TPS51100
SLUS600B - 2004年4月 - 修订2005年11月
3水槽/输出DDR
终端稳压器
特点
D
输入电压范围： 4.75 V至5.25 V
D
VLDOIN电压范围： 1.2 V至3.6 V
D
3 -A的吸入/源终端稳压器
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
包括下垂补偿
只需要20 μF陶瓷输出
电容
支持高阻抗的S3和软关断S5
1.2 V输入（ VLDOIN ）有助于降低总
功耗
综合除法曲目
!/2VDDQSNS
为
VTT和VTTREF
遥感（ VTTSNS ）
±
为VTT和VTTREF 20 mV的精度
10 - mA的缓冲基准（ VTTREF ）
内置软启动，欠压锁定和OCL
热关断
支持JEDEC规格
描述
该TPS51100是一个3 -A汇/源追踪
终端稳压器。它是专为设计
低成本/低外部元件数量的系统，
在空间的溢价。
该TPS51100保持快速瞬态响应
只需要20 μF （ 2
×
10μF的陶瓷输出）
电容。该TPS51100支持远程
传感功能和所需的所有功能
供电DDR和DDR2 VTT总线终端
根据JEDEC规范。此外，
该TPS51100集成包括睡眠状态
控制将VTT高-Z在S3 （挂起到
RAM ）和S5软关机的VTT和VTTREF
（挂起到硬盘） 。该TPS51100是可用
热效率的10引脚MSOP PowerPAD
并从-40 °C至85°C 。
订购信息
TA
塑料MSOP电源PAD
（ DGQ ）
(1)
应用
D
DDR ， DDR2存储器终端
D
SSTL - 2 ， SSTL -18和HSTL终止
TPS51100DGQ
1
C1
2
y
10
F
2
3
VDDQSNS
VLDOIN
VTT
VIN 10
S5
GND
9
8
C2
0.1
F
S3
VTTREF
5V_IN
S5
-40 ° C至85°C
TPS51100DGQ
（ 1） DGQ包也提供卷带封装。添加
的R后缀的设备类型（即TPS51100DGQR ） 。看
该数据表使用PowerPad的应用程序部分
图纸和布局信息。
4
5
保护地
VTTSNS
S3
VTTREF
7
6
帽制造业│
C1
C2
TDK
TDK
产品型号
C2012JB0J106K
C1608JB1H104K
UDG04015
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
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1
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
TPS51100
输入电压范围（2）
输出电压范围（2）
工作环境温度范围， TA
VIN ， VLDOIN ， VTTSNS ， VDDQSNS ， S3 ， S5
保护地
VTT ， VTTREF
-0.3 6
-0.3 0.3
-0.3 6
-40到85
V
单位
°C
存储温度， TSTG
-55到150
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
（2）所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。
额定功耗表
包
10针DGQ
TA < 25℃
额定功率
1.73 W
降额因子
以上TA = 25°C
17.3毫瓦/°C的
TA = 85°C
额定功率
0.694 W
推荐工作条件
民
电源电压VIN
S3, S5
VLDOIN ， VDDQSNS ， VTT ， VTTSNS
电压范围
VTTREF
保护地
经营自由的空气温度， TA
4.75
0.10
0.1
0.1
0.1
40
最大
5.25
5.25
3.6
1.8
0.1
85
°C
V
单位
（ TOP VIEW ）
DGQ包装
VDDQSNS
VLDOIN
VTT
保护地
VTTSNS
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
VIN
S5
GND
S3
VTTREF
实际尺寸
3,05mm X 4,98mm
（ 4 ）有关DGQ包的详细信息，请参阅TI技术简介，文学第SLMA002 。
（ 5 ） PowerPADt散热片必须连接到GND （引脚8）或所有其他引脚电隔离。
2
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电气特性
TA = -40 ° C至85°C ， VVIN = 5 V ， VLDOIN和VDDQSNS连接到2.5 V （除非另有说明）
参数
电源电流
IVIN
IVINSTB
IVINSDN
IVLDOIN
IVLDOINSTB
IVLDOINSDN
电源电流， VIN
待机currrent ， VIN
关断电流， VIN
电源电流， VLDOIN
待机currrent ， VLDOIN
关断电流， VLDOIN
TA = 25℃ ，
VS3 = VS5 = 5 V
TA = 25℃ ，
VS3 = 0 V ，
TA = 25℃ ，
VS3 = VS5 = 0 V ，
TA = 25℃ ，
VS3 = VS5 = 5 V
TA = 25℃ ，
VS3 = 0 V ，
TA = 25℃ ，
VS3 = VS5 = 0 V
VVIN = 5 V ，
VVIN = 5 V ，
VVIN = 5 V ，
VVIN = 5 V ，
VS5 = 5 V
空载
空载
0.25
25
0.50
50
0.3
0.7
1.2
6
0.3
1.00
80
A
A
