用户指南

SLUU526

–

2011年8月

使用TPS51916EVM -746完整的DDR2， DDR3 ，

DDR3L和DDR4内存电源解决方案同步

降压控制器， 2 -A LDO ，缓冲基准

该TPS51916EVM - 746评估模块（ EVM）允许用户评估的表现

TPS51916低压降（ LDO ）稳压器。该TPS51916提供一个完整的电源支持DDR2 ，

以最低的总成本和最小的空间DDR3 ， DDR3L和DDR4内存系统。 TPS51916

集成了一个同步降压控制器（ VDDQ ）与2 -A汇/源追踪LDO （ VTT ）及缓冲，

低噪声基准（ VTTREF ） 。

目录

1

描述

...................................................................................................................

3

1.1

典型应用

................................................................................................

3

1.2

特点

.............................................................................................................

3

电气性能规格

....................................................................................

3

概要

....................................................................................................................

5

测试设置

...................................................................................................................

6

4.1

测试设备

.....................................................................................................

6

4.2

推荐测试设置

.......................................................................................

7

CON连接gurations

...............................................................................................................

8

5.1

S3 ， S5选择启用

..........................................................................................

8

测试程序

..............................................................................................................

8

6.1

线路/负载调整率和效率的测量程序

..............................................

8

6.2

测试点列表

..................................................................................................

8

6.3

设备关闭

..............................................................................................

9

性能数据和典型特性曲线

.................................................................

9

7.1

DDR3 VDDQ效率

...........................................................................................

9

7.2

DDR3 VDDQ负载调节

..................................................................................

10

7.3

DDR3 VDDQ线路调整

..................................................................................

10

7.4

DDR3 VTT负载调节

....................................................................................

11

7.5

DDR3 VTTREF负载调节

...............................................................................

11

7.6

DDR3 VTT电压差

....................................................................................

12

7.7

DDR3 S5启用Turnon /关机

...............................................................................

12

7.8

S5启用Turnon 1 -V的预偏置在VDDQ

................................................................

13

7.9

DDR3 S3启用Turnon /关机（ S5为ON ）

................................................................

13

7.10 DDR3 VDDQ输出纹波

.....................................................................................

14

7.11 DDR3 VDDQ开关节点

..................................................................................

14

7.12 DDR3 VDDQ输出瞬态

.................................................................................

15

7.13 DDR3 VTT瞬态1.5 -A灌，拉电流

...........................................

15

7.14热像

....................................................................................................

16

7.15 DDR3 VDDQ波德图

.........................................................................................

16

7.16 DDR3 VTT波德图

............................................................................................

17

EVM装配图和PCB布局

.............................................................................

17

材料清单

.............................................................................................................

21

图列表

D- CAP2是德州仪器的商标。

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使用TPS51916EVM -746完整的DDR2， DDR3 ， DDR3L和DDR4

存储器电源解决方案同步降压控制器， 2 -A LDO ，缓冲

版权

2011年，德州仪器

参考

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www.ti.com

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14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

TPS51916EVM -746示意图

...........................................................................................

5

提示与桶测量方法VDDQ输出纹波

................................................................

6

.......................................................................

DDR3 VDDQ效率

....................................................................................................

DDR3 VDDQ负载调节

..........................................................................................

DDR3 VDDQ线路调整

...........................................................................................

DDR3 VTT负载调节

.............................................................................................

DDR3 VTTREF负载调节

........................................................................................

DDR3 VTT电压差

.............................................................................................

DDR3 S5启用Turnon

.................................................................................................

DDR3 S5关机启用

.................................................................................................

DDR3 S5启用Turnon采用1 -V预偏置在VDDQ

................................................................

DDR3 S3启用Turnon

.................................................................................................

DDR3 S3启用关机

.................................................................................................

DDR3 VDDQ输出纹波

.............................................................................................

DDR3 VDDQ开关节点

...........................................................................................

VDDQ输出瞬态从DCM到CCM

.........................................................................

VDDQ输出瞬态从CCM到DCM

.........................................................................

DDR3 VTT瞬态1.5 -A灌，拉电流

....................................................

顶板12输入电压， 1.5 VDDQ / 20 A，空载时VTT ， 25 ° C环境无气流

........................

DDR3 VDDQ波德图12输入电压， 1.5 VDDQ / 10 A

...................................................................

DDR3 VTT波德图12输入电压， 1.5 VDDQ / 0和1 VTT -A采购

...........................................

TPS51916EVM - 746顶层装配图

...................................................................

