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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第522页 > TPS2838PWP
TPS2838 ， TPS2839
TPS2848 ， TPS2849
SLVS367A - 2001年3月 - 修订2001年6月
同步降压MOSFET驱动器
带DRIVE稳压器
特点
D
集成驱动器稳压器（ 4 V至14 V ）
D
可调/自适应死区时间控制
D
4 - A峰值电流14 V VDRV
D
10 V至15 V的电源电压范围
D
TTL兼容的输入
D
内部肖特基二极管减少了元件数
D
同步或者非同步操作
描述
该TPS2838 / 39 /48/ 49个子设备是MOSFET
DRIVERS
设计
为
高性能
同步电源。该驱动器可
源和吸收高达4 -A峰值电流在14 -V
驱动电压。这些都是使用的理想设备
没有片上有电源控制器
驱动程序。低边驱动器能够驱动
3.3 nF的在10纳秒的上升/下降时间的负载，并具有
40 ns的传播延迟在室温下。
MOSFET驱动器具有一个集成的150毫安
调节器，因此，栅极驱动电压可以是
具体MOSFET的优化。该TPS2848
和TPS2849具有固定的8 -V的驱动器，
而TPS2838 / 39允许驱动器稳压器
通过选择两个从4 V至14 V可调
外部电阻。
TPS2838 ， TPS2839
PWP封装
（ TOP VIEW ）
D
反相和同相选项
D
TSSOP封装PowerPad优秀
热性能
应用
D
单相或多相同步降压
D
电源
大电流DC / DC电源模块
这些器件具有VDRV到PGND拍摄开启
通过保护，自适应/可调
死区时间控制。的死区时间，用于接通
从LOWDR高侧FET转换低，
可调的外部电容
DELAY引脚。这允许补偿的
实现所述栅极电阻器具有对同步
FET关闭。自适应死区时间防止
低侧FET的导通之前的电压
该BOOTLO销低于后的阈值
高侧FET导通停止。高侧
驱动器可以被配置为参考的地面
驾驶员或浮动自举式驱动。内部
肖特基二极管最小化的尺寸和数量
所需的引导外部元件
驱动器电路。只有一个外部陶瓷电容器
要求配置的自举式驱动。
TPS2848 ， TPS2849
PWP封装
（ TOP VIEW ）
启用
IN
PWRRDY
延迟
SYNC
ADJ
DT
AGND
1
16
2
15
3
14
4
热
13
PAD
5
12
6
11
7
10
8
9
BOOT
HIGHDR
BOOTLO
V
CC
VDRV
LOWDR
NC
保护地
实际尺寸
（ 5,1毫米× 6.6毫米）
启用
IN
PWRRDY
延迟
NC
DT
实际尺寸
AGND
（ 5,1毫米× 6.6毫米）
1
14
2
13
3
12
热
4
PAD
11
5
10
6
9
7
8
BOOT
HIGHDR
BOOTLO
V
CC
VDRV
LOWDR
保护地
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年，德州仪器
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1
TPS2838 ， TPS2839
TPS2848 ， TPS2849
SLVS367A - 2001年3月 - 修订2001年6月
描述（续）
SYNC引脚可用于不管负载关闭同步FET驱动器和操作电源
供应nonsynchronously 。
一个电源就绪/欠压锁定功能输出V的地位
CC
-pin电压和驱动调节器
在输出开漏PWRRDY针。此功能可以用于使控制器的输出一旦V
CC
电压达到阈值和所述稳压器的输出是稳定的。此功能可以确保这两个FET驱动器都关闭
当V
CC
电压低于电压阈值。
该TPS2838 / 39 /48/ 49个子设备提供了增强散热的14引脚和16引脚TSSOP封装的PowerPAD
封装。 PowerPAD封装的功能上可被焊接到所述底部的暴露的引线框
印刷电路板，以提高热效率。在TPS2838 / 48是同相，而控制逻辑
TPS2839 / 49驱动程序是反相的控制逻辑。
2
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TPS2838 ， TPS2839
TPS2848 ， TPS2849
SLVS367A - 2001年3月 - 修订2001年6月
功能框图（ TPS2838 ， TPS2839 ）
VCC
Vr1
0.9
×
VREF
POR
SYS_UVLO
VREF
PWRRDY
热
关闭
DRIVE
调节器
AGND
关闭
Vr1
0.9
×
VREF
关闭
ADJ
VDRV
VCC
参考文献：
BOOT
HIGHDR
IN
BOOTLO
INVERTING选项
TPS2839 ONLY
VDRV
LOWDR
SYNC
DT
启用
SYS_UVLO
死区时间
控制
保护地
延迟
功能框图（ TPS2848 ， TPS2849 ）
VCC
Vr1
0.9
×
VREF
POR
SYS_UVLO
VREF
PWRRDY
热
关闭
DRIVE
调节器
AGND
关闭
Vr1
0.9
×
VREF
关闭
VDRV
VCC
参考文献：
BOOT
HIGHDR
IN
BOOTLO
INVERTING选项
TPS2849 ONLY
VDRV
LOWDR
DT
启用
SYS_UVLO
死区时间
控制
保护地
延迟
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3
TPS2838 ， TPS2839
TPS2848 ， TPS2849
SLVS367A - 2001年3月 - 修订2001年6月
终端功能
终奌站
名字
ADJ
AGND
BOOT
BOOTLO
延迟
DT
启用
HIGHDR
IN
LOWDR
NC
保护地
PWRRDY
SYNC
VCC
VDRV
号
TPS283x
6
8
16
14
4
7
1
15
2
11
10
9
3
5
13
12
TPS284x
—
7
14
12
4
6
1
13
2
9
5
8
3
—
11
10
调整。该调节引脚的反馈引脚驱动调节器（ TPS283X只）
模拟地
自举。电容器连接之间的BOOT和BOOTLO引脚制定浮动
自举电压的高侧MOSFET 。电容器的值通常是0.1
F
1
F.
