D8
PW8
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TPS2375-1
TPS2377-1
SLVS570 - 2005年3月
符合IEEE 802.3af PoE提供电源，支持自动重试设备控制器
特点
自动重试后，限流故障
TPS2375-1 ： IEEE 802.3af标准的阈值
TPS2377-1 ：传统阈值
完全支持IEEE 802.3af标准规格
集成0.58 Ω ， 100 -V ，低边开关
15 kV的系统级ESD有能力
可编程浪涌电流控制
固定的450 - mA的电流限制
漏极开路，电源就绪报告
工业温度范围： -40 ° C至85°C
8引脚SOIC和TSSOP封装
应用
VoIP电话
WLAN接入点
安全摄像机
互联网设备
POS终端
产品选择
2375-1
UVLO
保护
包
802.3af
自动重试
PW
2377-1
遗产
自动重试
D
2375
802.3af
LATCH
D， PW
2376
可调整的
LATCH
D， PW
2377
遗产
LATCH
D， PW
描述
这些易于使用的8引脚集成电路包含所有的开发一个IEEE所需的特征
802.3af标准的受电设备（PD）。该TPS2375-1和TPS2377-1是第二代的pdc （ PD
控制器），具有100 -V评级和真正的漏极开路，电压正常指示功能。这些器件自动重试
选择TPS2375家庭成员的版本。在TPS2375 / 6/7设备上的信息可以在找到
TPS2375 / 6/7的数据表（ SLVS525A ） 。
除了检测，分类，和欠压锁定的基本功能（UVLO），这些控制器
包括可调浪涌电流限制功能。该TPS2375-1具有802.3af标准的UVLO限制，并且
TPS2377-1有传统的UVLO限制。
该TPS2375系列规格集成了电压1.5 V的范围和IEEE 802.3af标准之间的偏差
规格，以容纳用于使PD的极性不敏感所要求的输入二极管电桥。
其他资源可以在TI网站www.ti.com上找到。
RJ-45
1
TX
对
检测
DATA TO
以太网PHY
分类
上电
和
侵入
2
DF01S
2个地方
(2)
输入
当前
3类
当前
V（ PG - RTN ）
R
DET
24.9千瓦
1%
SMAJ58A
TPS2375-1
100千瓦
VDD
DET
ILIM
PG
R
ILIM
178千瓦
1%
于直流/直流
变流器
备用
对
RX
对
357
W
1%
7
8
R
类
VSS
(1)
备用
对
47
m
F,
100 V
4
5
0.1
m
男， 100 V， 10 ％
VDD
VRTN
类
RTN
3
DATA TO
以太网PHY
注意事项：
1 ） 3级PD描述
2 ） PG上拉电阻是可选的。
注：所有电压相对于VSS 。
6
图1.典型应用电路和启动波形
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
TPS2375-1
TPS2377-1
SLVS570 - 2005年3月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成
电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的操作和安装
程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损害，因为非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
可选项
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
UVLO阈值（在标称值）
TYPE
802.3af
遗产
低
30.5 V
30.5 V
高
39.3 V
35.1 V
SO-8
--
TPS2377D-1
包
(1)
TSSOP-8
TPS2375PW-1
--
记号
2375-1
2377-1
添加的R后缀磁带和卷轴的设备类型。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
，电压参考V
（ VSS ）
TPS237x
-0.3 V至100 V
0.3 V至10 V
0.3 V至12 V
0 515毫安
0至5毫安
0到1mA
0到50mA
0到1mA
2千伏
500 V
8/15千伏
内部限制
-65 ℃150 ℃的
260°C
235°C
VDD ， RTN ， DET ， PG
(2)
电压
ILIM ， UVLO
类
RTN
(3)
目前，沉没
PG
DET
目前，采购
类
ILIM
人体模型
ESD
T
J
T
英镑
带电器件模型
系统级（接触/空气）的RJ -45
(4)
最高结温范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，10秒 - 绿色包装
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下， 10秒 - 非绿色
套餐
(1)
(2)
(3)
(4)
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
I
（ RTN ）
= 0
SOA仅限于V
（ RTN ）
= 80 V和I
（ RTN ）
= 515毫安。
浪涌施加到RJ-45图1的RJ-45的引脚之间的，以及销和每EN61000-4-2 ， 1999的输出电压轨之间。
额定功耗表
(1)
包
(2)
D（ SO - 8 ）
PW （ TSSOP - 8 ）
(1)
(2)
θ
JA
（ LOW- K）的
° C / W
238
258.5
θ
JA
（高K ）
° C / W
150
159
额定功率
T
A
= 85°C （高K ）
（ mW）的
266
251
根据JEDEC JESD51测试。高K是（2信号 - 2平面），测试板和低K是一个双面
板最小焊盘面积和自然对流。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录的
本文档的末尾，或者看到TI的网站
www.ti.com 。
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TPS2375-1
TPS2377-1
SLVS570 - 2005年3月
推荐工作条件
