TPS51217

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SLUS947 - 2009年6月

高性能的单同步降压型

控制器，用于笔记本电源

1

特点

宽输入电压范围： 3 V至28 V

输出电压范围： 0.6 V至2.6 V

宽输出负载范围： 0 20A +

内置0.5 ％ 0.6 V参考

100 ns的负载阶跃D- CAP 模式

响应

自适应导通时间控制架构

固定的340kHz工作

动态输出电压变化能力

4700 PPM / ° C R

DS （ ON）

电流检测

内部0.9毫秒的电压伺服软启动

预充电启动能力

内置输出放电

电源良好输出

集成的升压开关

内置OVP / UVP / OCP

热关断（非闭锁）

SON- 10 （DSC）包

应用

笔记本电脑

I / O电源

系统电源

2

描述

该TPS51217是一个小规模的单一降压控制器

与自适应导通时间D -CAP 模式。该装置是

适于低输出电压，高电流，个人电脑

系统电源轨和类似点的负载（ POL ）

在消费类数码产品供电。一个小

包以最小的引脚数节省了空间

印刷电路板，而专用的EN引脚与预先设定的频率

最大限度地减少所需的新设计的设计工作。该

跳跃模式在轻负载条件下，强大的栅极驱动器

边和低边FET

DS （ ON）

电流感应支持

低损耗和高效率，在很宽的负载范围。

该TRAN引脚提供掩蔽自由

过压保护，欠压保护，

在过渡期内电源良好信号

动态输出电压变化对现代GPU

电源应用。转换输入

电压是高侧FET的漏极电压

从3伏到28伏的输出电压范围

范围为0.6 V至2.6 V.该器件需要一个

外部5V电源。该TPS51217是一个可

从-40 ° C至85°C 10引脚SON封装。

典型应用电路

V5IN

TPS1217

PGOOD VBST 10

1

2 TRIP

DRVH 9

SW 8

V

IN

EN

VID1

VID0

3 EN

4 VFB

V5IN

7

V

OUT

5 TRAN

DRVL 6

GND

V

OUT

= GND

1

2

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

D-CAP是Texas Instruments公司的商标。

版权所有 2009年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

订购信息

T

A

-40 ° C至85°C

包

塑料SON使用PowerPad

订购设备号

TPS51217DSCR

TPS51217DSCT

引脚

10

10

输出电源

磁带和卷轴

迷你盘

最低

QUANTITY

3000

250

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

价值

VBST

输入电压范围

(2)

VBST

(3)

SW

V5IN ， EN ， TRIP ， VFB ， TRAN

DRVH

输出电压范围

(2)

DRVH

(3)

DRVL

PGOOD

结温范围，T

J

存储温度范围，T

英镑

-0.3至37

-0.3 7

-5至30

-0.3 7

-5 37

-0.3 7

-0.5 7

-0.3 7

150

-55到150

°C

°C

V

V

单位

(1)

(2)

(3)

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。

电压值是相对于于SW端子。

耗散额定值

2盎司跟踪和铜焊盘与焊料。

包

10针DSC

(1)

T

A

< 25℃

额定功率

1.54 W

降额因子

上述牛逼

A

= 25°C

15毫瓦/°C的

T

A

= 85°C

额定功率

0.62 W

(1)

通过散热孔提高热导用导热垫下方所示的焊盘布局信息。

推荐工作条件

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

电源电压

V5IN

VBST

SW

输入电压范围

SW

(1)

(2)

典型值

最大

6.5

34.5

28

28

6.5

6.5

34.5

34.5

6.5

6.5

6.5

85

单位

V

4.5

–0.1

–1

–4

–0.1

–0.1

–1

(1)

(2)

V

VBST

EN ， TRIP ， VFB ， TRAN

DRVH

DRVH

输出电压范围

DRVH

DRVL

PGOOD

经营自由的空气温度，T

A

-4

–0.1

–0.3

–0.1

–40

V

°C

(1)

(2)

