TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
www.ti.com
SLUSAQ2
–
2012年1月
双通道（ 3相CPU / 1相GPU） SVID ， D- CAP + 降压控制器
IMVP - 7 V
CORE
两个集成的驱动器
1
特点
英特尔IMVP- 7串行VID （ SVID ）要求
支持CPU和GPU输出
CPU通道1 ，2或3相
单相GPU通道
全IMVP- 7手机功能集，包括
数字电流监控
8位DAC， 0.250 V至1.52 V输出范围
在轻载和重载优化效率
V
CORE
超调还原（ OSR ）
V
CORE
冲还原（ USR ）
准确，可调电压定位
8个独立的频率选择每
信道（ CPU / GPU ）
正在申请专利的自动平衡相
平衡
可选择8级限流
3 V至28 V转换电压范围
两个集成的快速FET驱动器瓦特/综合
升压FET
对于使用与内部驱动器旁路模式
的DrMOS器件
6小
×
6 ， 48引脚QFN封装，使用PowerPad
包
2
描述
该TPS51640A ， TPS59640和TPS59641是
双通道，完全符合SVID IMVP- 7降压
控制器有两个集成的栅极驱动器。先进
控制功能，如D- CAP +架构
重叠的脉冲支持（冲减少，
USR ）和超调还原（ OSR ）提供快速
瞬态响应，最小的输出电容和
高效率。所有这些控制器还支持
对于轻负载的单相运行。全
的IMVP - 7的I / O恭维集成到
控制器包括双PGOOD信号， ALERT
和VR_HOT 。 V的可调节控制
CORE
压摆率
和电压定位圆了IMVP- 7
功能。此外，控制器的CPU的通道
包括两个大电流场效应管栅极驱动器来驱动
高侧和低侧N型沟道FET用
异常高的速度和低的开关损耗。该
TPS51601或TPS51601A驱动程序用于第三
在CPU和GPU的信道的相位。
的引导电压（V
BOOT
）上的TPS51640A和
TPS59640为0 V的TPS59641是专
设计的V
BOOT
1.1 V.水平
这些控制器被封装在一个节省空间的
耐热增强型48引脚QFN封装。该TPS51640A是
额定工作距离
–10°C
至105℃ 。该
TPS59640与TPS59641的额定工作
从
–40°C
至105℃ 。
应用
IMVP - 7 V
CORE
应用程序适配器，
电池， NVDC或3 V / 5 V / 12 V轨
简化应用
3相CPU
调节器
国内
FET驱动器
TPS51601
FET驱动器
国内
FET驱动器
CPU功率级
VCC_CPU
处理器
IMVP-7
SVID接口
1相GPU
调节器
TPS51640
TPS51601
FET驱动器
GPU功率级
VCC_GFX
UDG-11062
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D- CAP + ，使用PowerPad ， D- CAP是德州仪器的商标。
版权
2012年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
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2012年1月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1) (2)
T
A
–10°C
至105℃
塑料方形扁平
封装（QFN ）
–40°C
至105℃
1.1
(1)
(2)
(3)
包
V
BOOT
(V)
0
0
订购
数
TPS51640ARSLT
TPS51640ARSLR
TPS59640RSLT
TPS59640RSLR
TPS59641RSLT
(3)
TPS59641RSLTR
(3)
引脚
运输
媒体
最低
QUANTITY
250
2500
250
2500
250
2500
环保计划
48
带盘式
绿色环保（RoHS和
无锑/溴）
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在这个文件的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
产品预览。当前不可用。
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
VBAT
CSW1 ， CSW2
CDH1到CSW1 ; CDH2到CSW2 ; CBST1到CSW1 ; CBST2到CSW2
输入电压
CTHERM ， CCOMP ， CF- IMAX ， GF- IMAX ， GCOMP ， GTHERM ，
V5DRV ， V5
COCP -I ， CCSP1 ， CCSP2 ， CCSP3 ， CCSN1 ， CCSN2 ， CCSN3 ， CVFB ，
CGFB ， V3R3 ， VR_ON ， VCLK ， VDIO ， SLEWA ， GGFB ， GVFB ， GCSN ，
GCSP ， GOCP -I ，
保护地
VREF
输出电压
CPGOOD ，机警， VR_HOT ， GPGOOD ， CIMON ， GIMON
CPWM3 ， CSKIP ， GPWM ， GSKIP ， CDL1 ， CDL2
Electrotatic放电
工作结温，T
J
贮藏温度，T
英镑
(1)
(2)
（ HBM ） QSS 009-105 （ JESD22- A114A ）
（ CDM ） QSS 009-147 （ JESD22- C101B.01 ）
–0.3
–6.0
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
1.5
500
-40
-55
125
150
典型最大单位
32
32
6.0
6.0
V
3.6
0.3
1.8
3.6
6.0
kV
V
°C
°C
V
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出任何其他条件的功能操作下，推荐工作指示
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。
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热信息
热公制
(1)
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
RSL
48针
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
31.7
19.8
7.1
0.3
7.1
2.1
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
推荐工作条件
民
VBAT
CSW1 ， CSW2
CDH1到CSW1 ; CDH2到CSW2 ; CBST1到CSW1 ; CBST2到
CSW2
V5DRV ， V5
V3R3
输入电压
CCOMP ， GCOMP
CTHERM ， GTHERM
CF- IMAX ， GF- IMAX ， COCP -I ， GOCP -I
CCSP1 ， CCSP2 ， CCSP3 ， CCSN1 ， CCSN2 ， CCSN3 ， CVFB ， CGFB ，
GGFB ， GVFB ， GCSN ， GCSP ，
VR_ON ， VCLK ， VDIO ， SLEWA ，
保护地
VREF
输出电压
CIMON ， GIMON
CPGOOD ，机警， VR_HOT ， GPGOOD ，
CPWM3 ， CSKIP ， GPWM ， GSKIP ， CDL1 ， CDL2 ，
工作自由的空气温度，T
A
TPS51460A
TPS59640,TPS59641
–0.1
–3.0
–0.1
4.5
3.1
–0.1
0.1
0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–10
–40
典型值
最大
28
30
5.5
5.5
3.5
2.5
3.6
1.7
1.7
3.5
0.1
1.72
V
VREF
V
V3R3
V
V5
105
105
°C
V
V
单位
版权
2012年，德州仪器
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电气特性
在推荐的自由空气的温度范围内，V
V5
= V
V5DRV
= 5.0 V; V
V3R3
= 3.3 V; V
xGFB
= V
保护地
= V
GND
, V
XVFB
= V
CORE
（除非另有说明）
参数
供应： CURRENTS ， UVLO和上电复位
I
V5-4
I
V5-3
