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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第716页 > TPS2834DR
TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区控制
SLVS223A - 1999年11月 - 修订2001年1月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
浮动自举或接地参考
高侧驱动器
自适应死区时间控制
50 ns（最大值）的上升/下降时间3.3 nF的负载
2.4的典型输出电流
4.5 V至15 V的电源电压范围
TTL兼容的输入
肖特基内部自举二极管
同步控制同步或
非同步操作
CROWBAR的OVP ，防止
故障高端功率场效应
低电源电流.... 3毫安典型
适用于高电流单相或多相
电源
- 40 ° C至125 ° C的工作结虚
温度范围
采用SOIC和TSSOP使用PowerPad
套餐
包
（ TOP VIEW ）
启用
IN
CROWBAR
NC
SYNC
DT
保护地
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
BOOT
NC
HIGHDR
BOOTLO
LOWDR
NC
V
CC
PWP封装
（ TOP VIEW ）
启用
IN
CROWBAR
NC
SYNC
DT
保护地
1
14
2
13
3
12
热
4
PAD
11
5
10
6
9
7
8
BOOT
NC
HIGHDR
BOOTLO
LOWDR
NC
V
CC
NC - 无内部连接
描述
该TPS2834和TPS2835是MOSFET驱动器的同步降压功率级。这些器件非常适合
设计采用开关控制器的高性能电源不包括片上MOSFET
驱动程序。该驱动器可提供最少2 -A峰值电流到大的容性负载。该
高侧驱动器可配置为接地参考或作为浮动自举。自适应死区时间控制
电路消除开关转换期间，直通通过主功率FET电流，
提供了高效率降压稳压器。该TPS2834和TPS2835有额外的控制功能：
ENABLE ， SYNC和撬棍。高边和低边驱动器都关闭时启用低。驱动程序
被配置为一个非同步降压驱动器禁用低端驱动器，当SYNC为低电平。撬棍
功能开启低侧功率FET ，覆盖IN信号，过电压保护，防止断陷
高侧功率FET 。
该TPS2834具有同相输入端，而TPS2835具有一个反相输入端。这些驱动程序可
在14个终端SOIC和耐热增强型TSSOP使用PowerPad 封装，工作在一个路口
温度范围 - 40 ° C至125°C 。
与同步MOSFET驱动器
设备名称
TPS2830
TPS2831
TPS2832
TPS2833
TPS2836
TPS2837
附加功能
ENABLE ， SYNC
启用同步，和撬棍
W / O使能同步和撬棍
ENABLE ， SYNC
W / O使能同步和撬棍
ENABLE ， SYNC
CMOS
CMOS
TTL
输入
非反相
倒
非反相
倒
非反相
倒
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区控制
SLVS223A - 1999年11月 - 修订2001年1月
可选项
包装设备
TJ
SOIC
(D)
TPS2834D
TPS2835D
TSSOP
（ PWP ）
TPS2834PWP
TPS2835PWP
- 40 ° C至125°C
在D和PWP软件包可以录音和缠绕。加上R
后缀设备类型（例如， TPS2834DR ）
功能框图
8
VCC
BOOT
14
（仅TPS2834 ）
1 M
250 k
2
IN
12
11
HIGHDR
BOOTLO
（仅TPS2835 ）
VCC
10
250 k
7
LOWDR
6
DT
启用
1
SYNC
CROWBAR
3
5
保护地
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区控制
SLVS223A - 1999年11月 - 修订2001年1月
终端功能
终奌站
名字
BOOT
BOOTLO
CROWBAR
号
14
11
3
I / O
I
O
I
描述
引导终端。陶瓷电容器连接BOOT和BOOTLO发展之间浮动
自举电压的高侧MOSFET 。电容器的值通常是0.1
F
1
F.
该端子连接到高侧和低侧MOSFET的连接点。
撬棍可以被跨高边驱动由外部过压保护电路，以防止短
MOSFET。如果撬棍被驱动为低电平，则低侧驱动器将被导通，高侧驱动器将
关闭时，独立的所有其他控制终端的状态。
死区时间控制端。连接DT到高侧和低侧MOSFET的连接点。
如果ENABLE为低，两位车手都关闭。
输出驱动器的高侧功率MOSFET
输入信号到MOSFET驱动器（同相输入端为TPS2834 ;倒相输入端为TPS2835 ） 。
输出驱动器的低侧功率MOSFET
无内部连接
电源地。连接到FET功率接地。
I
I
同步整流器启动终端。如果SYNC为低电平时，则低侧驱动器始终关闭;如果SYNC为高，则
低侧驱动器提供栅极驱动到低侧MOSFET 。
输入电源。建议1 μF电容， VCC连接到PGND 。
DT
启用
HIGHDR
IN
LOWDR
NC
保护地
SYNC
VCC
6
1
12
2
10
4, 9, 13
7
5
8
I
I
O
I
O
详细说明
低侧驱动器
低边驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为2 A，
源和接收器。
高侧驱动器
高边驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为2 A，
源和接收器。高侧驱动器可被配置为GND电平，参考驱动器或作为浮举
驱动程序。内部自举二极管是肖特基，为提高传动效率。最大电压可以
从开机到地面应用为30 V.
