TPS2543-Q1
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SLVSBW2 - 2013年3月
USB充电端口控制器和电源开关，负载检测
检查样品：
TPS2543-Q1
1
特点
符合汽车应用
AEC- Q100认证具有以下
结果：
- 器件温度1级： -40 ° C至
125°C的工作环境温度
范围
- 设备HBM ESD分类等级H2
- 设备CDM ESD分类等级C5
每个USB电池D + / D- CDP / DCP模式
充电规范1.2
D + / D-短路％的中国模式
通信行业标准YD / T
1591-2009
支持非BC1.2充电方式
自动选择
- D + / D-分频器模式2.0V / 2.7V和2.7 / 2.0V
支持睡眠模式充电和低
速度鼠标/键盘唤醒
负载检测电源控制为
S4 / S5充电端口和电源管理
在所有的收费模式
兼容USB 2.0和3.0电源开关
需求
集成73毫欧（典型值）的高侧MOSFET
可调式限流高达3 A（典型值）
工作范围： 4.5 V至5.5 V
最大器件电流
- 2 μA当器件被禁止
- 260 μA当设备启用
嵌入式及BOM兼容TPS2543
采用16引脚QFN封装（ 3×3 ）套餐
UL认可的CB和文件号E169910
应用
USB端口（主机和集线器）
笔记本电脑和台式电脑
汽车信息娱乐系统
描述
在TPS2543 -Q1是一款USB充电端口控制器
并带有集成USB 2.0高功率开关
高速数据线（ D + / D- ）开关。 TPS2543 -Q1
提供的D + / D-线的电签名
支持收费计划列在设备功能
部分。 TI测试充电的热门手机，
平板电脑和媒体设备与TPS2543 -Q1到
确保与BC1.2标准，两者的相容性
非BC1.2兼容设备
除了充电流行的设备，所述TPS2543-
Q1还支持两种不同的电源管理
功能，即功率唤醒和端口供电
管理（ PPM ）通过STATUS引脚。动力
唤醒允许在S4 / S5电源控制
充电和PPM到管理端口供电能力
一个多端口的应用程序。另外，系统唤醒
向上（从S3 ） ，用鼠标/键盘（低速只）
也支持在TPS2543 -Q1
在TPS2543 -Q1 73 - mΩ的配电开关
面向应用的高电容
负载和短路可能会遇到。
两个可编程的阈值电流为
灵活设置电流限制和负载检测
阈值。
TPS2543 -Q1即食包装及其典型应用图
ILIM_LO
ILIM_HI
故障
便携式设备
à
动力公交车
4.5V – 5.5V
0.1 uF的
IN
OUT
C
USB
ILIM_LO
ILIM_HI
状态
R
ILIM_HI
故障
ILIM_SEL
EN
CTL1
CTL2
CTL3
GND
USB
连接器
R
ILIM_LO
GND
16
IN
DM_OUT
DP_OUT
ILIM_SEL
15
14
13
12
11
OUT
DM_IN
DP_IN
状态
模式选择的I / O
状态信号
故障信号
ILIM选择
电源开关EN
R
状态
（ 10千瓦）
TPS2543-Q1
R
故障
（ 10千瓦）
1
2
散热垫
3
4
5
EN
VBUS
D-
D+
GND
10
9
6
CLT1
7
CLT2
8
CLT3
DM_IN
DP_IN
DM_OUT
DP_OUT
到主控制器
à
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
A
= T
J
-40_C到125_C
(1)
包
QFN16
设备
TPS2543-Q1
顶部端标记
2543Q
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围，电压参考GND （除非另有说明）
极限
IN， EN ， ILIM_LO ， ILIM_HI ，故障状态， ILIM_SEL ，
CTL1 ， CTL2 ， CTL3 ， OUT
电压范围
IN与OUT
DP_IN ， DM_IN ， DP_OUT ， DM_OUT
输入钳位电流
在SDP或CDP连续电流
模式
在BC1.2 DCP连续电流
模式
连续输出电流
连续输出灌电流
连续输出电流源
ESD额定值
工作结温，T
J
(1)
DP_IN ， DM_IN ， DP_OUT ， DM_OUT
DP_IN到DP_OUT或DM_IN到DM_OUT
DP_IN到DM_IN
OUT
FAULT ， STATUS
ILIM_LO ， ILIM_HI
HBM
清洁发展机制
-0.3 7
-7 7
-0.3 （IN + 0.3 ）或5.7
±20
±100
±50
内部限制
25
内部限制
2000
500
-40到内部限制
mA
mA
V
°C
mA
mA
mA
V
单位
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
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热信息
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热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
RTE
16针
53.4
51.4
17.2
3.7
20.7
3.9
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
间隔
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推荐工作条件
电压参考到GND （除非另有说明）
民
V
IN
输入电压，IN
输入电压逻辑电平输入， EN ， CTL1 ， CTL2 ， CTL3 ， ILIM_SEL
输入电压，数据线输入， DP_IN ， DM_IN ， DP_OUT ， DM_OUT
V
IH
V
IL
高电平输入电压，EN， CTL1 ， CTL2 ， CTL3 ， ILIM_SEL
低层次的输入电压， EN ， CTL1 ， CTL2 ， CTL3 ， ILIM_SEL
