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8
www.ti.com
TPS40060
TPS40061
SLUS543D - 2002年12月 - 修订2004年9月
宽输入同步降压控制器
特点
工作输入电压10 V至55 V
输入电压前馈补偿
< 1 %内部0.7 V参考
可编程固定频率,高达1 MHz的
电压模式控制器
内置栅极驱动器输出为高边
P- Channel和同步N沟道
MOSFET的
16引脚使用PowerPad 封装( θ
JC
= 2 ° C / W)
热关断
外同步
可编程的高侧检测短路
保护
可编程闭环软启动
TPS40060仅源/ TPS40061源/漏
描述
该TPS40060与TPS40061是高电压,宽
输入( 10 V至55 V )同步降压CON-
变流器。
该系列器件提供设计的灵活性与
多种用户可编程功能,其中包括:
软启动,欠压锁定,工作频率,电压
前馈,高边电流限制和循环的COM
补偿。这些器件也可同步至
一个外部电源。
该TPS40060与TPS40061集成MOSFET
外部P沟道高边栅极驱动器和
N沟道同步整流( SR )的MOSFET 。
栅极驱动逻辑集成防交叉传导
电路,以防止同时高侧和
同步整流器的导通。
应用
网络设备
电信设备
基站
服务器
简化应用图
TPS40060PWP
KFF
ILIM
RT
BP5
SYNC
SGND
SS / SD
VFB
COMP
VIN
HDRV
BPN10
SW
BP10
LDRV
保护地
1
V
IN
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
-
UDG-02157
+
V
OUT
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2002-2004 ,德州仪器
TPS40060
TPS40061
SLUS543D - 2002年12月 - 修订2004年9月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
负载电流
来源
(2)
来源/ SIN
(2)
(1)
塑料HTSSOP ( PWP )
塑料HTSSOP ( PWP )
产品型号
TPS40060PWP
TPS40061PWP
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型(即, TPS40060PWPR ) 。看到应用程序
该数据表使用PowerPad图纸和布局信息的部分。
参见应用信息部分。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
(1)
TPS40060
TPS40061
VIN
VFB , SS / SD , SYNC
V
IN
输入电压范围
SW
SW 。短暂< 50纳秒
V
OUT
I
IN
I
OUT
T
J
T
英镑
(1)
输出电压范围
输入电流
输出电流
储存温度
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
COMP , RT , KFF , SS
KFF
RT
60 V
0.3 V至6 V
0.3 V至60 V或VIN + 5 V
(以较低者为准)
–2.5 V
0.3 V至6 V
5毫安
200 A
-40_C到125_C
-55_C到150_C
260°C
工作结温范围
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
最小值标称值最大值
V
IN
T
A
输入电压
工作自由空气的温度
PWP封装
(1)(2)
( TOP VIEW )
单位
V
°C
10
–40
55
85
KFF
RT
BP5
SYNC
SGND
SS / SD
VFB
COMP
(1)
(2)
1
2
3
4
5
6
7
8
PAD
16
15
14
13
12
11
10
9
ILIM
VIN
HDRV
BPN10
SW
BP10
LDRV
保护地
有关PWP包的详细信息,请参阅TI技术简介( SLMA002 ) 。
使用PowerPad 散热片必须连接到SGND (引脚5 ) ,或所有其他引脚电隔离。
2
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TPS40060
TPS40061
SLUS543D - 2002年12月 - 修订2004年9月
