TPS40190
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SLUS658A - 2005年7月 - 修订2005年8月
低引脚数同步降压控制器
特点
输入工作电压范围： 4.5 V至15 V
参考0.591 V
±1%
电压模式控制
内部5 V稳压器，用于内部
家政服务，驱动电源和照明
外部负载
可选短路保护
门槛
预偏置输出继电器安全
300 kHz的固定开关频率
内部软启动
小3毫米
×
3mm时， 10引脚SON封装
自举驱动N沟道MOSFET
自适应消除交叉传导
内置自举二极管
为降低开关损耗1.2 -A驱动器
描述
该TPS40190是一种成本优化的同步降压
控制器工作在4.5 V至15 V标称，
并实现了一个固定频率电压模式
电源。该控制器使用一个自适应
防交叉传导机制，防止两个
高侧和所述整流MOSFET以在导通
同时，防止梢通过电流
两个MOSFET 。
该控制器还提供了一个短路保护
阈值，它是与下列三个用户可选
值。的保护级别设置与单个
外部电阻从COMP连接到GND。
在启动期间，该阻抗连接至COMP
被感测到，并且该信息被解码以选择
1的三个阈值的。当控制器
检测输出短路时，两个MOSFET都
关闭和前一个超时时间段观察到
试图重新启动。这提供了限电
耗散在持续故障的情况下。
该TPS40190提供了强大的驱动程序，以尽量减少
开关损耗的功率级，减少热
在MOSFET和允许较大的建立
不得无故切换时使用的MOSFET
点球。
应用
电缆调制解调器CPE
数字机顶盒
显卡/声卡
入门级和中端服务器
简化应用图
VDD
TPS40190
1启用HDRV 10
关闭
2 FB
3 COMP
4 VDD
5 GND
SW 9
BOOT 8
LDRV 7
BP5 6
V
OUT
UDG05059
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
TPS40190
SLUS658A - 2005年7月 - 修订2005年8月
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订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
包
刚果（金）塑料（ SON ）
产品型号
(1)
TPS40190DRCR
TPS40190DRCT
该TPS40190是可以录音，只有举步为艰。用大卷筒
设备类型R订购3000单位每卷的数量。用小
收卷装置类型T订购250每卷的数量。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS40190
VDD
SW
V
DD
输入电压范围
BOOST -SW ， HDRV -SW （差从升压或HDRV到
SW ）
COMP
FB ， BP5 ， LDRV ， ENABLE
T
J
T
英镑
(1)
工作结温范围
储存温度
-0.3 16.5
-5 22
-0.3 6
-0.3 3
-0.3 6
-40至125
-55到150
°C
V
单位
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
耗散额定值
包
的DRc
(1)
(2)
R
θJA
高-K主板
(1)
（ ° C / W）
47.9
R
θJC
(2)
（ ° C / W）
14.1
JEDEC的高K （ 2S2P ）用于导出这些数据的电路板设计是一块3英寸×3英寸（ 7.5厘米× 7.5厘米） ，多层板用
一盎司内部电源层和接地层和两盎司铜的痕迹在上面的板和底部。
结到外壳的阻抗从模具上的器件封装的散热垫测量的。
推荐工作CONDITIIONS
民
V
DD
T
A
输入电压
工作自由空气的温度
4.5
-40
喃
最大
15
85
单位
V
°C
2
TPS40190
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电气特性
T
A
= -40°C至85°C ，V
VDD
= 12 V
dc
, T
A
=T
J
中，所有参数在零功耗（除非另有说明）
参数
参考
V
FB
反馈电压范围
0°C
≤
T
J
≤
85°C
-40°C
≤
T
J
≤
85°C
585
582
4.5
V
启用
= 2.5 V ，输出开关
V
启用
= 0.6 V
V
VDD
> 6 V，I
5VBP
≤
10毫安
V
VDD
- V
BP5
, V
VDD
= 5 V，I
BP5
≤
25毫安
40
40
240
300
0.75
0.5
85%
130
HDRV关到LDRV上
LDRV关到HDRV上
3.0
50
25
4.7
6
10.5
5
60
100
V
FB
= 0 V
V
FB
= 2 V
1
1
250
100
25
R
COMP （ GND ）
=开放，T
J
