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TPS5120 EP
双输出，两相同步降压型DC / DC控制器
SGLS224A - 2004年1月 - 修订2006年4月
D
控制基线
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
- 一个封装/测试网站，一个制造
现场
扩展温度性能
-55 ° C至125°C
提高制造业递减
源（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
独立双输出工作在180 °
OUT阶段
宽输入电压范围： 4.5 V
28-V
可调输出电压低至0.9 V
引脚可选的PWM /跳过模式高
效率在轻负载
同步降压操作允许最多
95 ％的效率
独立的待机控制和过流
保护每个通道
可编程短路保护
D
低电源（1 MA）和关断（ 1 NA）
D
D
D
D
D
当前
电源良好输出
高速误差放大器
测序容易被选择达标
软启动电容值。
5 -V线性稳压电源内部IC
电路
30引脚TSSOP封装
DBT包装
（ TOP VIEW ）
按照JEDEC和产业组件资质
标准，以确保可靠的操作在长时间
温度范围。这包括，但不限于，高
加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，温度
循环，高压灭菌器或偏见的HAST ，电，债券
间的生活，模塑料的使用寿命。该项资格
检测不应该被看作是证明使用该组件的
超出规定的性能和环境的限制。
INV1
FB1
SOFTSTART1
PWM / SKIP
CT
5V_STBY
GND
REF
STBY1
STBY2
FLT
POWERGOOD
SOFTSTART2
FB2
INV2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
LH1
OUT1_u
LL1
OUT1_d
OUTGND1
TRIP1
V
CC
TRIP2
VREF5
REG5V_IN
OUTGND2
OUT2_d
LL2
OUT2_u
LH2
描述
该TPS5120是一款双通道，高效率同步降压型控制器，其中输出运行180度
出的相位，这降低了输入电流纹波，从而降低输入电容成本。在PWM / SKIP
引脚允许操作模式从PWM模式切换，跳过轻负载条件下的模式。跳过
模式允许更低的工作频率，缩短了脉冲宽度与低侧MOSFET ，增加
在轻负载条件下的效率。这两种模式下，伴随着同步整流器的驱动，死区时间，
和非常低的静态电流，使电源得到保护和电池寿命的所有负载下可延长
条件。 1.5 A（典型值）的高侧和低侧MOSFET驱动器芯片的设计少开车
昂贵的N沟道MOSFET 。的无电阻电流保护和固定的高边驱动器电压简化
电源设计，减少了外部组件数。每个通道都是独立的，提供一个独立的
控制器，过流保护，和待机控制。排序是灵活的，并可以通过选择进行定制
不同的软启动电容值。其他功能，如欠压锁定，电源正常，过压，
欠压和可编程短路保护促进了系统的可靠性。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2006年德州仪器
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达拉斯，德克萨斯州75265
1
TPS5120 EP
双输出，两相同步降压型DC / DC控制器
SGLS224A - 2004年1月 - 修订2006年4月
订购信息
包
TA
-40_C到125_C
-55 ° C至125°C
TSSOP
（ DBT ）
TPS5120QDBTREP
TPS5120MDBTREP
EVM
TPS5120EVM-151
TPS5120EVM-151
典型设计
VI
C1
R1
R3
R2
Q1
GND
C4
C5
U1
TPS5120DBT
1
2
3
4
5
6
7
INV1
FB1
SOFTSTART1
PWM / SKIP
CT
5V_STBY
GND
REF
STBY1
STBY2
FLT
POWERGOOD
SOFTSTART2
FB2
INV2
LH1
OUT1_u
LL1
OUT1_d
OUTGND1
TRIP1
VCC
TRIP2
VREF5
