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TPS2830 , TPS2831
快速同步降压MOSFET驱动器
带死区控制
SLVS196B - JANUARY1999 - 修订1999年9月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
浮动自举或接地参考
高侧驱动器
主动控制死区时间
50 ns(最大值)上升/下降时间以及100 ns(最大值)
传播延迟
3 nF的负载
适用于高电流单或Mutiphase
应用
2.4 -A典型峰值输出电流
4.5 V至15 V的电源电压范围
肖特基内部自举二极管
同步控制同步或
非同步操作
CROWBAR的OVP ,防止
故障高端功率场效应
低电源电流。 。 。 3 mA的典型
-40 ° C至125 ° C的结温
工作范围
D组或PWP封装
( TOP VIEW )
启用
IN
CROWBAR
NC
SYNC
DT
保护地
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
BOOT
NC
HIGHDR
BOOTLO
LOWDR
NC
V
CC
NC - 无内部连接
描述
该TPS2830和TPS2831是MOSFET驱动器的同步降压功率级。这些器件非常适合
对于使用开关控制器,它不包括适当设计的高性能电源
芯片上的MOSFET驱动器。该驱动器可提供2.4 -A峰值电流到大的容性负载。
更高的电流,可通过在多相结构使用多个驱动器来控制。高侧驱动器
可以被配置为接地参考驱动程序或作为浮动自举式驱动。自适应死区时间控制
电路消除开关转换期间,直通通过主功率FET电流,
提供了高效率降压稳压器。该TPS2830 / 31驱动器具有更多的控制功能:
ENABLE , SYNC和撬棍。这两个驱动程序都关闭时启用低。该驱动器被配置为
非同步降压驱动程序时, SYNC为低电平。撬棍功能开启低侧功率场效应管,
重写IN信号,对于过电压保护,防止出现故障的高侧功率FET 。
该TPS2830具有同相输入端。该TPS2831具有一个反相输入端。该TPS2830 / 31驱动程序
在14个终端SOIC和TSSOP封装,工作在-40 ° C的结温范围
至125 ℃。
可选项
包装设备
TJ
SOIC
(D)
TPS2830D
TPS2831D
TSSOP
( PWP )
TPS2830PWP
TPS2831PWP
-40_C到125_C
在D和PWP软件包可以录音和缠绕。加上R
后缀设备类型(例如, TPS2830DR )
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1999年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TPS2830 , TPS2831
快速同步降压MOSFET驱动器
带死区控制
SLVS196B - JANUARY1999 - 修订1999年9月
功能框图
8
VCC
14
(仅TPS2830 )
12
11
2
IN
BOOT
HIGHDR
BOOTLO
(仅TPS2831 )
VCC
10
7
6
DT
启用
1
SYNC
CROWBAR
3
5
LOWDR
保护地
终端功能
终奌站
名字
BOOT
14
I / O
I
描述
引导终端。陶瓷电容器连接BOOT和BOOTLO终端发展之间
浮动自举电压的高侧MOSFET 。电容器的值通常是0.1
F
1
F.
一个1MΩ的电阻应连接自举电容两端提供一个放电通路
当驱动程序已经关闭。
该端子连接到高侧和低侧MOSFET的连接点。
撬棍可以被跨高边驱动由外部过压保护电路,以防止短
MOSFET。如果撬棍被驱动为低电平,则低侧驱动器将被导通,高侧驱动器将
关闭时,独立的所有其他控制终端的状态。
死区时间控制端。连接DT到高侧和低侧MOSFET的连接点。
如果ENABLE为低,两位车手都关闭。
输出驱动器的高侧功率MOSFET
输入信号到MOSFET驱动器(同相输入端为TPS2830 ;倒相输入端为TPS2831 ) 。
输出驱动器的低侧功率MOSFET
电源地。连接到FET功率地面
I
I
同步整流器启动终端。如果SYNC为低电平时,则低侧驱动器始终关闭;如果SYNC为高,
低侧驱动器提供栅极驱动器的低侧MOSFET 。
输入电源。建议1 μF电容, VCC连接到PGND 。
BOOTLO
CROWBAR
11
3
O
I
DT
启用
HIGHDR
IN
LOWDR
NC
保护地
SYNC
VCC
6
1
12
2
10
4, 9, 13
7
5
8
I
I
O
I
O
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
TPS2830 , TPS2831
快速同步降压MOSFET驱动器
带死区控制
SLVS196B - JANUARY1999 - 修订1999年9月
详细说明
低侧驱动器
低边驱动器设计用于驱动低RDS(ON ) N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流是
2 A,源和宿。
高侧驱动器
高边驱动器设计用于驱动低RDS(ON ) N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流是
2 A,源和宿。高侧驱动器可被配置为GND电平,参考驱动器或作为浮举
驱动程序。内部自举二极管是肖特基,为提高传动效率。最大电压可以
从开机到地面应用为30 V.
