TPS25910
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SLUSAR6B - 2012年9月 - 修订2013年3月
3 V至20 V ,具有可编程浪涌电流转换速率高电流负载开关
检查样品:
TPS25910
1
特点
3 V至20 V总线操作
集成30 mΩ的导通MOSFET
从可编程电流限制:
0.83至6.5
可编程浪涌电流斜率
热关断和故障报警
4毫米x 4毫米的QFN16
-40 ° C至125°C的结温范围
描述
该TPS25910提供了高度集成的热插拔
电源管理和优异的保护
应用中,负载由电压供电
五,在3 V和20本设备适用于
其中电压总线必须防止系统
不需要永久和瞬时过载。
在启动时,或当热插入到系统总线
该TPS25910通过控制限制浪涌电流
的输出电压V的升温速率
OUT
。摆
V的速度
OUT
可以用一个电容器来调节
之间的GATE引脚和GND引脚。
内置SOA保护确保内部
MOSFET工作的安全操作区域内
( SOA )的最恶劣的工作条件下。在
此外,限流门限,这是
独立的功率限制,可以与被调节
ILIM引脚与GND引脚之间的电阻。
该TPS25910提供一个故障指示灯,当输出
在热故障。
该TPS25910采用16引脚QFN封装。
应用
固态硬盘( SSD )
硬盘驱动器( HDD)
RAID阵列
电信
插入式电路板
笔记本电脑和上网本
12 -V , 4.75 -A的应用
1/2/3 IN
OUT 10/11 / 12
16 EN
TPS25910
FLT 15
C
负载
4
门
可选:要
系统
MONITOR
输入
电压
公共汽车
C
EXT
GND
5/6
GND
8/9
ILIM
7
GND
13
GND
14
40.2 k?
输出电压
母线或直流-to -DC
变流器
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
设备
连接点
温度
-40°C至125°C
包
订购代码
TPS25910RSAR
TPS25910RSAT
记号
TPS25910
RSA ( 4毫米x 4毫米QFN )
TPS25910
绝对最大额定值
在器件结温范围(除非另有说明)
(1) (2)
民
输入电压范围,输出
电压范围, GATE
电压范围FLT
电压ILIM
输出灌电流FLT
输入电压范围, EN
电压范围ILIM
(3)
ESD额定值, HBM
ESD额定值,清洁发展机制
工作结温范围,T
J
存储温度范围,T
英镑
(1)
(2)
(3)
-65
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
最大
22
30
20
1.75
10
6
3
2 .5 k
500
内部限制
150
°C
V
单位
V
V
mA
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是,设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值是相对于GND 。
不施加电压的引脚。
2
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推荐工作条件
在器件结温范围(除非另有说明)
参数
输入电压范围,输出
电压范围EN
电压范围FLT
连续输出电流I
OUT
输出灌电流FLT
外部电容, GATE
的dv / dt ,V
IN
R
LIM (2)
结温
(1)
民
3
0
0
0
0
1
喃
最大
20
5
20
5
1
47
12
单位
V
A
mA
nF
V / μs的
Ω
°C
0
-40
237k
125
(1)
(2)
的dv / dt ,V
IN
应限制在12 V / μs的时间限制的直通电流负载。
当R
LIM
数值超出该范围时,我
LIM
会不会是准确的在此范围内。
热信息
TPS25910
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
(2)
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板的热阻
(4)
(3)
RSA ( QFN )
16针
34.8
35.3
11.9
0.4
12.0
3.3
单位
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳(底部)热阻
(7)
° C / W
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准,高K板上的模拟获得,如
在JESD51-7指定,在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体(顶部)的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在,但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度,如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数,
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中,并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法(第6和7)。
结至电路板的特征参数,
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中,并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法(第6和7)。
通过在暴露的(功率)垫模拟冷板试验获得的结到壳体(底部)的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在,但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
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电气特性
在工作自由空气的温度范围内,V
IN
= 3 V - 20 V , EN = 0 V , FLT =开放,R
( RLIM )
= 40.2 kΩ的,无需外部电容
被连接到任何门或OUT , (除非另有说明)
参数
IN
UVLO
偏置电流
OUT
罗恩
功率限制
反向二极管电压
ILIM
R
( RLIM )
= 237 k
R
( RLIM )
= 200 k
限流方案一
VOUT
,
V
( VIN - OUT )
= 0.3 V ,脉冲
TEST
R
( RLIM )
= 100 k
R
( RLIM )
= 66.5 k
R
( RLIM )
= 40.2 k
R
( RLIM )
= 29.4 k
EN
V
( EN )
落下
阈值电压
V
( EN )
升起
迟滞
输入偏置电流
打开的传播延迟
关闭传播延迟
FLT
V
OL
漏电流
热关断
热关断
门
目前采购
强拉下拉电阻
弱下拉电流
输出电压V
(GATE -OUT )
V
(GATE -OUT )
= 3.5 V, V
( EN )
= LOW
V
( EN )
= LOW
V
( EN )
= LOW
8
10
250
5.5
11
40
500
6.6
15
80
750
7.5
A
Ω
A
V
T
J
迟滞
160
20
°C
I
( FLT )
= 1毫安,故障激活状态(过热)
V
( FLT )
= 18 V
0.2
0.4
1
V
μA
V
( EN )
= 2.4 V (下沉)
V
( EN )
= 0.2 V (采购)
V
IN
= 3.3 V,I
负载
= 1 A,
V
( EN )
: 2.4 V
→
0.2 V ,直到我
门
改变方向。
V
IN
= 3.3 V,I
负载
= 1 A,
V
( EN )
: 0.2 V
→
2.4 V ,直到我
门
改变方向。
-1.5
-2
1.10
1.35
1.50
150
-1
-1
10
μs
2.5
0.5
0.5
1.75
mV
μA
V
0.50
0.75
1.75
2.65
4.50
5.70
0.82
1
2
3
5
6.50
1.1
1.25
2.25
3.3
5.5
7.3
A
R
( VIN-VOUT )
, I
(VOUT )
& LT ;我
( RLIM )
, 1 A
≤
I
(VOUT )
≤
4.5 A
V
IN
: 12 V ,C
OUT
= 1000
μF,
EN : 3 V
→
0 V
V
OUT
& GT ; V
IN
, EN = 5 V,I
IN
= - 1 A
3
29.5
5
0.77
42
7.5
1
m
W
V
V
IN
↑
迟滞
EN = 2.4 V
EN = 0 V
2.60
2.75
100
2.5
3.3
4
5
2.90
V
mV
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
4
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设备信息
TPS25910功能框图
我(D )
探测器
1
IN
2
3
I
OUT
V( DS )检测器
12
11 OUT
10
+
S
-
11微安
Q
泵
1k
4
门
14
13
GND
5
6
8
9
1.0V
不变
动力
发动机
40
+
LCA
+
ILIM 7
快速跳闸
比较
单稳
6.5 k
+
1.6 ×1
LIM
EN 16
1.5 V / 1.35 V
+
控制
15
热
关闭
FLT
2.7 V / 2.6 V
+
V
IN
UVLO
图1.功能框图
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5