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TPS40056
8
SLVS612 - 2006年4月
宽输入同步,追踪
降压控制器
特点
D
工作输入电压10 V至40 V
D
输出电压跟踪外部参考
D
可编程固定频率最多
D
D
D
D
D
D
100 kHz至1 MHz电压模式控制器
内置栅极驱动器输出为高边
并同步N沟道MOSFET
外同步
可编程短路保护
热关断
16引脚封装PowerPADt ( θ
JC
= 2 ° C / W)
可编程闭环软启动
目录
设备额定值
电气特性
终端信息
应用信息
设计实例
其他参考
2
3
5
7
22
29
描述
该TPS40056是一个家族的高电压的部分,
宽输入,同步,降压型转换器。
该TPS40056提供设计的灵活性与
各种各样的用户编程功能,包括
软启动器,工作频率,高边电流
限制和环路补偿。该TPS40056是
也可同步至一个外部电源。它
采用外部MOSFET栅极驱动器
N沟道高侧和同步整流器
( SR )的MOSFET 。栅极驱动逻辑整合
反交叉传导电路,以防止
同时高端和同步整流器
传导。外部可编程的短
电路保护提供脉冲通过脉冲电流
限,以及利用一个打嗝模式操作
对于持续时间较长的内部故障计数器
重载。
应用
D
DDR跟踪监管
D
电源模块
D
网络设备
D
工业服务器
简化应用图
+
TPS40056PWP
1
2
3
SYNC
RT
BP5
ILIM 16
VIN
15
VIN
BOOST 14
VTRKIN
4
5
6
7
8
EA_REF HDRV 13
SGND
SS
VFB
SW
12
+
BP10 11
LDRV 10
9
VTT
COMP保护地
PAD
UDG03080
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2006年,德州仪器
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1
TPS40056
SLVS612 - 2006年4月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
TA
-40 ° C至85°C
塑料HTSSOP (PWP )(1)
产品型号
TPS40056PWP
( 1 ) PWP封装也提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型
(即, TPS40056PWPR ) 。请参阅数据表使用PowerPad的应用程序部分
图纸和布局信息。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明( 2 )
TPS40056
VIN
VFB , SS , SYNC , EA_REF
输入电压范围, VIN
SW
SW ,瞬态< 50纳秒
输出电压范围, VO
输出电流IOUT
工作结温范围, TJ
存储温度, TSTG
COMP , RT , SS
RT
45
-0.3 6
-0.3至45
2.5
-0.3 6
200
-40至125
-55到150
°C
C
A
V
单位
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
260
( 2 )强调超越“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,
并且该设备在这些或超出“推荐工作条件”下标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
输入电压VI
经营自由的空气温度, TA
PWP封装( 3 ) ( 4 )
( TOP VIEW )
10
40
最大
40
85
单位
V
°C
SYNC
RT
BP5
EA_REF
SGND
SS / SD
VFB
COMP
1
2
3
4
5
6
7
8
PAD
16
15
14
13
12
11
10
9
ILIM
VIN
BOOST
HDRV
SW
BP10
LDRV
保护地
( 3 )有关PWP包的详细信息,请参阅TI技术简介,文学第SLMA002 。
(4) PowerPADt热片必须连接至SGND (引脚5) ,或从其他的管脚电隔离。
2
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TPS40056
SLVS612 - 2006年4月
电气特性
TA = -40 ° C至85°C , VIN = 12 VDC, RT = 90.9 kΩ的, FSW = 500千赫, VEA_REF = 1.25 V ,所有参数在零功耗(除非
另有说明)
参数
输入电源
VIN
输入电压范围, VIN
工作电流
国际直拨电话
BP5
VBP5
输出继电器的电压
振荡器/ RAMP发生器
FOSC
VRAMP
VIH
VIL
iSync中
VRT
准确性
PWM斜坡电压( 1 )
高电平输入电压, SYNC
低层次的输入电压, SYNC
输入电流, SYNC
脉冲宽度, SYNC
RT电压
最大占空比
Minumum占空比
软启动
国际空间站
VSS
tDSCH
TSS
BP10
VBP10
输出继电器的电压
误差放大器器
VEA_REF
误差放大器的参考输入电压(1)( 2)
输入失调电压
输入失调电压
GBW
GBW
AVOL
IOH
IOL
VOH
VOL
IBIAS
(1)
(2)
增益带宽
增益带宽
开环增益
高电平输出源电流
低电平输出灌电流
高电平输出电压
低电平输出电压
输入偏置电流
ISOURCE = 500
A
ISINK = 500
A
VFB = 1.2 V
10 V
VIN
40 V
0.5 V
VFB
2.25 V
0.2 V
VFB
0.5 V
0.2 V
VFB
0.5 V
0.5 V
VFB
2.25 V
9.0
0.2
6
10
1.5
2.5
60
1.5
2.0
3.2
0
3.5
5.0
80
4.0
4.0
3.5
0.20
100
0.35
200
V
nA
mA
9.6
10.3
2.5
6
10
V
V
mV
MV
兆赫
兆赫
dB
软启动电流源
软启动钳位电压
放电时间
