TPS2412

TPS2413

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SLVS728B - 2007年1月 - 修订2008年9月

N + 1或运算电源导轨控制器

1

特点

控制外部FET为N + 1或门

3 V至16.5 V宽电源电压范围

控制总线从0.8 V至16.5 V

线性或开/关控制方法

内部电荷泵的N沟道MOSFET

快速关机的设备，保护总线诚信

正栅极控制在热插入

软启动，减少总线瞬态

工业温度范围： -40 ° C至85°C

8引脚TSSOP和SOIC封装

描述

该TPS2412 / 13控制器，结合了

外部的N沟道MOSFET ，仿真功能

低正向电压的二极管。该TPS2412 / 13罐

被用于多个电源结合到一个

在N + 1配置的公共总线，或结合

冗余输入电源总线。该TPS2412提供

线性导通控制，而TPS2413具有

开/关控制方法。

应用为TPS2412 / 13包括一个宽范围

系统包括服务器和电信。这些

应用程序通常有两种N + 1冗余电源

用品，冗余电源总线，或两者兼而有之。冗

电源必须有一个二极管的等效

或防止在故障的反向电流和

热插拔。一个TPS2412 / 13和N沟道MOSFET

提供这种功能以更少的功率损耗比

肖特基二极管。

精确的电压检测和可编程

关断阈值允许的操作进行调整的

WIDE

范围

of

实现

和

公共汽车

的特点。该TPS2412 / 13要低引脚数，

简化的功能版本的TPS2410 / 11 。

表1.家庭特点

TPS2410 TPS2411 TPS2412 TPS2413

线性栅极控制

接通/切断门

控制

可调关断

门槛

快速比较

筛选

电压监控

使能控制

MOSFET故障

监测

状态引脚

√

√

√

√

√

√

√

√

√

√

√

√

√

√

√

√

√

√

应用

N + 1电源

刀片服务器

电信系统

高可用性系统

A

C

C

（ BYP ）

A

BYP

门

C

V

DD

常见的电压轨

注释：R

（集）

可选

电压源

R

（集）

TPS2412 / 13

RSVD

图1.典型应用

RSET

GND

1

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。

产品信息

(1)

设备

TPS2412

-40 ° C至85°C

TPS2413

(1)

温度

包

(1)

PW （ TSSOP - 8 ）

D（ SO - 8 ）

PW （ TSSOP - 8 ）

D（ SO - 8 ）

MOSFET栅极

控制

线性

开/关

记号

TPS2412

TPS2412

TPS2413

TPS2413

对于封装和订购信息，请参阅封装选项附录本月底

文件，或查看TI网站

www.ti.com 。

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围，电压参考GND （除非另有说明）

价值

A，C ， FLTR ，V

DD

，电压

上述A C相电压

C以上的电压

门

(2)

单位

V

V

V

V

V

V

V

kV

V

°C

-0.3至18

7.5

18

-0.3 30

-0.3至13

0.3

-0.3 7

不定

2

500

内部限制

， BYP电压

BYP为电压

门上面BYP

(2)

电压

RSET

(2)

电压

GATE短到A或C或GND

ESD

T

J

(1)

(2)

人体模型

带电器件模型

最高结温

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

电压不应该被应用到这些引脚。

耗散额定值

包

PW （ TSSOP ）

D（ SO ）

θ

JA

- 低介电常数° C / W

258

176

θ

JA

- 高钾° C / W

159

97.5

额定功率

高钾

T

A

= 85°C （毫瓦）

250

410

2

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推荐工作条件

电压参考到GND （除非另有说明）

民

A，C

A到C

R

（ RSET ）

C

（ BYP ）

T

J

T

A

(1)

(2)

(3)

输入电压范围TPS2412

工作电压

电阻范围

(2)

(3)

喃

最大

16.5

16.5

5

∞

单位

V

V

k

pF

°C

°C

V

DD

= V

)

(1)

3

0.8

1.5

800

–40

–40

2200

3

≤

V

DD

≤

16.5 V

电容范围

(2)

10k

125

85

工作结温

工作自由空气的温度

V

DD

必须超过3 V ，以满足栅极驱动器规格

电压不应该被应用到这些引脚。

电容应X7R ， 20 ％或更好

(3) (4) (5) (6)

电气特性

(1) (2)

参数

V

(A)

, V

(C)