I
V5-2
I
V5-PS3
I
V5STBY
V
UVLOH
V
UVLOL
I
V3R3
I
V3R3SBY
V
3UVLOH
V
3UVLOL
V5电源电流CPU ： 3相我
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 1相有功
VR_ON =
“嗨”
V5电源电流CPU： 2 - I期
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 1相有功
VR_ON =
Hi ，
V
CCSP3
=3.3 V
V5电源电流CPU ： 1 ，第一阶段
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 1相有功
VR_ON =
Hi ，
V
CCSP3
= V
CCSP2
= 3.3 V
I
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
V5电源电流CPU ： 3相
VR_ON =
Hi ，
SetPS = PS3
积极GPU ： 1相有功
（注： 3相CPU进入单相在PS3 ）
V5DRV待机电流
V5 UVLO
“行”
门槛
V5 UVLO故障阈值
V3R3电源电流
V3R3待机电流
V3R3 UVLO
“行”
门槛
V3R3 UVLO故障阈值
VR_ON =
“ LO ” ，
I
V5
+ I
V5DRV
斜升， VR_ON =' HI ' ，
减速， VR_ON =
Hi ，
SVID总线空闲， VR_ON =
“嗨”
VR_ON =
“罗”
斜升， VR_ON =' HI ' ，
减速， VR_ON =
Hi ，
TPS59640
TPS51640A
TPS59641
V
VIDSTP
VID步长
0.25
≤
V
XVFB
≤
0.995V,
I
xPU_CORE
= 0 ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
85°C
V
DAC1
XVFB宽容空载活跃
0.25
≤
V
XVFB
≤
0.995V,
I
xPU_CORE
= 0 A,
–40°C ≤
T
A
≤
105°C
1.000V
≤
V
XVFB
≤
1.520 V,
I
xPU_CORE
= 0 ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
85°C
V
DAC4
XVFB公差大于1 V VID
1.000V
≤
V
XVFB
≤
1.520 V,
I
xPU_CORE
= 0 A,
–40°C ≤
T
A
≤
105°C
4.5 V
≤
V
V5
≤
5.5 V，I
VREF
= 0 A
0
A ≤
I
VREF
≤
500
A
–500 A ≤
I
VREF
≤
0
A
软停止晶体管导通，在这一点上。
V
XVFB
=2 V, V
xGFB
=0 V
V
XVFB
=2 V, V
xGFB
=0 V
-40
–4
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
–5
–6
–0.5%
–0.65%
1.70
–0.1
0.1
200
20
-20
1
* ： CS
= 0 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
* ： CS
= 15.6 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
* ： CS
= 31.1 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
* ： CS
= 62.3 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
35
425
850
1700
4
300
40
2.5
2.4
2.9
2.7
4.25
3.95
6.0
5.5
4.9
9.0
mA
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
5.1
10
4.4
4.2
0.5
20
4.5
4.3
1.0
10
3.0
2.8
mA
A
V
V
mA
A
V
V
参考文献： DAC ， VREF ， VBOOT和DRVL排放量的CPU和GPU
V
BOOT
启动电压
0
1.1
5
5
8.3
mV
0.5%
1.0%
V
mV
mV
mV
A
A
V/V
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
VREF
V
VREFSRC
V
VREFSNK
V
DLDQ
I
XVFB
I
xGFB
A
GAINGND
V
CiMONLK
V
CIMONLO
V
CIMONMID
V
CIMONHI
VREF输出
VREF输出源
VREF输出水槽
DRVL放电阈值
XVFB输入偏置电流
xGFB输入偏置电流
xGFB / GND增益
零电平输出电流
低电平电流输出
中间层的电流输出
高水平的电流输出
电感器的过零门槛
电压
电压检测： XVFB和xGFB两个CPU和GPU
电流监视器
过零
V
Zx
0
mV
4
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2012年，德州仪器
TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
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2012年1月
电气特性（续）
在推荐的自由空气的温度范围内，V
V5
= V
V5DRV
= 5.0 V; V
V3R3
= 3.3 V; V
xGFB
= V
保护地
= V
GND
, V
XVFB
= V
CORE
（除非另有说明）
参数
测试条件
TPS51640A
R
xOCP -I
= 20 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 24 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 30 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 39 kΩ
V
OCPP
OCP电压（谷值电流
极限）
R
xOCP -I
= 56 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 75 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 100 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 150 kΩ
V
IMAX_MIN
= 133 mV时， xIMAX的价值，
V
IMAX
= V
REF
×
I
最大
/ 255
V
IMAX_MAX
= 653mV ， xIMAX价值
I
CS
I
xVFBDQ
CS引脚的输入偏置电流
XVFB输入偏置电流，
放电
下垂放大器
跨
内部电流耐受份额
内部电流检测增益
CSPX和CSNx
软停止结束， XVFB = 100mV的
TPS51640A
XVFB = 1 V
(V
CSP1
–
V
CSN1
) = (V
CSP2
–
V
CSN2
) =
(V
CSP3
–
V
CSN3
) = V
OCPP_MIN
从CSPX获得
–
CSNx到PWM比较器
TPS59640
TPS59641
–1.0
90
486
480
–3%
11.65
12.00
TPS59640
TPS59641
民
5.1
4.6
8.1
7.6
12.1
11.6
17.1
16.6
23.1
22.6
29.7
29.2
37.9
37.4
46.8
46.2
典型值
7.0
7.0
10.0
10.0
14.0
14.0
19.0
19.0
25.0
25.0
32.0
32.0
40.0
40.0
49.0
49.0
20
98
0.2
125
497
497
1.0
180
518
518
+3%
12.30
V/V
S
最大
9.7
9.7
12.6
13.1
16.7
17.2
21.7
22.2
27.9
28.4
35.0
35.5
43.3
43.8
52.6
53.1
A
A
A
A
mV
单位
电流检测：过流，过零点，电压定位和相平衡
V
IMAX
IMAX值两个通道
G
M- DROOP
I
BAL_TOL
A
CSINT
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TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