电气特性
T
A
= -40°C至85°C ,V
IN
= 24 V
dc
, R
T
= 165 kΩ的,我
KFF
= 113 μA ,女
SW
= 300 kHz时,所有参数处于零功耗(除非
另有说明)
参数
输入电源
V
IN
I
DD
V
BP5
f
OSC
V
IH
V
IL
I
SYNC
V
RT
输入电压范围, VIN
静态电流
输入电压
频率
高电平输入电压, SYNC
低层次的输入电压, SYNC
输入电流, SYNC
脉冲宽度, SYNC
RT电压
最大占空比
Minumum占空比
V
KFF
I
KFF
I
SS
V
SS
t
DSCH
t
SS
V
SD
V
EN
V
BP10
前馈电压
前馈电流工作
软启动电流源
软启动钳位电压
放电时间
软启动时间
关断阈值电压
设备操作的阈值电压
输入电压
T
A
= 25°C
V
FB
G
BW
A
VOL
I
OH
I
OL
I
BIAS
V
OH
V
OL
(1)
(2)
(3)
反馈调节电压
增益带宽
开环增益
高电平输出源电流
低电平输出灌电流
输入偏置电流
高电平输出电压
低电平输出电压
V
COMP
= 2.0 V, V
FB
= 0 V
V
COMP
= 2.0 V, V
FB
= 1 V
V
FB
= 0.7 V
I
OH
= 0.5毫安, V
FB
= 0 V
I
OL
= 0.5毫安, V
FB
= 1 V
3.25
0.050
0°C
T
A
85°C
C
SS
= 220 pF的
C
SS
= 220 pF的, 0 V
V
SS
1.6 V
范围
(3)
V
FB
= 0 V , 100千赫
f
SW
1兆赫
V
FB
0.75 V
3.35
20
1.8
3.1
1.8
120
90
160
9.0
0.698
0.690
0.690
3
60
1.5
2.5
2.3
3.7
2.2
155
120
210
9.7
0.700
0.700
0.700
5
80
4.0
4.0
100
3.45
0.215
300
3.60
0.350
3.50
脉冲幅度= 5 V
50
2.32
85%
2.50
2.68
98%
0%
3.65
1100
2.9
4.0
2.8
190
145
260
10.7
0.704
0.707
0.715
兆赫
dB
mA
nA
V
V
V
A
A
V
s
5
输出驱动器不能切换
4.5
270
2
0.8
10
A
ns
V
10
1.5
5.0
300
2
V
55
2.5
5.5
330
V
mA
V
千赫
工作电流
5 -V参考
振荡器/ RAMP发生器
(1)
V
坡道
PWM斜坡电压
(2)
测试条件
典型值
最大
单位
SS / SD (软启动)
SS / SD ( SHUTDOWN )
mV
mV
V
10 - V参考
误差放大器器
KFF电流(I
KFF
)与同步频率增加(F
SYNC
),并与最大占空比减小(四
最大
).
由设计保证。未经生产测试。
由设计保证。未经生产测试。
3
TPS40060
TPS40061
SLUS543D - 2002年12月 - 修订2004年9月
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电气特性(续)
T
A
= -40°C至85°C ,V
IN
= 24 V
dc
, R
T
= 165 kΩ的,我
KFF
= 113 μA ,女
SW
= 300 kHz时,所有参数处于零功耗(除非
另有说明)
参数
电流限制
I
SINK
t
延迟
t
ON
t
关闭
V
OS
t
HFALL
t
HRISE
t
LFALL
t
LRISE
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
限流灌电流
传播延迟到输出
开关前沿消隐脉冲时间
(4)
关在故障期间的时间
过流比较器的失调电压
高侧驱动器的下降时间
(4)
高侧驱动器的上升时间
(4)
低侧驱动器坠落
时间
(4)
低侧驱动器上升时间
(4)
高层次的输出中的电压, HDRV
低级别的输出中的电压, HDRV
高层次的输出中的电压, LDRV
低级别的输出中的电压, LDRV
最小可控脉冲宽度
BPN10稳压器
V
BPN1
0
测试条件
8.3
典型值
10.0
330
275
最大
11.5
500
375
单位
A
ns
周期
V
ILIM
= 23.7 V, V
SW
= (V
ILIM
– 0.5 V)
V
ILIM
= 23.7 V, V