死区时间( DT )的控制
死区时间控制能够防止拍摄过电流在开关过程中流经主功率FET
转换通过控制MOSFET驱动器的导通时间。高侧驱动器不能转
上,直到栅极驱动电压到低侧FET低,以及低侧驱动器不允许打开直到
在功率FET ( Vdrn )交界处的电压低;对DT终端连接到电源的连接点
场效应管。
启用
使能端子使驱动程序。当使能为低电平时,输出驱动器低。
IN
IN端子是用于驱动的输入控制信号。该TPS2830具有同相输入端;在TPS2831
具有一个反相输入端。
SYNC
同步终端控制是否在驱动器工作在同步或不同步模式。在
同步模式下,低侧FET被操作作为同步整流器。在非同步模式下,该
低边FET始终关闭。
CROWBAR
撬棍终端覆盖的驾驶员的正常操作。当撬棍端为低电平,
低侧FET导通,以作为钳位,保护的dc / dc转换器的输出电压,防止过
电压由于整个高侧FET短路。 V
IN
应该融合,以保护低边FET 。
高电平输入电压上启用,同步,撬杠,IN和DT必须大于或等于VCC 。
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3
TPS2830 , TPS2831
快速同步降压MOSFET驱动器
带死区控制
SLVS196B - JANUARY1999 - 修订1999年9月
在工作自由空气的温度绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
输入电压范围:启动到地线(高侧驱动器ON) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至30 V
BOOTLO到PGND。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
启动到BOOTLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
ENABLE , SYNC和撬棍(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
DT (见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至30 V
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅焊接温度的情况下, 1.6毫米( 1/16英寸) ,持续10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.除非特别说明,所有的电压是相对于地线。
2.高电平输入电压上的ENABLE ,SYNC撬棍,IN和DT端子必须大于或等于VCC。
额定功耗表
D
PWP
TA
25°C
额定功率
760毫瓦
2400毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
7.6毫瓦/°C的
25毫瓦/ C
TA = 70℃
额定功率
420毫瓦
1275毫瓦
TA = 85°C
额定功率
305毫瓦
900毫瓦
推荐工作条件
电源电压VCC
输入电压
引导至PGND
4.5
4.5
最大
15
28
单位
V
V
电气特性在推荐工作结温范围内,
V
CC
= 6.5 V , ENABLE =高,C
L
= 3.3 nF的(除非另有说明)
电源电流
参数
VCC
电源电压范围
维纳布尔=低,
维纳布尔= HIGH ,
VCC
静态电流
维纳布尔= HIGH ,
fSWX = 200千赫,
CHIGHDR = 50 pF的,
见注3
VCC = 15 V
VCC = 15 V
VCC = 12 V ,
BOOTLO接地,
CLOWDR = 50 pF的,
测试条件
4.5
0.1
mA
典型值
最大
15
100
单位
V
A
3
注3 :由设计保证,未经生产测试。
4
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TPS2830 , TPS2831
快速同步降压MOSFET驱动器
带死区控制
SLVS196B - JANUARY1999 - 修订1999年9月
电气特性在推荐工作结温范围内,
V
CC
= 6.5 V , ENABLE =高,C
L
= 3.3 nF的(除非另有说明) (续)
输出驱动器
参数
高端I K
喜 ID汇
(见注4 )
HIGH SIDE
高边
来源
(见注4 )
低端散热器
L
ID I K
(见注4 )
LOW SIDE
低端
来源
(见注4 )
占空比< 2 % ,
TPW < 100
s
(见注3 )
占空比< 2 % ,
TPW < 100
s
(见注3 )
占空比< 2 % ,
TPW < 100
