TPS40200
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SLUS659 - 2006年2月
宽输入范围非同步电压模式控制器
特点
输入电压范围为4.5 52 V
输出电压（ 700 mV至90 ％的V
in
)
200毫安内部P- FET驱动器
电压前馈补偿
欠压锁定
可编程固定频率（ 35-500千赫）
手术
可编程短路保护
打嗝过流故障恢复
可编程闭环软启动
700 mV的1 ％的基准电压
外部同步
小型8引脚SOIC （D ）封装
描述
该TPS40200是一个灵活的非同步
控制器具有一个内置的200毫安驱动P沟道
场效应管。该电路的输入工作频率高达52伏
与省电功能，关闭驱动程序
目前，一旦外部FET已全面开启
上。此功能扩展装置的灵活性，
允许它与输入电压高达52来操作
伏而不耗散过多的功率。该电路
工作在电压模式的反馈，并具有
前馈
输入电压
赔偿金
那
立即响应输入电压的变化。该
积分700毫伏参考被调整到2％ ，
提供手段，以精确地控制低
电压。该TPS40200是采用8引脚
SOIC ，并支持许多的更多功能
复杂的控制器。时钟频率，软启动，以及
过流限制每个都容易被编程
单，外部组件。该部分有
欠压锁定，并可以很容易地同步
与其它控制器或系统时钟，以满足
测序和/或噪声减少的要求。
本数据表中的主要部分包括：
特定网络阳离子
一般信息
应用实例
设计参考
应用
工业控制
分布式电源系统
DSL /电缆调制解调器
扫描仪
电信
典型用途
V
IN
R5
100
V
IN
= 8 V
V
IN
= 12 V
V
IN
= 16 V
C1
C3
TPS40200
1 RC
VDD 8
90
效率 - ％
C4
2 SS
R3
C5
3 COMP GDRV 6
ISNS 7
R
SENSE
80
70
Q1
L1
C2
D1
V
OUT
4 FB
R4
R1
R2
GND 5
60
V
OUT
= 5 V
50
0
0.5
1
1.5
2
负载电流 - 一个
2.5
3
C6
图1. 12 V至5 V降压转换器，具有94 ％效率
应用电路1图2.典型效率
（在描述
应用1 ）
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
静电放电（ ESD）保护
民
人体模型
清洁发展机制
最大
1500
1500
单位
V
V
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
TPS40200
V
DD
， ISNS
输入电压范围
RC ， FB
SS
输出电压范围
T
英镑
储存温度
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
COMP
GDRV
52
-0.3 5.5
-0.3 9.0
-0.3 9.0
(V
IN
- 10） V
IN
-55到150
260
V
°C
°C
V
单位
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
DD
T
a
输入电压
工作结温范围
4.5
–40
喃
最大
52
85
单位
V
°C
2
提交文档反馈
TPS40200
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电气特性
-40°C <牛逼
A
= T
J
< 85°C ，V
DD
= 12 V，F
OSC
= 100千赫（除非另有说明）
参数
参考电压
COMP = FB ，T
A
= 25°C
V
FB
反馈电压
T
A
= 25°C
4.5 < V
DD
< 52
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 85°C
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 125°C
栅极驱动器
I
SRC
I
SNK
V
门
I
qq
V
UVLO （ON）的
V
UVLO （OFF）的
V
UVLO （ HYST ）
软启动
R
SS （ CHG ）
R
SS （ DCHG ）
V
SSRST
内部软启动上拉
阻力
内部软启动下拉
阻力
软启动复位门限
0° ℃下牛逼
A
＆ LT ; 125°C
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 125°C
65
190
100
65
55
100
(1)
测试条件
民
689
686
679
679
125
200
典型值
696
696
696
696
300
300
8
1.5
最大
702
703
708
710
单位
mV
栅极驱动器的上拉电流
栅极驱动器下拉电流
栅极驱动器输出电压
器件静态电流
导通阈值
关断阈值
迟滞
V
门
= (V
DD
– V
GDRV
） ， 12 < V
DD
< 52
f
OSC
= 300 kHz时，驱动程序无法切换， 4.5 < V
DD
< 52
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 125°C
mA
mA
10
3.0
4.5
275
170
485
200
140
140
2
200
500
k
V
mA
6
静态电流
欠压锁定（ UVLO ）
3.8
110
4.25
4.05
200
105
305
150
100
100
150
V
mV
mV
过电流保护
V
ILIM
OC
DF