软启动时间
CSS = 220 pF的
CSS = 220 pF的,
0 V
VSS
1.6 V
1.6
100
1.65
2.35
3.7
2.2
155
2.8
205
3.05
A
V
s
s
VFB = 0 V , FSW
600千赫
VFB = 0 V , 600千赫
FSW
1兆赫
VFB
EA_REF + 0.05 V
50
2.38
90%
85%
0%
2.50
2.58
5
ILOAD = 1毫安
9 V
VIN
40 V
VPEAK - VVAL
2
4.5
520
5.0
580
2.0
5
0.8
10
V
V
A
ns
V
5.5
640
V
千赫
静态电流
输出驱动器不交换,
VFB = 1.3 V
10
40
V
测试条件
典型值
最大
单位
1.5
3.0
mA
由设计保证。未经生产测试。
共模范围延伸到地面,但没有测试低于200毫伏。
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3
TPS40056
SLVS612 - 2006年4月
电气特性
TA = -40 ° C至85°C , VIN = 12 VDC, RT = 90.9 kΩ的, FSW = 500千赫, VEA_REF = 1.25 V的所有参数在零功耗(除非
另有说明)
参数
电流限制
ISINK
限流灌电流
传播延迟到输出
花花公子
VOS
开关前沿消隐脉冲时间( 1 )
关在故障期间的时间
VILIM = 11.6 V,
VILIM = 11.6 V,
VILIM = 11.6 V,
输出驱动器
tLRISE
tLFALL
tHrise
tHfall
VOH
VOL
VOH
VOL
低侧驱动器上升时间
低侧驱动器下降时间
高侧驱动器的上升时间
高侧驱动器的下降时间
高层次的输出中的电压, HDRV
低级别的输出中的电压, HDRV
高层次的输出中的电压, LDRV
低级别的输出中的电压, LDRV
最小可控的脉冲宽度( 1)
SS / SD SHUTDOWN
VSD
VEN
关断阈值电压
设备激活阈值电压
VIN = 12.0 V
输出OFF
90
165
19
125
210
20
165
260
21
25
165
20
8.20
8.75
1.0
9.25
V
mV
CLOAD = 2200 pF的, ( HDRV - SW)
IHDRV = -0.1 A( HDRV - SW)
IHDRV = 0.1 A ( HDRV - SW)
ILDRV = -0.1
ILDRV = 0.1 A
100
BP10
1.4 V
BP10
1.0 V
0.5
150
ns
BOOST
1.5 V
CLOAD = 2200 pF的
48
24
48
36
BOOST
1.0 V
0.75
V
96
48
96
72
ns
TA = 25°C
0°C
TA
85°C
40°C
TA
85°C
100
125
125
VILIM = 11.7 V, VSW = ( VILIM - 0.5 V )
VILIM = 11.7 V, VSW = ( VILIM - 2 V )
100
7
70
40
30
15
mV
周期
8
10
300
250
ns
12
A
测试条件
典型值
最大
单位
失调电压SW主场迎战ILIM
升压型稳压器
VBOOST输出电压
SW节点
ILEAK
漏电流(1)
热关断
TSD
UVLO
输入电压UVLO阈值
输入电压UVLO迟滞
(1)
由设计保证。未经生产测试。
切断温度(1)
Hysteresis(1)
V
A
°C
4
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TPS40056
SLVS612 - 2006年4月
终端功能
终奌站
名字
BOOST
BP5
BP10
COMP
HDRV
ILIM
EA_REF
LDRV
保护地
RT
SGND
14
3
11
8
13
16
4
10
9
2
5
I / O
O
O
O
O
O
I
I
O
I
描述
栅极驱动电压为高侧N沟道MOSFET 。的升压电压比输入9伏更大
电压。一个0.1 μF陶瓷电容应该从这个引脚SW引脚相连。
5 -V参考。该引脚应旁路至地, 0.1μF的陶瓷电容。该引脚可用于
用1 mA或更小的外部直流负载。
10 -V参考使用N沟道同步整流器的栅极驱动。该引脚应通过一个1 μF旁路
陶瓷电容器。该引脚也可以使用具有1mA以下的外部直流负载。
输出的误差放大器,输入到PWM比较器。反馈网络是从这个引脚相连
VFB引脚,以弥补整体循环。 COMP引脚的内部钳制坡道峰值以上
改善大信号瞬态响应。
浮置栅极驱动器的高侧的N沟道MOSFET 。从BOOST该引脚开关( MOSFET ),以SW
( MOSFET关断) 。
电流限制引脚,用于设置过流阈值。从这个引脚到地的内部电流吸收器设置一个
对面这个引脚VCC连接一个外部电阻上的电压降。该引脚上的电压进行比较
跨高侧MOSFET上的压降( VIN -SW )传导过程中。
非反相输入到误差放大器,并作为反馈回路的参考。
栅极驱动器的N沟道同步整流器。该引脚切换从BP10 ( MOSFET ),以地
( MOSFET关断) 。
设备电源接地参考。应该有从该引脚的低阻抗路径,源(多个)
的下MOSFET的(多个) 。
电阻从这个引脚连接到地来设置内部振荡器和开关频率。
该设备的信号接地参考。
软启动引脚进行编程。从这个引脚连接一个电容到地计划的软启动时间。该
电容器进行充电的2.3的内部电流源
A.
SS引脚上产生的电压斜坡时
作为第二非反相输入端的误差放大器。输出电压调节是通过在SS电压控制
坡道,直到SS引脚上的电压达到内部基准电压, EA_REF V.拉这个引脚为低电平
禁用控制器。
该引脚被连接到转换器的开关节点和用于过电流检测。
同步化的输入设备。该管脚可用于振荡器同步到外部主
频率。如果不使用同步时,此引脚连接到SGND 。
反相输入端的误差放大器。在正常操作该引脚上的电压等于EA_REF参考
电压。
电源电压的设备。
SS / SD
6
I
SW
SYNC
VFB
VIN
12
1
7
15
I
I
I
I
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