s
(见注3 )
占空比< 2 % ,
TPW < 100
s
(见注3 )
测试条件
VBOOT - VBOOTLO = 4.5 V , VHIGHDR = 4 V
VBOOT - VBOOTLO = 6.5 V , VHIGHDR = 5 V
VBOOT - VBOOTLO = 12 V , VHIGHDR = 10.5 V
VBOOT - VBOOTLO = 4.5 V , VHIGHDR = 0.5V
VBOOT - VBOOTLO = 6.5 V , VHIGHDR = 1.5 V
VBOOT - VBOOTLO = 12 V , VHIGHDR = 1.5 V
VCC = 4.5 V ,
VCC = 6.5 V ,
VCC = 12 V ,
VCC = 4.5 V ,
VCC = 6.5 V ,
VCC = 12 V ,
VLOWDR = 4 V
VLOWDR = 5 V
VLOWDR = 10.5 V
VLOWDR = 0.5V
VLOWDR = 1.5 V
VLOWDR = 1.5 V
0.7
1.1
2
1.2
1.3
2.3
1.3
2
3
1.4
2
2.5
典型值
1.1
1.5
2.4
1.4
1.6
2.7
1.8
2.5
3.5
1.7
2.4
3
5
5
5
45
45
45
9
7.5
6
45
45
45
A
A
A
A
最大
单位
峰值输出 -
当前
高端散热器(见注4 )
VBOOT - VBOOTLO = 4.5 V , VHIGHDR = 0.5 V
VBOOT - VBOOTLO = 6.5 V , VHIGHDR = 0.5 V
VBOOT - VBOOTLO = 12 V , VHIGHDR = 0.5 V
VBOOT - VBOOTLO = 4.5 V , VHIGHDR = 4 V
VBOOT - VBOOTLO = 6.5 V , VHIGHDR = 6 V
VBOOT - VBOOTLO = 12 V , VHIGHDR = 11.5 V
VDRV = 4.5 V ,
VDRV = 6.5 V
VDRV = 12 V ,
VDRV = 4.5 V ,
VLOWDR = 0.5 V
VLOWDR = 0.5 V
VLOWDR = 0.5 V
VLOWDR = 4 V
VLOWDR = 6 V
VLOWDR = 11.5 V
高侧电源(见注4 )
产量
阻力
低端散热器(见注4 )
低边源(见注4 )
VDRV = 6.5 V ,
VDRV = 12 V ,
注: 3,通过设计保证,未经生产测试。
4.驱动器的上拉/下拉电路是并联的双极和MOSFET晶体管。峰值输出电流额定值为
合并从双极和MOSFET晶体管的电流。输出电阻的MOSFET ,当晶体管的Rds(on )
在驱动器输出端的电压小于所述双极晶体管的饱和电压。
deatime控制
参数
LOWDR
DT
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
测试条件
在VCC范围(见注3 )
在VCC范围
2
1
2
1
典型值
最大
单位
V
V
V
V
注3 :由设计保证,未经生产测试。
数字控制终端
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
测试条件
在VCC范围
2
1
典型值
最大
单位
V
V
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5
TPS2834 , TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
SLVS223B - 1999年11月 - 修订2002年8月
D
浮动自举或接地参考
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
高侧驱动器
自适应死区时间控制
50 ns(最大值)的上升/下降时间3.3 nF的负载
2.4的典型输出电流
4.5 V至15 V的电源电压范围
TTL兼容的输入
肖特基内部自举二极管
同步控制同步或
非同步操作
CROWBAR的OVP ,防止
故障高端功率场效应
低电源电流.... 3毫安典型
适用于高电流单相或多相
电源
-40 ° C至125 ° C的工作结虚
温度范围
采用SOIC和TSSOP使用PowerPad
套餐
启用
IN
CROWBAR
NC
SYNC
DT
保护地
( TOP VIEW )
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
BOOT
NC
HIGHDR
BOOTLO
LOWDR
NC
V
CC
PWP封装
( TOP VIEW )
启用
IN
CROWBAR
NC
SYNC
DT
保护地