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–
2012年1月
双通道（ 3相CPU / 1相GPU） SVID ， D- CAP + 降压控制器
IMVP - 7 V
CORE
两个集成的驱动器
1
特点
英特尔IMVP- 7串行VID （ SVID ）要求
支持CPU和GPU输出
CPU通道1 ，2或3相
单相GPU通道
全IMVP- 7手机功能集，包括
数字电流监控
8位DAC， 0.250 V至1.52 V输出范围
在轻载和重载优化效率
V
CORE
超调还原（ OSR ）
V
CORE
冲还原（ USR ）
准确，可调电压定位
8个独立的频率选择每
信道（ CPU / GPU ）
正在申请专利的自动平衡相
平衡
可选择8级限流
3 V至28 V转换电压范围
两个集成的快速FET驱动器瓦特/综合
升压FET
对于使用与内部驱动器旁路模式
的DrMOS器件
6小
×
6 ， 48引脚QFN封装，使用PowerPad
包
2
描述
该TPS51640A ， TPS59640和TPS59641是
双通道，完全符合SVID IMVP- 7降压
控制器有两个集成的栅极驱动器。先进
控制功能，如D- CAP +架构
重叠的脉冲支持（冲减少，
USR ）和超调还原（ OSR ）提供快速
瞬态响应，最小的输出电容和
高效率。所有这些控制器还支持
对于轻负载的单相运行。全
的IMVP - 7的I / O恭维集成到
控制器包括双PGOOD信号， ALERT
和VR_HOT 。 V的可调节控制
CORE
压摆率
和电压定位圆了IMVP- 7
功能。此外，控制器的CPU的通道
包括两个大电流场效应管栅极驱动器来驱动
高侧和低侧N型沟道FET用
异常高的速度和低的开关损耗。该
TPS51601或TPS51601A驱动程序用于第三
在CPU和GPU的信道的相位。
的引导电压（V
BOOT
）上的TPS51640A和
TPS59640为0 V的TPS59641是专
设计的V
BOOT
1.1 V.水平
这些控制器被封装在一个节省空间的
耐热增强型48引脚QFN封装。该TPS51640A是
额定工作距离
–10°C
至105℃ 。该
TPS59640与TPS59641的额定工作
从
–40°C
至105℃ 。
应用
IMVP - 7 V
CORE
应用程序适配器，
电池， NVDC或3 V / 5 V / 12 V轨
简化应用
3相CPU
调节器
国内
FET驱动器
TPS51601
FET驱动器
国内
FET驱动器
CPU功率级
VCC_CPU
处理器
IMVP-7
SVID接口
1相GPU
调节器
TPS51640
TPS51601
FET驱动器
GPU功率级
VCC_GFX
UDG-11062
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D- CAP + ，使用PowerPad ， D- CAP是德州仪器的商标。
版权
2012年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
SLUSAQ2
–
2012年1月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1) (2)
T
A
–10°C
至105℃
塑料方形扁平
封装（QFN ）
–40°C
至105℃
1.1
(1)
(2)
(3)
包
V
BOOT
(V)
0
0
订购
数
TPS51640ARSLT
TPS51640ARSLR
TPS59640RSLT
TPS59640RSLR
TPS59641RSLT
(3)
TPS59641RSLTR
(3)
引脚
运输
媒体
最低
QUANTITY
250
2500
250
2500
250
2500
环保计划
48
带盘式
绿色环保（RoHS和
无锑/溴）
对于最新的封装和订购信息，请参阅
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绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
VBAT
CSW1 ， CSW2
CDH1到CSW1 ; CDH2到CSW2 ; CBST1到CSW1 ; CBST2到CSW2
输入电压
CTHERM ， CCOMP ， CF- IMAX ， GF- IMAX ， GCOMP ， GTHERM ，
V5DRV ， V5
COCP -I ， CCSP1 ， CCSP2 ， CCSP3 ， CCSN1 ， CCSN2 ， CCSN3 ， CVFB ，
CGFB ， V3R3 ， VR_ON ， VCLK ， VDIO ， SLEWA ， GGFB ， GVFB ， GCSN ，
GCSP ， GOCP -I ，
保护地
VREF
输出电压
CPGOOD ，机警， VR_HOT ， GPGOOD ， CIMON ， GIMON
CPWM3 ， CSKIP ， GPWM ， GSKIP ， CDL1 ， CDL2
Electrotatic放电
工作结温，T
J
贮藏温度，T
英镑
(1)
(2)
（ HBM ） QSS 009-105 （ JESD22- A114A ）
（ CDM ） QSS 009-147 （ JESD22- C101B.01 ）
–0.3
–6.0
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
1.5
500
-40
-55
125
150
典型最大单位
32
32
6.0
6.0
V
3.6
0.3
1.8
3.6
6.0
kV
V
°C
°C
V
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出任何其他条件的功能操作下，推荐工作指示
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。
2
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2012年，德州仪器
TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
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–
2012年1月
热信息
热公制
(1)
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
RSL
48针
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
31.7
19.8
7.1
0.3
7.1
2.1
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
推荐工作条件
民
VBAT
CSW1 ， CSW2
CDH1到CSW1 ; CDH2到CSW2 ; CBST1到CSW1 ; CBST2到
CSW2
V5DRV ， V5
V3R3
输入电压
CCOMP ， GCOMP
CTHERM ， GTHERM
CF- IMAX ， GF- IMAX ， COCP -I ， GOCP -I
CCSP1 ， CCSP2 ， CCSP3 ， CCSN1 ， CCSN2 ， CCSN3 ， CVFB ， CGFB ，
GGFB ， GVFB ， GCSN ， GCSP ，
VR_ON ， VCLK ， VDIO ， SLEWA ，
保护地
VREF
输出电压
CIMON ， GIMON
CPGOOD ，机警， VR_HOT ， GPGOOD ，
CPWM3 ， CSKIP ， GPWM ， GSKIP ， CDL1 ， CDL2 ，
工作自由的空气温度，T
A
TPS51460A
TPS59640,TPS59641
–0.1
–3.0
–0.1
4.5
3.1
–0.1
0.1
0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–10
–40
典型值
最大
28
30
5.5
5.5
3.5
2.5
3.6
1.7
1.7
3.5
0.1
1.72
V
VREF
V
V3R3
V
V5
105
105
°C
V
V
单位
版权
2012年，德州仪器
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3
TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
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电气特性