V
ILIM （ RST ）
过流阈值
过电流的占空比
过电流复位阈值
振荡器频率范围
F
OSC
振荡器频率
频率线路调整
V
RMP
斜坡幅度
4.5 < V
DD
< 52
(1)
mV
%
mV
振荡器
35
85
255
-9
–20
VDD÷10
200
100
93
90
8
95
93
10
12
400
200
100
300
R
RC
= 200 kΩ的，C
RC
= 470 pF的
R
RC
= 68.1 kΩ的，C
RC
= 470 pF的
12 V < V
DD
< 52 V
4.5 V＆ LT ; V
DD
< 12 V
4.5 V＆ LT ; V
DD
< 52 V
V
DD
= 12 V
V
DD
= 30 V
F
OSC
= 100千赫，C
L
= 470 pF的
F
OSC
= 300千赫，C
L
= 470 pF的
115
345
0
0
%
V
千赫
脉宽调制器
t
民
D
最大
K
PWM
最小可控脉冲
宽度
最大占空比
调制器和功率级
DC增益
输入偏置电流
开环增益
单位增益带宽
输出源电流
输出灌电流
(1)
(1)
ns
%
V/V
误差放大器器
I
IB
AOL
增益带宽积
I
COMP （ SRC ）
I
COMP （ SNK ）
(1)
100
60
1.5
100
1.0
80
3
250
2.5
250
nA
dB
兆赫
A
mA
V
FB
= 0.6 V， COMP = 1 V
V
FB
= 1.2 V， COMP = 1 V
按照设计只。在生产中测试。
提交文档反馈
3
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热特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
θ
JC
(1)
热阻，结到外壳
测试条件
(1)
民
典型值
49
最大
单位
° C /瓦
TI充分利用测试板设计JESD 51-3和51-7 JESD热阻抗测量。这些列出的参数
标准也被用于建立热模型。 TI采用热模型的程序ThermCAL ，有限差分热建模
工具。使用该试验过程中，该部分的结到外壳的热阻为49℃ / W 。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
产量
电压
可调整的
包
塑料小外形封装（ D）
产品型号
TPS40200D
中
磁带和卷轴
QUANTITY
2500/Reel
(1)
添加的R后缀的设备类型下令每卷2500设备
设备信息
TPS40200
COMP 3
FB 4
E / A和SS
参考
SS 2
+
软启动
和
过电流
–
8 VDD
GDRV电压
摆动限制
到（Ⅴ
IN
–
8 V)
+ 700毫伏
PWM
逻辑
启用E / A
司机
6 GDRV
ISNS 7
5 GND
RC 1
UVLO
OSC
图3.功能框图
包（顶视图）
RC
SS
COMP
FB
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
ISNS
GDRV
GND
图4.器件的引脚
4
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设备信息（续）
表1.端子功能
终奌站
名字
RC
号
1
I / O
描述
开关频率设定的RC网络。从RC引脚连接电容到GND引脚和电阻从V
IN
引脚到引脚RC 。该装置可以通过一个开漏输出连接到被同步至外部时钟
这个引脚和拉至GND。脉冲宽度同步不宜过多。看
第1节。
软启动引脚进行编程。连接电容器从SS到GND编程软启动时间。要将这个引脚
低于150毫伏导致输出开关停止，将器件置于关机状态。该引脚还
作为重启定时器过流事件。
误差放大器的输出。从COMP连接控制环路补偿网络FB 。
误差放大器的反相输入端。反馈电阻网络的中心抽头连接到该引脚。
设备接地。
O
I
I
驱动器输出用于外部P沟道MOSFET
电流检测比较器输入。连接ISNS和V之间的电流检测电阻
DD
为了设置
所需的过流阈值。
系统输入电压。连接本地旁路电容， V
DD
到GND 。
I
SS
COMP
FB
GND
GDRV
ISNS
VDD
2
3
4
5
6
7
8
I
O
I
典型特征
静态电流与温度
1.66
1.65
1.64
1.63
2.5
3
静态电流与V
DD
2
I
DD
- 毫安
I
DD
- 毫安
V
DD
= 12 V
1.62
1.61
1.6
1.59
1.58
1.57
1.56
-50
1.5
1
0.5
0
-25
0
25
50
75
100
125
5
10
15
20
25
温度 - °C
30 35
V
DD
- V
40
45
50
55
图5中。
软启动阈值与温度
156.5
图6 。
UVLO开启和关闭与温度
4.3
156
4.25
打开
复位门限 - 毫伏
UVLO开启 - V
155.5
4.2
155
4.15
154.5
V
DD
= 12 V
4.1
关
154
4.05
153.5
-50
4
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
温度 - °C
25
50
温度 - °C
75
100
125
图7 。
提交文档反馈
网络连接gure 8 。
5
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宽输入范围非同步电压模式控制器
特点
输入电压范围为4.5 52 V
