TPS40200-EP
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SGLS371 - 2007年1月
宽输入范围非同步电压模式控制器
特点
控制基线
- 一个封装/测试网站，一个制造
现场
-55 ° C扩展级温度性能
至125℃
增强递减制造源
（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
(1)
输入电压范围为4.5 V至52 V
输出电压（ 700 mV至87 ％的V
in
)
200 - mA内部P沟道FET驱动器
电压前馈补偿
欠压锁定
按照JEDEC和组件认证
行业标准，以确保可靠运行了一个多
扩展级温度范围。这包括，但不限于
到，高加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，
温度循环，高压灭菌器或无偏HAST ，
电，债券间的生活，和模塑料
生活。这样的资格测试不应该被看作是
超出规定的证明使用该组件的
性能和环境限制。
(1)
可编程固定频率（ 35 kHz至
500 kHz）的操作
可编程短路保护
打嗝过流故障恢复
可编程闭环软启动
700 mV的1 ％的基准电压
外部同步
小型8引脚小外形集成电路
（ SOIC ） （D ）封装
应用
工业控制
分布式电源系统
DSL /电缆调制解调器
扫描仪
电信
描述
该TPS40200是具有内置的200毫安驱动P沟道场效应晶体管的柔性非同步控制器。该
电路具有输入高达52 V操作，具有省电功能，关断驱动电流一旦外部
场效应管已经完全打开。此功能扩展装置的灵活性，允许它与操作
输入电压高达52 V，无耗散过多的功率。该电路与电压模式反馈工作
并且前馈，可以立即响应于输入电压变化的输入电压补偿。积分
700 mV的参考被调整到2％ ，为精确地控制低电压的装置。该TPS40200是
采用8引脚SOIC封装，并支持许多更复杂的控制器的功能。时钟频率，
软启动和过流限制每个都是由一个单一的，外部组件很容易进行编程。该部分有
欠压锁定，并且可以容易地同步到其它控制器或系统时钟，以满足
测序和/或噪声减少的要求。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2007 ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
典型用途
V
IN
R5
100
V
IN
= 8 V
V
IN
= 12 V
V
IN
= 16 V
C1
C3
TPS40200
1 RC
C4
2 SS
R3
C5
3 COMP GDRV 6
Q1 L1
C2
D1
R4
R1
R2
V
OUT
ISNS 7
VDD 8
90
效率 - ％
R
SENSE
80
70
4 FB
GND 5
60
V
OUT
= 5 V
50
0
0.5
1
1.5
2
负载电流 - 一个
2.5
3
C6
图1. 12 V至5 V降压转换器
用94 ％的效率
应用电路1图2.典型效率
（在描述
应用1 ）
静电放电（ ESD）保护
民
人体模型
清洁发展机制
最大
1500
1500
单位
V
V
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
单位
V
DD
， ISNS
输入电压范围
RC ， FB
SS
输出电压范围
T
J
T
英镑
COMP
GDRV
52
-0.3 5.5
-0.3 9
-0.3 9
(V
IN
- 10） V
IN
-55到150
-55到150
260
V
°C
°C
°C
V
经营虚拟结温范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下， 10秒
(1)
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出任何其他条件的功能操作下，推荐工作指示
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
DD
输入电压
4.5
最大
52
单位
V
2
提交文档反馈
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电气特性（续）
-55°C <牛逼
A
= T
J
< 125°C ，V
DD
= 12 V，F
OSC
= 100千赫（除非另有说明）
参数
I
COMP （ SNK ）
输出灌电流
测试条件
V
FB
= 1.2 V， COMP = 1 V
民
1.0
典型值
2.5
最大
单位
mA
热特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
θ
JC
θ
JA
θ
JA
(1)
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
热阻，结到环境
测试条件
(1)
(1)
高K
(1)
低K
典型值
49
97.5
176
单位
° C / W
° C / W
° C / W
TI充分利用测试板设计JESD 51-3和51-7 JESD热阻抗测量。这些列出的参数
标准也被用于建立热模型。
订购信息
T
A
-55 ° C至125°C
产量
电压
可调整的
包
SOIC - D
订购型号
TPS40200MDREP
中
磁带和卷轴
QUANTITY
2500/reel
设备信息
功能框图
COMP 3
FB 4
E / A和SS
参考
SS 2
+
软启动
和
过电流
–
8 VDD