在推荐的自由空气的温度范围内，V
V5
= V
V5DRV
= 5.0 V; V
V3R3
= 3.3 V; V
xGFB
= V
保护地
= V
GND
, V
XVFB
= V
CORE
（除非另有说明）
参数
供应： CURRENTS ， UVLO和上电复位
I
V5-4
I
V5-3
I
V5-2
I
V5-PS3
I
V5STBY
V
UVLOH
V
UVLOL
I
V3R3
I
V3R3SBY
V
3UVLOH
V
3UVLOL
V5电源电流CPU ： 3相我
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 1相有功
VR_ON =
“嗨”
V5电源电流CPU： 2 - I期
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 1相有功
VR_ON =
Hi ，
V
CCSP3
=3.3 V
V5电源电流CPU ： 1 ，第一阶段
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 1相有功
VR_ON =
Hi ，
V
CCSP3
= V
CCSP2
= 3.3 V
I
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
V5电源电流CPU ： 3相
VR_ON =
Hi ，
SetPS = PS3
积极GPU ： 1相有功
（注： 3相CPU进入单相在PS3 ）
V5DRV待机电流
V5 UVLO
“行”
门槛
V5 UVLO故障阈值
V3R3电源电流
V3R3待机电流
V3R3 UVLO
“行”
门槛
V3R3 UVLO故障阈值
VR_ON =
“ LO ” ，
I
V5
+ I
V5DRV
斜升， VR_ON =' HI ' ，
减速， VR_ON =
Hi ，
SVID总线空闲， VR_ON =
“嗨”
VR_ON =
“罗”
斜升， VR_ON =' HI ' ，
减速， VR_ON =
Hi ，
TPS59640
TPS51640A
TPS59641
V
VIDSTP
VID步长
0.25
≤
V
XVFB
≤
0.995V,
I
xPU_CORE
= 0 ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
85°C
V
DAC1
XVFB宽容空载活跃
0.25
≤
V
XVFB
≤
0.995V,
I
xPU_CORE
= 0 A,
–40°C ≤
T
A
≤
105°C
1.000V
≤
V
XVFB
≤
1.520 V,
I
xPU_CORE
= 0 ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
85°C
V
DAC4
XVFB公差大于1 V VID
1.000V
≤
V
XVFB
≤
1.520 V,
I
xPU_CORE
= 0 A,
–40°C ≤
T
A
≤
105°C
4.5 V
≤
V
V5
≤
5.5 V，I
VREF
= 0 A
0
A ≤
I
VREF
≤
500
A
–500 A ≤
I
VREF
≤
0
A
软停止晶体管导通，在这一点上。
V
XVFB
=2 V, V
xGFB
=0 V
V
XVFB
=2 V, V
xGFB
=0 V
-40
–4
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
–5
–6
–0.5%
–0.65%
1.70
–0.1
0.1
200
20
-20
1
* ： CS
= 0 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
* ： CS
= 15.6 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
* ： CS
= 31.1 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
* ： CS
= 62.3 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
35
425
850
1700
4
300
40
2.5
2.4
2.9
2.7
4.25
3.95
6.0
5.5
4.9
9.0
mA
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
5.1
10
4.4
4.2
0.5
20
4.5
4.3
1.0
10
3.0
2.8
mA
A
V
V
mA
A
V
V
参考文献： DAC ， VREF ， VBOOT和DRVL排放量的CPU和GPU
V
BOOT
启动电压
0
1.1
5
5
8.3
mV
0.5%
1.0%
V
mV
mV
mV
A
A
V/V
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
VREF
V
VREFSRC
V
VREFSNK
V
DLDQ
I
XVFB
I
xGFB
A
GAINGND
V
CiMONLK
V
CIMONLO
V
CIMONMID
V
CIMONHI
VREF输出
VREF输出源
VREF输出水槽
DRVL放电阈值
XVFB输入偏置电流
xGFB输入偏置电流
xGFB / GND增益
零电平输出电流
低电平电流输出
中间层的电流输出
高水平的电流输出
电感器的过零门槛
电压
电压检测： XVFB和xGFB两个CPU和GPU
电流监视器
过零
V
Zx
0
mV
4
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TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
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2012年1月
电气特性（续）
在推荐的自由空气的温度范围内，V
V5
= V
V5DRV
= 5.0 V; V
V3R3
= 3.3 V; V
xGFB
= V
保护地
= V
GND
, V
XVFB
= V
CORE
（除非另有说明）
参数
测试条件
TPS51640A
R
xOCP -I
= 20 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 24 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 30 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 39 kΩ
V
OCPP
OCP电压（谷值电流
极限）
R
xOCP -I
= 56 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 75 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 100 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 150 kΩ
V
IMAX_MIN
= 133 mV时， xIMAX的价值，
V
IMAX
= V
REF
×
I
最大
/ 255
V
IMAX_MAX
= 653mV ， xIMAX价值
I
CS
I
xVFBDQ
CS引脚的输入偏置电流
XVFB输入偏置电流，
放电
下垂放大器
跨
内部电流耐受份额
内部电流检测增益
CSPX和CSNx
软停止结束， XVFB = 100mV的
TPS51640A
XVFB = 1 V
(V
CSP1
–
V
CSN1
) = (V
CSP2
–
V
CSN2
) =
(V
CSP3
–
V
CSN3
) = V
OCPP_MIN
从CSPX获得
–
CSNx到PWM比较器
TPS59640
TPS59641
–1.0
90
486
480
–3%
11.65
12.00
TPS59640
TPS59641
民
5.1
4.6
8.1
7.6
12.1
11.6
17.1
16.6
23.1
22.6
29.7
29.2
37.9
37.4
46.8
46.2
典型值
7.0
7.0
10.0
10.0
14.0
14.0
19.0
19.0
25.0
25.0
32.0
32.0
40.0
40.0
49.0
49.0
20
98
0.2
125
497
497
1.0
180
518
518
+3%
12.30
V/V
S
最大
9.7
9.7
12.6
13.1
16.7
17.2
21.7
22.2
27.9
28.4
35.0
35.5