, V

DD

V

DD

UVLO

当前

C电流

V

DD

当前

打开

TPS2412向前开启和调节

电压

TPS2412着导通/关断差

TPS2413向前开启电压

关

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

测试条件

V

DD

升起

迟滞

| I

(A)

| ，门在有源区

| I

(A)

| ，门高饱和

| I

(C)

|, V

（AC）的

≤

0.1 V

最坏的情况下，在有源区大门

门高饱和

4.25

1.2

民

2.25

0.25

0.66

0.1

10

6

1

典型值

最大

2.5

单位

V

mA

A

mA

7

R

（ RSET ）

=打开

7

门汇>为10 mA V

（ GATE -A ）

= 2 V

10

7

10

13

mV

mV

13

mV

快速关断阈值电压

V

（A -C ）

下降，R

（ RSET ）

=打开

V

（A -C ）

下降，R

（ RSET ）

= 28.7 k

V

（A -C ）

下降，R

（ RSET ）

= 3.24 k

V

(A)

= 12 V, V

（A -C ）

： 20毫伏

→

-20 mV时，

V

（ GATE -A ）

开始减小

V

(A)

= 12 V ，C

（ GATE - GND ）

= 0.01

F,

V

（A -C ）

:

20毫伏

→

-20 mV时，测量期间

V

（门）

= V

(A)

V

DD

= 3 V, V

（A -C ）

= 20毫伏

5 V

≤

V

DD

≤

18 V, V

（A -C ）

= 20毫伏

V

（A -C ）

= 50 mV时， V

（ GATE -A ）

= 4 V

V

（A -C ）

= 4毫伏，V

（ GATE -A ）

= 2 V

1

-17

-170

3

-13.25

-142

70

130

5

-10

-114

ns

ns

mV

关断延时

打开-O FF时间

门

栅极正向驱动电压，V

（ GATE -A ）

门源电流

软关断吸收电流（ TPS2412 ）

6

9

250

2

7

10.2

290

5

8

11.5

350

V

A

mA

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

[3 V

≤

V

(A)

≤

18 V和V

(C)

= V

DD

]或[ 0.8 V的

≤

V

(A)

≤

3 V和3 V

≤

V

DD

≤

18 V]

C

（ BYP ）

= 2200 pF的，R

（ RSET ）

=打开

–40°C

≤

T

J

≤

125°C

正电流是成销

典型值是在25℃下

所有的电压都是相对于GND 。

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电气特性（续）

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

参数

V

（A -C ）

= –0.1 V

快速关断脉冲电流，I

（门）

V

（门）

= 8 V

V

（门）

= 5 V

期

维持关断电流，我

（门）

杂项

热关断温度

热滞

温度的升高，T

J

135

10

°C

°C

V

（A -C ）

= –0.1 V, V

(C)

≤

V

DD

, 3 V

≤

V

DD

≤

18 V,

2 V

≤

V

（门）

≤

18 V

1.75

1.25

7.5

15

2.35

1.75

12.5

19.5

s

mA

A

测试条件

民

典型值

最大

单位

功能框图

10 V

V

(DD)

A

电荷泵

与偏压供给

HVUV

A

0.5 V

BYP

+

'12 ： AMP

'13 ： COMP

10毫伏

门

-

C

3毫伏

RSET

-

A

C

+

快

COMP

.

EN

EN

牛逼>135 ℃，

RSVD

GND

V

(DD)

BIAS

和

控制

V

（偏置）

HVUV

EN

4

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PW和D套餐

（ TOP VIEW ）

1

V

DD

RSET

RSVD

GND

4

BYP

A

C

门

8

5

终端功能

终奌站

名字

V

DD

RSET

RSVD

GND

门

C

A

BYP

号

1

2

3

4

5

6

7

8

I / O

PWR

I

PWR

PWR

O

I

I

I / O

描述

输入功率栅极驱动电荷泵和内部控制。 V

DD

必须连接到电源电压

≥

3 V.

连接一个电阻到地编程关断阈值。离开RSET开放的结果略有

正V

（A -C ）

关断阈值。

该引脚必须连接到GND 。

设备接地。

连接到外部MOSFET的栅极。控制MOSFET来模拟一个低正向电压二极管。

电压检测输入端连接到模拟二极管的阴极。连接到所述MOSFET的漏

典型配置。

电压检测输入端连接到模拟二极管的阳极。 A也可以作为参考

电荷泵偏置电源上BYP 。连接到在典型的配置中的MOSFET的源极。

从BYP存储电容器连接到过滤的栅极驱动电压。

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