【TPS5102双通道，高效率的控制器，用于笔记本电脑电源SLVS239 - 1999年9月DDDDD】,IC型号TPS5102IDBTG4,TPS5102IDBTG4 PDF资料,TPS5102IDBTG4经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPS5102

双通道，高效率的控制器，用于笔记本电脑电源

SLVS239 - 1999年9月

双路，降压型的笔记本电脑系统

动力

4.5 V至25 V的输入电压范围

可调输出电压

95 ％的效率可达到

PWM /跳跃模式控制保持高

效率轻负载条件下

固定频率工作

无电阻电流保护

固定的高边驱动电压

低静态电流（0.6毫安， <1

为

待机）

小型30引脚TSSOP

EVM可（ TPS5102EVM -135 ）

DBT包装

（ TOP VIEW ）

描述

INV1

FB1

SOFTSTART1

PWM_SKIP

GND

REF

STBY1

STBY2

COMP

SOFTSTART2

FB2

INV2

LH1

OUT1_u

LL1

OUT1_d

OUTGND1

TRIP1

VCC_CNTP

TRIP2

VREF5

REG5V_IN

OUTGND2

OUT2_d

LL2

OUT2_u

LH2

该TPS5102是一款双通道，高效率的控制器，专为笔记本电脑系统的功率要求。在轻

负荷条件下，高效率保持为从PWM模式到下控制器切换

频率跳跃模式。

这两种工作模式，随着同步整流器的驱动，死区时间，和非常低的静态

目前，让权力得到保护和电池寿命延长，所有负载条件下。

的电阻更小的电流保护和固定的高边驱动电压简化系统设计和降低

外部器件数量。宽输入电压范围和可调电压输出允许灵活使用

在TPS5102笔记本电源应用。

GND

TPS5102DBT

C10

C12

R10

Vo1

C11

R11

C13

Vo2

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1999年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

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双通道，高效率的控制器，用于笔记本电脑电源

SLVS239 - 1999年9月

功能框图

VCC

通道2

STNBY2

STNBY1

VREF5

REF

1.185 V

REG5V_IN

REF

UVLO

通道2

OSC

3.8 V

通道2

OUT_u

1次射门

4.5 V

COMP

1.1 V

PWM / SKIP

OUT_D

软启动

OUTGND

跳到比较

同步。

信号

通道2

VCC_CNTP

INV

误差放大器

PWM COMP

旅

1.185 V

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TPS5102

双通道，高效率的控制器，用于笔记本电脑电源

SLVS239 - 1999年9月

可选项

-40 ° C至85°C

包

TSSOP （ DBT ）

TPS5102IDBT

TPS5102IDBTR

TPS5102EVM-135

EVM

终端功能

终奌站

名字

COMP

FB1

FB2

GND

INV1

INV2

LH1

LH2

LL1

LL2

OUT1_d

OUT2_d

OUT1_u

OUT2_u

OUTGND1

OUTGND2

PWM_SKIP

REF

REG5V_IN

SOFTSTART1

SOFTSTART2

STBY1

STBY2

TRIP2

TRIP1

VCC

Vref5

VCC_CNTP

号

I / O

描述

电压监视比较器输入

切换频率调节外部电容连接

CH1误差放大器的输出

CH2误差放大器的输出

控制GND

CH1的反相输入端

CH2反相输入端

CH1升压电容连接

CH2升压电容连接

CH1升压电路的连接

CH2升压电路的连接

CH1低侧栅极驱动输出

CH2低侧栅极驱动输出

CH1高侧驱动输出

CH2高侧驱动输出

输出GND 1

输出GND 2

PWM / SKIP模式选择

L： PWM模式

H： SKIP模式

1.185 V参考电压输出

外部5 V输入

切换频率调整外部电阻连接

外部电容连接的CH1soft开始计时。

外部电容连接CH2的软启动时间。

CH1待机控制

CH2待机控制

为CH2外部电阻连接过电流保护。

为CH1外部电阻连接过电流保护。

电源电压输入

5 - V内部调节器的输出

电源电压检测输入

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详细说明

VREF （ 1.185 V）

参考电压被用于设置输出电压和过电压保护器（COMP ）。

Vref5相（5 V）的

内部线性电压调节器用于在高边驱动器的自举电压。由于输入电压

范围为4.5 V至25 V ，该功能提供了一个固定的电压自举电压大大简化了

传动设计。它也可用于供电的低侧驱动器。容差为6 ％。

5 -V开关

如果内部5 V开关感应距离REG5V_IN引脚5 V输入，内部5 V线性稳压器将

从MOSFET驱动器断开。外部5V电压将被用于两个低侧驱动器和高

侧引导，从而增加了效率。

PWM / SKIP

该引脚用于PWM和跳过模式之间切换。如果引脚大于0.5 -V低时，IC是在常规的PWM

模式;如果最低2 -V应用到该引脚，芯片工作在跳脉冲模式。在轻负载条件下（ <0.2 A）所示，该

跳过模式给出一个短脉冲给所述低侧FET而不是一个完整的脉冲。通过这样的控制，开关频率

被降低，从而减少开关损耗;还输出电容器的能量通过输出电感放电

从而防止了低侧FET 。因此，该IC可实现高效率，在轻负载条件下

（ < 0.2 A ）。

ERR-放大器

每个信道有它自己的误差放大器来调节同步降压转换器的输出电压。它

用在PWM模式下的高输出电流条件（ >0.2A ）。电压模式控制的应用。

跳到比较

跳脉冲模式下，每个通道都有自己的迟滞比较器来调节的输出电压

同步降压转换器。滞后内部，通常设定在8.5毫伏。从延迟

比较器输入到驱动器的输出通常为1.2

低侧驱动器

低边驱动器设计用于驱动低RDS（ON） N沟道MOSFET 。最大驱动电压是5V。

从Vref5相。驱动器的额定电流通常为1 A，源和宿。

高侧驱动器

高侧驱动器设计用于驱动低RDS（ON） N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流是

1 ，源和宿。当被配置为浮动驱动，偏置电压提供给驾驶者正在从Vref5相发达，

限制性OUT_u和LL之间的最大驱动电压5V。可施加的最大电压

LHX和OUTGND之间为30 V.

死区时间控制

死区时间防止直通电流在开关过程中流经主功率FET

转换通过主动地控制MOSFET的驱动器的导通时间。从典型的死区时间

低侧驱动器关闭高侧驱动器上为70纳秒，和85纳秒的高边驱动器关闭，以低侧驱动器上。

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详细说明（续）

电流保护

电流保护是通过检测在高侧功率MOSFET的漏极 - 源极电压降达到

导通时间在VCC_CNTP和LL 。 Vin和跳闸销之间的外部电阻器中的串行与内部电流

源调节电流限制。当在导通时的电压降足够高时，该电流

比较器触发电流保护和电路被复位。复位重复，直到过电流

条件被移除。

COMP

COMP是用于任何电压保护内部比较，比如输出欠压保护

笔记本电源应用。如果芯电压低于设定值时，比较器关闭两个

频道以防止损坏笔记本。

SOFT1 ， SOFT2

单独的软启动端子，使其能够设定为任何可能性的每个输出的启动时间。

STBY1 ， STBY2

两个通道可以分别通过接地STBY引脚被切换到待机模式。待机电流

低至1

ULVO

当输入电压上升至约4伏，集成电路被接通时，准备功能。当输入电压是

低于导通值时，IC被关闭。典型的滞后是40毫伏。

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