= 25°C
V
ILIM
(1)
(2)
(3)
短路比较器的阈值电压
R
COMP （ GND ）
= 4千欧，T
J
= 25°C
R
COMP （ GND ）
= 12 kΩ的，T
J
= 25°C
256
128
368
140
95
320
160
460
384
192
552
mV
180
0
兆赫
dB
nA
mA
7.0
ms
ns
360
千赫
V
5.1
5.3
270
591
591
597
597
15.0
2.5
20
5.5
400
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
输入电源
V
VDD
I
VDD
输入电压范围
工作电流
V
mA
A
V
mV
mA
板载稳压器
V
5VBP
V
DO
I
SC
I
BP5
f
SW
V
RMP
V
谷
PWM
D
最大
t
开（分钟）
t
DEAD
最大占空比
(2)
最低控制脉冲
(2)
输出驱动器死区时间
输出电压
稳压器输出电压差
调节电流限制阈值
平均电流
(1)
开关频率
斜坡幅度
(2)
谷
电压
(2)
振荡器
软启动
t
SS
t
SSDLY
t
REG
增益带宽积
A
OL
I
IB
I
EAOP
I
EAOM
t
PSS （分钟）
t
BLNK
t
关闭
软启动时间
软启动延迟时间
(3)
时间调节
增益带宽积
(2)
DC
收益
(2)
输入偏置电流（电流输出FB引脚）
输出源电流
输出灌电流
短路时的最小脉冲
(2)
消隐时间
(2)
尝试重新启动之间的关断时间
误差放大器器
短路保护
ns
ms
40毫安是当前可用的MOSFET栅极驱动器，该设备本身和任何外部载荷。这些的总和不得超过
40毫安。
由设计保证。未经生产测试。
的延迟时间是指从施加电源到设备或从ENABLE ，直到输出开始上升的断言的时间延迟。
3
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电气特性（续）
T
A
= -40°C至85°C ，V
VDD
= 12 V
dc
, T
A
=T
J
中，所有参数在零功耗（除非另有说明）
参数
输出驱动器
R
HDHI
R
HDLO
R
LDHI
R
LDLO
t
HRISE
t
HFALL
t
LRISE
t
LFALL
UVLO
V
UVLO
导通电压
4.10
270
4.25
320
4.40
370
2.8
0.6
I
BOOT
= 5毫安
0.6
0.8
1.2
V
mV
UVLO
HYST
迟滞
关闭
V
IH
V
IL
V
DFWD
(4)
高层次的输入电压，使能
低电平输入votlage ， ENABLE
自举二极管的正向电压
V
高侧驱动器的上拉电阻
高侧驱动器，下拉电阻
低端驱动器的上拉电阻
低端驱动器下拉电阻
高侧驱动器的上升时间
高侧驱动器坠落
(4)
测试条件
V
BOOT
- V
SW
= 4.5 V，I
HDRV
= -100毫安
V
BOOT
- V
SW
= 4.5 V，I
HDRV
= 100毫安
I
LDRV
= -100毫安
I
LDRV
= 100毫安
民
典型值
3
1.5
2.5
0.80
15
10
15
10
最大
6
3.0
5.0
1.50
35
25
35
25
单位
时间
(4)
低侧驱动器上升时间
(4)
低侧驱动器下降时间
(4)
C
负载
= 1 nF的
ns
自举二极管
V
由设计保证。未经生产测试。
4
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设备信息
终端功能
终奌站
名字
BOOT
BP5
COMP
号
8
6
3
I / O
I
O
O
描述
电源的飞行高侧驱动器
输出旁路内部稳压器。连接4.7 μF电容此引脚与GND 。低功耗，低
噪声负载可连接在这里如果需要的话。外部负载的总和与所述栅极驱动要求
不得超过40毫安。
输出的误差放大器的。连接在COMP和GND之间的电阻设定输出短路
检测阈值。详情请参阅应用程序的信息。
启动或停止从外部用户命令控制逻辑电平输入。高水平的转动
控制器上。该引脚具有高阻抗内部上拉电阻集成到设备中。由于该引脚为
高阻抗，一个10 nF的电容接地或外部上拉电阻（ 100 kΩ）连接到VDD是
建议避免噪声耦合到该引脚。
反相输入到误差放大器
为控制公共连接
自举输出用于驱动所述高侧的N沟道FET的栅极。
输出整流器场效应管的栅极
感线自适应反交叉传导电路。服务于飞行高度为常见的连接
侧FET驱动器
功率输入到控制器
刚果（金）包装
（ TOP VIEW ）
GND
5
VDD COMP
4
3
FB ENABLE
2
1
启用
FB
GND
HDRV
LDRV
SW
VDD
1
2
5
10
7
9
4
I
I
-
O
O
I
I
TPS40190DRC
6
BP5
7
8
9
SW
10
HDRV
LDRV BOOT
5
QQ：2880707522 复制