REG5V_IN
OUTGND2
OUT2_d
LL2
OUT2_u
LH2
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
R7
D1
C11
C15
R8
R9
C16
Q2
L1
C3
VO1
C13
C6
8
9
10
C7
C8
11
12
13
14
15
C12
D2
R10
C14
Q3
R4
C10
VO2
L2
C15
Q4
R5
R6
图1. EVM典型设计
2
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TPS5120 EP
双输出，两相同步降压型DC / DC控制器
SGLS224A - 2004年1月 - 修订2006年4月
功能框图
SOFTSTART1
SOFTSTART1
PWM COMP 。
SKIP比较。
LH1
_
+
DLY
OUT1_u
LL1
DLY
OUT1_d
_
+
FB1
INV1
_
+
+
0.85 V
CT
OUTGND1
_
ERR放大器。
+
(V
CC
LSD之旅
- VTRIP1 ）
OSC
FLT
+
_
STBY1
当前
保护
TRIGGER
HSD之旅
TRIP1
_
+
OVP1
UVLO
信号
目前比较。
0.85 V+12%
V
STBY2
_
+
CC
- VTRIP1
V
OVP2
CC
0.85 V+12%
+
_
UVP1
V
CC
- VTRIP2
定时器
0.85 V 19.4%
相
逆变器
_
+
HSD之旅
TRIP2
+
_
UVP2
_
LSD之旅
(V
CC
0.85 V 19.4%
FB2
+
OUTGND2
- VTRIP2 ）
INV2
_
+
+
ERR放大器。
DLY
PWM COMP 。
OUT2_d
PWM / SKIP
_
+
0.85 V
SOFTSTART2
SOFTSTART2
SFT1
SFT2
VCC
SKIP比较。
_
+
DLY
LL2
OUT2_u
LH2
UVLO
信号
_
UVLO
比较。
+
_
INV1
5.0 V
VREF5
V
STBY1
STBY2
REF
5V_STBY
INV2
GND
0.85 V +7%
REF
5 VREG
REG5V_IN
_
+
PGcomp1
+
4.5 V
0.85 V
0.85 V7%
POWERGOOD
+
_
PGcomp4
INV1
+
_
PGcomp3
INV2
_
+
PGcomp2
0.85 V +7%
0.85 V 7%
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3
TPS5120 EP
双输出，两相同步降压型DC / DC控制器
SGLS224A - 2004年1月 - 修订2006年4月
终端功能
终奌站
名字
CT
FB1
FB2
GND
INV1
INV2
LH1
LH2
LL1
LL2
OUT1_d
OUT2_d
OUT1_u
OUT2_u
OUTGND1
OUTGND2
POWERGOOD
号
5
2
14
7
1
15
30
16
28
18
27
19
29
17
26
20
12
O
I
I
I / O
I / O
I / O
I / O
O
O
O
O
I / O
I / O
O
O
描述
外部电容从CT到GND调整三角形振荡
CH1误差放大器的输出反馈
CH2误差放大器的输出反馈
控制GND
反转CH1误差放大器的输入端，比较器跳和OVP1 / UVP1比较
反转CH2误差放大器的输入端，比较器跳和OVP2 / UVP2比较
CH1为高侧栅极驱动器自举电容连接
CH2的高侧栅极驱动器自举电容连接
引导该引脚为低电平CH1高侧栅极驱动的回报和输出电流保护功能。将此引脚连接到
高侧和低侧FET的一个浮动驱动器配置的交界处。
引导该引脚为低电平CH2高侧栅极驱动的回报和输出电流保护功能。将此引脚连接到
高侧和低侧FET的一个浮动驱动器配置的交界处。
CH1为低侧栅极驱动栅极驱动输出
CH2的低侧栅极驱动栅极驱动输出
CH1为高侧开关FET的栅极驱动输出
CH2的高侧开关FET的栅极驱动输出
地面CH1 FET驱动器
地面CH2 FET驱动器
电源良好漏极开路输出。当低， POWERGOOD报告输出故障状态。 PG比较
同时监测开关电源的过电压和Vref5相的欠压锁定。阈值是
±7%.