2

此电压应适用于重复周期的不到30％。

电压值是相对于于SW端子。

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电气特性

在推荐的自由空气的温度范围内， V5IN = 5V 。 （除非另有说明）

参数

电源电流

I

(V5IN)

I

SD(V5IN)

V5IN电源电流

V5IN关断电流

V5IN目前，T

A

= 25 ℃，无负荷，

V

（ EN ）

= 5 V, V

（ VFB ）

= 0.63 V

V5IN目前，T

A

= 25 ° C，无负载，V

（ EN ）

= 0 V

VFB电压， CCM条件

(1)

V

（ VFB ）

VFB调节电压

T

A

= 25 ℃，跳跃模式

T

A

= 0 ° C至85°C ，跳跃模式

T

A

= -40 ° C至85°C ，跳跃模式

I

（ VFB ）

VFB输入电流

从输出的放电电流

SW引脚

V

（ VFB ）

= 0.63 V，T

A

= 25 ℃，跳跃模式

输出放电

I

Dischg

V

（ EN ）

= 0 V, V

（ SW）的

= 0.5 V

5

13

mA

0.6000

0.5974

0.5960

0.6000

0.6030

0.6030

0.6030

0.01

0.6060

0.6086

0.6100

0.2

A

V

320

500

1

A

A

V

测试条件

民

典型值

最大

单位

内部参考电压

输出驱动器

R

（ DRVH ）

R

（ DRVL ）

t

D

DRVH性

DRVL性

死区时间

资料来源，我

（ DRVH ）

= -50毫安

水槽，我

（ DRVH ）

= 50毫安

资料来源，我

（ DRVL ）

= -50毫安

水槽，我

（ DRVL ）

= 50毫安

DRVH客来DRVL上

DRVL客来DRVH上

V

(V5IN-VBST)

, I

F

= 10毫安，T

A

= 25°C

V

（ VBST ）

= 34.5 V, V

（ SW）的

= 28 V ，T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

V

IN

= 28 V, V

OUT

= 0.6 V，T

A

= 25°C

(1)

T

A

= 25°C

(2)

从V

（ EN ）

=高到V

OUT

= 95%

的PG在较低

V

（ THPG ）

I

（ PG）的最大值

t

PGDEL

PG门槛

PG灌电流

PG延迟

PG从高

PG滞后

V

（ PGOOD ）

= 0.5 V

延迟的PG

启用

关闭

V

（ EN ）

= 5V

TRAN开放

V

（ TRAN ）

TRAN电压

面膜PG ， OVP和UVP ，高端

面膜PG ， OVP和UVP ，偏低

迟滞

I

（ TRAN ）

(1)

(2)

