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TPS23750
TPS23770
SLVS590B - 2005年7月 - 修订2008年2月
结合100 -V型IEEE 802.3af PD和DC / DC控制器
1
特点
描述
该TPS23750集成的功能
TPS2375与初级侧的DC / DC PWM控制器。
设计人员可以创建一个前端解决方案
的PoE -PD应用最少的外部
组件。该TPS23770是相同的
TPS23750除欠压
锁定的开启电压，这是与兼容
遗留系统。
PoE前端具有所需的所有IEEE
802.3af功能，包括检测，分类，
欠压锁定和浪涌电流控制。 PoE供电
输入开关集成在TPS23750内。
该直流/直流控制器部分被设计为支持
反激式，转发和非同步低侧开关
降压拓扑结构。
外部开关MOSFET和电流检测
电阻器提供在拓扑结构中，功率电平的灵活性，并
电流限制。全功能DC / DC控制器
包括可编程软启动，打嗝式故障
限制性的， 50 ％的最大占空比，可编程
恒定开关
频率，
和一个真
电压 - 输出误差放大器。附加的保护
功能提供了强大的设计。
完整的802.3af PoE接口
- 功能的TPS2375衍生
– 100 V, 0.6
内部MOSFET的通
- 标准和传统UVLO选择
- 修正了140毫安浪涌限制
初级侧DC / DC转换器控制
- 最少的外部元件数量
电流模式控制
- 隔离和非隔离式拓扑结构
可编程的工作频率
- 电流检测的前沿消隐
- 50％的占空比限制
- 电压输出误差放大器
内部PoE和转换器定序
工业标准20引脚封装
工业温度范围： -40 ° C至85°C
2
应用
所有PoE PD设备，包括：
无线接入点
- VoIP电话
安全摄像头
从以太网
变形金刚
V
DD
R
DET
SENP
DET
0.1
m
F
58V
从备用
成对或
变形金刚
R
类
类
低电压
隔离
产量
V
SS
COMP
BL
牛逼PS23750
V
BIAS
模式
V
BIAS
频率
TMR
V
DD
AUX
V
BIAS
门
RSP
COM
RTN
RSN
C
BIAS
C
TMR
SEN
FB
TLV431
图1.典型应用
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有2005-2008 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS23750
TPS23770
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
UVLO门槛值
TYPE
标准
遗产
低
30.5 V
30.5 V
高
39.3 V
35.1 V
包
(2)
TSSOP- 20使用PowerPad
TPS23750PWP
TPS23770PWP
记号
TPS23750
TPS23770
添加的R后缀磁带和卷轴的设备类型。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围，并针对V
SS
除非另有说明
(1)
单位
输入电压范围
输入电压范围
输入电压范围
输入电压范围
输入电压范围
输入电压范围
(3)
目前采购
V
BIAS
目前采购
源型或漏电流， COMP
平均采购或吸收电流， GATE
HBM ESD额定值
ESD - 系统级（接触/空气）的RJ -45
连续总功率耗散
T
J
T
英镑
最大工作结温
存储温度范围
铅温度1.6mm （1/ 16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
(2)
(3)
(4)
(4)
(3)
(2)
RSN ， COM ， RTN ， SEN
AUX ， VDD ， DET ， SENP
[V
BIAS
， BL ， TMR ， FB ， COMP ， FREQ ，可吸入悬浮粒子，模式] RTN
[门或AUX]以COM
[ RSN以RTN ]和[ COM到RTN ]
SENP到SEN
类
AUX
-0.7 V至100 V
-0.3 V至100 V
0.3 V至6.5 V
0.3 V至20 V
0.3 V至0.3 V
-0.3 V至100 V
0.3 V至12 V
内部限制
内部限制
内部限制
25毫安
RMS
2千伏
8千伏/ 15千伏
见耗散额定值表
内部限制
-65_C到150_C
260°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
I
RTN
= 0 V
RTN
> 80 V.我最大
RTN
= 500 mA的80 V.