SW
= (V
ILIM
– 2 V)
100
7
-200
C
HDRV
= 2200 pF的, (V
IN
– V
BPN10
)
C
HDRV
= 2200 pF的, (V
IN
– V
BPN10
)
C
LDRV
= 2200 pF的, BP10
C
LDRV
= 2200 pF的, BP10
I
HDRV
= 0.1 A , (V
IN
– V
HDRV
)
I
HDRV
= 0.1 A , (V
HDRV
– V
BPN10
)
I
LDRV
= 0.1 A , (V
BP10
– V
LDRV
)
I
LDRV
= 0.1 A
100
1.0
-60
48
36
24
48
1.0
50
96
72
48
96
1.4
0.75
1.5
0.5
150
mV
输出驱动器
ns
V
ns
输出电压
输出OFF
–7.5
–8.5
–9.5
V
整流器零电流比较器( TPS40060 ONLY)
V
SW
I
泄漏
开关电压
漏电流
(4)
关断温度
(4)
迟滞
(4)
欠压锁定阈值电压, BP10
欠压闭锁滞后
V
KFF
(4)
KFF可编程的阈值电压
R
KFF
= 82.5 k
9
R
KFF
= 10 k
6.25
165
25
6.5
0.4
10
11
7.5
V
LDRV输出OFF
–6
0
6
1
mV
A
SW节点
热关断
T
SD
°C
欠压锁定
V
UVLO
由设计保证。未经生产测试。
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TPS40060
TPS40061
SLUS543D - 2002年12月 - 修订2004年9月
终端功能
终奌站
名字
BP5
BP10
BPN10
COMP
HDRV
ILIM
KFF
LDRV
保护地
RT
SGND
3
11
13
8
14
16
1
10
9
2
5
I
I / O
O
O
O
I
O
I
I
I
描述
5 -V参考。该引脚应旁路至地, 0.1μF的陶瓷电容。该引脚可与使用
1 mA或更小的外部直流负载。
10 -V参考使用N沟道同步整流器的栅极驱动。该引脚应通过一个1 μF旁路
陶瓷电容器。该引脚也可以使用具有1mA以下的外部直流负载。
负8 -V参考相对于VIN 。该电压被用于提供所述高侧P沟道栅极驱动器
MOSFET。该引脚应旁路VIN与0.1 μF电容
输出的误差放大器,输入到PWM比较器。反馈网络是从这个引脚相连
VFB引脚,以弥补整体循环。 COMP引脚的内部钳制坡道峰值以上
改善大信号瞬态响应。
浮置栅极驱动器的高侧P沟道MOSFET 。从VIN该引脚开关( MOSFET关断) ,以BPN10
( MOSFET导通) 。
电流限制引脚,用于设置过流阈值。从这个引脚到地的内部电流吸收器设置一个
对面这个引脚VIN连接的外部电阻上的电压降。该引脚上的电压相对于
导通时的电压降( VIN -SW )横跨高边MOSFET 。
电阻从这个引脚连接VIN编程电压前馈量。电流馈入
该引脚在内部分裂,用于控制PWM斜坡的斜率。
栅极驱动器的N沟道同步整流器。该引脚切换从BP10 ( MOSFET ),以地
( MOSFET关断) 。
设备电源接地参考。应该从这个点到源的低阻抗连接
的功率MOSFET。
从这个引脚连接一个电阻到地设置内部振荡器斜坡的充电电流和开关
频率。
该设备的信号接地参考。
软启动引脚进行编程。从这个引脚连接一个电容到地计划的软启动时间。该
电容器被充电为2.3 μA,内部电流源。 SS引脚上产生的电压斜坡作为
的第二非反相输入端的误差放大器。输出电压开始时上升V
SS / SD
大约
0.85 V.输出持续上升,达到调节时, V
SS / SD
大约是1.55 V.该控制器被
考虑过关闭时, V
SS / SD
为125毫伏或更低。所有内部电路处于非活动状态。内部电路是
开启当V
SS / SD
为210毫伏或更大。当V
SS / SD
小于约0.85 V时,输出停止
切换和输出电压(V
OUT
)衰减,而内部电路保持有效。
该引脚被连接到转换器的开关节点和用于过电流检测。该引脚用于
零电流检测在TPS40060 。
同步输入给该设备。该管脚可用于振荡器同步到外部主
频率。
反相输入端的误差放大器。在正常操作该引脚上的电压等于内部参考
电压0.7V。
电源电压的设备。
SS / SD
6
I
SW
SYNC
VFB
VIN
12
4
7
15
I
I
I
I
5
8
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TPS40060