TRAN输入电流

V

（ TRAN ）

= 5 V ，T

A

= 25°C

V

（ TRAN ）

= 0 V ，T

A

= 25°C

2.5

–5

1.83

2.03

1.62

1.88

2.08

1.67

0.05

3.8

–3.8

5

–2.5

A

92.5%

107.5%

2.5%

3

0.8

1.8

0.5

1.0

1.93

2.13

1.72

V

312

150

7

10

1.5

0.7

1.0

0.5

17

22

0.1

0.01

260

86

340

0.9

95%

110%

5%

6

1

1.2

97.5%

112.5%

7.5%

mA

ms

368

3

1.8

2.2

1.2

30

35

0.2

1.5

400

ns

自举开关

V

（ FBST ）

I

LKG

t

关（ MIN）的

t

开（分钟）

f

SW

软启动

t

ss

内部SS时间

ms

POWERGOOD

正向电压

VBST泄漏电流

最小关断时间

最小导通时间

开关频率

V

A

占空比和频率的控制

ns

千赫

逻辑阈值与设定条件

V

（ EN ）

I

（ EN ）

EN电压

EN输入电流

V

A

按设计规定。未经生产测试。

未经生产测试。测试条件为V

IN

= 8 V, V

OUT

= 1.1 V，I

OUT

=使用10A所示的应用电路

图26 。

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电气特性（续）

在推荐的自由空气的温度范围内， V5IN = 5V 。 （除非另有说明）

参数

保护：电流检测

TRIP源电流

I

（ TRIP ）

跳闸电流温度

系数

电流限制阈值设置

范围

电流限制阈值

V

（ TRIP ）

= 1V ，T

A

= 25°C

在25℃的基础

V

（ TRIP - GND ）

电压

V

（ TRIP ）

= 3 V

V

OCL

V

（ TRIP ）

= 1.6 V

V

（ TRIP ）

= 0.2 V

V

（ TRIP ）

= 3 V

V

OCLN

负电流限制阈值

V

（ TRIP ）

= 1.6 V

V

（ TRIP ）

= 0.2 V

汽车零交叉调节

范围

保护： UVP和OVP

V

（ OVP ）

t

OVPDEL

V

（ UVP ）

t

UVPDEL

t

UVPEN

UVLO

V5IN UVLO阈值

热关断

T

SDN

(3)

热关断阈值

关断温度

迟滞

(3)

(3)

测试条件

民

9

典型值

10

4700

最大

11

单位

A

PPM /°C的

V

（ TRIP ）

0.2

355

185

17

–395

–215

–33

3

375

200

25

–375

–200

–25

15

–15

115%

65%

0.8

1

4.20

3.7

120%

1

70%

1

1.2

4.38

3.93

145

10

3

395

215

33

–355

–185

–17

–3

125%

V

mV

mV

积极

负

OVP检测

50 mV过载

UVP检测

从启用到UVP可行

醒来

关闭

mV

OVP阈值之旅

OVP传播延迟时间

输出的UVP跳变门限

输出的UVP传播延迟

输出的UVP使延迟时间

s

75%

1.2

1.4

4.50

4.1

ms

ms

V

°C

按设计规定。未经生产测试。

4

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设备信息

DSC包装

（ TOP VIEW ）

PGOOD

旅

EN

VFB

TRAN

1

10

VBST

DRVH

SW

V5IN

DRVL

2

TPS51217DSC

9

3

8

4

GND

7

5

6

热垫被用作接地的活性末端。

引脚功能

针

名字

DRVH

DRVL

EN

GND

PGOOD

SW

号

9

6

3

热

PAD

1

8

I / O

O

O

I

I

O

I

描述

高边MOSFET驱动器输出。 SW节点参考文献的浮动驱动。栅极驱动电压是

通过在VBST电压定义为SW节点自举电容飞

同步MOSFET驱动器输出。在GND引用驱动程序。的栅极驱动电压被定义

V5IN电压。

开关电源的使能引脚。短至GND禁用设备。

地

电源良好窗口比较器开漏输出。与电阻上拉至5 V或适当的信号

电压。连续电流能力为1毫安。 PGOOD变为高电平1毫秒后VFB成为内

规定的限值。功率差，或者该终端变为低电平，2-后

s

延时。

开关节点。高边MOSFET栅极驱动的回报。也可用于对时间产生和输出

放电。

动态电压变化的控制。它迫使CCM和口罩PGOOD ， OVP和UVP时，该引脚的状态

上拉或下拉。掩蔽终止900

s

后TRAN脚电压恢复正常。

见

动态电压阶跃和PGOOD / OVP / UVP MASK

部分进行详细的说明。

离开这个引脚开路时，不使用动态电压变化。

OCL检测门限设置引脚。 10

A

在室温下， 4700 ppm的/°C的电流源，并设置

在OCL跳变电压，如下所示。

旅

2

I

TRAN

5

I

V

OCL

=

V5IN

VBST

VFB

7

10

4

I

I

I

V

（ TRIP ）

8

(0.2 V

≤

V

（ TRIP ）

≤

3 V)

5 V + 30 ％ / - 10％电源输入。

电源输入的高边MOSFET驱动器（引导终端） 。从这个引脚连接一个电容器飞

SW引脚。内部连接，通过自举MOSFET开关V5IN 。

开关电源反馈输入。连接的反馈电阻分压器。

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