死区时间（ DT ）的控制
死区时间控制能够防止直通电流在开关过程中流经主功率FET
转换通过控制MOSFET驱动器的turnon次。高侧驱动器不能转
上，直到栅极驱动电压到低侧FET低，以及低侧驱动器不允许打开直到
在功率FET （ VDRAIN ）交界处的电压低;在TTL兼容DT端子连接到
功率FET的结。
启用
使能端子使驱动程序。当使能为低电平时，输出驱动器低。 ENABLE是
TTL兼容的数字终端。
IN
IN端子是一个TTL兼容的数字终端是驱动程序的输入控制信号。该TPS2834
有一个非反相输入端;该TPS2835具有一个反相输入端。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区控制
SLVS223A - 1999年11月 - 修订2001年1月
详细说明（续）
SYNC
同步终端控制是否在驱动器工作在同步或不同步模式。在
同步模式下，低侧FET被操作作为同步整流器。在非同步模式下，该
低边FET始终关闭。 SYNC是一个TTL兼容的数字终端。
CROWBAR
撬棍终端覆盖的驾驶员的正常操作。当撬棍低，低边
FET变为ON，作为钳位，保护的dc / dc转换器的输出电压对因过电压
跨高侧FET短路。 V
IN
应该融合，以保护低边FET 。撬棍是
TTL兼容的数字终端。
在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
输入电压范围：启动到地线（高侧驱动器ON） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至30 V
BOOTLO到PGND。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
启动到BOOTLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
ENABLE ， SYNC和撬棍。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
IN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
DT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至30 V
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅焊接温度的情况下， 1.6毫米（ 1/16英寸） ，持续10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：除非另有说明，所有的电压是相对于地线。
额定功耗表
包
PWP与solder§
PWP无solder§
D
TA
≤
25°C
2668
1024
749
降额因子
26.68毫瓦/°C的
10.24毫瓦/°C的
7.49毫瓦/°C的
TA = 70℃
1467
563
412
TA = 85°C
1067
409
300
结外壳热阻表
结 - 壳热阻
PWP
§测试板条件：
1.厚度： 0.062
I
2. 3
I
×
3
I
（包<27毫米长）
3. 4
I
×
4
I
（包>27毫米长）
4.位于电路板的顶层2盎司铜迹线（ 0.071毫米厚）
位于PCB板焊接的顶部和底部5铜区
6.电源层和接地层， 1盎司铜（ 0.036毫米厚）
7.散热孔，0.33毫米直径，1.5 mm间距
电源平面的8热隔离
欲了解更多信息，请参见TI技术简介文献数量SLMA002 。
2.07
° C / W
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区控制
SLVS223A - 1999年11月 - 修订2001年1月
推荐工作条件
民
电源电压VCC
输入电压
引导至PGND
4.5
4.5
喃
最大
15
28
单位
V
V
电气特性在推荐工作结温范围内，
V
CC
= 6.5 V ， ENABLE =高，C
L
= 3.3 nF的（除非另有说明）
电源电流
参数
VCC
电源电压范围
V（ ENABLE ） =低，
V（ ENABLE ） = HIGH ，
VCC
静态电流
V（ ENABLE ） = HIGH ，
F（ SWX ） = 200千赫，
C（ HIGHDR ） = 50 pF的，
见注2
VCC = 15 V
VCC = 15 V
VCC = 12 V ，
BOOTLO接地，
C（ LOWDR ） = 50 pF的，
测试条件
民
4.5
300
典型值
最大
15
100
400
单位
V
A
3
mA
注2 ：由设计保证，未经生产测试。
邮政信箱655303
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5
TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
SLVS223B - 1999年11月 - 修订2002年8月
D
浮动自举或接地参考
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
高侧驱动器
自适应死区时间控制
50 ns（最大值）的上升/下降时间3.3 nF的负载
2.4的典型输出电流