输出电压（ 700 mV至90 ％的V
in
)
200毫安内部P- FET驱动器
电压前馈补偿
欠压锁定
可编程固定频率（ 35-500千赫）
手术
可编程短路保护
打嗝过流故障恢复
可编程闭环软启动
700 mV的1 ％的基准电压
外部同步
小型8引脚SOIC （D ）封装
描述
该TPS40200是一个灵活的非同步
控制器具有一个内置的200毫安驱动P沟道
场效应管。该电路的输入工作频率高达52伏
与省电功能，关闭驱动程序
目前，一旦外部FET已全面开启
上。此功能扩展装置的灵活性，
允许它与输入电压高达52来操作
伏而不耗散过多的功率。该电路
工作在电压模式的反馈，并具有
前馈
输入电压
赔偿金
那
立即响应输入电压的变化。该
积分700毫伏参考被调整到2％ ，
提供手段，以精确地控制低
电压。该TPS40200是采用8引脚
SOIC ，并支持许多的更多功能
复杂的控制器。时钟频率，软启动，以及
过流限制每个都容易被编程
单，外部组件。该部分有
欠压锁定，并可以很容易地同步
与其它控制器或系统时钟，以满足
测序和/或噪声减少的要求。
本数据表中的主要部分包括：
特定网络阳离子
一般信息
应用实例
设计参考
应用
工业控制
分布式电源系统
DSL /电缆调制解调器
扫描仪
电信
典型用途
V
IN
R5
100
V
IN
= 8 V
V
IN
= 12 V
V
IN
= 16 V
C1
C3
TPS40200
1 RC
VDD 8
90
效率 - ％
C4
2 SS
R3
C5
3 COMP GDRV 6
ISNS 7
R
SENSE
80
70
Q1
L1
C2
D1
V
OUT
4 FB
R4
R1
R2
GND 5
60
V
OUT
= 5 V
50
0
0.5
1
1.5
2
负载电流 - 一个
2.5
3
C6
图1. 12 V至5 V降压转换器，具有94 ％效率
应用电路1图2.典型效率
（在描述
应用1 ）
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
静电放电（ ESD）保护
民
人体模型
清洁发展机制
最大
1500
1500
单位
V
V
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
TPS40200
V
DD
， ISNS
输入电压范围
RC ， FB
SS
输出电压范围
T
英镑
储存温度
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
COMP
GDRV
52
-0.3 5.5
-0.3 9.0
-0.3 9.0
(V
IN
- 10） V
IN
-55到150
260
V
°C
°C
V
单位
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
DD
T
a
输入电压
工作结温范围
4.5
–40
喃
最大
52
85
单位
V
°C
2
提交文档反馈
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电气特性
-40°C <牛逼
A
= T
J
< 85°C ，V
DD
= 12 V，F
OSC
= 100千赫（除非另有说明）
参数
参考电压
COMP = FB ，T
A
= 25°C
V
FB
反馈电压
T
A
= 25°C
4.5 < V
DD
< 52
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 85°C
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 125°C
栅极驱动器
I
SRC
I
SNK
V
门
I
qq
V
UVLO （ON）的
V
UVLO （OFF）的
V
UVLO （ HYST ）
软启动
R
SS （ CHG ）
R
SS （ DCHG ）
V
SSRST
内部软启动上拉
阻力
内部软启动下拉
阻力
软启动复位门限
0° ℃下牛逼
A
＆ LT ; 125°C
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 125°C
65
190
100
65
55
100
(1)
测试条件
民
689
686
679
679
125
200
典型值
696
696
696
696
300
300
8
1.5
最大
702
703
708
710
单位
mV
栅极驱动器的上拉电流
栅极驱动器下拉电流
栅极驱动器输出电压
器件静态电流
导通阈值
关断阈值
迟滞
V
门
= (V
DD
– V
GDRV
） ， 12 < V
DD
< 52
f
OSC
= 300 kHz时，驱动程序无法切换， 4.5 < V
DD
< 52
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 125°C
mA
mA
10
3.0
4.5
275
170
485
200
140
140
2
200
500
k
V
mA
6
静态电流
欠压锁定（ UVLO ）
3.8
110
4.25
4.05
200
105
305
150
100
100
150
V
mV
mV
过电流保护
V
ILIM
OC
DF
V
ILIM （ RST ）
过流阈值
过电流的占空比
过电流复位阈值
振荡器频率范围
F
OSC
振荡器频率
频率线路调整
V
RMP
斜坡幅度
4.5 < V
DD
< 52
(1)
mV
%
mV
振荡器
35
85
255
-9
–20