43.3
43.8
52.6
53.1
A
A
A
A
mV
单位
电流检测：过流，过零点，电压定位和相平衡
V
IMAX
IMAX值两个通道
G
M- DROOP
I
BAL_TOL
A
CSINT
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TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
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2012年1月
双通道（ 3相CPU / 1相GPU） SVID ， D- CAP + 降压控制器
IMVP - 7 V
CORE
两个集成的驱动器
1
特点
英特尔IMVP- 7串行VID （ SVID ）要求
支持CPU和GPU输出
CPU通道1 ，2或3相
单相GPU通道
全IMVP- 7手机功能集，包括
数字电流监控
8位DAC， 0.250 V至1.52 V输出范围
在轻载和重载优化效率
V
CORE
超调还原（ OSR ）
V
CORE
冲还原（ USR ）
准确，可调电压定位
8个独立的频率选择每
信道（ CPU / GPU ）
正在申请专利的自动平衡相
平衡
可选择8级限流
3 V至28 V转换电压范围
两个集成的快速FET驱动器瓦特/综合
升压FET
对于使用与内部驱动器旁路模式
的DrMOS器件
6小
×
6 ， 48引脚QFN封装，使用PowerPad
包
2
描述
该TPS51640A ， TPS59640和TPS59641是
双通道，完全符合SVID IMVP- 7降压
控制器有两个集成的栅极驱动器。先进
控制功能，如D- CAP +架构
重叠的脉冲支持（冲减少，
USR ）和超调还原（ OSR ）提供快速
瞬态响应，最小的输出电容和
高效率。所有这些控制器还支持
对于轻负载的单相运行。全
的IMVP - 7的I / O恭维集成到
控制器包括双PGOOD信号， ALERT
和VR_HOT 。 V的可调节控制
CORE
压摆率
和电压定位圆了IMVP- 7
功能。此外，控制器的CPU的通道
包括两个大电流场效应管栅极驱动器来驱动
高侧和低侧N型沟道FET用
异常高的速度和低的开关损耗。该
TPS51601或TPS51601A驱动程序用于第三
在CPU和GPU的信道的相位。
的引导电压（V
BOOT
）上的TPS51640A和
TPS59640为0 V的TPS59641是专
设计的V
BOOT
1.1 V.水平
这些控制器被封装在一个节省空间的
耐热增强型48引脚QFN封装。该TPS51640A是
额定工作距离
–10°C
至105℃ 。该
TPS59640与TPS59641的额定工作
从
–40°C
至105℃ 。
应用
IMVP - 7 V
CORE
应用程序适配器，
电池， NVDC或3 V / 5 V / 12 V轨
简化应用
3相CPU
调节器
国内
FET驱动器
TPS51601
FET驱动器
国内
FET驱动器
CPU功率级
VCC_CPU
处理器
IMVP-7
SVID接口
1相GPU
调节器
TPS51640
TPS51601
FET驱动器
GPU功率级
VCC_GFX
UDG-11062
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D- CAP + ，使用PowerPad ， D- CAP是德州仪器的商标。
版权
2012年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1) (2)
T
A
–10°C
至105℃
塑料方形扁平
封装（QFN ）
–40°C
至105℃
1.1
(1)
(2)
(3)
包
V
BOOT
(V)
0
0
订购
数
TPS51640ARSLT
TPS51640ARSLR
TPS59640RSLT
TPS59640RSLR
TPS59641RSLT
(3)
TPS59641RSLTR
(3)
引脚
运输
媒体
最低
QUANTITY
250
2500
250
2500
250
2500
环保计划
48
带盘式
绿色环保（RoHS和
无锑/溴）
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在这个文件的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
产品预览。当前不可用。
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
VBAT
CSW1 ， CSW2
CDH1到CSW1 ; CDH2到CSW2 ; CBST1到CSW1 ; CBST2到CSW2
输入电压
CTHERM ， CCOMP ， CF- IMAX ， GF- IMAX ， GCOMP ， GTHERM ，
V5DRV ， V5
COCP -I ， CCSP1 ， CCSP2 ， CCSP3 ， CCSN1 ， CCSN2 ， CCSN3 ， CVFB ，
CGFB ， V3R3 ， VR_ON ， VCLK ， VDIO ， SLEWA ， GGFB ， GVFB ， GCSN ，
GCSP ， GOCP -I ，
保护地
VREF
输出电压
CPGOOD ，机警， VR_HOT ， GPGOOD ， CIMON ， GIMON
CPWM3 ， CSKIP ， GPWM ， GSKIP ， CDL1 ， CDL2
Electrotatic放电
工作结温，T
J
贮藏温度，T
英镑
(1)
(2)
（ HBM ） QSS 009-105 （ JESD22- A114A ）
（ CDM ） QSS 009-147 （ JESD22- C101B.01 ）
–0.3
–6.0
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
1.5
500
-40
-55
125
150
典型最大单位
32
32
6.0
6.0
V
3.6
0.3
1.8
3.6
6.0
kV
V
°C
°C
V
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出任何其他条件的功能操作下，推荐工作指示
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。
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TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
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热信息
热公制
(1)
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
RSL
48针
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
31.7
19.8
7.1
0.3
7.1
2.1
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
推荐工作条件
民
VBAT
CSW1 ， CSW2
CDH1到CSW1 ; CDH2到CSW2 ; CBST1到CSW1 ; CBST2到
CSW2
V5DRV ， V5
V3R3
输入电压
CCOMP ， GCOMP
CTHERM ， GTHERM
CF- IMAX ， GF- IMAX ， COCP -I ， GOCP -I
CCSP1 ， CCSP2 ， CCSP3 ， CCSN1 ， CCSN2 ， CCSN3 ， CVFB ， CGFB ，
GGFB ， GVFB ， GCSN ， GCSP ，
VR_ON ， VCLK ， VDIO ， SLEWA ，
保护地
VREF
输出电压
CIMON ， GIMON
CPGOOD ，机警， VR_HOT ， GPGOOD ，
CPWM3 ， CSKIP ， GPWM ， GSKIP ， CDL1 ， CDL2 ，
工作自由的空气温度，T
A
TPS51460A
TPS59640,TPS59641
–0.1
–3.0
–0.1
4.5
3.1
–0.1
0.1
0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–10
–40
典型值
最大
28
30
5.5
5.5
3.5
2.5
3.6
1.7
1.7
3.5
0.1
1.72
V
VREF
V
V3R3
V
V5
105
105
°C
V
V
单位
版权
2012年，德州仪器