TPS40061
SLUS543F - 2002年12月 - 修订2013年6月
宽输入同步降压控制器
检查样品:
TPS40060 , TPS40061
1
特点
工作输入电压10 V至55 V
输入电压前馈补偿
< 1 %内部0.7 V参考
可编程固定频率,高达1 MHz的
电压模式控制器
内置栅极驱动器输出为高边P-
通道和同步N沟道
MOSFET的
16引脚使用PowerPad 封装( θ
JC
= 2 ° C / W)
热关断
外同步
可编程的高侧检测短路
保护
可编程闭环软启动
TPS40060仅源/ TPS40061源/漏
应用
网络设备
电信设备
基站
服务器
2
描述
该TPS40060与TPS40061是高电压,宽
输入( 10 V至55 V )的同步降压
转换器。
该系列器件提供设计的灵活性与
多种用户可编程功能,其中包括:
软启动,欠压锁定,工作频率,电压馈
前进,
高边
当前
LIMIT ,
补偿。
这些
器件
可同步至一个外部电源。
该TPS40060与TPS40061集成MOSFET
对于外部P沟道高侧和N-栅极驱动器
通道同步整流( SR )的MOSFET 。门
逻辑驱动器采用防交叉传导电路
为了防止同时发生的高侧和同步
整流器的导通。
简化应用图
TPS40060PWP
KFF
ILIM
RT
BP5
SYNC
SGND
SS / SD
VFB
COMP
VIN
HDRV
BPN10
SW
BP10
LDRV
保护地
1
2
V
IN
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
+
11
10
9
-
UDG-02157
V
OUT
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有 2002至13年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS40060
TPS40061
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
负载电流
来源
(2)
来源/ SIN
(2)
(1)
塑料HTSSOP ( PWP )
塑料HTSSOP ( PWP )
产品型号
TPS40060PWP
TPS40061PWP
PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型(即, TPS40060PWPR ) 。见
应用
信息
该数据表使用PowerPad图纸和布局的信息。
SEE
应用信息
部分。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
(1)
TPS40060
TPS40061
VIN
VFB , SS / SD , SYNC
V
IN
输入电压范围
SW
SW 。短暂< 50纳秒
V
OUT
I
IN
I
OUT
T
J
T
英镑
输出电压范围
输入电流
输出电流
储存温度
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
(1)
COMP , RT , KFF , SS
KFF
RT
60 V
0.3 V至6 V
0.3 V至60 V或VIN + 5 V
(以较低者为准)
–2.5 V
0.3 V至6 V
5毫安
200 A
-40_C到125_C
-55_C到150_C
260°C
工作结温范围
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
最小值标称值最大值
V
IN
T
A
输入电压
工作自由空气的温度
PWP封装
(1)(2)
( TOP VIEW )
10
–40
55
85
单位
V
°C
KFF
RT
BP5
SYNC
SGND
SS / SD
VFB
COMP
(1)
(2)
1
2
3
4
5
6
7
8
PAD
16
15
14
13
12
11
10
9
ILIM
VIN
HDRV
BPN10
SW
BP10
LDRV
保护地
有关PWP包的详细信息,请参阅TI技术简介( SLMA002 ) 。
使用PowerPad 散热片必须连接到SGND (引脚5 ) ,或所有其他引脚电隔离。
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TPS40060