4.5 V至15 V的电源电压范围
TTL兼容的输入
肖特基内部自举二极管
同步控制同步或
非同步操作
CROWBAR的OVP ，防止
故障高端功率场效应
低电源电流.... 3毫安典型
适用于高电流单相或多相
电源
-40 ° C至125 ° C的工作结虚
温度范围
采用SOIC和TSSOP使用PowerPad
套餐
启用
IN
CROWBAR
NC
SYNC
DT
保护地
包
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
BOOT
NC
HIGHDR
BOOTLO
LOWDR
NC
V
CC
PWP封装
（ TOP VIEW ）
启用
IN
CROWBAR
NC
SYNC
DT
保护地
1
14
2
13
3
12
热
4
PAD
11
5
10
6
9
7
8
BOOT
NC
HIGHDR
BOOTLO
LOWDR
NC
V
CC
NC - 无内部连接
描述
该TPS2834和TPS2835是MOSFET驱动器的同步降压功率级。这些器件非常适合
设计采用开关控制器的高性能电源不包括片上MOSFET
驱动程序。该驱动器可提供最少2 -A峰值电流到大的容性负载。该
高侧驱动器可配置为接地参考或作为浮动自举。自适应死区时间控制
电路消除开关转换期间，直通通过主功率FET电流，
提供了高效率降压稳压器。该TPS2834和TPS2835有额外的控制功能：
ENABLE ， SYNC和撬棍。高边和低边驱动器都关闭时启用低。驱动程序
被配置为一个非同步降压驱动器禁用低端驱动器，当SYNC为低电平。撬棍
功能开启低侧功率FET ，覆盖IN信号，过电压保护，防止断陷
高侧功率FET 。
该TPS2834具有同相输入端，而TPS2835具有一个反相输入端。这些驱动程序可
在14个终端SOIC和耐热增强型TSSOP使用PowerPad 封装，工作在一个路口
温度范围为-40 ° C至125°C 。
与同步MOSFET驱动器
设备名称
TPS2830
TPS2831
TPS2832
TPS2833
TPS2836
TPS2837
W / O使能，同步和撬棍
TTL
W / O使能，同步和撬棍
CMOS
ENABLE ， SYNC和撬棍
CMOS
附加功能
输入
非反相
倒
非反相
倒
非反相
倒
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2002年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLVS223B - 1999年11月 - 修订2002年8月
TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
可选项
包装设备
TJ
SOIC
(D)
TPS2834D
TPS2835D
TSSOP
（ PWP ）
TPS2834PWP
TPS2835PWP
- 40 ° C至125°C
在D和PWP软件包可以录音和缠绕。加上R
后缀设备类型（例如， TPS2834DR ）
功能框图
8
VCC
BOOT
14
（仅TPS2834 ）
1 M
250 k
2
IN
12
11
HIGHDR
BOOTLO
（仅TPS2835 ）
VCC
10
250 k
7
LOWDR
6
DT
启用
1
SYNC
CROWBAR
3
5
保护地
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
SLVS223B - 1999年11月 - 修订2002年8月
终端功能
终奌站
名字
BOOT
BOOTLO
CROWBAR
号
14
11
3
I / O
I
O
I
描述
引导终端。陶瓷电容器连接BOOT和BOOTLO发展之间浮动
自举电压的高侧MOSFET 。电容器的值通常是0.1
F
1
F.
该端子连接到高侧和低侧MOSFET的连接点。
撬棍可以被跨高边驱动由外部过压保护电路，以防止短
MOSFET。如果撬棍被驱动为低电平，则低侧驱动器将被导通，高侧驱动器将
关闭时，独立的所有其他控制终端的状态。
死区时间控制端。连接DT到高侧和低侧MOSFET的连接点。
如果ENABLE为低，两位车手都关闭。
输出驱动器的高侧功率MOSFET
输入信号到MOSFET驱动器（同相输入端为TPS2834 ;倒相输入端为TPS2835 ） 。
输出驱动器的低侧功率MOSFET
无内部连接
电源地。连接到FET功率接地。
I
I
同步整流器启动终端。如果SYNC为低电平时，则低侧驱动器始终关闭;如果SYNC为高，则
低侧驱动器提供栅极驱动到低侧MOSFET 。
输入电源。建议1 μF电容， VCC连接到PGND 。
DT
启用
HIGHDR
IN
LOWDR
NC
保护地
SYNC
VCC
6
1
12
2
10
4, 9, 13
7
5
8
I
I
O
I
O
详细说明
低侧驱动器
低边驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为2 A，
源和接收器。
高侧驱动器
高边驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为2 A，
源和接收器。高侧驱动器可被配置为GND电平，参考驱动器或作为浮举
驱动程序。内部自举二极管是肖特基，为提高传动效率。最大电压可以
从开机到地面应用为30 V.
