TPS28225
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SLUS710 - 2006年5月
高频率4 -A水槽同步MOSFET驱动器
特点
驱动两个N沟道MOSFET采用14纳秒
自适应死区时间
广泛的栅极驱动电压： 4.5V高达8.8V
最佳效率，在7V至8V
广电网串输入电压： 3V
高达27V
宽输入PWM信号： 2.0V至13.2 -V
振幅
能够驱动器与MOSFET的
≥40-A
当前
每相
高工作频率： 14ns传播
延迟和10ns的上升/下降时间允许FSW -
2MHz
能够传播<30 - ns输入的PWM脉冲
低端驱动器接收器导通电阻（ 0.4Ω ）
防止dv / dt的相关贯通
当前
三态PWM输入用于电源级停机
节省空间的使能（输入）和电源良好
（输出）在同一引脚信号
热关断
UVLO保护
内置自举二极管
经济型SOIC -8和耐热增强型
3毫米x 3毫米DFN -8封装
高性能置换热门
三态输入驱动器
描述
该TPS28225是用于N沟道高速驱动
免费的驱动功率MOSFET具有自适应
死区时间控制。此驱动程序用于使用了优化
各种高电流1和多相直流 - 直流
转换器。该TPS28225是一个解决方案，提供
高效率，小体积低EMI emmissions 。
性能受到高达8.8 -V的栅极来实现
驱动电压， 14 ns的自适应死区时间控制，
14 ns的传播延迟和高电流2 -A
源和4 -A水槽驱动能力。 0.4 - Ω
阻抗的下部栅极驱动器保持的栅极
低于其阈值功率MOSFET ，并确保没有
直通电流，高dV / dt阶段节点
转场。自举电容通过充电
内部二极管允许使用N沟道MOSFET中
半桥式配置。
该TPS28225拥有一个三态PWM输入
所有的多相控制器兼容用人
三态输出功能。只要输入电压范围保持
内部三态窗口250 ns的保持关闭时间，
驾驶员切换两路输出低。这种关机
模式可以防止负载从所述的反相
输出电压。
其他功能包括欠压锁定，
热关断和双向启用/电源良好
信号。系统无三态功能的控制器
可以使用启用/功率良好的输入/输出同时容纳
输出关闭时低。
该TPS28225提供的一种经济SOIC- 8
和耐热增强型低尺寸双列扁平无引线
（ DFN - 8 ）封装。该驱动程序在指定的
-40 ° C至125°C的扩展温度范围
绝对最高结温150 ℃。
应用
多相DC- DC转换器与
模拟或数字控制
台式机和服务器的VRM和EVRDs
便携式/笔记本电脑稳压器
同步整流用于隔离型电源
耗材
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
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典型应用（续）
多相同步降压转换器
V
DD
（ 4.5 V至8 V ）
6 VDD
BOOT
2
V
IN
（ 3 V至32 V - V
DD
)
TPS28225
UGATE
3 PWM
相
1
8
7 EN / PG
LGATE
2 PWM1
要DRIVER
GND
5
4
CS 1
到控制器
TPS4009x
或任何其它模拟
或数字控制器
PWM2 1
VIN 8
要DRIVER
PWM3 8
6 VDD
PWM 4 5
GND
4
3 PWM
相
8
V
OUT
BOOT
2
到控制器
1
CS 4
CSCN
TPS28225
UGATE
GNDS
7
VOUT
3
7 EN / PG
启用
LGATE
GND
5
4
订购信息
(1) (2) (3)
温度范围，T
A
= T
J
包
塑料8引脚SOIC （D ）
-40°C至125°C
塑料8引脚SOIC （D ）
塑料8引脚DFN （ DRB ）
塑料8引脚DFN （ DRB ）
(1)
(2)
(3)
磁带和卷轴数量。
250
2500
250
3000
产品型号
TPS28225DT
TPS28225DR
TPS28225DRBT
TPS28225DRBR
SOIC - 8 （ D）和DFN - 8 （ DRB ）软件包可以录音和缠绕。增加T后缀的设备类型（如TPS28225DT ）责令录音
设备和后缀R键设备类型订购跌跌撞撞设备。
的SOIC-8 （D）中和DFN -8（ DRB）包使用在无铅引线钯镍金精这与MSL水平的1兼容在255 ℃至
260℃峰值回流焊温度与任何无铅或锡/铅焊接操作。
在DFN封装，所述装置的中心下方的垫是热衬底。 PCB的“热地”设计，这
暴露管芯焊盘应包括降下来，并连接到一个或一个以上埋入铜平面（多个）热通孔。这种组合
过孔的垂直散热逃生和掩埋的飞机为热扩散使DFN封装，以充分发挥其热势。这应该垫
无论是接地的最佳抗噪能力，并且它不应该连接到其他节点。
4
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
TPS28225
输入电源电压范围，V
DD (3)
启动电压，V
BOOT
相电压，V
相
DC
脉冲< 400纳秒， E = 20
J
(1) (2)
价值
-0.3 8.8
-0.3 33
-2至32或V
BOOT
+ 0.3 – V
DD
以较低者为准
-7至33.1或V
BOOT
+ 0.3 – V
DD
以较低者为准
-0.3至13.2
V
相
- 0.3 V
BOOT
+ 0.3, (V
BOOT
– V
相
< 8.8 ）
单位
输入电压范围，V
PWM
, V
EN / PG
输出电压范围，V
UGATE
输出电压范围，V
LGATE
ESD额定值， HBM
ESD额定值， HBM ESD额定值，清洁发展机制
连续总功率耗散
工作结温范围，T
J
工作环境温度范围内，T
A
贮藏温度，T
英镑
引线温度（焊接， 10秒）
(1)
(2)
(3)
脉冲<为100 ns ， E = 2
J
脉冲<为100 ns ， E = 2
J
V
V
相
- 2至V
BOOT
+ 0.3, (V
BOOT
– V
相
< 8.8 ）
-0.3到V
DD
+ 0.3
-2到V
DD
+ 0.3
2k
500
见耗散额定值表
-40至150
-40至125
-65到150
300
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些器件对静电放电敏感;遵循正确的设备处理程序。
所有的电压是相对于GND ，除非另有说明。电流是积极进入，负出指定的终端。请教
数据书热限制和包的考虑包装节。
耗散额定值
(1)
板
高K
(2)
高K
(3)
包
D
DRB
R
θJC
39.4°C/W
1.4°C/W
R
θJA
100°C/W
48.5°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
10毫瓦/°C的
20.6毫瓦/°C的
T
A
< 25℃
额定功率
1.25 W
2.58 W
T
A
=70°C
额定功率
0.8 W
1.65 W
T
A
= 85°C
额定功率
0.65 W
1.34 W
(1)
(2)
(3)
这些热数据分别取自标准JEDEC测试条件，并且对于不同的热性能比较有用
包。的冷却条件和热阻抗
θJA
的实际设计是特异性的。
在JEDEC测试板JESD51-7 ，3英寸×3英寸，4层用1盎司的内部电源层和接地层和2盎司的顶部和底部的迹
层。
在JEDEC测试板JESD51-5直接导热垫连接， 3英寸×3英寸， 4层用1盎司内部电源层和接地层和
2盎司的顶部和底部线迹层。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
DD
V
IN
T
J
输入电源电压
电源输入电压
工作结温范围
4.5
3
–40
典型值
7.2
最大
8
32 V
= VDD
125
单位
V
°C
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