VDD÷10
200
100
93
90
8
95
93
10
12
400
200
100
300
R
RC
= 200 kΩ的，C
RC
= 470 pF的
R
RC
= 68.1 kΩ的，C
RC
= 470 pF的
12 V < V
DD
< 52 V
4.5 V＆ LT ; V
DD
< 12 V
4.5 V＆ LT ; V
DD
< 52 V
V
DD
= 12 V
V
DD
= 30 V
F
OSC
= 100千赫，C
L
= 470 pF的
F
OSC
= 300千赫，C
L
= 470 pF的
115
345
0
0
%
V
千赫
脉宽调制器
t
民
D
最大
K
PWM
最小可控脉冲
宽度
最大占空比
调制器和功率级
DC增益
输入偏置电流
开环增益
单位增益带宽
输出源电流
输出灌电流
(1)
(1)
ns
%
V/V
误差放大器器
I
IB
AOL
增益带宽积
I
COMP （ SRC ）
I
COMP （ SNK ）
(1)
100
60
1.5
100
1.0
80
3
250
2.5
250
nA
dB
兆赫
A
mA
V
FB
= 0.6 V， COMP = 1 V
V
FB
= 1.2 V， COMP = 1 V
按照设计只。在生产中测试。
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3
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热特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
θ
JC
(1)
热阻，结到外壳
测试条件
(1)
民
典型值
49
最大
单位
° C /瓦
TI充分利用测试板设计JESD 51-3和51-7 JESD热阻抗测量。这些列出的参数
标准也被用于建立热模型。 TI采用热模型的程序ThermCAL ，有限差分热建模
工具。使用该试验过程中，该部分的结到外壳的热阻为49℃ / W 。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
产量
电压
可调整的
包
塑料小外形封装（ D）
产品型号
TPS40200D
中
磁带和卷轴
QUANTITY
2500/Reel
(1)
添加的R后缀的设备类型下令每卷2500设备
设备信息
TPS40200
COMP 3
FB 4
E / A和SS
参考
SS 2
+
软启动
和
过电流
–
8 VDD
GDRV电压
摆动限制
到（Ⅴ
IN
–
8 V)
+ 700毫伏
PWM
逻辑
启用E / A
司机
6 GDRV
ISNS 7
5 GND
RC 1
UVLO
OSC
图3.功能框图
包（顶视图）
RC
SS
COMP
FB
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
ISNS
GDRV
GND
图4.器件的引脚
4
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设备信息（续）
表1.端子功能
终奌站
名字
RC
号
1
I / O
描述
开关频率设定的RC网络。从RC引脚连接电容到GND引脚和电阻从V
IN
引脚到引脚RC 。该装置可以通过一个开漏输出连接到被同步至外部时钟
这个引脚和拉至GND。脉冲宽度同步不宜过多。看
第1节。
软启动引脚进行编程。连接电容器从SS到GND编程软启动时间。要将这个引脚
低于150毫伏导致输出开关停止，将器件置于关机状态。该引脚还
作为重启定时器过流事件。
误差放大器的输出。从COMP连接控制环路补偿网络FB 。
误差放大器的反相输入端。反馈电阻网络的中心抽头连接到该引脚。
设备接地。
O
I
I
驱动器输出用于外部P沟道MOSFET
电流检测比较器输入。连接ISNS和V之间的电流检测电阻
DD
为了设置
所需的过流阈值。
系统输入电压。连接本地旁路电容， V
DD
到GND 。
I
SS
COMP
FB
GND
GDRV
ISNS
VDD
2
3
4
5
6
7
8
I
O
I
典型特征
静态电流与温度
1.66
1.65
1.64
1.63
2.5
3
静态电流与V
DD
2
I
DD
- 毫安
I
DD
- 毫安
V
DD
= 12 V
1.62
1.61
1.6
1.59
1.58
1.57
1.56
-50
1.5
1
0.5
0
-25
0
25
50
75
100
125
5
10
15
20
25
温度 - °C
30 35
V
DD
- V
40
45
50
55
图5中。
软启动阈值与温度
156.5
图6 。
UVLO开启和关闭与温度
4.3
156
4.25
打开
复位门限 - 毫伏
UVLO开启 - V
155.5
4.2
155
4.15
154.5
V
DD
= 12 V
4.1
关
154
4.05
153.5
-50
4
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
温度 - °C
25
50
温度 - °C
75
100
125
图7 。
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网络连接gure 8 。
5
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宽输入范围非同步电压模式控制器
1
特点
输入电压范围为4.5 52 V
输出电压（ 700 mV至90 ％的V
IN
)
200毫安内部P沟道FET驱动器