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3
TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
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电气特性
在推荐的自由空气的温度范围内，V
V5
= V
V5DRV
= 5.0 V; V
V3R3
= 3.3 V; V
xGFB
= V
保护地
= V
GND
, V
XVFB
= V
CORE
（除非另有说明）
参数
供应： CURRENTS ， UVLO和上电复位
I
V5-4
I
V5-3
I
V5-2
I
V5-PS3
I
V5STBY
V
UVLOH
V
UVLOL
I
V3R3
I
V3R3SBY
V
3UVLOH
V
3UVLOL
V5电源电流CPU ： 3相我
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 1相有功
VR_ON =
“嗨”
V5电源电流CPU： 2 - I期
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 1相有功
VR_ON =
Hi ，
V
CCSP3
=3.3 V
V5电源电流CPU ： 1 ，第一阶段
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 1相有功
VR_ON =
Hi ，
V
CCSP3
= V
CCSP2
= 3.3 V
I
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
V5电源电流CPU ： 3相
VR_ON =
Hi ，
SetPS = PS3
积极GPU ： 1相有功
（注： 3相CPU进入单相在PS3 ）
V5DRV待机电流
V5 UVLO
“行”
门槛
V5 UVLO故障阈值
V3R3电源电流
V3R3待机电流
V3R3 UVLO
“行”
门槛
V3R3 UVLO故障阈值
VR_ON =
“ LO ” ，
I
V5
+ I
V5DRV
斜升， VR_ON =' HI ' ，
减速， VR_ON =
Hi ，
SVID总线空闲， VR_ON =
“嗨”
VR_ON =
“罗”
斜升， VR_ON =' HI ' ，
减速， VR_ON =
Hi ，
TPS59640
TPS51640A
TPS59641
V
VIDSTP
VID步长
0.25
≤
V
XVFB
≤
0.995V,
I
xPU_CORE
= 0 ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
85°C
V
DAC1
XVFB宽容空载活跃
0.25
≤
V
XVFB
≤
0.995V,
I
xPU_CORE
= 0 A,
–40°C ≤
T
A
≤
105°C
1.000V
≤
V
XVFB
≤
1.520 V,
I
xPU_CORE
= 0 ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
85°C
V
DAC4
XVFB公差大于1 V VID
1.000V
≤
V
XVFB
≤
1.520 V,
I
xPU_CORE
= 0 A,
–40°C ≤
T
A
≤
105°C
4.5 V
≤
V
V5
≤
5.5 V，I
VREF
= 0 A
0
A ≤
I
VREF
≤
500
A
–500 A ≤
I
VREF
≤
0
A
软停止晶体管导通，在这一点上。
V
XVFB
=2 V, V
xGFB
=0 V
V
XVFB
=2 V, V
xGFB
=0 V
-40
–4
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
–5
–6
–0.5%
–0.65%
1.70
–0.1
0.1
200
20
-20
1
* ： CS
= 0 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
* ： CS
= 15.6 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
* ： CS
= 31.1 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
* ： CS
= 62.3 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
35
425
850
1700
4
300
40
2.5
2.4
2.9
2.7
4.25
3.95
6.0
5.5
4.9
9.0
mA
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
5.1
10
4.4
4.2
0.5
20
4.5
4.3
1.0
10
3.0
2.8
mA
A
V
V
mA
A
V
V
参考文献： DAC ， VREF ， VBOOT和DRVL排放量的CPU和GPU
V
BOOT
启动电压
0
1.1
5
5
8.3
mV
0.5%
1.0%
V
mV
mV
mV
A
A
V/V
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
VREF
V
VREFSRC
V
VREFSNK
V
DLDQ
I
XVFB
I
xGFB
A
GAINGND
V
CiMONLK
V
CIMONLO
V
CIMONMID
V
CIMONHI
VREF输出
VREF输出源
VREF输出水槽
DRVL放电阈值
XVFB输入偏置电流
xGFB输入偏置电流
xGFB / GND增益
零电平输出电流
低电平电流输出
中间层的电流输出
高水平的电流输出
电感器的过零门槛
电压
电压检测： XVFB和xGFB两个CPU和GPU
电流监视器
过零
V
Zx
0
mV
4
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TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
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2012年1月
电气特性（续）
在推荐的自由空气的温度范围内，V
V5
= V
V5DRV
= 5.0 V; V
V3R3
= 3.3 V; V
xGFB
= V
保护地
= V
GND
, V
XVFB
= V
CORE
（除非另有说明）
参数
测试条件
TPS51640A
R
xOCP -I
= 20 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 24 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 30 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 39 kΩ
V
OCPP
OCP电压（谷值电流
极限）
R
xOCP -I
= 56 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 75 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 100 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 150 kΩ
V
IMAX_MIN
= 133 mV时， xIMAX的价值，
V
IMAX
= V
REF
×
I
最大
/ 255
V
IMAX_MAX
= 653mV ， xIMAX价值
I
CS
I
xVFBDQ
CS引脚的输入偏置电流
XVFB输入偏置电流，
放电
下垂放大器
跨
内部电流耐受份额
内部电流检测增益
CSPX和CSNx
软停止结束， XVFB = 100mV的
TPS51640A
XVFB = 1 V
(V
CSP1
–
V
CSN1
) = (V
CSP2
–
V
CSN2
) =
(V
CSP3
–
V
CSN3
) = V
OCPP_MIN
从CSPX获得
–
CSNx到PWM比较器
TPS59640
TPS59641
–1.0
90
486
480
–3%
11.65
12.00
TPS59640
TPS59641
民
5.1
4.6
8.1
7.6
12.1
11.6
17.1
16.6
23.1
22.6
29.7
29.2
37.9
37.4
46.8
46.2
典型值
7.0
7.0
10.0
10.0
14.0
14.0
19.0
19.0
25.0
25.0
32.0
32.0
40.0
40.0
49.0
