TPS40222
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SLUS642A - 2005年10月 - 修订2006年1月
1.6 -A ， 1.25 MHz降压转换器，采用3毫米
×
3毫米SON封装
特点
输入电压范围为4.5 V
DC
到8 V
DC
输出电压（ 0.8 V至90 ％V
IN
)
0 A至1.6 A电流能力
固定的1.25 MHz的开关频率
参考0.8 V± 1 ％
内置250 mΩ的N沟道MOSFET开关
带内部斜坡电流模式控制
赔偿金
内部软启动
内部环路补偿
短路保护
热关断
效率高达92 ％
小3毫米
×
3毫米SON封装
应用
磁盘驱动器
机顶盒
负载的功率的点
ASIC电源
描述
该TPS40222是一个固定频率，电流模式，
非同步降压转换器的优化
申请搭载一台5 -V的分布式源。
与内部确定的工作频率，
软启动时间，而且控制环路补偿时，
TPS40222提供了许多功能具有最小的
的外部元件。
该TPS40222工作于1.25 MHz和支持
高达1.6 A输出负载。输出电压可以是
编程以低至0.8 V的TPS40222
利用脉冲由脉冲电流限制以及
频率折返到期间保护器
灾难性的短路输出条件。
简化应用图
典型的英法fi效率
vs
负载电流
100
V
IN
= 5 V
95
90
η
- 效率 - ％
85
80
75
70
65
60
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
负载
- 负载电流 - 一个
V
OUT
= 1.25 V
D1
C3
R1
C1
6
5
4
C2
SW
3
L1
V
OUT
BOOST AVIN PVIN
V
IN
V
OUT
= 3.3 V
FB
1
TPS40222
GND
2
R2
UDG04135
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2005-2006 ，德州仪器
TPS40222
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
J
-40°C至125°C
输出电压
可调整的
包
塑料SON （ DRP ）
产品型号
TPS40222DRPT
TPS40222DRPR
中
小型磁带和卷轴
大型磁带和卷轴
数量
250
3000
绝对最大额定值
在自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS40222
BOOST
SW （最高50纳秒）
V
IN
输入电压范围
SW
AVIN ， PVIN
FB
I
OUT
T
J
T
英镑
输出电流源
储存温度
外壳温度每JSTD - 020C 10秒
(1)
SW
工作结温范围
19
–5
-2 16
10
-0.3 2
3.5
-40到160
-65至165
260
°C
A
V
单位
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
IN
I
OUT
T
J
输入电压
SW节点的输出电流
工作结温
4.5
0
-40
喃
最大
8.0
1.6
125
单位
V
A
°C
静电放电（ ESD）保护
民
人体模型
清洁发展机制
最大
2500
1500
单位
V
2
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TPS40222
SLUS642A - 2005年10月 - 修订2006年1月
电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ， 4.5
≤
V
AVIN
= V
PVIN
≤
5.5V（除非另有说明）
参数
反馈电压
T
J
= 25 ℃，无负荷
V
FB
I
FB
t
SS
Gm
GBW
f
SW
f
SWFB
V
FFB
I
CL
t
ON
反馈电压
反馈输入偏置电流
软启动时间
跨
(1)
增益带宽
产品
(1)
V
FB
> 0.7 V
启动/过电流，V
FB
= 0 V
0 V＆ LT ; V
FB
＆ LT ; 0.4 V
电压
(1)
V
AVIN
= V
PVIN
= 5 V
0.4
2.1
2.6
90
T
J
= 25°C
-40°C
≤
T
J
≤
125°C
90%
V
PVIN
= 10 V
I
SW
= 100毫安， V
AVIN
= V
PVIN
= 5 V
I
二极管
≤
5毫安
3.6
250
250
97%
-10
0.5
0.9
3.8
0.4
1.0
150
-10
1.5
4.0
-30
1.0
A
mA
V
550
1.00
75
-40°C
≤
T
J
≤
125°C ，无负载，
4.5V
≤
V
DD
≤
7 V
V
FB
= 0.9 V, V
AVIN
= V
PVIN
= 5 V
V
AVIN
= V
PVIN
= 5 V
300
792
788
30
550
10
12
1.25
140
2200
0.6
3.1
200
1.50
800
808
812
100
850
mV
nA
s
S
兆赫
兆赫
千赫
赫兹/ MV
V
A
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
软启动
跨导放大器
振荡器
开关频率
最低频率折返
折返频率斜率
(1)
频率折返V
FB
门槛
过流阈值
最小导通时间的过流
(1)
过电流检测
高端MOSFET和驱动程序
R
DS （ ON）
D
最大
I
SWL
I
BOOST
漏极 - 源极导通电阻
最大占空比
MOSFET SW漏电流
升压电流
升压二极管电压降
欠压锁定（ UVLO ）
V
ON
V
HYST
I
Q
导通电压
滞后电压
AVIN静态电流
热关断电压
(1)
热滞
(1)
(1)
由设计保证。未经生产测试。
V
mA
m
热关断
°C
3
TPS40222
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DRP包装
（底视图）
BOOST
6
1
FB
AVIN
5
2
GND
PVIN
4
3
SW
A.