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SLUS543F - 2002年12月 - 修订2013年6月
电气特性
T
A
= -40°C至85°C ,V
IN
= 24 V
dc
, R
T
= 165 kΩ的,我
KFF
= 113 μA ,女
SW
= 300 kHz时,所有参数处于零功耗(除非
另有说明)
参数
输入电源
V
IN
I
DD
V
BP5
f
OSC
V
IH
V
IL
I
SYNC
V
RT
输入电压范围, VIN
静态电流
输入电压
频率
高电平输入电压, SYNC
低层次的输入电压, SYNC
输入电流, SYNC
脉冲宽度, SYNC
RT电压
最大占空比
最小占空比
V
KFF
I
KFF
I
SS
V
SS
t
DSCH
t
SS
V
SD
V
EN
前馈电压
前馈电流工作范围
软启动电流源
软启动钳位电压
放电时间
软启动时间
关断阈值电压
设备操作的阈值电压
迟滞
10 - V参考
V
BP10
输入电压
T
A
= 25°C
V
FB
G
BW
A
VOL
I
OH
I
OL
I
BIAS
V
OH
V
OL
(1)
(2)
反馈调节电压
增益带宽
开环增益
高电平输出源电流
低电平输出灌电流
输入偏置电流
高电平输出电压
低电平输出电压
V
COMP
= 2.0 V, V
FB
= 0 V
V
COMP
= 2.0 V, V
FB
= 1 V
V
FB
= 0.7 V
I
OH
= 0.5毫安, V
FB
= 0 V
I
OL
= 0.5毫安, V
FB
= 1 V
3.25
0.050
0°C
T
A
85°C
9.0
0.698
0.690
0.690
3
60
1.5
2.5
9.7
0.700
0.700
0.700
5
80
4.0
4.0
100
3.45
0.215
300
3.60
0.350
10.7
0.704
0.707
0.715
兆赫
dB
mA
nA
V
V
V
误差放大器器
C
SS
= 220 pF的
C
SS
= 220 pF的, 0 V
V
SS
1.6 V
(2)
测试条件
10
典型值
最大
55
单位
V
mA
V
千赫
V
工作电流
输出驱动器不能切换
4.5
270
2
0.8
5
脉冲幅度= 5 V
V
FB
= 0 V , 100千赫
f
SW
1兆赫
V
FB
0.75 V
3.35
20
1.5
3.1
1.6
120
90
170
2.3
3.7
2.2
155
130
210
80
3.50
50
2.32
85%
2.50
2.68
98%
0%
3.65
1100
2.9
4.0
2.9
235
160
260
mV
V
A
A
V
s
10
A
ns
V
1.5
5.0
300
2
2.5
5.5
330
5 -V参考
振荡器/ RAMP发生器
(1)
V
坡道
PWM斜坡电压
(2)
SS / SD (软启动)
SS / SD ( SHUTDOWN )
KFF电流(I
KFF
)与同步频率增加(F
SYNC
),并与最大占空比减小(四
最大
).
由设计保证。未经生产测试。
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电气特性(续)
T
A
= -40°C至85°C ,V
IN
= 24 V
dc
, R
T
= 165 kΩ的,我
KFF
= 113 μA ,女
SW
= 300 kHz时,所有参数处于零功耗(除非
另有说明)
参数
电流限制
T
A
= 25°C
I
SINK
限流灌电流
0°C
T
A
85°C
-40°C
T
A
0°C
t
延迟
t
ON
t
关闭
V
OS
t
HFALL
t
HRISE
t
LFALL
t
LRISE
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
传播延迟到输出
开关前沿消隐脉冲时间
(3)
关在故障期间的时间
过流比较器的失调电压
高侧驱动器的下降时间
(3)
高侧驱动器的上升时间
(3)
低侧驱动器下降时间
(3)
测试条件
8.8
8.3
7.5
典型值
10.0
最大
11.4
11.9
11.5
单位
A
V
ILIM
= 23.7 V, V
SW
= (V
ILIM
– 0.5 V)
V
ILIM
= 23.7 V, V
SW
= (V
ILIM
– 2 V)
100
330
275
7
-200
-60
48
36
24
48
1.0
1.0
100
500
375
ns
周期
50
96
72