GDRV电压
摆动限制
到（Ⅴ
IN
– 8 V)
+ 700毫伏
PWM
逻辑
启用E / A
司机
ISNS 7
6 GDRV
5 GND
RC 1
UVLO
OSC
包
（ TOP VIEW ）
RC
SS
COMP
FB
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
ISNS
GDRV
GND
4
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设备信息（续）
终端功能
终奌站
名字
RC
号
1
I / O
描述
开关频率设定RC网络。从RC引脚连接电容到GND引脚和电阻从V
IN
引脚到引脚RC 。该装置可以通过一个漏极开路输出连接到被同步至外部时钟
这个引脚和拉至GND。脉冲宽度同步不宜过多。
软启动引脚进行编程。连接电容器从SS到GND编程软启动时间。要将这个引脚
低于150毫伏导致输出开关停止，将器件置于关机状态。该引脚还
作为重启定时器过流事件。
补偿。误差放大器的输出。从COMP连接控制环路补偿网络FB 。
反馈。误差放大器的反相输入端。反馈电阻网络的中心抽头连接到该引脚。
接地装置
O
I
I
驱动器输出用于外部P沟道MOSFET
电流检测比较器输入。连接ISNS和V之间的电流检测电阻
DD
为了设置
所需的过流阈值。
系统输入电压。连接本地旁路电容， V
DD
到GND 。
I
SS
COMP
FB
GND
GDRV
ISNS
VDD
2
3
4
5
6
7
8
I
O
I
典型特征
静态电流与温度
1.66
1.65
1.64
1.63
2.5
3
静态电流与V
DD
2
I
DD
- 毫安
I
DD
- 毫安
V
DD
= 12 V
1.62
1.61
1.6
1.59
1.58
1.57
1.56
-50
1.5
1
0.5
0
-25
0
25
50
75
100
125
5
10
15
20
25
温度 - °C
30 35
V
DD
- V
40
45
50
55
网络连接gure 3 。
软启动阈值与温度
156.5
图4中。
UVLO TURNON和关与温度
4.3
156
4.25
Turnon
复位门限 - 毫伏
UVLO Turnon - V
155.5
4.2
155
4.15
154.5
V
DD
= 12 V
4.1
倒胃口
154
4.05
153.5
-50
4
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
温度 - °C
25
50
温度 - °C
75
100
125
图5中。
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图6 。
5
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宽输入范围非同步电压模式控制器
特点
控制基线
- 一个封装/测试网站，一个制造
现场
-55 ° C扩展级温度性能
至125℃
增强递减制造源
（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
(1)
输入电压范围为4.5 V至52 V
输出电压（ 700 mV至87 ％的V
in
)
200 - mA内部P沟道FET驱动器
电压前馈补偿
欠压锁定
按照JEDEC和组件认证
行业标准，以确保可靠运行了一个多
扩展级温度范围。这包括，但不限于
到，高加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，
温度循环，高压灭菌器或无偏HAST ，
电，债券间的生活，和模塑料
生活。这样的资格测试不应该被看作是
超出规定的证明使用该组件的
性能和环境限制。
(1)
可编程固定频率（ 35 kHz至
500 kHz）的操作
可编程短路保护
打嗝过流故障恢复
可编程闭环软启动
700 mV的1 ％的基准电压
外部同步
小型8引脚小外形集成电路
（ SOIC ） （D ）封装
应用
工业控制
分布式电源系统
DSL /电缆调制解调器
扫描仪
电信
描述
该TPS40200是具有内置的200毫安驱动P沟道场效应晶体管的柔性非同步控制器。该
电路具有输入高达52 V操作，具有省电功能，关断驱动电流一旦外部
场效应管已经完全打开。此功能扩展装置的灵活性，允许它与操作
输入电压高达52 V，无耗散过多的功率。该电路与电压模式反馈工作
并且前馈，可以立即响应于输入电压变化的输入电压补偿。积分
700 mV的参考被调整到2％ ，为精确地控制低电压的装置。该TPS40200是
采用8引脚SOIC封装，并支持许多更复杂的控制器的功能。时钟频率，
软启动和过流限制每个都是由一个单一的，外部组件很容易进行编程。该部分有
欠压锁定，并且可以容易地同步到其它控制器或系统时钟，以满足
测序和/或噪声减少的要求。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2007 ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
典型用途
V
IN
R5
100
V
IN
= 8 V
V
IN
= 12 V
V
IN
= 16 V
C1
C3
TPS40200
1 RC
C4
2 SS
R3
C5
3 COMP GDRV 6
Q1 L1
C2
D1
R4
R1
R2
V
OUT
ISNS 7
VDD 8
90
效率 - ％
R
SENSE
80
70
4 FB
GND 5
60
V
OUT
= 5 V