B.
裸露焊盘提供了低热阻
θ
JC
= 2 ° C / W
裸露焊盘连接至GND 。
表1.端子功能
终奌站
名字
AVIN
BOOST
号
5
6
I / O
I
I / O
描述
输入电源装置的控制部。密切绕过此引脚与GND的低ESR陶瓷电容
1 - F或更大。
该引脚提供了一个自举电源为PWM的高边MOSFET驱动器，可实现的门
高侧MOSFET被驱动的输入电源轨的上方。连接一个33 nF的电容从这个引脚SW引脚和
（可选）从这个引脚到引脚PVIN肖特基二极管。
反相误差放大器的输入端。在闭环运行，在这个引脚上的电压是内部参考电平
800毫伏。在启动或故障情况下，该引脚上的电压也影响了工作频率
转换器。向0 V在销上，其工作频率约为140 kHz.The频率的增加而线性
到大约1.25兆赫的引脚上的电压上升到0.6 V高于0.6伏，工作频率
保持在约1.25兆赫。
地连接到该设备。
输入到该装置的功率部分。绕过这个引脚GND与10 - F或更大的低ESR电容。
内部开关MOSFET的源极连接。该引脚连接到输出电感和一个外部
续流二极管形成转换器的开关节点。
FB
1
I
GND
PVIN
SW
2
4
3
-
I
I / O
4
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简化的框图
BOOST
6
TPS40222
F（V
OSC
)
振荡器
DC
BIAS
F（我
漏
)
BOOST
二极管
I
漏
PVIN
4
0.5 V
REF
FB
TSD
软启动
0.8 V
REF
FB 1
综合
坡道
E / A
+
2 M
热
关闭
16 pF的
+
PWM
比较
S
R
Q
Q
3 SW
F（我
漏
)
+
过电流
比较
AVIN 5
参考文献：
0.8 V
REF
0.5 V
REF
电流限制阈值
2
GND
UDG04129
5
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1.6 -A ， 1.25 MHz降压转换器，采用3毫米
×
3毫米SON封装
特点
输入电压范围为4.5 V
DC
到8 V
DC
输出电压（ 0.8 V至90 ％V
IN
)
0 A至1.6 A电流能力
固定的1.25 MHz的开关频率
参考0.8 V± 1 ％
内置250 mΩ的N沟道MOSFET开关
带内部斜坡电流模式控制
赔偿金
内部软启动
内部环路补偿
短路保护
热关断
效率高达92 ％
小3毫米
×
3毫米SON封装
应用
磁盘驱动器
机顶盒
负载的功率的点
ASIC电源
描述
该TPS40222是一个固定频率，电流模式，
非同步降压转换器的优化
申请搭载一台5 -V的分布式源。
与内部确定的工作频率，
软启动时间，而且控制环路补偿时，
TPS40222提供了许多功能具有最小的
的外部元件。
该TPS40222工作于1.25 MHz和支持
高达1.6 A输出负载。输出电压可以是
编程以低至0.8 V的TPS40222
利用脉冲由脉冲电流限制以及
频率折返到期间保护器
灾难性的短路输出条件。
简化应用图
典型的英法fi效率
vs
负载电流
100
V
IN
= 5 V
95
90
η
- 效率 - ％
85
80
75
70
65
60
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
负载
- 负载电流 - 一个
V
OUT
= 1.25 V
D1
C3
R1
C1
6
5
4
C2
SW
3
L1
V
OUT
BOOST AVIN PVIN
V
IN
V
OUT
= 3.3 V
FB
1
TPS40222
GND
2
R2
UDG04135
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2005-2006 ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
J
-40°C至125°C
输出电压
可调整的
包
塑料SON （ DRP ）
产品型号
TPS40222DRPT
TPS40222DRPR
中
小型磁带和卷轴
大型磁带和卷轴
数量
250
3000
绝对最大额定值
在自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS40222
BOOST
SW （最高50纳秒）
V
IN
输入电压范围
SW
AVIN ， PVIN
FB
I
OUT
T
J
T
英镑
输出电流源
储存温度
外壳温度每JSTD - 020C 10秒
(1)
SW
工作结温范围
19
–5
-2 16
10
-0.3 2
3.5
-40到160
-65至165
260
°C
A
V
单位
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
IN
I
OUT
T
J
输入电压