引导低。此脚连接到高侧和低侧MOSFET的连接点。
延误。在此引脚与地之间的电容调节死区时间的高边驱动器
死区时间控制。连接DT到高侧的交界处和低端MOSFET
启用。如果ENABLE为低，两位车手都关闭。
高驱动。该引脚的输出驱动器的高侧功率MOSFET 。
输入。该引脚为输入信号提供给MOSFET驱动器。
低驱动。该引脚为输出驱动器的低侧功率MOSFET。
无内部连接
电源地。该引脚被连接到FET功率接地。
电源准备好了。这种开漏引脚指示电源良好的VDRV和VCC 。
同步整流实现。如果SYNC为低电平时，则低侧驱动器始终关闭;如果SYNC为高，则
低侧驱动器提供栅极驱动到低侧MOSFET 。
输入电源。建议在一个电容器（最小值1
F)
从VCC被连接到
保护地。需要注意的是VCC必须为2 V比VDRV高。
驱动调节器的输出电压。建议在一个电容器（最小值1
F)
从连接
VDRV至PGND 。需要注意的是VCC必须为2 V比VDRV高。
描述
详细说明
低侧驱动器
低边驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为4A，
源和接收器。
高侧驱动器
高边驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为4的
最低限度，源和宿。高侧驱动器可被配置为GND电平，参考驱动器或作为
浮动自举驱动程序。内部自举二极管是肖特基，为提高传动效率。最大
可以从启动到地面上施加的电压为30 V.
死区时间（ DT ）的控制
死区时间控制能够防止直通电流在开关过程中流经主功率FET
转换通过控制MOSFET驱动器的turnon次。高侧驱动器不能转
上，直到栅极驱动电压到低侧FET低，以及低侧驱动器不允许打开直到
在功率FET的结（ BOOTLO ）上的电压是低的。该TTL兼容DT终端连接到
功率FET的连接点。
启用
使能端子使驱动程序。当使能为低电平时，输出驱动器低。 ENABLE是
TTL兼容的数字终端。
4
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TPS2838 ， TPS2839
TPS2848 ， TPS2849
SLVS367A - 2001年3月 - 修订2001年6月
详细说明（续）
IN
IN端子是一个TTL兼容的数字终端是驱动程序的输入控制信号。该
TPS2838 / 48具有同相输入端;在TPS2839 / 49具有反相输入。在TPS2838和TPS2848 ，
就在高导致的HIGHDR高。在TPS2839和TPS2849 ，就在高导致低
HIGHDR 。
SYNC （ TPS283x只）
同步终端控制是否在驱动器工作在同步或不同步模式。在
同步模式下，低侧FET被操作作为同步整流器。在非同步模式下，该
低边FET始终关闭。 SYNC是一个TTL兼容的数字终端。
PWRRDY
示出V形的状态
CC
引脚电压和漏极开路PWRRDY引脚驱动器输出。
延迟
可调式高边turnon延迟从当低侧FET关闭。
ADJ （ TPS283x只）
输入用于调整驱动器输出。见
应用信息
部分配方的调整。
在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
输入电压范围： ADJ。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
启动到PGND （高侧驱动器ON） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至30 V
BOOTLO到PGND。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
启动到BOOTLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
ENABLE ，IN和SYNC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
VDRV ， PWRRDY和延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
DT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅焊接温度的情况下， 1.6毫米（ 1/16英寸） ，持续10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：除非另有说明，所有的电压是相对于地线。
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TPS2838 ， TPS2839
TPS2848 ， TPS2849
SLVS367A - 2001年3月 - 修订2001年6月
同步降压MOSFET驱动器
带DRIVE稳压器
特点
D
集成驱动器稳压器（ 4 V至14 V ）
D
可调/自适应死区时间控制
D
4 - A峰值电流14 V VDRV
D
10 V至15 V的电源电压范围
D
TTL兼容的输入
D
内部肖特基二极管减少了元件数
D
同步或者非同步操作
描述
该TPS2838 / 39 /48/ 49个子设备是MOSFET
DRIVERS
设计
为
高性能
同步电源。该驱动器可
源和吸收高达4 -A峰值电流在14 -V