48
96
1.4
0.75
1.5
0.5
150
ns
V
ns
mV
输出驱动器
C
HDRV
= 2200 pF的, (V
IN
– V
BPN10
)
C
HDRV
= 2200 pF的, (V
IN
– V
BPN10
)
C
LDRV
= 2200 pF的, BP10
C
LDRV
= 2200 pF的, BP10
I
HDRV
= 0.1 A , (V
IN
– V
HDRV
)
I
HDRV
= 0.1 A , (V
HDRV
– V
BPN10
)
I
LDRV
= 0.1 A , (V
BP10
– V
LDRV
)
I
LDRV
= 0.1 A
低侧驱动器上升时间
(3)
高层次的输出中的电压, HDRV
低级别的输出中的电压, HDRV
高层次的输出中的电压, LDRV
低级别的输出中的电压, LDRV
最小可控脉冲宽度
BPN10稳压器
V
BPN1
0
输出电压
输出OFF
–7.5
–8.5
–9.5
V
整流器零电流比较器( TPS40060 ONLY)
V
SW
I
泄漏
开关电压
漏电流
(3)
关断温度
(3)
迟滞
(3)
LDRV输出OFF
–6
0
6
1
mV
A
SW节点
热关断
T
SD
165
25
R
KFF
= 10 k
R
KFF
= 82.5 k
6.25
9
6.5
0.4
10
11
7.5
V
°C
欠压锁定
V
UVLO
V
KFF
(3)
欠压锁定阈值电压, BP10
欠压闭锁滞后
KFF可编程的阈值电压
由设计保证。未经生产测试。
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终端功能
终奌站
名字
BP5
BP10
BPN10
COMP
HDRV
ILIM
KFF
LDRV
保护地
RT
SGND
3
11
13
8
14
16
1
10
9
2
5
I
I / O
O
O
O
I
O
I
I
I
描述
5 -V参考。该引脚应旁路至地, 0.1μF的陶瓷电容。该引脚可与使用
1 mA或更小的外部直流负载。
10 -V参考使用N沟道同步整流器的栅极驱动。该引脚应通过一个1 μF旁路
陶瓷电容器。该引脚也可以使用具有1mA以下的外部直流负载。
负8 -V参考相对于VIN 。该电压被用于提供所述高侧P沟道栅极驱动器
MOSFET。该引脚应旁路VIN与0.1 μF电容
输出的误差放大器,输入到PWM比较器。反馈网络是从这个引脚相连
VFB引脚,以弥补整体循环。 COMP引脚的内部钳制坡道峰值以上
改善大信号瞬态响应。
浮置栅极驱动器的高侧P沟道MOSFET 。从VIN该引脚开关( MOSFET关断) ,以BPN10
( MOSFET导通) 。
电流限制引脚,用于设置过流阈值。从这个引脚到地的内部电流吸收器设置一个
对面这个引脚VIN连接的外部电阻上的电压降。该引脚上的电压相对于
导通时的电压降( VIN -SW )横跨高边MOSFET 。
电阻从这个引脚连接VIN编程电压前馈量。电流馈入
该引脚在内部分裂,用于控制PWM斜坡的斜率。
栅极驱动器的N沟道同步整流器。该引脚切换从BP10 ( MOSFET ),以地
( MOSFET关断) 。
设备电源接地参考。应该从这个点到源的低阻抗连接
的功率MOSFET。
从这个引脚连接一个电阻到地设置内部振荡器斜坡的充电电流和开关
频率。
该设备的信号接地参考。
软启动引脚进行编程。从这个引脚连接一个电容到地计划的软启动时间。该
电容器被充电为2.3 μA,内部电流源。 SS引脚上产生的电压斜坡作为
的第二非反相输入端的误差放大器。输出电压开始时上升V
SS / SD
大约
0.85 V.输出持续上升,达到调节时, V
SS / SD
大约是1.55 V.该控制器被
考虑过关闭时, V
SS / SD
为125毫伏或更低。所有内部电路处于非活动状态。内部电路是
开启当V
SS / SD
为210毫伏或更大。当V
SS / SD
小于约0.85 V时,输出停止
切换和输出电压(V
OUT
)衰减,而内部电路保持有效。
该引脚被连接到转换器的开关节点和用于过电流检测。该引脚用于
零电流检测在TPS40060 。
同步输入给该设备。该管脚可用于振荡器同步到外部主
频率。
反相输入端的误差放大器。在正常操作该引脚上的电压等于内部参考
电压0.7V。
电源电压的设备。
SS / SD
6
I
SW
SYNC
VFB
VIN
12
4
7
15
I
I
I
I
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