不要施加外部电压源来上课， DET ， GATE ，频率，V
BIAS
和TMR 。
浪涌施加到RJ-45 TPS23750EVM -107的RJ-45的引脚之间以及引脚和每EN61000-4-2输出电压轨之间，
1999年，无设备故障。
2
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(2)
推荐工作条件
(1)
所有电压值都是相对于V
SS
除非另有说明。
民
V
DD
输入电压范围
输入电压范围
(3)
喃
最大
67
V
BIAS
16
1
2
2
2
20
单位
V
V
COM ， SEN ， SENP
FB ， COMP ， MODE ， BL
AUX到COM
RSP为RSN
AUX
0
0
0
0
0
0
0
0.8
0.08
30
-40
-40
目前采购
Q
G
门装
AUX负载电容
V
BIAS
负载电容
R
频率
T
J
T
A
(1)
(2)
(3)
V
BIAS
COMP
mA
nC
F
F
kΩ
°C
°C
25
1.5
300
125
85
工作结温范围
工作环境温度范围
RSN ，COM和RTN要绑在一起。 SENP应该连接到V
DD
除了降压配置，其中它应该连接到
输出正电源轨。
TMR ，频率， CLASS ， DET ，V
BIAS
，和GATE不应在外部驱动。
结温可能是高偏置电源设计的一个制约因素。
耗散额定值表
包
PWP （ TSSOP -20 ）
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
θ
JP
° C / W
(1)
1.4
θ
JC
° C / W
26.62
θ
JA
° C / W
(2)
32.6
θ
JA
° C / W
(3)
151.9
θ
JA
° C / W
(4)
73.8
最大额定功率
(W)
(5)
1.2
热阻结到垫。
请参见TI文档
SLMA002
推荐布局。这是一种最好的情况下，零气流号码。
JEDEC的方法具有低k板（2信号层）和电源焊垫没有焊接（最坏情况） 。
JEDEC的方法具有高k板（ 4层， 2信号和第2面）和电源焊垫没有焊接。
基于TI推荐的布局和85 ° C的环境温度。
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电气特性
特点是： -40°C
≤
T
J
≤
125°C ; V
DD
– V
SS
= 48 V. V
DD
，阶级和DET参考V
SS
和所有
其它引脚电压参考的RSN ，COM和RTN短接在一起，除非另有说明。
SEN = MODE = BL = RSP = RTN ， FB = V
BIAS
， SENP = V
DD
, C
TMR
= 1000pF的，C
VBIAS
= 0.1
F,
C
VAUX
= 0.1
F,
R
频率
= 150千欧，R
DET
= 24.9 kΩ的，R
类
= 255
,
门被卸载，和V
BIAS
和AUX没有外部载荷
除非另有说明。
DC / DC控制器部
RTN = V
SS
仅适用于本部分。
参数
偏置电源（ VBIAS ）
V
BIAS
V
AUX
输出电压
0
≤
I
负载
≤
5毫安
18 V
≤
V
VDD - COM
≤
57 V， 0毫安
≤
I
AUX
≤
10毫安
V
AUX
= 0 V
R
频率
= 30 kΩ的，V
COMP
= 3.9 V， MODE = V
BIAS
，测量门
电压，在50 ％上升至50％下降
MODE = V
BIAS
, V
COMP
= 3 V ，测量在GATE
f
OSC
振荡器频率
R
频率
= 30 k
R
频率
= 150 k
误差放大器（ FB ， COMP ）
COMP源电流
COMP灌电流
V
REF
FB调节电压
开环电压增益
小信号单位增益带宽
COMP输入电阻
FB漏（源或汇）
软启动定时器（ TMR ）
源出电流
源出/吸入电流的比值
在占空比
电流检测（ RSP ， RSN ， BL ）
电流限制阈值
故障电流阈值
MODE = V
BIAS
, V
COMP
= 4.2 V, V
TMR
= 2.5 V ，增加
V
RSP- RSN
直到占空比从50％切换到最小
MODE = V
BIAS
, V
COMP
= 4.2 V, V
TMR
= 2.5 V ，增加
V
RSP- RSN
直到没有门脉冲发生
V
RSP - RSN
= 0.6 V, V
AUX
= 12 V ， MODE = V
BIAS
, V
COMP
= 4.2 V,
V
TMR
= 2.5 V.测量V的50 ％
门
↑
到50 ％的V
门
↓
最小的传播延迟， BL浮动
t
BLNK
限流延迟
消隐期间（脉冲宽度以上最小） ，BL连接到
RSN
消隐期间（脉冲宽度以上最小） ，BL连接到
V
BIAS
目前的可吸入悬浮粒子
栅极驱动器（ GATE ）
输出电压摆幅
峰源电流
峰值灌电流
电压转换器（ SEN ， SENP ）
（ SENP - SEN ）调节电压
V
TMR
= 2.5V，测量用伺服回路包括误差
扩音器
1.456
1.492
1.526
V
5毫安来源，V
AUX
= 12 V
5毫安水槽，V
AUX
= 12 V
V
AUX
= 12 V ，脉冲测试
V
AUX
= 12 V ，交流测试或脉冲测试与TMR = RSN
0.33