49.0
20
98
0.2
125
497
497
1.0
180
518
518
+3%
12.30
V/V
S
最大
9.7
9.7
12.6
13.1
16.7
17.2
21.7
22.2
27.9
28.4
35.0
35.5
43.3
43.8
52.6
53.1
A
A
A
A
mV
单位
电流检测：过流，过零点，电压定位和相平衡
V
IMAX
IMAX值两个通道
G
M- DROOP
I
BAL_TOL
A
CSINT
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双通道（ 3相CPU / 1相GPU） SVID ， D- CAP + 降压控制器
IMVP - 7 V
CORE
两个集成的驱动器
1
特点
英特尔IMVP- 7串行VID （ SVID ）要求
支持CPU和GPU输出
CPU通道1 ，2或3相
单相GPU通道
全IMVP- 7手机功能集，包括
数字电流监控
8位DAC， 0.250 V至1.52 V输出范围
在轻载和重载优化效率
V
CORE
超调还原（ OSR ）
V
CORE
冲还原（ USR ）
准确，可调电压定位
8个独立的频率选择每
信道（ CPU / GPU ）
正在申请专利的自动平衡相
平衡
可选择8级限流
3 V至28 V转换电压范围
两个集成的快速FET驱动器瓦特/综合
升压FET
对于使用与内部驱动器旁路模式
的DrMOS器件
6小
×
6 ， 48引脚QFN封装，使用PowerPad
包
2
描述
该TPS51640A ， TPS59640和TPS59641是
双通道，完全符合SVID IMVP- 7降压
控制器有两个集成的栅极驱动器。先进
控制功能，如D- CAP +架构
重叠的脉冲支持（冲减少，
USR ）和超调还原（ OSR ）提供快速
瞬态响应，最小的输出电容和
高效率。所有这些控制器还支持
对于轻负载的单相运行。全
的IMVP - 7的I / O恭维集成到
控制器包括双PGOOD信号， ALERT
和VR_HOT 。 V的可调节控制
CORE
压摆率
和电压定位圆了IMVP- 7
功能。此外，控制器的CPU的通道
包括两个大电流场效应管栅极驱动器来驱动
高侧和低侧N型沟道FET用
异常高的速度和低的开关损耗。该
TPS51601或TPS51601A驱动程序用于第三
在CPU和GPU的信道的相位。
的引导电压（V
BOOT
）上的TPS51640A和
TPS59640为0 V的TPS59641是专
设计的V
BOOT
1.1 V.水平
这些控制器被封装在一个节省空间的
耐热增强型48引脚QFN封装。该TPS51640A是
额定工作距离
–10°C
至105℃ 。该
TPS59640与TPS59641的额定工作
从
–40°C
至105℃ 。
应用
IMVP - 7 V
CORE
应用程序适配器，
电池， NVDC或3 V / 5 V / 12 V轨
简化应用
3相CPU
调节器
国内
FET驱动器
TPS51601
FET驱动器
国内
FET驱动器
CPU功率级
VCC_CPU
处理器
IMVP-7
SVID接口
1相GPU
调节器
TPS51640
TPS51601
FET驱动器
GPU功率级
VCC_GFX
UDG-11062
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
D- CAP + ，使用PowerPad ， D- CAP是德州仪器的商标。
版权
2012年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1) (2)
T
A
–10°C
至105℃
塑料方形扁平
封装（QFN ）
–40°C
至105℃
1.1
(1)
(2)
(3)
包
V
BOOT
(V)
0
0
订购
数
TPS51640ARSLT
TPS51640ARSLR
TPS59640RSLT
TPS59640RSLR
TPS59641RSLT
(3)
TPS59641RSLTR
(3)
引脚
运输
媒体
最低
QUANTITY
250
2500
250
2500
250
2500
环保计划
48
带盘式
绿色环保（RoHS和
无锑/溴）
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在这个文件的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
产品预览。当前不可用。
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
VBAT
CSW1 ， CSW2
CDH1到CSW1 ; CDH2到CSW2 ; CBST1到CSW1 ; CBST2到CSW2
输入电压
CTHERM ， CCOMP ， CF- IMAX ， GF- IMAX ， GCOMP ， GTHERM ，
V5DRV ， V5
COCP -I ， CCSP1 ， CCSP2 ， CCSP3 ， CCSN1 ， CCSN2 ， CCSN3 ， CVFB ，
CGFB ， V3R3 ， VR_ON ， VCLK ， VDIO ， SLEWA ， GGFB ， GVFB ， GCSN ，
GCSP ， GOCP -I ，
保护地
VREF
输出电压
CPGOOD ，机警， VR_HOT ， GPGOOD ， CIMON ， GIMON
CPWM3 ， CSKIP ， GPWM ， GSKIP ， CDL1 ， CDL2
Electrotatic放电
工作结温，T
J
贮藏温度，T
英镑
(1)
(2)
（ HBM ） QSS 009-105 （ JESD22- A114A ）
（ CDM ） QSS 009-147 （ JESD22- C101B.01 ）
–0.3
–6.0
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
1.5
500
-40
-55
125
150
典型最大单位
32
32
6.0
6.0
V
3.6
0.3
1.8
3.6
6.0
kV
V
°C
°C
V
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出任何其他条件的功能操作下，推荐工作指示
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。
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热信息
热公制
(1)
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
RSL
48针
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
31.7
19.8
7.1
0.3
7.1
2.1
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
推荐工作条件
民
VBAT
CSW1 ， CSW2
CDH1到CSW1 ; CDH2到CSW2 ; CBST1到CSW1 ; CBST2到
CSW2
V5DRV ， V5
V3R3
输入电压
CCOMP ， GCOMP
CTHERM ， GTHERM
CF- IMAX ， GF- IMAX ， COCP -I ， GOCP -I
CCSP1 ， CCSP2 ， CCSP3 ， CCSN1 ， CCSN2 ， CCSN3 ， CVFB ， CGFB ，
GGFB ， GVFB ， GCSN ， GCSP ，
VR_ON ， VCLK ， VDIO ， SLEWA ，
保护地
VREF
输出电压
CIMON ， GIMON
CPGOOD ，机警， VR_HOT ， GPGOOD ，
CPWM3 ， CSKIP ， GPWM ， GSKIP ， CDL1 ， CDL2 ，
工作自由的空气温度，T
A
TPS51460A
TPS59640,TPS59641
–0.1
–3.0
–0.1
4.5
3.1
–0.1
0.1
0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–0.1
–10
–40
典型值
最大
28
30
5.5
5.5
3.5
2.5
3.6
1.7
1.7
3.5
0.1
1.72
V
VREF
V
V3R3
V
V5
105
105
°C
V
V
单位
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电气特性
在推荐的自由空气的温度范围内，V
V5
= V
V5DRV
= 5.0 V; V
V3R3
= 3.3 V; V
xGFB
= V
保护地
= V
GND