1
14
2
13
3
12
4
PAD
11
5
10
6
9
7
8
BOOT
NC
HIGHDR
BOOTLO
LOWDR
NC
V
CC
NC - 无内部连接
描述
该TPS2834和TPS2835是MOSFET驱动器的同步降压功率级。这些器件非常适合
设计采用开关控制器的高性能电源不包括片上MOSFET
驱动程序。该驱动器可提供最少2 -A峰值电流到大的容性负载。该
高侧驱动器可配置为接地参考或作为浮动自举。自适应死区时间控制
电路消除开关转换期间,直通通过主功率FET电流,
提供了高效率降压稳压器。该TPS2834和TPS2835有额外的控制功能:
ENABLE , SYNC和撬棍。高边和低边驱动器都关闭时启用低。驱动程序
被配置为一个非同步降压驱动器禁用低端驱动器,当SYNC为低电平。撬棍
功能开启低侧功率FET ,覆盖IN信号,过电压保护,防止断陷
高侧功率FET 。
该TPS2834具有同相输入端,而TPS2835具有一个反相输入端。这些驱动程序可
在14个终端SOIC和耐热增强型TSSOP使用PowerPad 封装,工作在一个路口
温度范围为-40 ° C至125°C 。
与同步MOSFET驱动器
设备名称
TPS2830
TPS2831
TPS2832
TPS2833
TPS2836
TPS2837
W / O使能,同步和撬棍
TTL
W / O使能,同步和撬棍
CMOS
ENABLE , SYNC和撬棍
CMOS
附加功能
输入
非反相
非反相
非反相
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2002年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SLVS223B - 1999年11月 - 修订2002年8月
TPS2834 , TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
可选项
包装设备
TJ
SOIC
(D)
TPS2834D
TPS2835D
TSSOP
( PWP )
TPS2834PWP
TPS2835PWP
- 40 ° C至125°C
在D和PWP软件包可以录音和缠绕。加上R
后缀设备类型(例如, TPS2834DR )
功能框图
8
VCC
BOOT
14
(仅TPS2834 )
1 M
250 k
2
IN
12
11
HIGHDR
BOOTLO
(仅TPS2835 )
VCC
10
250 k
7
LOWDR
6
DT
启用
1
SYNC
CROWBAR
3
5
保护地
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TPS2834 , TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
SLVS223B - 1999年11月 - 修订2002年8月
终端功能
终奌站
名字
BOOT
BOOTLO
CROWBAR
14
11
3
I / O
I
O
I
描述
引导终端。陶瓷电容器连接BOOT和BOOTLO发展之间浮动
自举电压的高侧MOSFET 。电容器的值通常是0.1
F
1
F.
该端子连接到高侧和低侧MOSFET的连接点。
撬棍可以被跨高边驱动由外部过压保护电路,以防止短
MOSFET。如果撬棍被驱动为低电平,则低侧驱动器将被导通,高侧驱动器将
关闭时,独立的所有其他控制终端的状态。
死区时间控制端。连接DT到高侧和低侧MOSFET的连接点。
如果ENABLE为低,两位车手都关闭。
输出驱动器的高侧功率MOSFET
输入信号到MOSFET驱动器(同相输入端为TPS2834 ;倒相输入端为TPS2835 ) 。
输出驱动器的低侧功率MOSFET
无内部连接
电源地。连接到FET功率接地。
I
I
同步整流器启动终端。如果SYNC为低电平时,则低侧驱动器始终关闭;如果SYNC为高,则
低侧驱动器提供栅极驱动到低侧MOSFET 。
输入电源。建议1 μF电容, VCC连接到PGND 。
DT
启用
HIGHDR
IN
LOWDR
NC
保护地
SYNC
VCC
6
1
12
2
10
4, 9, 13
7
5
8
I
I
O
I
O
详细说明
低侧驱动器
低边驱动器设计用于驱动低R
DS ( ON)
N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为2 A,
源和接收器。
高侧驱动器
高边驱动器设计用于驱动低R
DS ( ON)
N沟道MOSFET 。驱动器的额定电流为2 A,
源和接收器。高侧驱动器可被配置为GND电平,参考驱动器或作为浮举
驱动程序。内部自举二极管是肖特基,为提高传动效率。最大电压可以
从开机到地面应用为30 V.
