TPS40197
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SLUS886A - 2008年11月 - 修订2012年7月
带有4位VID接口同步降压控制器
用于智能REFLEX DSP的
1
特点
输入电压范围： 4.5 V至14 V
4位动态VID -ON- THE-飞支持
VID可编程输出电压与
可编程转换速率
520 kHz的固定开关频率
可选的低端（三设置）和
固定式高边热补偿
过电流保护
电源良好指示器
内部5 V稳压器
电压模式控制
内部固定的5.5毫秒的软启动时间
预偏置输出安全
在140 ° C热关断
16引脚QFN封装
目录
设备额定值
电气特性
典型特征
设备信息
应用信息
设计实例
其他参考
2
4
6
10
12
18
20
2
描述
该TPS40197是一款同步降压控制器
工作于4.5 V至14 V的输入电源标称。
所述控制器实现电压模式控制
架构与开关频率固定在
520千赫。较高的开关频率功能有助于
使用更小的电感器和输出电容器，
从而提供了一种紧凑的电源解决方案。
自适应反交叉传导方案用于
避免贯通电流，功率FET 。
该TPS40197集成了PWM控制及4位
在单个芯片中的VID接口以允许无缝导通
带可编程的过渡即时VID变化
率。它提供了Smart-一个简单的电源解决方案
反射 DSP内核。
应用
智能反射DSP的
POL模块
电信
典型应用电路
VID3
VID2
VID1
VID0
2
主持人
3
4
SD
5
V
OUT
6
7
V
IN
COMP
VDD
PGOOD
8
LDRV 11
BP 10
GND
9
REF
EN
HDRV 14
1
VID1
VID0
16
VID2
VID3 15
V
IN
SW 13
TPS40197
FB
BOOT 12
V
OUT
UDG-08100
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SMART-反射，智能反射，使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有 2008-2012 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
说明继续
短路检测是通过检测低侧FET上的电压降，当它是在与比较完
它与用户选定的阈值的100毫伏， 200毫伏或280毫伏。阈值设置以单个外部
电阻从COMP连接到GND。该电阻器感测到在启动和选择的阈值进行锁存。
脉冲由脉冲限幅（以防止电流失控）是通过检测两端的电压高侧FET提供
当其上并终止循环时的压降升高超过550 mV的固定阈值。当
控制器感测到的输出短路，两个FET关断，前一个超时时间段观察到
试图重新启动。这提供了一个持续的故障的情况下限制了功耗。
订购信息
(1)
T
A
包
塑料四方
扁平
订购零件
数
TPS40197RGYT
TPS40197RGYR
引脚
产量
供应
管
带盘式
最低
订单
QUANTITY
250
3000
-40 ° C至85°C
(1)
16
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录
在这个文件的末尾，或见TI
网站： www.ti.com 。
2
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TPS40197
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
VDD ， EN
SW
输入电压范围
BOOT ， HDRV
BOOT -SW ， HDRV -SW
FB ，BP ， LDRV ， PGOOD ，楼盘
输出电压范围
COMP
VID0 ， VID1 ， VID2 ， VID3
-0.3 20
-5 25
-0.3 30
-0.3 6
-0.3 6
-0.3 3.5
-0.3 2
-40至150
-55到150
V
°C
°C
V
单位
工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
st
(1)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压
VDD
4.5
–40
工作结温，T
J
最大
14
125
单位
V
°C
包装耗散额定值
包
16引脚塑料四方
扁平封装（ RGY ）
(1)
气流（ LFM ）
0 （自然对流）
200
400
R
θJA
高-K主板
(1)
（ ° C / W）
49.2
41.2
37.7
额定功率（ W）
T
A
= 25°C
2.0
2.4
2.6
额定功率（ W）
T
A
= 85°C
0.81
0.97
1.00
根据JEDEC的高导热率（高K）董事会评级。关于测试方法的更多信息，请参见TI技术简介
SZZA017.