, V
XVFB
= V
CORE
（除非另有说明）
参数
供应： CURRENTS ， UVLO和上电复位
I
V5-4
I
V5-3
I
V5-2
I
V5-PS3
I
V5STBY
V
UVLOH
V
UVLOL
I
V3R3
I
V3R3SBY
V
3UVLOH
V
3UVLOL
V5电源电流CPU ： 3相我
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 1相有功
VR_ON =
“嗨”
V5电源电流CPU： 2 - I期
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 1相有功
VR_ON =
Hi ，
V
CCSP3
=3.3 V
V5电源电流CPU ： 1 ，第一阶段
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
积极GPU ： 1相有功
VR_ON =
Hi ，
V
CCSP3
= V
CCSP2
= 3.3 V
I
V5
+ I
V5DRV
, V
VDAC
＆ LT ;
V
XVFB
＆ LT ;
(V
VDAC
+100毫伏） ，
V5电源电流CPU ： 3相
VR_ON =
Hi ，
SetPS = PS3
积极GPU ： 1相有功
（注： 3相CPU进入单相在PS3 ）
V5DRV待机电流
V5 UVLO
“行”
门槛
V5 UVLO故障阈值
V3R3电源电流
V3R3待机电流
V3R3 UVLO
“行”
门槛
V3R3 UVLO故障阈值
VR_ON =
“ LO ” ，
I
V5
+ I
V5DRV
斜升， VR_ON =' HI ' ，
减速， VR_ON =
Hi ，
SVID总线空闲， VR_ON =
“嗨”
VR_ON =
“罗”
斜升， VR_ON =' HI ' ，
减速， VR_ON =
Hi ，
TPS59640
TPS51640A
TPS59641
V
VIDSTP
VID步长
0.25
≤
V
XVFB
≤
0.995V,
I
xPU_CORE
= 0 ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
85°C
V
DAC1
XVFB宽容空载活跃
0.25
≤
V
XVFB
≤
0.995V,
I
xPU_CORE
= 0 A,
–40°C ≤
T
A
≤
105°C
1.000V
≤
V
XVFB
≤
1.520 V,
I
xPU_CORE
= 0 ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
85°C
V
DAC4
XVFB公差大于1 V VID
1.000V
≤
V
XVFB
≤
1.520 V,
I
xPU_CORE
= 0 A,
–40°C ≤
T
A
≤
105°C
4.5 V
≤
V
V5
≤
5.5 V，I
VREF
= 0 A
0
A ≤
I
VREF
≤
500
A
–500 A ≤
I
VREF
≤
0
A
软停止晶体管导通，在这一点上。
V
XVFB
=2 V, V
xGFB
=0 V
V
XVFB
=2 V, V
xGFB
=0 V
-40
–4
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
–5
–6
–0.5%
–0.65%
1.70
–0.1
0.1
200
20
-20
1
* ： CS
= 0 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
* ： CS
= 15.6 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
* ： CS
= 31.1 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
* ： CS
= 62.3 mV时， AIMON = 12
×
(1+1.27)
35
425
850
1700
4
300
40
2.5
2.4
2.9
2.7
4.25
3.95
6.0
5.5
4.9
9.0
mA
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
5.1
10
4.4
4.2
0.5
20
4.5
4.3
1.0
10
3.0
2.8
mA
A
V
V
mA
A
V
V
参考文献： DAC ， VREF ， VBOOT和DRVL排放量的CPU和GPU
V
BOOT
启动电压
0
1.1
5
5
8.3
mV
0.5%
1.0%
V
mV
mV
mV
A
A
V/V
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
VREF
V
VREFSRC
V
VREFSNK
V
DLDQ
I
XVFB
I
xGFB
A
GAINGND
V
CiMONLK
V
CIMONLO
V
CIMONMID
V
CIMONHI
VREF输出
VREF输出源
VREF输出水槽
DRVL放电阈值
XVFB输入偏置电流
xGFB输入偏置电流
xGFB / GND增益
零电平输出电流
低电平电流输出
中间层的电流输出
高水平的电流输出
电感器的过零门槛
电压
电压检测： XVFB和xGFB两个CPU和GPU
电流监视器
过零
V
Zx
0
mV
4
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版权
2012年，德州仪器
TPS51640A ， TPS59640 ， TPS59641
www.ti.com
SLUSAQ2
–
2012年1月
电气特性（续）
在推荐的自由空气的温度范围内，V
V5
= V
V5DRV
= 5.0 V; V
V3R3
= 3.3 V; V
xGFB
= V
保护地
= V
GND
, V
XVFB
= V
CORE
（除非另有说明）
参数
测试条件
TPS51640A
R
xOCP -I
= 20 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 24 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 30 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 39 kΩ
V
OCPP
OCP电压（谷值电流
极限）
R
xOCP -I
= 56 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 75 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 100 kΩ
TPS59640
TPS59641
TPS51640A
R
xOCP -I
= 150 kΩ
V
IMAX_MIN
= 133 mV时， xIMAX的价值，
V
IMAX
= V
REF
×
I
最大
/ 255
V
IMAX_MAX
= 653mV ， xIMAX价值
I
CS
I
xVFBDQ
CS引脚的输入偏置电流
XVFB输入偏置电流，
放电
下垂放大器
跨
内部电流耐受份额
内部电流检测增益
CSPX和CSNx
软停止结束， XVFB = 100mV的
TPS51640A
XVFB = 1 V
(V
CSP1
–
V
CSN1
) = (V
CSP2
–
V
CSN2
) =
(V
CSP3
–
V
CSN3
) = V
OCPP_MIN
从CSPX获得
–
CSNx到PWM比较器
TPS59640
TPS59641
–1.0
90
486
480
–3%
11.65
12.00
TPS59640
TPS59641
民
5.1
4.6
8.1
7.6
12.1
11.6
17.1
16.6
23.1
22.6
29.7
29.2
37.9
37.4
46.8
46.2
典型值
7.0
7.0
10.0
10.0
14.0
14.0
19.0
19.0
25.0
25.0
32.0
32.0
40.0
40.0
49.0
49.0
20
98
0.2
125
497
497
1.0
180
518
518
+3%
12.30
V/V
S
最大
9.7
9.7
12.6
13.1
16.7
17.2
21.7
22.2
27.9
28.4
35.0
35.5
43.3
43.8
52.6
53.1
A
A
A
A
mV
单位
电流检测：过流，过零点，电压定位和相平衡
V
IMAX
IMAX值两个通道
G
M- DROOP
I
BAL_TOL
A
CSINT
版权
2012年，德州仪器
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