BOOT
BOOTLO
垂
DRV
DRVGND
HIGHDR
海信
号
7
9
16
18
2
14
12
17
19
O
I
O
I
O
I
O
I / O
模拟地
模拟偏置引脚。一个1 μF陶瓷电容应偏向ANAGND连接。
自举。从BOOT连接一个1μF的低ESR电容BOOTLO 。
引导低。连接BOOTLO到高侧和低侧FET的连接点为浮动驱动
配置。连接BOOTLO至PGND接地参考驱动器配置。
下垂的电压。使用电压输入来设置的输出电压设定点下垂量作为负载的函数
电流。跌落补偿量设定与IOUT和ANAGND之间的电阻分压器。
驱动调节器的FET驱动器。一个1 μF陶瓷电容应连接在DRV到DRVGND 。
变频器的接地。地面FET驱动器。连接到FET PWRGND 。
高驱动。输出驱动高侧电源开关FET
高电流感应。跨高侧FET的电流感应，连接到高侧FET的漏极;为
可选电阻感测方案，连接到电源的电流检测电阻器的电源侧放置在一系列
高侧FET的漏极。
禁用驱动信号的MOSFET驱动器。也可以作为UVLO系统逻辑电源（无论是3.3 V
或5 V ） 。
电流输出。作为跨导通电阻Rds测量（上）的该引脚上的输出电压正比于负载电流
高侧FET的。该引脚上的电压等于2 ×R
DS （ ON）
× IOUT 。
在实际应用中需要非常精确的
电流检测，感测电阻器应连接在输入电源和高侧的漏极之间
场效应管。
电流检测低输出。这是关于LOSENSE销时高侧FET是上的电压。陶瓷
电容器应该从IOUTLO连接到海信保持所感测的电压，而高侧FET的
关闭。电容值范围应该是0.033之间
F
和0.1
F.
低驱动使能。通常连接到5V。要激活低边FET作为撬棍，拉LODRV低。
低压侧抑制。连接到高侧和低侧FET的连接点，以控制反跨导和
消除直通电流。当撬棍配置模式禁用。
低电流检测。跨高侧FET的电流感应，连接到高侧FET的源极;为
可选电阻感测方案，连接到电流检测电阻的高侧FET的漏极侧串联
高侧FET的漏极。
低驱动。输出驱动同步整流器场效应管
过电流保护。电流限制跳闸点设置与IOUT和ANAGND之间的电阻分压器。
电源良好。电源良好信号变为高电平时，输出电压在电压通过VID针脚设置的7％。
漏极开路输出。
Slowstart （软启动） 。一个电容SLOWST到ANAGND设置slowstart时间。
Slowstart电流= I
VREFB
/5
12 V电源。一个1 μF陶瓷电容应连接在VCC到DRVGND 。
I
I
I
I
I
I
O
I
滞后设置引脚。滞后设置与VREFB一个电阻分压器来ANAGND 。
滞后窗口= 2
×
（ VREFB - VHYST ）
电压识别输入0
电压识别输入1
电压识别输入2
电压识别输入3
电压识别输入4.数字输入，设定转换器的输出电压。对于码型
将输出电压设置位于表1中。在内部被上拉至5伏由一个电阻分压器从VCC偏置。
从VID网络缓冲基准电压
电压检测输入。成连接到转换器的输出电压总线，以检测和控制输出电压。这是
推荐一个RC低通滤波器连接在这个引脚，以滤除噪声。
描述
抑制
IOUT
22
1
I
O
IOUTLO
21
O
LODRV
LOHIB
LOSENSE
10
11
20
I
I
I
LOWDR
OCP
PWRGD
SLOWST
V
CC
VHYST
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
VREFB
VSENSE
13
3
28
8
15
4
27
26
25
24
23
5
6
O
I
O
O
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
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