静电放电（ ESD）保护
民
人体模型（ HBM ）
充电设备模型（ CDM）
典型值
2500
1500
最大
单位
V
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3
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电气特性
–40°C
≤
T
J
≤
85°C ，V
VDD
= 12 V时，所有参数处于零功耗（除非另有说明）
参数
基准电压源和VID
V
FB
I
VID
V
VID
t
ANTI- SKEW
(1)
测试条件
0.9 V
≤
V
VID
≤
1.2伏， 0℃下
≤
T
J
≤
85°C
0.9 V
≤
V
VID
≤
1.2 V， -40°C
≤
T
J
≤
85°C
民
–0.5%
–1.0%
50
1.60
300
0.8
0.30
400
典型值
最大
0.5%
1.0%
单位
FB输入电压
VID上拉电流
VID上拉电压
防斜滤波时间
VID高电平输入电压
VID的低电平输入电压
REF /灌电流
正常输入电压
范围
工作电流
V
VID
μA
V
ns
V
V
μA
80
1.68
550
1.0
0.55
650
120
1.78
750
1.3
0.70
850
V
VIDH
V
VIDL
I
REF
输入电源
V
VDD
I
VDD
软启动
t
SS
t
SSDLY
t
REG
V
BP
V
DO
I
SC
I
BP
f
SW
V
坡道
PWM
D
最大
(1)
(1)
(1)
4.5
V
启用
= 3 V
V
启用
= 0.6 V
3.3
1.3
5.0
V
VDD
> 6 V，I
BP
≤
10毫安
V
VDD
>5 V，I
BP
≤
25毫安
50
5.1
2.5
45
5.5
2.3
8.0
5.3
350
14.0
4.5
70
7.0
4.0
11.0
5.5
550
V
mA
μA
软启动时间
软启动延迟时间
时间调节
输出电压
稳压器输出电压差
(V
VDD
–V
BP
)
调节电流限制阈值
平均电流
开关频率
斜坡幅度
最大占空比
最小可控脉冲
输出驱动器死区时间
HDRV关到LDRV上
LDRV关到HDRV上
ms
板上稳压器
V
mV
mA
50
420
520
1
85%
110
50
25
7
60
100
V
FB
= 0 V
V
FB
= 2 V
1
1
3.9
700
4.2
850
1.9
0.6
1.2
4.4
1000
3.0
10
600
振荡器
千赫
V
t
开（分钟）
t
DEAD
ns
误差放大器器
G
BWP
A
OL
I
IB
I
EAOP
I
EAOM
V
UVLO
UVLO
HYST
关闭
V
IH
V
IL
(1)
高层次的输入电压，使能
低层次的输入电压， ENABLE
按设计规定。未经生产测试。
V
(1)
增益带宽积
开环增益
输入偏置电流（电流输出的
FB引脚）
输出源电流
输出灌电流
导通电压
迟滞
兆赫
dB
nA
mA
(1)
欠压锁定
V
mV
4
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电气特性（续）
–40°C
≤
T
J
≤
85°C ，V
VDD
= 12 V时，所有参数处于零功耗（除非另有说明）
参数
输出驱动器
R
HDHI
R
HDLO
R
LDHI
R
LDLO
t
HRISE
t
HFALL
t
LRISE
t
LFALL
(2)
(2)
(2)
(2)
测试条件
民
典型值
最大
单位
高侧驱动器上拉
阻力
高侧驱动器的下拉
阻力
低端驱动器下拉
阻力
高侧驱动器的上升时间
高侧驱动器的下降时间
低侧驱动器上升时间
低侧驱动器下降时间
在很短的最小脉冲时间
电路
开关前沿消隐
脉冲时间
尝试重新启动之间的关断时间
(V
BOOT
– V
SW
） - 4.5 V，I
HDR V
= - 100毫安
(V
BOOT
– V
SW
） - 4.5 V，I
HDR V
= 100毫安
V
V
3.0
1.5
2.5
0.8
15
6.0
3.0
5.0
1.5
35
25
35
25
ns
低端驱动器的上拉电阻I
LDR
I
LDR
= -100毫安
= 100毫安
C
负载
= 1 nF的
10
15
10
短路保护
t
PSS （分钟）
t
BLNK
t
关闭
V
ILIM
(2)
(2)
250
ns
60
30
160
80
228
400
90
50
200
100
280
550
240
120
342
650
mV
120
ms
R
COMP （ GND ）
=开放，T
J
= 25°C
短路比较器的阈值
R
COMP （ GND ）
= 4千欧，T
J
= 25°C
电压
R
COMP （ GND ）
= 12 kΩ的，T
J
= 25°C
短路的阈值电压
高边MOSFET
T
J
= 25°C
V
ILIMH
电源良好
V
OV
V
UV
V
PG_HYST
R
PGD
I
PDGLK
自举二极管
V
DFWD
热关断
T
JSD
(2)
(2)
反馈电压限制
POWERGOOD
在电源良好电压滞后
FB引脚
下拉PGD引脚的电阻
漏电流
V
FB
< 90 ％V
VID
mV或V
FB
> 110 ％V
VID
90% V
VID
≤
V
FB
≤
100% V
VID
, V
PGOOD
= 5 V
I
BOOT
= 5毫安
结关断温度
迟滞
106%
86%
10
110%
90%
30
7
7
114%
94%
70
50
12
1.2
VID
mV
μA
V
0.5
0.8
140
20
T
JSDH
(2)
°C
按设计规定。未经生产测试。
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5
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