TPS51916EVM - 746底部装配图

......................................................................

TPS51916EVM - 746顶部铜

.......................................................................................

TPS51916EVM - 746二层铜

...................................................................................

TPS51916EVM - 746 3层铜

...................................................................................

TPS51916EVM - 746底部铜

...................................................................................

TPS51916EVM - 746推荐测试设置

表格清单

7

9

10

10

11

11

12

12

12

13

13

13

14

14

15

15

15

16

16

17

17

18

18

19

19

20

1

2

3

4

TPS51916EVM - 746电气性能规格

...........................................................

3

S3 ， S5选择启用

...................................................................................................

8

测试点功能

........................................................................................................

8

材料TPS51916EVM -746法案

....................................................................................

21

2

使用TPS51916EVM -746完整的DDR2， DDR3 ， DDR3L和DDR4

存储器电源解决方案同步降压控制器， 2 -A LDO ，缓冲

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描述

1

描述

该TPS51916EVM - 746被设计为使用稳压的12V总线产生稳定的1.5 VDDQ输出

在高达20的负载电流。该TPS51916EVM -746演示TPS51916在典型的DDR3

应用程序具有D-CAP2 - 模式运作。该EVM还提供了测试点来评估

该TPS51916的性能。

1.1

典型应用

DDR2 / DDR2 / DDR3L / DDR4内存电源

SSTL_18 ， SSTL_15 ， SSTL_135和HSTL终止

1.2

特点

该TPS51916EVM - 746的特点：

全瓷VDDQ输出电容器D- CAP2 - 模式运作

20 -ADC稳态VDDQ输出电流

支持VDDQ预偏置启动

SW1和SW2提供S3，S5的功率控制

可选的外部VLDOIN电压效率和灵活的操作

便捷的测试点，用于探测关键波形

2

电气性能规格

表1. TPS51916EVM -746电气性能规格

参数

输入特性

电压范围

VIN

V5IN

最大输入电流

空载输入电流

VDDQ输出

DDR3 （默认设置） ， R15 = 47.5k ， R16 = 2K

VDDQ输出电压

（ VDDQSNS ）

DDR2 ， R15 = R16 =打开

DDR3L ， R15 = 28K ， R16 = 2K

DDR4 ， R15 = 18.2k ， R16 = 2K

VDDQ输出电压调节

行规（ VIN = 8 V - 20 V ）

负载调整率（ VIN = 12 V，I

VDDQ

= 0 A–20 A)

输出电压纹波

输出负载电流

输出过流保护

开关频率

峰值效率

满载效率

VTT输出

VTT输出电压

VTT输出电流

对于DDR2 （ 0.9 VTT ）和DDR3 （ 0.75 VTT ）

对于DDR3L （ 0.675 VTT ）及DDR4 （ 0.6 VTT ）

|I

VTT

|

＆ LT ;

2 A， 1.4 V

≤

V

VDDQSNS

≤

1.8 V

|I

VTT

|

＆ LT ;

1.5 A ， 1.2 V

≤

V

VDDQSNS

＆ LT ;

1.4 V

–2

–1.5

–40

–40

VTTREF

2

1.5

40

40

V

A

A

mV

mV

VIN = 12 V ， 1.5 VDDQ / 8的

VIN = 12 V ， 1.5 VDDQ / 20 A

VIN = 12 V，I

VDDQ

= 20 A

0

30

500

90.93%

87.3%

1.5

1.8

1.35

1.2

0.2%

0.5%

20

20

mVpp的

A

A

千赫

V

V

V

V

VIN = 8 V，I

VDDQ

= 20 A

VIN = 20 V，I

VDDQ

= 0 A

8

4.5

12

5

4.21

0.1

20

5.5

A

mA

V

测试条件

民

典型值

最大

单位

VTT输出耐受VTTREF

VTTREF输出

VTTREF输出电压

VTTREF输出电流

VDDQSNS/2

–10

10

V

mA

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3

电气性能规格

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表1. TPS51916EVM -746电气性能规格（续）

参数

VTTREF输出容差

VDDQSNS

测试条件

|四

TTREF

|

＆ LT ;

100

A,

1.2 V

≤

V

VDDQSNS

≤

1.8 V

|四

TTREF

|

＆ LT ;

10毫安， 1.2 V

≤

V

VDDQSNS

＆ LT ;

1.8 V

工作温度

民

49.2%

49%

25

典型值

最大

50.8%

51%

C

单位

4

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概要

图1. TPS51916EVM -746示意图

+

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