SW节点的输出电流
工作结温
4.5
0
-40
喃
最大
8.0
1.6
125
单位
V
A
°C
静电放电（ ESD）保护
民
人体模型
清洁发展机制
最大
2500
1500
单位
V
2
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电气特性
T
J
= -40 ° C至125°C ， 4.5
≤
V
AVIN
= V
PVIN
≤
5.5V（除非另有说明）
参数
反馈电压
T
J
= 25 ℃，无负荷
V
FB
I
FB
t
SS
Gm
GBW
f
SW
f
SWFB
V
FFB
I
CL
t
ON
反馈电压
反馈输入偏置电流
软启动时间
跨
(1)
增益带宽
产品
(1)
V
FB
> 0.7 V
启动/过电流，V
FB
= 0 V
0 V＆ LT ; V
FB
＆ LT ; 0.4 V
电压
(1)
V
AVIN
= V
PVIN
= 5 V
0.4
2.1
2.6
90
T
J
= 25°C
-40°C
≤
T
J
≤
125°C
90%
V
PVIN
= 10 V
I
SW
= 100毫安， V
AVIN
= V
PVIN
= 5 V
I
二极管
≤
5毫安
3.6
250
250
97%
-10
0.5
0.9
3.8
0.4
1.0
150
-10
1.5
4.0
-30
1.0
A
mA
V
550
1.00
75
-40°C
≤
T
J
≤
125°C ，无负载，
4.5V
≤
V
DD
≤
7 V
V
FB
= 0.9 V, V
AVIN
= V
PVIN
= 5 V
V
AVIN
= V
PVIN
= 5 V
300
792
788
30
550
10
12
1.25
140
2200
0.6
3.1
200
1.50
800
808
812
100
850
mV
nA
s
S
兆赫
兆赫
千赫
赫兹/ MV
V
A
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
软启动
跨导放大器
振荡器
开关频率
最低频率折返
折返频率斜率
(1)
频率折返V
FB
门槛
过流阈值
最小导通时间的过流
(1)
过电流检测
高端MOSFET和驱动程序
R
DS （ ON）
D
最大
I
SWL
I
BOOST
漏极 - 源极导通电阻
最大占空比
MOSFET SW漏电流
升压电流
升压二极管电压降
欠压锁定（ UVLO ）
V
ON
V
HYST
I
Q
导通电压
滞后电压
AVIN静态电流
热关断电压
(1)
热滞
(1)
(1)
由设计保证。未经生产测试。
V
mA
m
热关断
°C
3
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DRP包装
（底视图）
BOOST
6
1
FB
AVIN
5
2
GND
PVIN
4
3
SW
A.
B.
裸露焊盘提供了低热阻
θ
JC
= 2 ° C / W
裸露焊盘连接至GND 。
表1.端子功能
终奌站
名字
AVIN
BOOST
号
5
6
I / O
I
I / O
描述
输入电源装置的控制部。密切绕过此引脚与GND的低ESR陶瓷电容
1 - F或更大。
该引脚提供了一个自举电源为PWM的高边MOSFET驱动器，可实现的门
高侧MOSFET被驱动的输入电源轨的上方。连接一个33 nF的电容从这个引脚SW引脚和
（可选）从这个引脚到引脚PVIN肖特基二极管。
反相误差放大器的输入端。在闭环运行，在这个引脚上的电压是内部参考电平
800毫伏。在启动或故障情况下，该引脚上的电压也影响了工作频率
转换器。向0 V在销上，其工作频率约为140 kHz.The频率的增加而线性
到大约1.25兆赫的引脚上的电压上升到0.6 V高于0.6伏，工作频率
保持在约1.25兆赫。
地连接到该设备。
输入到该装置的功率部分。绕过这个引脚GND与10 - F或更大的低ESR电容。
内部开关MOSFET的源极连接。该引脚连接到输出电感和一个外部
续流二极管形成转换器的开关节点。
FB
1
I
GND
PVIN
SW
2
4
3
-
I
I / O
4
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简化的框图
BOOST
6
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F（V
OSC
)
振荡器
DC
BIAS
F（我
漏
)
BOOST
二极管
I
漏
PVIN
4
0.5 V
REF
FB
TSD
软启动
0.8 V
REF
FB 1
综合
坡道
E / A
+
2 M
热
关闭
16 pF的
+
PWM
比较
S
R
Q
Q
3 SW
F（我
漏
)
+
过电流
比较
AVIN 5
参考文献：
0.8 V
REF
0.5 V
REF
电流限制阈值
2
GND
UDG04129
5
QQ：2880707522 复制