驱动电压。这些都是使用的理想设备
没有片上有电源控制器
驱动程序。低边驱动器能够驱动
3.3 nF的在10纳秒的上升/下降时间的负载，并具有
40 ns的传播延迟在室温下。
MOSFET驱动器具有一个集成的150毫安
调节器，因此，栅极驱动电压可以是
具体MOSFET的优化。该TPS2848
和TPS2849具有固定的8 -V的驱动器，
而TPS2838 / 39允许驱动器稳压器
通过选择两个从4 V至14 V可调
外部电阻。
TPS2838 ， TPS2839
PWP封装
（ TOP VIEW ）
D
反相和同相选项
D
TSSOP封装PowerPad优秀
热性能
应用
D
单相或多相同步降压
D
电源
大电流DC / DC电源模块
这些器件具有VDRV到PGND拍摄开启
通过保护，自适应/可调
死区时间控制。的死区时间，用于接通
从LOWDR高侧FET转换低，
可调的外部电容
DELAY引脚。这允许补偿的
实现所述栅极电阻器具有对同步
FET关闭。自适应死区时间防止
低侧FET的导通之前的电压
该BOOTLO销低于后的阈值
高侧FET导通停止。高侧
驱动器可以被配置为参考的地面
驾驶员或浮动自举式驱动。内部
肖特基二极管最小化的尺寸和数量
所需的引导外部元件
驱动器电路。只有一个外部陶瓷电容器
要求配置的自举式驱动。
TPS2848 ， TPS2849
PWP封装
（ TOP VIEW ）
启用
IN
PWRRDY
延迟
SYNC
ADJ
DT
AGND
1
16
2
15
3
14
4
热
13
PAD
5
12
6
11
7
10
8
9
BOOT
HIGHDR
BOOTLO
V
CC
VDRV
LOWDR
NC
保护地
实际尺寸
（ 5,1毫米× 6.6毫米）
启用
IN
PWRRDY
延迟
NC
DT
实际尺寸
AGND
（ 5,1毫米× 6.6毫米）
1
14
2
13
3
12
热
4
PAD
11
5
10
6
9
7
8
BOOT
HIGHDR
BOOTLO
V
CC
VDRV
LOWDR
保护地
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年，德州仪器
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1
TPS2838 ， TPS2839
TPS2848 ， TPS2849
SLVS367A - 2001年3月 - 修订2001年6月
描述（续）
SYNC引脚可用于不管负载关闭同步FET驱动器和操作电源
供应nonsynchronously 。
一个电源就绪/欠压锁定功能输出V的地位
CC
-pin电压和驱动调节器
在输出开漏PWRRDY针。此功能可以用于使控制器的输出一旦V
CC
电压达到阈值和所述稳压器的输出是稳定的。此功能可以确保这两个FET驱动器都关闭
当V
CC
电压低于电压阈值。
该TPS2838 / 39 /48/ 49个子设备提供了增强散热的14引脚和16引脚TSSOP封装的PowerPAD
封装。 PowerPAD封装的功能上可被焊接到所述底部的暴露的引线框
印刷电路板，以提高热效率。在TPS2838 / 48是同相，而控制逻辑
TPS2839 / 49驱动程序是反相的控制逻辑。
2
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TPS2838 ， TPS2839
TPS2848 ， TPS2849
SLVS367A - 2001年3月 - 修订2001年6月
功能框图（ TPS2838 ， TPS2839 ）
VCC
Vr1
0.9
×
VREF
POR
SYS_UVLO
VREF
PWRRDY
热
关闭
DRIVE
调节器
AGND
关闭
Vr1
0.9
×
VREF
关闭
ADJ
VDRV
VCC
参考文献：
BOOT
HIGHDR
IN
BOOTLO
INVERTING选项
TPS2839 ONLY
VDRV
LOWDR
SYNC
DT
启用
SYS_UVLO
死区时间
控制
保护地
延迟
功能框图（ TPS2848 ， TPS2849 ）
VCC
Vr1
0.9
×
VREF
POR
SYS_UVLO
VREF
PWRRDY
热
关闭
DRIVE
调节器
AGND
关闭
Vr1
0.9
×
VREF
关闭
VDRV
VCC
参考文献：
BOOT
HIGHDR
IN
BOOTLO
INVERTING选项
TPS2849 ONLY
VDRV
LOWDR
DT
启用
SYS_UVLO
死区时间
控制
保护地
延迟
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3
TPS2838 ， TPS2839
TPS2848 ， TPS2849
SLVS367A - 2001年3月 - 修订2001年6月
终端功能
终奌站
名字
ADJ
AGND
BOOT
BOOTLO
延迟
DT
启用
HIGHDR
IN
LOWDR
NC
保护地
PWRRDY
SYNC
VCC
VDRV
号
TPS283x
6
8
16
14
4
7
1
15
2
11
10
9
3
5
13
12
TPS284x
—
7
14
12
4
6
1
13
2
9
5
8
3
—
11
10
调整。该调节引脚的反馈引脚驱动调节器（ TPS283X只）
模拟地
自举。电容器连接之间的BOOT和BOOTLO引脚制定浮动
自举电压的高侧MOSFET 。电容器的值通常是0.1
F
1
F.