电压前馈补偿
欠压锁定
可编程固定频率（ 35-500千赫）
手术
可编程短路保护
打嗝过流故障恢复
可编程闭环软启动
700 mV的1 ％的基准电压
外部同步
小型8引脚SOIC （ D）和QFN （ DRB ）包
描述
该TPS40200是一个灵活的非同步
控制器具有一个内置的200毫安驱动P沟道
场效应管。该电路的输入工作频率高达52 V带
省电功能将关闭驱动器的电流
一旦外部FET已经完全打开。这
功能扩展装置的灵活性，允许它
与输入电压高达52 V无操作
耗散过多的功率。该电路工作
电压模式的反馈，并馈
那瞬间响应的输入电压补偿
输入电压的变化。积分700 mV的参考
被调整到2％ ，提供的装置来精确
控制低电压。该TPS40200是可用
和8引脚SOIC和8引脚QFN封装，
支持许多更复杂的特征
控制器。
时钟
频率，
软启动，
和
过流限制每个都容易被编程
单，外部组件。该部分有
欠压锁定，并可以很容易地同步
与其它控制器或系统时钟，以满足
测序和/或噪声减少的要求。
本数据表中的主要部分包括：
特定网络阳离子
一般信息
应用实例
设计参考
应用
工业控制
分布式电源系统
DSL /电缆调制解调器
扫描仪
电信
典型用途
V
IN
R5
100
V
IN
= 8 V
V
IN
= 12 V
V
IN
= 16 V
C1
C3
TPS40200
VDD 8
1 RC
90
效率 - ％
C4
2 SS
R3
C5
3 COMP GDRV 6
ISNS 7
R
SENSE
80
70
Q1 L1
C2
D1
V
OUT
4 FB
R4
R1
R2
GND 5
60
V
OUT
= 5 V
50
0
0.5
1
1.5
2
负载电流 - 一个
2.5
3
C6
图1. 12 V至5 V降压转换器，具有94 ％效率
应用电路1图2.典型效率
（在描述
应用1 ）
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006-2008 ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
静电放电（ ESD）保护
民
人体模型
清洁发展机制
最大
1500
1500
单位
V
V
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
TPS40200
V
DD
， ISNS
输入电压范围
RC ， FB
SS
输出电压范围
T
英镑
储存温度
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
COMP
GDRV
52
-0.3 5.5
-0.3 9.0
-0.3 9.0
(V
IN
-10）到V
IN
-55到150
260
V
°C
°C
V
单位
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
DD
T
A
输入电压
工作温度范围
4.5
–40
喃
最大
52
85
单位
V
°C
电气特性
-40°C <牛逼
A
= T
J
< 85°C ，V
DD
= 12 V，F
OSC
= 100千赫（除非另有说明）
参数
参考电压
COMP = FB ，T
A
= 25°C
V
FB
反馈电压
T
A
= 25°C
4.5 < V
VDD
< 52
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 85°C
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 125°C
栅极驱动器
I
SRC
I
SNK
V
门
I
qq
V
UVLO （ON）的
V
UVLO （OFF）的
V
UVLO （ HYST ）
栅极驱动器的上拉电流
栅极驱动器下拉电流
栅极驱动器输出电压
器件静态电流
导通阈值
关断阈值
迟滞
110
V
门
= (V
VDD
– V
GDRV
） ， 12 < V
DD
< 52
f
OSC
= 300 kHz时，驱动程序无法切换， 4.5 < V
DD
< 52
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 125°C
3.8
125
200
6
300
300
8
1.5
4.25
4.05
200
275
10
3.0
4.5
mA
mA
V
mA
689
686
679
679
696
696
696
696
702
703
708
710
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
静态电流
欠压锁定（ UVLO ）
V
mV
2
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电气特性（续）
-40°C <牛逼
A
= T
J
< 85°C ，V
DD
= 12 V，F
OSC
= 100千赫（除非另有说明）
参数
软启动
R
SS （ CHG ）
R
SS （ DCHG ）
V
SSRST
内部软启动上拉
阻力
内部软启动下拉
阻力
软启动复位门限
0° ℃下牛逼
A
＆ LT ; 125°C
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 125°C
65
190
100
65
55
100
(1)
测试条件
民
典型值
105
305
150
100
100
150
最大
170
485
200
140
140
2
200