1.0
2.0
10
A
A
1.0
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
VVIN = 5 V ，
空载
VVLDOIN = VVDDQSNS = 0 V
VVIN = 5 V ，
VVIN = 5 V ，
VS5 = 5 V
VVIN = 5 V ，
空载
空载
空载
输入电流
IVDDQSNS
IVTTSNS
VTT输出
VVTTSNS
输出电压， VTT
VVLDOIN = VVDDQSNS = 2.5 V
VVLDOIN = VVDDQSNS = 1.8 V
VVLDOIN = VVDDQSNS = 2.5 | IVTT | = 0
V,
VVLDOIN = VVDDQSNS = 2.5 | IVTT | = 1.5 A
V,
VVLDOIN = VVDDQSNS = 2.5 | IVTT | = 3] A
V,
VVLDOIN = VVDDQSNS = 1.8 | IVTT | = 0
V,
VVLDOIN = VVDDQSNS = 1.8 | IVTT | = 1
V,
VVLDOIN = VVDDQSNS = 1.8 | IVTT | = 2将
V,
V
TT
+
V
VDDQSNS
2
0.95,
PGOOD
+
高
20
30
40
20
30
40
3.0
1.5
1.05,
PGOOD
+
高
3.0
1.5
+
1.25 V
,
VS5 = 5 V
2
+
1.25 V
,
T
A
+
25
o
C
1.00
0.01
1.00
T
A
+
25
o
C
3.8
2.2
3.6
2.2
1.25
0.9
20
30
40
20
30
40
6.0
3.0
6.0
3.0
mV
V
输入电流， VDDQSNS
输入电流， VTTSNS
VS3 = VS5 = 5 V
VS3 = VS5 = 5 V
1
1.00
3
0.25
5
1.00
A
A
VVTTTOL25
输出电压容差
VTTREF ， VTT
VVTTTOL18
输出电压容差
VTTREF ， VTT
IVTTOCLSRC
源电流限制， VTT
VVTT = 0 V
V
TT
+
V
VDDQSNS
2
A
IVTTOCLSNK
灌电流限制， VTT
VVTT = VVDDQ
V
TT
+
V
VDDQSNS
2
IVTTLK
漏电流， VTT
1.0
0.5
1.0
A
VS3 = 0 V ，
IVTTSNSLK
IDSCHRG
漏电流， VTTSNS
V
TT
+
V
VDDQSNS
放电电流， VTT
TA = 25℃ ，
VVDDQSNS = 0 V ，
VS3 = VS5 = 0 V ，
VVTT = 0.5 V
10
17
mA
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电气特性（续）
TA = -40 ° C至85°C ， VVIN = 5 V ， VLDOIN和VDDQSNS连接到2.5 V （除非另有说明）
参数
VTTREF输出
VVTTREF
输出电压， VTTREF
VVLDOIN = VVDDQSNS = 2.5IVTTREF < 10毫安
V,
VVLDOIN = VVDDQSNS = 1.8IVTTREF < 10毫安
V,
VVVTTREF = 0 V
醒来
VVINUV
VIH
VIL
VIHYST
IILEAK
UVLO阈值电压VIN
高电平输入电压
低电平输入电压
滞后电压
逻辑输入漏电流
迟滞
S3, S5
S3, S5
S3, S5
S2, S5,
TA = 25°C
1
160
10
0.2
1
A
V
TTREF
+
20
17
10
3.4
0.15
1.6
0.3
20
3.7
0.25
V
VDDQSNS
2
20
mV
17
30
4.0
0.35
V
mA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
输出电压容差
VVTTREFTOL25
VDDQSNS / 2 ， VTTREF
输出电压容差
VVTTREFTOL18
VDDQSNS / 2 ， VTTREF
IVTTREFOCL源电流限制， VTTREF
UVLO /逻辑阈值
热关断
关断温度
TSDn
热关断阈值
迟滞
°C
终端功能
终奌站
名字
GND
保护地
S3
S5
VDDQSNS
VIN
VLDOIN
VTT
VTTREF
VTTSNS
号
8
4
7
9
1
10
2
3
6
5
I / O
I
I
I
I
I
O
O
I
描述
信号地。连接到所述输出电容器的负极端子
电源地输出的VTT LDO
S3信号输入
S5信号输入
VDDQ检测输入
5 V电源
电源为VTT LDO和VTTREF输出级
输出功率为VTT LDO
VTT参考输出。通过0.1 μF陶瓷电容连接到GND 。
电压检测输入的VTT LDO 。连接到所述输出电容器的正端子。
4
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简化的框图
VDDQSNS
1
+
HalfDDQ
+
6
VTTREF
2
VLDOIN
GND
8
VIN 10
+
3.7 V/3.5 V
VTTSNS
5
ENVTT
S3
7
5 V/10%
+
+
PGOOD
ENVTT
4
保护地
VinOK
ENREF
+
3
VTT
ENREF
S5
9
+
+
V/10%
5
TPS51100 DGQ
UDG04016
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5
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