引导低。此脚连接到高侧和低侧MOSFET的连接点。
延误。在此引脚与地之间的电容调节死区时间的高边驱动器
死区时间控制。连接DT到高侧的交界处和低端MOSFET
启用。如果ENABLE为低，两位车手都关闭。
高驱动。该引脚的输出驱动器的高侧功率MOSFET 。
输入。该引脚为输入信号提供给MOSFET驱动器。
低驱动。该引脚为输出驱动器的低侧功率MOSFET。
无内部连接
电源地。该引脚被连接到FET功率接地。
电源准备好了。这种开漏引脚指示电源良好的VDRV和VCC 。
同步整流实现。如果SYNC为低电平时，则低侧驱动器始终关闭;如果SYNC为高，则
低侧驱动器提供栅极驱动到低侧MOSFET 。
输入电源。建议在一个电容器（最小值1
F)
从VCC被连接到
保护地。需要注意的是VCC必须为2 V比VDRV高。
驱动调节器的输出电压。建议在一个电容器（最小值1
F)
从连接
VDRV至PGND 。需要注意的是VCC必须为2 V比VDRV高。
描述
详细说明
低侧驱动器
低边驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为4A，
源和接收器。
高侧驱动器
高边驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为4的
最低限度，源和宿。高侧驱动器可被配置为GND电平，参考驱动器或作为
浮动自举驱动程序。内部自举二极管是肖特基，为提高传动效率。最大
可以从启动到地面上施加的电压为30 V.
死区时间（ DT ）的控制
死区时间控制能够防止直通电流在开关过程中流经主功率FET
转换通过控制MOSFET驱动器的turnon次。高侧驱动器不能转
上，直到栅极驱动电压到低侧FET低，以及低侧驱动器不允许打开直到
在功率FET的结（ BOOTLO ）上的电压是低的。该TTL兼容DT终端连接到
功率FET的连接点。
启用
使能端子使驱动程序。当使能为低电平时，输出驱动器低。 ENABLE是
TTL兼容的数字终端。
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TPS2838 ， TPS2839
TPS2848 ， TPS2849
SLVS367A - 2001年3月 - 修订2001年6月
详细说明（续）
IN
IN端子是一个TTL兼容的数字终端是驱动程序的输入控制信号。该
TPS2838 / 48具有同相输入端;在TPS2839 / 49具有反相输入。在TPS2838和TPS2848 ，
就在高导致的HIGHDR高。在TPS2839和TPS2849 ，就在高导致低
HIGHDR 。
SYNC （ TPS283x只）
同步终端控制是否在驱动器工作在同步或不同步模式。在
同步模式下，低侧FET被操作作为同步整流器。在非同步模式下，该
低边FET始终关闭。 SYNC是一个TTL兼容的数字终端。
PWRRDY
示出V形的状态
CC
引脚电压和漏极开路PWRRDY引脚驱动器输出。
延迟
可调式高边turnon延迟从当低侧FET关闭。
ADJ （ TPS283x只）
输入用于调整驱动器输出。见
应用信息
部分配方的调整。
在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
输入电压范围： ADJ。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
启动到PGND （高侧驱动器ON） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至30 V
BOOTLO到PGND。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
启动到BOOTLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
ENABLE ，IN和SYNC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
VDRV ， PWRRDY和延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
DT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅焊接温度的情况下， 1.6毫米（ 1/16英寸） ，持续10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：除非另有说明，所有的电压是相对于地线。
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