500
单位
k
mV
过电流保护
V
ILIM
OC
DF
V
ILIM （ RST ）
过流阈值
过电流的占空比
过电流复位阈值
振荡器频率范围
f
OSC
振荡器频率
频率线路调整
V
RMP
斜坡幅度
最小可控脉冲
宽度。看
图24
为
t
民
VS F
OSC
在各种输入
电压。
最大占空比
调制器和功率级的直流
收益
输入偏置电流
开环增益
单位增益带宽
输出源电流
输出灌电流
(1)
(1)
4.5 < V
VDD
< 52
(1)
mV
%
mV
振荡器
35
85
255
-9
–20
VDD÷10
200
100
93
90
8
95
93
10
12
400
200
ns
100
300
R
RC
= 200 kΩ的，C
RC
= 470 pF的
R
RC
= 68.1 kΩ的，C
RC
= 470 pF的
12 V < V
VDD
< 52 V
4.5 V＆ LT ; V
VDD
< 12 V
4.5 V＆ LT ; V
VDD
< 52 V
V
VDD
= 12 V
V
VDD
= 30 V
f
OSC
= 100千赫，C
L
= 470 pF的
f
OSC
= 300千赫，C
L
= 470 pF的
115
345
0
0
%
V
千赫
脉宽调制器
t
民
D
最大
K
PWM
%
V/V
误差放大器器
I
IB
AOL
增益带宽积
I
COMP （ SRC ）
I
COMP （ SNK ）
(1)
100
60
1.5
100
1.0
80
3
250
2.5
250
nA
dB
兆赫
A
mA
V
FB
= 0.6 V， COMP = 1 V
V
FB
= 1.2 V， COMP = 1 V
由设计保证。未经生产测试。
热特性
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
包
SOIC （ D）
θ
JC
θ
JC
QFN （ DRB ）
θ
JB
θ
JP
θ
JA
(1)
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结对板
热电阻，结到垫
热阻，结到环境（自然对流）
民
典型值
49
85
21
8
67
° C / W
最大
单位
TI充分利用测试板设计JESD 51-3和51-7 JESD热阻抗测量。这些列出的参数
标准也被用于建立热模型。 TI采用热模型的程序ThermCAL ，有限差分热建模
工具。使用该试验过程中，该部分的结到外壳的热阻为49℃ / W 。欲了解更多信息，请参见TI技术
简述
SZZA017.
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订购信息
(1)
T
A
包
代号
D
-40 ° C至85°C
DRB
(1)
QFN
塑料小外形
包
领导
SOIC
包
Descrption
塑料小外形
订购零件
数
TPS40200D
TPS40200DR
TPS40200DRBT
TPS40200DRBR
产量
中
管
REEL
小卷
大卷轴
QUANTITY
75
2500
250
3000
有关最新包装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在本文档的末尾或者看到TI
网站：
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设备信息
TPS40200
COMP
FB
3
4
E / A和SS
参考
SS
2
+
软启动
和
过电流
启用E / A
ISNS
7
+ 700毫伏
PWM
逻辑
8
VDD
GDRV电压摆幅
不限于（Ⅴ
IN
–8V)
司机
6
GDRV
RC
1
OSC
5
UVLO
GND
UDG-05069
图3.功能框图
4
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表1.端子功能
终奌站
名字
COMP
FB
GND
GDRV
ISNS
号
3
4
5
6
7
O
I
I / O
O
I
描述
误差放大器的输出。从COMP连接控制环路补偿网络FB 。
误差放大器的反相输入端。反馈电阻网络的中心抽头连接到该引脚。
设备接地。
驱动器输出用于外部P沟道MOSFET
电流检测比较器输入。连接ISNS和VDD之间的电流检测电阻，以便设置
所需的过流阈值。
开关频率设定的RC网络。从RC引脚连接一个电容到GND引脚和连接
电阻器从VDD引脚到引脚RC 。该装置可通过连接被同步至外部时钟
一个开漏输出到该引脚，并拉至GND。有关脉冲宽度铁道部信息进行同步，
请参阅
同步振荡器
部分。
软启动引脚进行编程。从SS连接电容
GND编程软启动时间。要将这个引脚低于150毫伏导致输出开关停止，将
该设备处于关机状态。该引脚也可以作为重启定时器的过流事件。
系统输入电压。从VDD连接旁路电容到GND 。
RC
1
I
SS
VDD
2
8
I
I
QFN （ DRB ）包装（底视图）
RC
1
SS COMP FB
2
3
4
SOIC （D ）封装（顶视图）
RC
SS
COMP
FB
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
ISNS
GDRV
GND
8
7
6
5
VDD ISNS GDRV GND
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宽输入范围非同步电压模式控制器
1
特点
输入电压范围为4.5 52 V
输出电压（ 700 mV至90 ％的V