0.7
0.58
1.0
11.9
0.05
0.8
1.3
V
A
A
FREQ = V
BIAS
， MODE = V
BIAS
, V
COMP
= 4 V,
V
RSP- RSN
= 0.4 V，I
RSP
采购
40
45
70
60
70
105
90
95
140
A
ns
0.46
0.70
0.5
0.765
0.54
0.83
V
V
MODE = V
BIAS
, V
COMP
= 4.4 V，第二个周期和超越
TMR充电，V
TMR
较低的门槛和夹子之间
38
9
8
50
10
9.1
62
11
10
A
-
%
0
≤
V
COMP
≤
4 V， FB = RTN ，V
TMR
= 2.5 V
1.2 V
≤
V
COMP
≤
V
BIAS
, V
TMR
= 2.5 V
V
COMP
= 2.5 V, V
TMR
= 2.5 V
1.2 V
≤
V
COMP
≤
4 V, V
TMR
= 2.5 V
V
COMP
= 2.5 V, V
TMR
= 2.5 V
MODE = V
BIAS
, 1.1
≤
V
COMP
≤
4.4, V
TMR
= 2.5 V
0
≤
V
FB
≤
V
BIAS
, V
TMR
= 2.5 V
2.5
2.4
1.47
80
1.5
70
2
100
130
1
1.50
1.53
mA
mA
V
dB
兆赫
k
A
435
90
487
100
565
110
千赫
4.60
5.1
5.5
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
辅助电源（ AUX ）
电源输出电压
电流限制
振荡器（ FREQ ）
D
最大
最大占空比
48.8
49.2
49.5
%
9
12
10
23.5
11
28
V
mA
2.5
4
8
4
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DC / DC控制器部分（续）
RTN = V
SS
仅适用于本部分。
参数
译者输出电阻
SEN吸收电流
SENP吸收电流
测试条件
V
SENP森
= 1.5 V， TMR = RSN ，我
FB
= 0
A
和10
A,
R
FB
=
ΔV
FB
/
Δ
I
FB
V
SENP森
= 1.50 V, V
TMR
= RSN
V
SENP森
= 1.50 V, V
TMR
= RSN
17
22.5
民
11.25
典型值
15
最大
18.75
1
28
单位
k
A
A
供电部分
参数
检测（ DET ）
失调电流
睡眠电流
DET漏电流
检测电流
分类（ CLASS ）
RTN = V
DD
，我测量
VDD
+ I
RTN
+ I
DET
+ I
SENP
R
类
= 4420
,
13
≤
V
DD
≤
21 V
I
类
当前分类
R
类
= 953
,
13
≤
V
DD
≤
21 V
R
类
= 549
,
13
≤
V
DD
≤
21 V
R
类
= 357
,
13
≤
V
DD
≤
21 V
R
类
= 255
,
13
≤
V
DD
≤
21 V
V
CL_ON
V
CL_H
V
CU_OFF
V
CU_H
分类门槛较低
调节器导通，V
DD
升起
迟滞
调节器关闭，V
DD
升起
迟滞
2.2
10.3
17.7
27.1
38.0
10.2
1
21
0.5
2.5
10.6
18.3
28.0
39.4
11.3
1.75
21.9
0.83
2.8
11.3
19.5
29.5
41.2
13.0
3
23
1
V
mA
DET开放，V
DD
= V
RTN
= 1.9 V ，测量我
VDD
+ I
RTN
+ I
SENP
DET开放，V
DD
= V
RTN
= 10.1 V，测量我
VDD
+ I
RTN
+ I
SENP
V
DET
= V
DD
= 57 V，测量我
DET
RTN = V
DD
，我测量
VDD
+ I
RTN
+
I
DET
+ I
SENP
V
DD
= 1.4 V
V
DD
= 10.1 V
51.5
395
0.45
5.6
0.3
55
411
4
12
5
58.7
417
A
A
A
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
分类阈值上限
V
通器件（ RTN ）
抗性
电流限制
I
INR
控制
浪涌电流状态终止
UVLO
V
UVLO_R
V
UVLO_f
V
UVLO_R
V
UVLO_f
传统的UVLO阈值
标准UVLO阈值
V
DD
上升，我的显示器
RTN
V
DD
下降，监视我
RTN
迟滞
V
DD
上升，我的显示器
RTN
V
DD
下降，监视我
RTN
迟滞
38.4
29.6
8.3
34.1
29.7
4.3
39.3
30.5
8.8
35.1
30.5
4.5
40.4
31.5
9.1
36.0
31.4
4.8
V
V
I
RTN
从我坠落
INR
, I
RTN
/I
INR
0.85
1.00
浪涌限制
I
RTN
= 300毫安
V
RTN
= 1 V
V
RTN
= 1.6 V
405
100
0.60
450
140
1
515
180
mA
mA
版权所有2005-2008 ，德州仪器
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