连续电流，数据线输入， SDP或CDP模式， DP_IN到DP_OUT ， DM_IN到
DM_OUT
连续电流，数据线输入， BC1.2 DCP模式， DP_IN到DM_IN
I
OUT
R
ILIM_XX
T
J
连续输出电流，输出
连续输出灌电流，故障状态
限流电阻设定
工作结温
0
0
16.9
–40
4.5
0
0
1.8
0.8
±30
±15
2.5
10
750
125
喃
最大
5.5
5.5
V
IN
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
A
mA
kΩ
°C
电气特性
除非另有说明，否则：-40
≤
T
J
≤
125°C ， 4.5V
≤
V
IN
≤
5.5 V, V
EN
= V
IN
, V
ILIM_SEL
= V
IN
, V
CTL1
= V
CTL2
= V
CTL3
= V
IN
. R
故障
=
R
状态
= 10千欧，R
ILIM_HI
= 20千欧，R
ILIM_LO
= 80.6 kΩ的。正电流到脚。典型值是在25℃ 。所有电压
是相对于GND 。
参数
开关
T
J
= 25 ° C，I
OUT
= 2 A
R
DS （ ON）
t
r
t
f
t
on
t
关闭
I
转
抗性
(1)
输出电压上升时间
输出电压下降时间
输出电压接通时间
输出电压关断时间
反向漏电流
–40°C
≤
T
J
≤
85 ° C，I
OUT
= 2 A
–40°C
≤
T
J
≤
125 ° C，I
OUT
= 2 A
V
IN
= 5 V ，C
L
= 1 μF ，R
L
= 100
Ω
（见
图23
和
图24 ）
V
IN
= 5V ，C
L
= 1 μF ，R
L
= 100
Ω
（见
图23
和
图25 ）
V
OUT
= 5.5 V, V
IN
= V
EN
= 0 V, –40
≤
T
J
≤
85°C,
衡量我
OUT
V
OUT
= 4 V, V
EN
= 0 V
时间V
OUT
< 0.7 V（见
图26）
400
205
500
310
0.7
0.2
73
73
73
1.0
0.35
2.7
1.7
84
105
120
1.60
0.5
4
3
2
ms
ms
A
mΩ
测试条件
民
TYP MAX
单位
放电
R
DCHG
t
DCHG
(1)
OUT放电电阻
OUT放电保持时间
630
450
Ω
ms
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度;热效应，必须考虑到
分开。
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电气特性（续）
除非另有说明，否则：-40
≤
T
J
≤
125°C ， 4.5V
≤
V
IN
≤
5.5 V, V
EN
= V
IN
, V
ILIM_SEL
= V
IN
, V
CTL1
= V
CTL2
= V
CTL3
= V
IN
. R
故障
=
R
状态
= 10千欧，R
ILIM_HI
= 20千欧，R
ILIM_LO
= 80.6 kΩ的。正电流到脚。典型值是在25℃ 。所有电压
是相对于GND 。
参数
EN ， ILIMSEL ， CTL1 ， CTL2 ， CTL3 INPUTS
输入引脚上涨逻辑阈值
电压
输入引脚下降逻辑阈值
电压
迟滞
(2)
输入电流
ILIMSEL电流限制
V
ILIM_SEL
= 0 V ，R
ILIM_LO
= 210 kΩ
V
ILIM_SEL
= 0 V ，R
ILIM_LO
= 80.6 kΩ
I
OS
输出短路电流限制
(3)
测试条件
民
TYP MAX
单位
1
0.85
1.35
1.15
200
1.70
1.45
V
mV
0.5
A
引脚电压= 0 V或5.5 V
–0.5
205
575
2120
2340
2770
240
625
275
680
mA
V
ILIM_SEL
= 0 V ，R
ILIM_LO
= 22.1 kΩ
V
ILIM_SEL
= V
IN
, R
ILIM_HI
= 20 kΩ
V
ILIM_SEL
= V
IN
, R
ILIM_HI
= 16.9 kΩ
2275 2430
2510 2685
2970 3170
1.5
t
IOS
响应时间来输出短
电路
(2)
禁用电源电流
V
IN
= 5.0 V ， R = 0.1Ω ，导线长度= 2英寸（见
图27）
V
EN
= 0 V, V
OUT
= 0 V, –40
≤
T
J
≤
85°C
V
CTL1
= V
CTL2
= V
IN
, V
CTL3
= 0 V或V
IN
, V
ILIM_SEL
= 0 V
V
CTL1
= V
CTL2
= V
IN
, V
CTL3
= 0V, V
ILIM_SEL
= V
IN
V
CTL1
= V
CTL2
= V
IN
, V
CTL3
= VIN ，V
ILIM_SEL
= V
IN
V
CTL1
= 0V, V
CTL2
= V
CTL3
= V
IN
s
电源电流
I
IN =关
0.1
155
175
185
205
3.9
4.1
100
I
故障
= 1毫安
V
故障
= 5.5 V
5
8.2
100
1
12
2
210
230
240
260
4.3
V
mV
mV
A
ms
A
A
I
IN_ON
使电源电流
欠压锁定
V
UVLO
故障
输出低电压
关闭状态漏泄
过电流故障的上升和
抗尖峰脉冲下降
状态
输出低电压
关闭状态漏泄
热关断
热关断阈值
热关断阈值
限流
迟滞
(2)
(2)
(3)
155
135
20
°C
I
状态
= 1毫安
V
状态
= 5.5 V
100
1
mV
A
瑞星UVLO阈值电压
迟滞
(2)
仅供参考这些参数，并不构成TI公布的设备规范的一部分目的TI公司的
产品保修。
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度;热效应，必须考虑到
分开。
版权所有 2013年，德州仪器
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TPS2543-Q1
5
QQ：2881677436 复制