当开关电源启动时，
电源良好引脚的输出变为高电平。 POWERGOOD还监测Vref5相的UVLO输出。
PWM / SKIP模式选择引脚。在PWM / SKIP引脚用于改变输出的操作模式。如果这个终端
低于0.5 V ，工作在PWM模式。时的2伏的最小电压被施加时，器件工作在
跳过模式。在轻负载条件下（ < 0.2 A）所示，通过跳过模式给出一个短脉冲给低侧FET的而非
全脉搏。与此对照，开关频率被降低和开关损耗被减小。另外，输出
电容器的能量通过输出电感和低侧FET的放电停止。因此， TPS5120
实现了在轻负载条件下效率更高。
0.85 -V参考电压输出。在0.85 V的基准电压被用于设置输出电压和
电压保护。该参考电压是由5 - V稳压落下。
外部5 V输入
故障锁存时钟引脚。一个外部电容连接FLT和GND之间设置FLT启用时间了。
从SOFTSTART1外部电容到GND CH1软启动控制。独立的软启动终端，使其
可以独立地设定每个输出的启动时间。
从SOFTSTART2外部电容到GND CH2软启动控制。独立的软启动终端，使其
可以独立地设定每个输出的启动时间。
待机控制CH1 。 SMPS1可以分别通过接地STBY1引脚切换到待机模式。
待机控制CH2 。 SMPS2可以分别通过接地STBY2引脚切换到待机模式。
CH1的输出电流控制的外部电阻连接
CH2的输出电流控制的外部电阻连接
电源电压输入
O
I
5 - V内部调节器的输出
5 V线性稳压器控制
PWM / SKIP
4
I
REF
REG5V_IN
FLT
SOFTSTART1
SOFTSTART2
STBY1
STBY2
TRIP1
TRIP2
VCC
VREF5
5V_STBY
8
21
11
3
13
9
10
25
23
24
22
6
O
I
I / O
I / O
I / O
I
I
I
I
4
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TPS5120 EP
双输出，两相同步降压型DC / DC控制器
SGLS224A - 2004年1月 - 修订2006年4月
详细说明
开关模式电源（SMPS ）1,2
TPS5120包括工作在180 °的相位差，并在同一频率的双SMPS控制器。两
通道有待机和软启动。
5 V稳压器
内部线性电压调节器是用于高边驱动器的自举电压和VREF的源
（为0.85V ） 。当5 - V稳压器从所述MOSFET驱动器断开连接时，它仅用于源
VREF 。由于输入电压范围为4.5 V至28 V ，该功能提供了一个固定的电压自举
电压使驱动器的设计要容易得多。它也可用于供电的低侧驱动器。公差
是4％。当STBY1 ， STBY2和5V_STBY都设置低5 V稳压器被禁用。
5 -V开关
如果内部的5V开关感测来自REG5V_IN销5- V输入时，内部的5V线性调节器是
从MOSFET驱动器断开。外部5V电压，然后用于两个低侧驱动器和
高侧引导，从而，提高了效率。
误差放大器器
每个信道有它自己的误差放大器来调节同步降压转换器的输出电压。它
用在PWM模式下的高输出电流条件（ > 0.2 A）中。单位增益带宽为2.5 MHz的。
这降低了在快速负载瞬变的放大器的延迟，并有助于快速的瞬态响应。
跳到比较
在跳脉冲模式下，每个通道都有自己的迟滞比较器来调节同步的输出电压
降压转换器。滞后内部设置，通常设置为9毫伏。从比较器输入端的延迟
到驱动器输出通常是1.2
s.
低侧驱动器
低边驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
n沟道MOSFET 。最大驱动电压是5伏，从
Vref5相。驱动器的额定电流一般为1.5 A的源和宿。
高侧驱动器
高边驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
n沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为1.2 A
在源和接收器。当被配置为浮动驱动，偏置电压提供给驾驶者正在从Vref5相发达，
限制性OUTx_u和LLX之间的最大驱动电压5V。可施加的最大电压
LHX和OUTGND之间为33 V.
死区时间
死区时间防止拍摄过电流在开关转换流经主功率FET
通过主动地控制MOSFET的驱动器的turnon时间。
电流保护
过电流保护是通过比较高侧和低侧的漏极 - 源极电压达到
MOSFET器件到一个设定点电压。这个电压通过V之间的外部电阻设置
CC
和
TRIP1或TRIP2终端。如果漏极 - 源极电压上升超过在高侧的设定点电压
导通时，电流限制电路终止该高边驱动脉冲。如果设定点电压超过
在低侧导通，低侧脉冲通过在下一个周期延长。总之这个动作有
降低输出电压，直到欠压保护电路被激活的效果和故障锁存
置和两个高侧和低侧MOSFET驱动器被关断。
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TLV2635IPW
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TLFGE53TF
TSC80C31-25AG
TSC8051C2XXX16ICB
THI0512
TMS27C12825FML
TL3842DR-8
TC74ACT240P_07
TSIC306FCB
TDA8002CT/A/C1
TMP320C6414GJC120
TMS320LC2404APGEA
TLC59211
TL-SCSI285PWRG4
TC1303B-CN1EMFTR
TDA7266M
TRC1012
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TPS5120-EP
    -
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    -
    -
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电话：400-15695632345
联系人：薛女士
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