IN
)
200毫安内部P沟道FET驱动器
电压前馈补偿
欠压锁定
可编程固定频率（ 35-500千赫）
手术
可编程短路保护
打嗝过流故障恢复
可编程闭环软启动
700 mV的1 ％的基准电压
外部同步
小型8引脚SOIC （ D）和QFN （ DRB ）包
描述
该TPS40200是一个灵活的非同步
控制器具有一个内置的200毫安驱动P沟道
场效应管。该电路的输入工作频率高达52 V带
省电功能将关闭驱动器的电流
一旦外部FET已经完全打开。这
功能扩展装置的灵活性，允许它
与输入电压高达52 V无操作
耗散过多的功率。该电路工作
电压模式的反馈，并馈
那瞬间响应的输入电压补偿
输入电压的变化。积分700 mV的参考
被调整到2％ ，提供的装置来精确
控制低电压。该TPS40200是可用
和8引脚SOIC和8引脚QFN封装，
支持许多更复杂的特征
控制器。
时钟
频率，
软启动，
和
过流限制每个都容易被编程
单，外部组件。该部分有
欠压锁定，并可以很容易地同步
与其它控制器或系统时钟，以满足
测序和/或噪声减少的要求。
本数据表中的主要部分包括：
特定网络阳离子
一般信息
应用实例
设计参考
应用
工业控制
分布式电源系统
DSL /电缆调制解调器
扫描仪
电信
典型用途
V
IN
R5
100
V
IN
= 8 V
V
IN
= 12 V
V
IN
= 16 V
C1
C3
TPS40200
VDD 8
1 RC
90
效率 - ％
C4
2 SS
R3
C5
3 COMP GDRV 6
ISNS 7
R
SENSE
80
70
Q1 L1
C2
D1
V
OUT
4 FB
R4
R1
R2
GND 5
60
V
OUT
= 5 V
50
0
0.5
1
1.5
2
负载电流 - 一个
2.5
3
C6
图1. 12 V至5 V降压转换器，具有94 ％效率
应用电路1图2.典型效率
（在描述
应用1 ）
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
静电放电（ ESD）保护
民
人体模型
清洁发展机制
最大
1500
1500
单位
V
V
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
TPS40200
V
DD
， ISNS
输入电压范围
RC ， FB
SS
输出电压范围
T
英镑
储存温度
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
COMP
GDRV
52
-0.3 5.5
-0.3 9.0
-0.3 9.0
(V
IN
-10）到V
IN
-55到150
260
V
°C
°C
V
单位
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
DD
T
A
输入电压
工作温度范围
4.5
–40
喃
最大
52
85
单位
V
°C
电气特性
-40°C <牛逼
A
= T
J
< 85°C ，V
DD
= 12 V，F
OSC
= 100千赫（除非另有说明）
参数
参考电压
COMP = FB ，T
A
= 25°C
V
FB
反馈电压
T
A
= 25°C
4.5 < V
VDD
< 52
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 85°C
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 125°C
栅极驱动器
I
SRC
I
SNK
V
门
I
qq
V
UVLO （ON）的
V
UVLO （OFF）的
V
UVLO （ HYST ）
栅极驱动器的上拉电流
栅极驱动器下拉电流
栅极驱动器输出电压
器件静态电流
导通阈值
关断阈值
迟滞
110
V
门
= (V
VDD
– V
GDRV
） ， 12 < V
DD
< 52
f
OSC
= 300 kHz时，驱动程序无法切换， 4.5 < V
DD
< 52
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 125°C
3.8
125
200
6
300
300
8
1.5
4.25
4.05
200
275
10
3.0
4.5
mA
mA
V
mA
689
686
679
679
696
696
696
696
702
703
708
710
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
静态电流
欠压锁定（ UVLO ）
V
mV
2
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电气特性（续）
-40°C <牛逼
A
= T
J
< 85°C ，V
DD
= 12 V，F
OSC
= 100千赫（除非另有说明）
参数
软启动
R
SS （ CHG ）
R
SS （ DCHG ）
V
SSRST
内部软启动上拉
阻力
内部软启动下拉
阻力
软启动复位门限
0° ℃下牛逼
A
＆ LT ; 125°C
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; 125°C
65
190
100
65
55
100
(1)
测试条件
民
典型值
105
305
150
100
100
150
最大
170
485
200
140
140
2
200
500
单位
k
mV
过电流保护
V
ILIM
OC
DF
V