死区时间（ DT ）的控制
死区时间控制能够防止直通电流在开关过程中流经主功率FET
转换通过控制MOSFET驱动器的turnon次。高侧驱动器不能转
上，直到栅极驱动电压到低侧FET低，以及低侧驱动器不允许打开直到
在功率FET （ VDRAIN ）交界处的电压低;在TTL兼容DT端子连接到
功率FET的结。
启用
使能端子使驱动程序。当使能为低电平时，输出驱动器低。 ENABLE是
TTL兼容的数字终端。
IN
IN端子是一个TTL兼容的数字终端是驱动程序的输入控制信号。该TPS2834
有一个非反相输入端;该TPS2835具有一个反相输入端。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SLVS223B - 1999年11月 - 修订2002年8月
TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
详细说明（续）
SYNC
同步终端控制是否在驱动器工作在同步或不同步模式。在
同步模式下，低侧FET被操作作为同步整流器。在非同步模式下，该
低边FET始终关闭。 SYNC是一个TTL兼容的数字终端。
CROWBAR
撬棍终端覆盖的驾驶员的正常操作。当撬棍低，低边
FET变为ON，作为钳位，保护的dc / dc转换器的输出电压对因过电压
跨高侧FET短路。 V
IN
应该融合，以保护低边FET 。撬棍是
TTL兼容的数字终端。
在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
输入电压范围：启动到地线（高侧驱动器ON） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至30 V
BOOTLO到PGND。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
启动到BOOTLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
ENABLE ， SYNC和撬棍。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
IN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
DT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至30 V
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅焊接温度的情况下， 1.6毫米（ 1/16英寸） ，持续10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：除非另有说明，所有的电压是相对于地线。
额定功耗表
包
PWP与solder§
PWP无solder§
D
TA
≤
25°C
2668
1024
749
降额因子
26.68毫瓦/°C的
10.24毫瓦/°C的
7.49毫瓦/°C的
TA = 70℃
1467
563
412
TA = 85°C
1067
409
300
结外壳热阻表
PWP
结 - 壳热阻
2.07
° C / W
§测试板条件：
1.厚度： 0.062I
2. 3I
×
3I （包<27毫米长）
3. 4I
×
4I （包>27毫米长）
4.位于电路板的顶层2盎司铜迹线（ 0.071毫米厚）
位于PCB板焊接的顶部和底部5铜区
6.电源层和接地层， 1盎司铜（ 0.036毫米厚）
7.散热孔，0.33毫米直径，1.5 mm间距
电源平面的8热隔离
欲了解更多信息，请参见TI技术简介文献数量SLMA002 。
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
SLVS223B - 1999年11月 - 修订2002年8月
推荐工作条件
民
电源电压VCC
输入电压
引导至PGND
4.5
4.5
喃
最大
15
28
单位
V
V
电气特性在推荐工作结温范围内，
V
CC
= 6.5 V ， ENABLE =高，C
L
= 3.3 nF的（除非另有说明）
电源电流
参数
VCC
电源电压范围
V（ ENABLE ） =低，
V（ ENABLE ） = HIGH ，
VCC
静态电流
V（ ENABLE ） = HIGH ，
F（ SWX ） = 200千赫，
C（ HIGHDR ） = 50 pF的，
见注2
VCC = 15 V
VCC = 15 V
VCC = 12 V ，
BOOTLO接地，
C（ LOWDR ） = 50 pF的，
测试条件
民
4.5
300
典型值
最大
15
100
400
单位
V
A
A
3
mA
注2 ：由设计保证，未经生产测试。
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5
TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
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D
浮动自举或接地参考
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
高侧驱动器
自适应死区时间控制
50 ns（最大值）的上升/下降时间3.3 nF的负载
2.4的典型输出电流
4.5 V至15 V的电源电压范围
TTL兼容的输入
肖特基内部自举二极管
同步控制同步或