民
输入电压范围
工作电流范围（下沉）
分类电阻器
(1)
R
（ ILIM ）
T
J
T
A
(1)
浪涌电流限制电阻方案
吸收电流
工作结温
经营自由的空气温度
电压应不外加上课， ILIM 。
(1)
最大
57
5
350
4420
500
2
125
85
单位
V
V
mA
k
mA
°C
°C
VDD ， PG ， RTN
UVLO
RTN
类
PG
0
0
0
255
62.5
0
-40
-40
电气特性
V
（VDD）的
= 48 V ，R
（ DET ）
= 24.9 kΩ的，R
（ CLASS ）
= 255
,
R
（ ILIM ）
= 178 kΩ，并将-40°C
≤
T
J
≤
125 ℃，除非另有说明。积极
电流是成针。典型值是在25℃ 。所有的电压都是相对于VSS ，除非另有说明。
参数
发现
失调电流
睡眠电流
DET漏电流
DET开放，V
（VDD）的
= V
（ RTN ）
= 1.9 V ，测量
I
（VDD）的
+ I
（ RTN ）
DET开放，V
（VDD）的
= V
（ RTN ）
= 10.1 V，测量
I
（VDD）的
+ I
（ RTN ）
V
（ DET ）
= V
（VDD）的
= 57 V，测量我
（ DET ）
V
（ RTN ）
= V
（VDD）的
,
R
（ DET ）
= 24.9 k,
衡量我
（VDD）的
+ I
（ RTN ）
+
I
（ DET ）
V
（VDD）的
= 1.4 V
V
（VDD）的
= 10.1 V
53.7
395
0.3
4
0.1
56
410
3
12
5
58.3
417
A
A
A
A
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
检测电流
分类
R
（ CLASS ）
= 4420
,
13
≤
V
（VDD）的
≤
21 V
R
（ CLASS ）
= 953
,
13
≤
V
（VDD）的
≤
21 V
I
（ CLASS ）
分类
当前
(1)
R
（ CLASS ）
= 549
,
13
≤
V
（VDD）的
≤
21 V
R
（ CLASS ）
= 357
,
13
≤
V
（VDD）的
≤
21 V
R
（ CLASS ）
= 255
,
13
≤
V
（VDD）的
≤
21 V
V
（ CL_ON ）
V
（ CU_OFF ）
V
（ CU_H ）
通设备
r
DS （ ON）
抗性
漏电流
电流限制
I
（ LIM ）
浪涌限制
浪涌电流终止
(2)
2.2
10.3
17.7
27.1
38
10.2
21
0.5
2.4
10.6
18.3
28
39.4
11.3
21.9
0.78
2.8
11.3
19.5
29.5
41.2
13.0
23
1
1
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
分类门槛较低
分类阈值上限
漏电流
调节器导通，V
（VDD）的
升起
调节器关闭，V
（VDD）的
升起
迟滞
V
（ CLASS ）
= 0 V, V
（VDD）的
= 57 V
I
（ RTN ）
= 300毫安
V
（VDD）的
= V
（ RTN ）
= 30 V
V
（ RTN ）
= 1 V
V
（ RTN ）
= 2 V ，R
（ ILIM ）
= 178 k
V
（ RTN ）
下降，R
（ ILIM ）
= 178 kΩ的，浪涌
状态→正常运行
R
（ ILIM ）
= 69.8 kΩ的，V
（ RTN - VSS ）
= 5 V,
I
（ RTN ）
= 30毫安→300毫安， V
（VDD）的
增加
过去上UVLO
施加载荷
∞→20 ,
测量时间
I
（ RTN ）
= 45毫安
V
（VDD）的
= 15 V, V
（ UVLO ）
= 0 V
0.58
1.0
15
405
100
85%
15
461
130
91%
25
515
180
100%
电流上升时间突进
s
2
2.5
1
限流响应时间
漏电流， ILIM
s
A
(1)
(2)
分类与精确的电阻值进行测试。 1％的容差分级电阻确保符合IEEE 802.3af标准的限制。
此参数指定RTN电流值，作为稳态浪涌电流的一个百分比，低于它必须落在使PG
断言（漏极开路） 。
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TPS2375-1
TPS2377-1
SLVS570 - 2005年3月
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电气特性（续）
V
（VDD）的
= 48 V ，R
（ DET ）
= 24.9 kΩ的，R
（ CLASS ）
= 255
,
R
（ ILIM ）
= 178 kΩ，并将-40°C
≤
T
J
≤
125 ℃，除非另有说明。积极
电流是成针。典型值是在25℃ 。所有的电压都是相对于VSS ，除非另有说明。
参数
PG
电压阈值上升
PG抗尖峰脉冲
输出低电压
漏电流
UVLO
V
（ UVLO_R ）
V
（ UVLO_F ）
TPS2375电压为VDD
V
（VDD）的
升起
V
（VDD）的
落下
迟滞
V
（VDD）的
升起
TPS2377电压为VDD
V
（VDD）的
落下
迟滞
热关断
关断温度
迟滞
偏置电流
工作电流
I
（VDD）的
240
450
A
升温
135
20
°C
°C
38.4
29.6
8.3
34.1
29.7
4.3
39.3
30.5
8.8
35.1
30.5
4.5
40.4
31.5
9.1
36.0
31.4
4.8
V
V
(3)
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
（ RTN ）
升起
延迟上升沿和下降沿PG
I
（ PG ）
= 2毫安， V
（ RTN ）
= 34 V,
V
（VDD）的
= 38 V, V
（ RTN ）
落下
I
（ PG ）
= 2毫安， V
（ RTN ）
= 0 V, V
（VDD）的
= 25 V
V
（ PG ）
= 57 V, V
（ RTN ）
= 0 V
9.5
75
10
150
0.12
0.12
0.1
10.5
225
0.4
0.4
1
V
s
V
V
A
(3)
开始V
（ RTN ）
= 0 V，则增加V
（ RTN ）
直到PG开关。热关断发生前测量。
4
QQ：2881677436 复制