死区时间( DT )的控制
死区时间控制能够防止直通电流在开关过程中流经主功率FET
转换通过控制MOSFET驱动器的turnon次。高侧驱动器不能转
上,直到栅极驱动电压到低侧FET低,以及低侧驱动器不允许打开直到
在功率FET ( VDRAIN )交界处的电压低;在TTL兼容DT端子连接到
功率FET的结。
启用
使能端子使驱动程序。当使能为低电平时,输出驱动器低。 ENABLE是
TTL兼容的数字终端。
IN
IN端子是一个TTL兼容的数字终端是驱动程序的输入控制信号。该TPS2834
有一个非反相输入端;该TPS2835具有一个反相输入端。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SLVS223B - 1999年11月 - 修订2002年8月
TPS2834 , TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
详细说明(续)
SYNC
同步终端控制是否在驱动器工作在同步或不同步模式。在
同步模式下,低侧FET被操作作为同步整流器。在非同步模式下,该
低边FET始终关闭。 SYNC是一个TTL兼容的数字终端。
CROWBAR
撬棍终端覆盖的驾驶员的正常操作。当撬棍低,低边
FET变为ON,作为钳位,保护的dc / dc转换器的输出电压对因过电压
跨高侧FET短路。 V
IN
应该融合,以保护低边FET 。撬棍是
TTL兼容的数字终端。
在工作自由空气的温度绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
输入电压范围:启动到地线(高侧驱动器ON) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至30 V
BOOTLO到PGND。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
启动到BOOTLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
ENABLE , SYNC和撬棍。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
IN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至16 V
DT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至30 V
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅焊接温度的情况下, 1.6毫米( 1/16英寸) ,持续10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 :除非另有说明,所有的电压是相对于地线。
额定功耗表
PWP与solder§
PWP无solder§
D
TA
25°C
2668
1024
749
降额因子
26.68毫瓦/°C的
10.24毫瓦/°C的
7.49毫瓦/°C的
TA = 70℃
1467
563
412
TA = 85°C
1067
409
300
结外壳热阻表
PWP
结 - 壳热阻
2.07
° C / W
§测试板条件:
1.厚度: 0.062I
2. 3I
×
3I (包<27毫米长)
3. 4I
×
4I (包>27毫米长)
4.位于电路板的顶层2盎司铜迹线( 0.071毫米厚)
位于PCB板焊接的顶部和底部5铜区
6.电源层和接地层, 1盎司铜( 0.036毫米厚)
7.散热孔,0.33毫米直径,1.5 mm间距
电源平面的8热隔离
欲了解更多信息,请参见TI技术简介文献数量SLMA002 。
4
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TPS2834 , TPS2835
同步降压MOSFET驱动器
带死区时间控制
SLVS223B - 1999年11月 - 修订2002年8月
推荐工作条件
电源电压VCC
输入电压
引导至PGND
4.5
4.5
最大
15
28
单位
V
V
电气特性在推荐工作结温范围内,
V
CC
= 6.5 V , ENABLE =高,C
L
= 3.3 nF的(除非另有说明)
电源电流
参数
VCC
电源电压范围
V( ENABLE ) =低,
V( ENABLE ) = HIGH ,
VCC
静态电流
V( ENABLE ) = HIGH ,
F( SWX ) = 200千赫,
C( HIGHDR ) = 50 pF的,
见注2
VCC = 15 V
VCC = 15 V
VCC = 12 V ,
BOOTLO接地,
C( LOWDR ) = 50 pF的,
测试条件
4.5
300
典型值
最大
15
100
400
单位
V
A
A
3
mA
注2 :由设计保证,未经生产测试。
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