非同步操作
CROWBAR的OVP ，防止
故障高端功率场效应
低电源电流.... 3毫安典型
适用于高电流单相或多相
电源
-40 ° C至125 ° C的工作结虚
温度范围
采用SOIC和TSSOP使用PowerPad
套餐
启用
IN
CROWBAR
NC
SYNC
DT
保护地
包
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
BOOT
NC
HIGHDR
BOOTLO
LOWDR
NC
V
CC
PWP封装
（ TOP VIEW ）
启用
IN
CROWBAR
NC
SYNC
DT
保护地
1
14
2
13
3
12
热
4
PAD
11
5
10
6
9
7
8
BOOT
NC
HIGHDR
BOOTLO
LOWDR
NC
V
CC
NC - 无内部连接
描述
该TPS2834和TPS2835是MOSFET驱动器的同步降压功率级。这些器件非常适合
设计采用开关控制器的高性能电源不包括片上MOSFET
驱动程序。该驱动器可提供最少2 -A峰值电流到大的容性负载。该
高侧驱动器可配置为接地参考或作为浮动自举。自适应死区时间控制
电路消除开关转换期间，直通通过主功率FET电流，
提供了高效率降压稳压器。该TPS2834和TPS2835有额外的控制功能：
ENABLE ， SYNC和撬棍。高边和低边驱动器都关闭时启用低。驱动程序
被配置为一个非同步降压驱动器禁用低端驱动器，当SYNC为低电平。撬棍
功能开启低侧功率FET ，覆盖IN信号，过电压保护，防止断陷
高侧功率FET 。
该TPS2834具有同相输入端，而TPS2835具有一个反相输入端。这些驱动程序可
在14个终端SOIC和耐热增强型TSSOP使用PowerPad 封装，工作在一个路口
温度范围为-40 ° C至125°C 。
与同步MOSFET驱动器
设备名称
TPS2830
TPS2831
TPS2832
TPS2833
TPS2836
TPS2837
W / O使能，同步和撬棍
TTL
W / O使能，同步和撬棍
CMOS
ENABLE ， SYNC和撬棍
CMOS
附加功能
输入
非反相
倒
非反相
倒
非反相
倒
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2002年，德州仪器
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1
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TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
可选项
包装设备
TJ
SOIC
(D)
TPS2834D
TPS2835D
TSSOP
（ PWP ）
TPS2834PWP
TPS2835PWP
- 40 ° C至125°C
在D和PWP软件包可以录音和缠绕。加上R
后缀设备类型（例如， TPS2834DR ）
功能框图
8
VCC
BOOT
14
（仅TPS2834 ）
1 M
250 k
2
IN
12
11
HIGHDR
BOOTLO
（仅TPS2835 ）
VCC
10
250 k
7
LOWDR
6
DT
启用
1
SYNC
CROWBAR
3
5
保护地
2
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TPS2834 ， TPS2835
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带死区时间控制
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终端功能
终奌站
名字
BOOT
BOOTLO
CROWBAR
号
14
11
3
I / O
I
O
I
描述
引导终端。陶瓷电容器连接BOOT和BOOTLO发展之间浮动
自举电压的高侧MOSFET 。电容器的值通常是0.1
F
1
F.
该端子连接到高侧和低侧MOSFET的连接点。
撬棍可以被跨高边驱动由外部过压保护电路，以防止短
MOSFET。如果撬棍被驱动为低电平，则低侧驱动器将被导通，高侧驱动器将
关闭时，独立的所有其他控制终端的状态。
死区时间控制端。连接DT到高侧和低侧MOSFET的连接点。
如果ENABLE为低，两位车手都关闭。
输出驱动器的高侧功率MOSFET
输入信号到MOSFET驱动器（同相输入端为TPS2834 ;倒相输入端为TPS2835 ） 。
输出驱动器的低侧功率MOSFET
无内部连接
电源地。连接到FET功率接地。
I
I
同步整流器启动终端。如果SYNC为低电平时，则低侧驱动器始终关闭;如果SYNC为高，则
低侧驱动器提供栅极驱动到低侧MOSFET 。
输入电源。建议1 μF电容， VCC连接到PGND 。
DT
启用
HIGHDR
IN
LOWDR
NC
保护地
SYNC
VCC
6
1
12
2
10
4, 9, 13
7
5
8
I
I
O
I
O
详细说明
低侧驱动器
低边驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为2 A，
源和接收器。
高侧驱动器
高边驱动器设计用于驱动低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为2 A，
源和接收器。高侧驱动器可被配置为GND电平，参考驱动器或作为浮举
驱动程序。内部自举二极管是肖特基，为提高传动效率。最大电压可以
从开机到地面应用为30 V.