50
0
0.5
1
1.5
2
负载电流 - 一个
2.5
3
C6
图1. 12 V至5 V降压转换器
用94 ％的效率
应用电路1图2.典型效率
（在描述
应用1 ）
静电放电（ ESD）保护
民
人体模型
清洁发展机制
最大
1500
1500
单位
V
V
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
单位
V
DD
， ISNS
输入电压范围
RC ， FB
SS
输出电压范围
T
J
T
英镑
COMP
GDRV
52
-0.3 5.5
-0.3 9
-0.3 9
(V
IN
- 10） V
IN
-55到150
-55到150
260
V
°C
°C
°C
V
经营虚拟结温范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下， 10秒
(1)
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备，在这些或超出任何其他条件的功能操作下，推荐工作指示
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
DD
输入电压
4.5
最大
52
单位
V
2
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电气特性（续）
-55°C <牛逼
A
= T
J
< 125°C ，V
DD
= 12 V，F
OSC
= 100千赫（除非另有说明）
参数
I
COMP （ SNK ）
输出灌电流
测试条件
V
FB
= 1.2 V， COMP = 1 V
民
1.0
典型值
2.5
最大
单位
mA
热特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
θ
JC
θ
JA
θ
JA
(1)
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
热阻，结到环境
测试条件
(1)
(1)
高K
(1)
低K
典型值
49
97.5
176
单位
° C / W
° C / W
° C / W
TI充分利用测试板设计JESD 51-3和51-7 JESD热阻抗测量。这些列出的参数
标准也被用于建立热模型。
订购信息
T
A
-55 ° C至125°C
产量
电压
可调整的
包
SOIC - D
订购型号
TPS40200MDREP
中
磁带和卷轴
QUANTITY
2500/reel
设备信息
功能框图
COMP 3
FB 4
E / A和SS
参考
SS 2
+
软启动
和
过电流
–
8 VDD
GDRV电压
摆动限制
到（Ⅴ
IN
– 8 V)
+ 700毫伏
PWM
逻辑
启用E / A
司机
ISNS 7
6 GDRV
5 GND
RC 1
UVLO
OSC
包
（ TOP VIEW ）
RC
SS
COMP
FB
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
ISNS
GDRV
GND
4
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设备信息（续）
终端功能
终奌站
名字
RC
号
1
I / O
描述
开关频率设定RC网络。从RC引脚连接电容到GND引脚和电阻从V
IN
引脚到引脚RC 。该装置可以通过一个漏极开路输出连接到被同步至外部时钟
这个引脚和拉至GND。脉冲宽度同步不宜过多。
软启动引脚进行编程。连接电容器从SS到GND编程软启动时间。要将这个引脚
低于150毫伏导致输出开关停止，将器件置于关机状态。该引脚还
作为重启定时器过流事件。
补偿。误差放大器的输出。从COMP连接控制环路补偿网络FB 。
反馈。误差放大器的反相输入端。反馈电阻网络的中心抽头连接到该引脚。
接地装置
O
I
I
驱动器输出用于外部P沟道MOSFET
电流检测比较器输入。连接ISNS和V之间的电流检测电阻
DD
为了设置
所需的过流阈值。
系统输入电压。连接本地旁路电容， V
DD
到GND 。
I
SS
COMP
FB
GND
GDRV
ISNS
VDD
2
3
4
5
6
7
8
I
O
I
典型特征
静态电流与温度
1.66
1.65
1.64
1.63
2.5
3
静态电流与V
DD
2
I
DD
- 毫安
I
DD
- 毫安
V
DD
= 12 V
1.62
1.61
1.6
1.59
1.58
1.57
1.56
-50
1.5
1
0.5
0
-25
0
25
50
75
100
125
5
10
15
20
25
温度 - °C
30 35
V
DD
- V
40
45
50
55
网络连接gure 3 。
软启动阈值与温度
156.5
图4中。
UVLO TURNON和关与温度
4.3
156
4.25
Turnon
复位门限 - 毫伏
UVLO Turnon - V
155.5
4.2
155
4.15
154.5
V
DD
= 12 V
4.1
倒胃口
154
4.05
153.5
-50
4
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
温度 - °C
25
50
温度 - °C
75
100
125
图5中。
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图6 。
5
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