ILIM （ RST ）
过流阈值
过电流的占空比
过电流复位阈值
振荡器频率范围
f
OSC
振荡器频率
频率线路调整
V
RMP
斜坡幅度
最小可控脉冲
宽度。看
图24
为
t
民
VS F
OSC
在各种输入
电压。
最大占空比
调制器和功率级的直流
收益
输入偏置电流
开环增益
单位增益带宽
输出源电流
输出灌电流
(1)
(1)
4.5 < V
VDD
< 52
(1)
mV
%
mV
振荡器
35
85
255
-9
–20
VDD÷10
200
100
93
90
8
95
93
10
12
400
200
ns
100
300
R
RC
= 200 kΩ的，C
RC
= 470 pF的
R
RC
= 68.1 kΩ的，C
RC
= 470 pF的
12 V < V
VDD
< 52 V
4.5 V＆ LT ; V
VDD
< 12 V
4.5 V＆ LT ; V
VDD
< 52 V
V
VDD
= 12 V
V
VDD
= 30 V
f
OSC
= 100千赫，C
L
= 470 pF的
f
OSC
= 300千赫，C
L
= 470 pF的
115
345
0
0
%
V
千赫
脉宽调制器
t
民
D
最大
K
PWM
%
V/V
误差放大器器
I
IB
AOL
增益带宽积
I
COMP （ SRC ）
I
COMP （ SNK ）
(1)
100
60
1.5
100
1.0
80
3
250
2.5
250
nA
dB
兆赫
A
mA
V
FB
= 0.6 V， COMP = 1 V
V
FB
= 1.2 V， COMP = 1 V
由设计保证。未经生产测试。
热特性
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
包
SOIC （ D）
θ
JC
θ
JC
QFN （ DRB ）
θ
JB
θ
JP
θ
JA
(1)
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结对板
热电阻，结到垫
热阻，结到环境（自然对流）
民
典型值
49
85
21
8
67
° C / W
最大
单位
TI充分利用测试板设计JESD 51-3和51-7 JESD热阻抗测量。这些列出的参数
标准也被用于建立热模型。 TI采用热模型的程序ThermCAL ，有限差分热建模
工具。使用该试验过程中，该部分的结到外壳的热阻为49℃ / W 。欲了解更多信息，请参见TI技术
简述
SZZA017.
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TPS40200
SLUS659D - 2006年2月 - 修订2008年11月
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订购信息
(1)
T
A
包
代号
D
-40 ° C至85°C
DRB
(1)
QFN
塑料小外形
包
领导
SOIC
包
Descrption
塑料小外形
订购零件
数
TPS40200D
TPS40200DR
TPS40200DRBT
TPS40200DRBR
产量
中
管
REEL
小卷
大卷轴
QUANTITY
75
2500
250
3000
有关最新包装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在本文档的末尾或者看到TI
网站：
www.ti.com 。
设备信息
TPS40200
COMP
FB
3
4
E / A和SS
参考
SS
2
+
软启动
和
过电流
启用E / A
ISNS
7
+ 700毫伏
PWM
逻辑
8
VDD
GDRV电压摆幅
不限于（Ⅴ
IN
–8V)
司机
6
GDRV
RC
1
OSC
5
UVLO
GND
UDG-05069
图3.功能框图
4
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SLUS659D - 2006年2月 - 修订2008年11月
表1.端子功能
终奌站
名字
COMP
FB
GND
GDRV
ISNS
号
3
4
5
6
7
O
I
I / O
O
I
描述
误差放大器的输出。从COMP连接控制环路补偿网络FB 。
误差放大器的反相输入端。反馈电阻网络的中心抽头连接到该引脚。
设备接地。
驱动器输出用于外部P沟道MOSFET
电流检测比较器输入。连接ISNS和VDD之间的电流检测电阻，以便设置
所需的过流阈值。
开关频率设定的RC网络。从RC引脚连接一个电容到GND引脚和连接
电阻器从VDD引脚到引脚RC 。该装置可通过连接被同步至外部时钟
一个开漏输出到该引脚，并拉至GND。有关脉冲宽度铁道部信息进行同步，
请参阅
同步振荡器
部分。
软启动引脚进行编程。从SS连接电容
GND编程软启动时间。要将这个引脚低于150毫伏导致输出开关停止，将
该设备处于关机状态。该引脚也可以作为重启定时器的过流事件。
系统输入电压。从VDD连接旁路电容到GND 。
RC
1
I
SS
VDD
2
8
I
I
QFN （ DRB ）包装（底视图）
RC
1
SS COMP FB
2
3
4
SOIC （D ）封装（顶视图）
RC
SS
COMP
FB
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
ISNS
GDRV
GND
8
7
6
5
VDD ISNS GDRV GND
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