死区时间（ DT ）的控制
死区时间控制能够防止直通电流在开关过程中流经主功率FET
转换通过控制MOSFET驱动器的turnon次。高侧驱动器不能转
上，直到栅极驱动电压到低侧FET低，以及低侧驱动器不允许打开直到
在功率FET （ VDRAIN ）交界处的电压低;在TTL兼容DT端子连接到
功率FET的结。
启用
使能端子使驱动程序。当使能为低电平时，输出驱动器低。 ENABLE是
TTL兼容的数字终端。
IN
IN端子是一个TTL兼容的数字终端是驱动程序的输入控制信号。该TPS2834
有一个非反相输入端;该TPS2835具有一个反相输入端。
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3
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TPS2834 ， TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
详细说明（续）
SYNC
同步终端控制是否在驱动器工作在同步或不同步模式。在
同步模式下，低侧FET被操作作为同步整流器。在非同步模式下，该
低边FET始终关闭。 SYNC是一个TTL兼容的数字终端。
CROWBAR
撬棍终端覆盖的驾驶员的正常操作。当撬棍低，低边
FET变为ON，作为钳位，保护的dc / dc转换器的输出电压对因过电压
跨高侧FET短路。 V
IN
应该融合，以保护低边FET 。撬棍是
TTL兼容的数字终端。
在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
输入电压范围：启动到地线（高侧驱动器ON） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至30 V
BOOTLO到PGND。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
启动到BOOTLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
ENABLE ， SYNC和撬棍。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
IN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
DT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至30 V
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅焊接温度的情况下， 1.6毫米（ 1/16英寸） ，持续10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：除非另有说明，所有的电压是相对于地线。
额定功耗表
包
PWP与solder§
PWP无solder§
D
TA
≤
25°C
2668
1024
749
降额因子
26.68毫瓦/°C的
10.24毫瓦/°C的
7.49毫瓦/°C的
TA = 70℃
1467
563
412
TA = 85°C
1067
409
300
结外壳热阻表
PWP
结 - 壳热阻
2.07
° C / W
§测试板条件：
1.厚度： 0.062I
2. 3I
×
3I （包<27毫米长）
3. 4I
×
4I （包>27毫米长）
4.位于电路板的顶层2盎司铜迹线（ 0.071毫米厚）
位于PCB板焊接的顶部和底部5铜区
6.电源层和接地层， 1盎司铜（ 0.036毫米厚）
7.散热孔，0.33毫米直径，1.5 mm间距
电源平面的8热隔离
欲了解更多信息，请参见TI技术简介文献数量SLMA002 。
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推荐工作条件
民
电源电压VCC
输入电压
引导至PGND
4.5
4.5
喃
最大
15
28
单位
V
V
电气特性在推荐工作结温范围内，
V
CC
= 6.5 V ， ENABLE =高，C
L
= 3.3 nF的（除非另有说明）
电源电流
参数
VCC
电源电压范围
V（ ENABLE ） =低，
V（ ENABLE ） = HIGH ，
VCC
静态电流
V（ ENABLE ） = HIGH ，
F（ SWX ） = 200千赫，
C（ HIGHDR ） = 50 pF的，
见注2
VCC = 15 V
VCC = 15 V
VCC = 12 V ，
BOOTLO接地，
C（ LOWDR ） = 50 pF的，
测试条件
民
4.5
300
典型值
最大
15
100
400
单位
V
A
A
3
mA
注2 ：由设计保证，未经生产测试。
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推荐型号
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TMP3C6415EGLZA5E0
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T201J1ABE2
TPS78230DDCR
TLC1541IN
TS924AIYDT
TEA6414A
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型号
厂家
批号
数量
封装
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操作
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    TPS2834DR
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    -
    -
    -
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2021+
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地址：深圳市福田区赛格广场6707A
TPS2834DR
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4560
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原盘原标公司现货假一赔十
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电话：13480301972
联系人：陈先生
地址：福田区中航路华强北街道国利大厦2030
TPS2834DR
TI/德州仪器
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14-SOIC
全新原装现货 优势库存
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电话：0755-82578309/18898790342
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
TPS2834DR
TI
21+
12000
SOIC (D)
███全新原装正品，可配单
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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电话：0755-89697985
联系人：李
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TPS2834DR
Texas Instruments
24+
10000
14-SOIC
原厂一级代理，原装现货
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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电话：0755-89697985
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Texas Instruments
24+
10000
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
原厂一级代理，原装现货
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TPS2834DR
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